JPH0851069A - ステップ・アンド・リピート装置 - Google Patents

ステップ・アンド・リピート装置

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JPH0851069A
JPH0851069A JP7112936A JP11293695A JPH0851069A JP H0851069 A JPH0851069 A JP H0851069A JP 7112936 A JP7112936 A JP 7112936A JP 11293695 A JP11293695 A JP 11293695A JP H0851069 A JPH0851069 A JP H0851069A
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    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、半導体ウェーハを結像する
ためのマルチステーション・ステップ・アンド・リピー
ト装置（ステッパ）を提供することである。 【構成】 本発明によれば、少なくとも２つのステーシ
ョン１０６、１０８を有し、そのうちの少なくとも１つ
が結像用１０８である、ステッパが提供される。結像用
ステーション以外のステーションは、像フィールド特性
測定または像欠陥修正または位相シフト・マスク（ＰＳ
Ｍ）ループ・カッティングに使用することができる。直
交する方向に向けられた複数のレーザ・ビーム１２０〜
１３４が、干渉計による監視を提供して、ステッパ上の
ウェーハに関してウェーハ位置を追跡する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パターン転写装置に関
する。具体的に言うと、本発明は、半導体デバイス製造
に使用される回路パターン転写装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路チップを製造する時、通常は、
同一チップのアレイを、１つまたは複数の半導体ウェー
ハ上に形成する。通常、各チップ・パターンは、アレイ
・チップごとに、水平方向すなわちｘ方向またはもう１
つの垂直の方向すなわちｙ方向にウェーハを増分式にス
テップ送りすることによって形成される。増分ステップ
のそれぞれで、チップ・パターンがフォトレジストにプ
リントされる。ウェーハを順次ステップ送りし、各ステ
ップでパターンを繰返しプリントするための装置を、ス
テッパと称する。ステッパには、ウェーハを取り付け、
確実に保持するためのチャックと称するプラットホーム
と、ウェーハにパターンを刻印するための何らかの形態
の光学露光装置（オプティックス）と、アレイを介して
チャックをステップ送りする機械制御装置が含まれる。
チャックは、ウェーハと比較して大きな質量を有する。
チャックは、ウェーハの背面に真空を印加するためのチ
ャック内のピン・ホール・サイズのオリフィスなど、ウ
ェーハを定位置に固定して保持するための手段も有す
る。チャックは通常、手動によるか、コンピュータ制御
の下で機械的または電子的に移動可能である。従来技術
のステッパの例については、参照によって本発明に組み
込まれる米国特許第４６４８７０８号明細書を参照され
たい。
【０００３】ステッパの動作は、かなり単純である。ウ
ェーハをチャックに置き、チャックによって保持する。
ウェーハのステップ送りと繰返しは、通常はコンピュー
タ制御下で行われる。通常、ウェーハ（チャック上の）
をステップ送りする。各ステップで、隣接するチップ・
フィールドを、オプティックスの真下に位置決めして、
チップ・パターンをプリントする。オプティックスは、
鮮明なチップ像をプリントするために、チップの「フィ
ールド」全体で焦点を合わせる能力を有する必要があ
る。
【０００４】以前、集積回路が粗であり、チップが比較
的小さかった時、すなわち、１辺が１０ｍｍ未満であっ
た時には、焦点深度が、ウェーハ表面とオプティックス
の間の距離の変動を吸収するのに十分な大きさであっ
た。ウェーハ表面の平坦度や傾斜を考慮する必要は、ほ
とんどなかった。単純な大域焦点合せを有するステッパ
で十分であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、より高機能の
複雑なチップの要求が高まったので、チップ表面形状が
はるかに微細になり、チップ・サイズは１０ｍｍを超え
ようとしている。表面形状が微細になり、チップが大き
くなるのに伴って、より大きなウェーハの不規則性が重
要になる。フィールド全体にわたる焦点合せが、ますま
す困難になっている。したがって、かつては無視できた
表面のわずかな傾斜が、より大きなフィールドの場合に
は無視できない大きさになる可能性がある。したがっ
て、フィールドの１側面付近で焦点を合わせると、反対
の側面で焦点が合わなくなる可能性がある。また、傾い
たフィールドの中央付近で焦点を合わせると、両端で焦
点が合わなくなる可能性がある。したがって、フィール
ド全体にわたって正しい焦点合せを達成するために、ウ
ェーハを傾けて表面の傾斜を補償しなければならない。
もう１つの問題は、隣接するフィールドが互いにわずか
に傾いている可能性である。ウェーハを傾けて、あるフ
ィールドに焦点を合わせると、隣接フィールドで焦点が
合わなくなる可能性がある。
【０００６】残念ながら、従来技術のステッパでは、各
フィールドの傾斜を測定すると、ウェーハ・スループッ
トが悪化する。フィールドに像をプリントする前に、フ
ィールドごとに多数の点でステッパ上のウェーハを測定
しなければならない。これらのフィールド測定のすべて
を、チャックへの再取り付けなしで行わなければならな
い。これらのフィールド測定のそれぞれを行うと、ウェ
ーハごとに必要なステッパ時間が事実上増大する。その
代わりに、結像の前にウェーハ全体についてフィールド
傾斜の特性を測定することによって、フィールドごとに
必要な点の数を減らすことができる。しかし、チャック
への再取り付けを避けるために、フィールド傾斜特性測
定は、結像と同一のステッパ上で行う必要があり、やは
りかなりのステッパ時間が必要である。
【０００７】フィールド傾斜特性測定後は、ウェーハを
チャックから取り外して再取り付けすることはできな
い。というのは、一旦チャック解除によって真空を断っ
たならば、フィールド傾斜データが無効になるからであ
る。このデータが無効になるのは、ウェーハを取り外し
てしまうと、そのウェーハを同一のチャックに再び取り
付けた時であっても、数十μまたは数百μ以内の精度で
判定される測定対象の各フィールドの相関を維持できな
いからである。したがって、フィールド傾斜を別途測定
するためにウェーハのチャック解除またはステッパから
のウェーハの取外しを必要とする方法は、どれも許容で
きない。しかし、同一チャックでの結像前の特性測定
は、順次ステップを必要とするので、各ウェーハをチャ
ック上に置かなければならない時間が倍になり、ステッ
パのスループットが低下する。
【０００８】従来技術のステッパには、ウェーハ・スル
ープットと位置合せ精度の間にもう１つのトレードオフ
がある。典型的な位置合せ手法は、複数の位置でオフ・
アクシス（結像レンズの下から離れた位置）からウェー
ハの位置決めマーク位置を測定することである。これら
の位置測定値を、拡大、回転、位置決めおよび多数の他
の可能な誤差に関して、統計的に分析する。この分析結
果に基づいて、ウェーハ・ステージを最適の位置合せと
露光のために位置決めする。表面形状特性測定と同様
に、位置合せ測定は、結像前のウェーハの再取り付けな
しで行わなければならない。その結果、高機能高集積チ
ップに必要な位置合せ精度を達成する場合は、ステッパ
のスループットが許容できないほどに低くなる。
【０００９】もう１つの問題が、微細特徴のプリントか
ら発生する。位相シフト・マスク（ＰＳＭ）によって、
極度に微細な特徴のための超高解像度を達成する手法が
もたらされる。しかし、ＰＳＭでは、同一の像のために
複数のマスク露光が（たとえば、「ループ・カッティン
グ」として既知の処理や、位相シフトされた線の除去の
ために）必要である。１つの像が、高解像度の結像ステ
ーションと第２の低解像度ステーションを必要とする場
合がある。したがって、これらの像のプリントには、高
解像度マスクを用いる第１パスと低解像度マスクを用い
る第２パスの２つのステッパ・パスが必要である。２台
のステッパで実行される場合、これらの２パスＰＳＭマ
スク・レベルが、ステッパのスループットをさらに低下
させる。両方のパスを同一のステッパで実行する場合に
は、さらに大きな遅延が生じる。
【００１０】本発明の目的は、ステッパの位置合せ精度
を改善することである。
【００１１】本発明のもう１つの目的は、ステッパの使
用可能焦点深度を拡大することである。
【００１２】本発明のもう１つの目的は、ステッパでプ
リントされるマルチフィールド・パターンに対する個々
のフィールドの焦点合せを改善することである。
【００１３】本発明のもう１つの目的は、ステッパの使
用可能焦点深度と位置合せ精度を高めることである。
【００１４】本発明のもう１つの目的は、位相シフト・
マスク応用例でのステッパのスループットを改善するこ
とである。
【００１５】本発明のもう１つの目的は、ステッパでプ
リントされるマルチフィールド・パターンに対する個々
のフィールドの焦点合せを改善すると同時に、ステッパ
のスループットを改善することである。
【００１６】本発明のもう１つの目的は、ステッパの焦
点深度と位置合せ精度を高めると同時に、ステッパのス
ループットを改善することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】ウェーハ上に繰返し像を
形成するためのステップ・アンド・リピート装置であっ
て、少なくとも２つのウェーハ・ステーションと、前記
ウェーハ・ステーションのそれぞれにあるレンズとを含
むステッパを提供する。ステップ・アンド・リピート装
置は、２つ以上のチャックを有してよい。前記２つのス
テーションは、ウェーハ上のフィールドの特性を測定す
るための特性測定ステーションと、特性測定されたフィ
ールドに像を形成するための結像ステーションとするこ
とができる。
【００１８】
【実施例】本発明は、少なくとも２つのウェーハ・ステ
ーションを有するステップ・アンド・リピート装置（ス
テッパ）である。本明細書で使用する"用語ステーショ
ン"または"ウェーハ・ステーション"は、同一装置上の
もう１つのウェーハ・ステーションで実行される光学タ
スクと別個の特定の光学タスクを実行する、ステップ・
アンド・リピート装置の１区域を差す。したがって、各
ステーションには、参照によって本明細書に組み込まれ
る米国特許第５１１４２３４号明細書に教示されたもの
などのチャックが含まれ、そのステーションでウェーハ
に対して実行されるタスクに必要なオプティックスが含
まれる。
【００１９】図１に示された第１の好ましい実施例は、
２ステーション・ステッパである。ステッパ１００に
は、１対のチャック１０２および１０４が含まれ、２つ
のステーションは、破線によって囲まれた区域によって
表される特性測定ステーション１０６と結像ステーショ
ン１０８である。結像ステーション１０８は、結像レン
ズ１１２を有し、特性測定ステーション１０６は、特性
測定ヘッド１１０を有する。さらに、チャック１０２と
特性測定ヘッド１１０の両方を含む特性測定ステーショ
ン１０６には、ウェーハ１１４のフィールドごとにフィ
ールドの傾斜や深さを判定すると共に、他の必要な特性
を判定するための既知の機器（本発明の一部ではなく、
図示しない）も含まれる。特性測定ステーション１０６
でウェーハ・フィールドのすべての特性を測定した後
に、チャック１０２とウェーハ１１４を、結像ステーシ
ョン１０８にわたす。チャック１０４と結像レンズ１１
２を含む結像ステーション１０８には、ウェーハ１１６
の各フィールドに像を書込みまたはプリントするのに必
要な機器（本発明の一部ではなく、図示しない）も含ま
れる。特性測定ステーション１０６でのウェーハ１１４
の特性測定と同時に、前に特性を測定されたウェーハ１
１６の対応するフィールドのそれぞれに像がプリントさ
れる。したがって、特性測定ヘッド１１０のレンズは、
ウェーハ特性測定のために選択される。対応する結像レ
ンズ１１２は、鮮明で明瞭に画定された像をもたらすよ
うに選択される。任意選択として、特性測定ヘッド１１
０からレンズを省略することができる。
【００２０】従来技術のステッパに対してステッパのス
ループットを倍にするために、本発明では、あるウェー
ハの特性測定と第２のウェーハの結像を同時に行う。チ
ャック１０２および１０４は、粗動動作ではロックステ
ップで動作し、微細な相対移動も可能である。ウェーハ
１１４を特性測定ステーション１０６で特性測定してい
る間に、前に特性測定されたウェーハ１１６を、結像ス
テーション１０８で結像する。図１は、この並列動作状
態の直前の本発明の状態を表す図である。ウェーハ１１
４は、まだ特性測定されていない。ウェーハ１１６は、
結像の前に特性測定ステーション１０６で特性測定され
たフィールド１１８を有する。通常はコンピュータであ
るチャック・コントローラ（本発明の一部ではなく、図
示しない）が、チャック１０２および１０４の両方を互
いに粗いロックステップに保つ。このコントローラは、
前に収集された特性データすなわち特性測定ステーショ
ン１０６で収集したデータに基づいて、最適の像位置合
せ、位置および傾斜に関して、チャック１０４の正確な
空間位置と向きを微調整する。したがって、これらの動
作は並列に実行できるので、特性測定と結像を順次行う
ことしかできない従来技術のステッパに対して、ステッ
パのスループットが２倍になる。
【００２１】これらの並列動作は、２つの理由から可能
である。第１に、各ウェーハは、特性測定ステーション
と結像ステーションの両方で、同一のチャックに固定さ
れたままになる。第２に、チャックは、ウェーハ位置と
フィールド位置の両方を追跡し、維持するために、常に
干渉計によって監視される。したがって、好ましい実施
例のステッパには、チャック上のウェーハを干渉計によ
って監視するための装置が含まれる。したがって、複数
のレーザ・ビームがウェーハに向けられる。このレーザ
・ビームは、単一のエネルギー源（図示せず）から生成
され、この供給源は、複数のビームに分割される単一の
ビーム（やはり図示せず）を生成することが好ましい。
その代わりに、複数のレーザ・エネルギー源を使用し
て、ビームを個別に生成することができる。個々のビー
ムを、特性測定ステーション１０６または結像ステーシ
ョン１０８に向けて、正確なウェーハ監視および追跡の
ための測定をもたらす。ウェーハが特性測定ステーショ
ンと結像ステーションの間を移動している時であって
も、少なくとも１つのレーザ・ビームが各ウェーハのｘ
位置を追跡していることを保証するために、両方のウェ
ーハのｘ位置を監視し追跡するのに、少なくとも３つの
レーザ・ビームが必要である。好ましい実施例のステッ
パでは、ステーションの周囲に８つのレーザ・ビームを
置いて、ウェーハの位置を監視するほかにウェーハの向
きを監視する。この好ましい実施例では、２つのｙレー
ザ・ビーム１２０および１２２を、ステッパのｙ軸方向
に向ける。６つのｘレーザ・ビーム１２４、１２６、１
２８、１３０、１３２および１３４を、ステッパのｘ軸
方向に向ける。鏡８８、９０、９２、９４、９６および
９８を、ステーションに隣接して配置する。正確なウェ
ーハの追跡と位置合せを保証するために、各ウェーハの
フィールドの正確な位置を、特性測定ステーション１０
６で発見し、結像ステーション１０８とステーションの
間のすべての時刻で追跡しなければならない。このコン
スタントな監視によって、特性測定ステーション１０６
で収集した特性測定データが、結像ステーション１０８
でも有効であり、正確であることが保証される。それゆ
えに、ウェーハ１１４および１１６の両方を、常に干渉
計によって監視しなければならない。
【００２２】図２では、ウェーハ１１４および１１６
が、第１の好ましい実施例を使用して、部分的に特性測
定され、結像されている。フィールド１４０は、ウェー
ハ１１４上で特性測定されており、ウェーハ１１６上で
は、対応するフィールド１４２に像が書き込まれてい
る。特性測定されるウェーハのフィールド１４０のすべ
てを特性測定した後に、結像ウェーハ・フィールドのす
べてに像が形成されている。というのは、２つのチャッ
ク１０２および１０４が、粗動では１つのものとして一
緒にステップ動作するからである。
【００２３】最後のフィールド対に対する並列動作を完
了した後に、図３に示されるように、完成した（結像さ
れた）ウェーハ１１６と共にチャック１０４を取り外
す。完成したウェーハ１１６は、結像ステーション１０
８からロード／アンロード位置１５０に渡される。ロー
ド／アンロード位置１５０では、結像されたウェーハ１
１６を、後続の化学／光学加工のために取り外す。同時
に、特性測定されたウェーハ１１４と共に、前に特性測
定チャックであったチャック１０２を結像ステーション
１０８に移動して、結像用のチャック１０２にする。
【００２４】最後に、図４では、新しい（特性測定され
ていない）ウェーハ１５２が、チャック１０４にロード
される。前の結像用チャックであるチャック１０４にチ
ャックされたウェーハ１５２を、特性測定ステーション
１０６に移動して、チャック１０４を特性測定チャック
にし、ウェーハ１５２を特性測定されるウェーハにす
る。この配置は、図１の配置と同一である。上で述べた
並列動作を繰り返す。
【００２５】上で述べたように、干渉計による監視のた
めに、各ウェーハを、ｘに１つ、ｙに１つの少なくとも
２つのビームによって常に監視しなければならない。こ
のような監視装置を、図５に示す。矢印１２０および１
２２によって示される２つのｙレーザ・ビームが、ステ
ーションのｙ軸方向に向けられ、矢印２００、２０２お
よび２０４によって示される３つのｘレーザ・ビーム
が、ステッパのｘ軸方向に向けられる。この実施例で
は、各ウェーハが、１つのｙレーザ・ビーム１２０また
は１２２と、少なくとも１つのｘレーザ・ビーム２０
０、２０２または２０４によって常に監視される。した
がって、各ウェーハの位置は、少なくとも２つのレーザ
・ビームによって常に監視される。この実施態様は、フ
ィールド位置の正確な監視をもたらすが、この最少構成
では、ウェーハの回転を正確に測定できない。
【００２６】ウェーハの位置ならびに回転を監視するに
は、図１ないし図４または図６の実施例に示されたもの
など、少なくとも３つのレーザ・ビームによって常に各
ウェーハを監視する必要がある。図６のステッパは、３
つのｘレーザ・ビーム２００、２０２および２０４を有
する図５のステッパに類似している。しかし、この図６
の代替実施例のステッパは、２つの追加のｙレーザ・ビ
ーム１２０'および１２２'を有し、合計７つのレーザ・
ビームを有する。各ウェーハは、ｘレーザ・ビーム２０
０、２０２または２０４のうちの少なくとも１つと、２
つのｙレーザ・ビーム１２０および１２２または１２
０'および１２２'とによって常に監視される。
【００２７】図７は、最初の２つのステーションに第３
のステーションを追加した、もう１つの好ましい実施例
のステッパ３００を示す図である。この実施例は、位相
シフト・マスク（ＰＳＭ）応用例に特に適している。第
３のステーション１０６'は、ＰＳＭループ・カッティ
ング用の直交露光をもたらすために必要とされるよう
な、または、望ましくない位相シフト線を取り除くのに
必要な露光に必要とされるような、高パワーの二次レン
ズ１１０'を有する。代替方法として、ステッパの第３
のステーション１０６'は、マスク欠陥の修復や、像焦
点深度の改善に使用することもできる。像焦点深度は、
第３ステーションで同一のマスク像を用いてわずかに異
なる焦点でもう一度各フィールド像をプリントすること
によって改善できる。図７の実施例は、ｘ軸方向に向け
られた４つのｘレーザ・ビーム３１０、３１２、３１４
および３１６と、ｙ軸方向に向けられた４つのｙレーザ
・ビーム３２０、３２２、３２４および３２６を有す
る。任意選択として、図６のｙレーザ・ビーム１２０'
および１２２'に類似のレーザ・ビーム３１６'および３
２６'を追加して、ウェーハ回転を確実に監視すること
ができる。この３ステーション・ステッパの動作は、図
１の２ステーション・ステッパの動作と実質的に同一で
ある。
【００２８】干渉計監視によって得られる位置合せ精度
のほかに、本発明を用いて、スループットを悪化させず
に追加の位置合せ精度向上を実現することができる。追
加の位置合せ精度は、フィールド位置決め点の個数を増
やすことによって実現できる。マスク位置決め精度は、
位置決め点の個数の平方根に比例するので、位置決め点
の個数を増やすと、マスク位置決めの精度が向上する。
従来技術のステッパは、ウェーハ位置決め点を突き止め
るのに余分の時間を必要とした。位置決め点の数を増や
すと、時間がかかった（追加の点を突き止めるのに）。
したがって、ウェーハ位置決め点の個数は、従来技術の
ステッパでは時間によって制限されている。本発明を用
いると、位置決め点は、動作時に、特性測定中に位置決
め点に出会った時に検出される。位置決め点を突き止め
ても、特性測定の時間は長くならない。追加の時間が不
要なので、位置決め点の個数は無制限である。さらに、
本発明による連続的な干渉計監視のおかげで、一旦位置
決め点を突き止めると、その位置が結像ステーション１
０８で既知であり、使用可能である。
【００２９】したがって、たとえば、典型的な従来技術
の大域ウェーハ位置合せシステムが、１つのウェーハ上
に１３個のウェーハ位置決め点を有した場合、図１ない
し図４の好ましい実施例で特性測定と結像を行われる同
一のウェーハであれば、１フィールドあたり５つの位置
決め点を設けることができる。５０個のフィールドを有
するウェーハの場合、これは、１ウェーハあたり２５０
個の位置決め点を意味する。したがって、位置決め精度
の改善は、次式によって表される。
【数１】
【００３０】これは、従来技術に対して４００％を超え
る位置合せ精度の改善である。やはり、この位置合せ精
度の改善達成に絶対に必要なのが、本発明によって提供
される、特性測定と結像の両方を通じた干渉計による連
続的な監視である。フィールドの焦点合せや傾斜と同様
に、この位置合せの改善は、コントローラがステーショ
ンの間でウェーハを追跡できなくなるか、ステーション
の間でのウェーハのチャック解除と再取り付けのため
に、干渉計による監視が中断された場合には失われる。
【００３１】
【発明の効果】ステッパの焦点深度と位置合せ精度を高
めると同時に、ステッパのスループットを改善する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマルチステーション・ステッパの第１
の好ましい実施例を示す図である。
【図２】本発明のマルチステーション・ステッパの第１
の好ましい実施例を示す図である。
【図３】本発明のマルチステーション・ステッパの第１
の好ましい実施例を示す図である。
【図４】本発明のマルチステーション・ステッパの第１
の好ましい実施例を示す図である。
【図５】本発明の２ステーション・ステッパの代替実施
例を示す図である。
【図６】本発明の２ステーション・ステッパの代替実施
例を示す図である。
【図７】本発明の３ステーション・ステッパの好ましい
実施例を示す図である。
【符号の説明】
８８ 鏡 ９０ 鏡 ９２ 鏡 ９４ 鏡 ９６ 鏡 ９８ 鏡 １００ ステッパ １０２ チャック １０４ チャック １０６ 特性測定ステーション １０８ 結像ステーション １１０ 特性測定ヘッド １１２ 結像レンズ １１４ ウェーハ １１６ ウェーハ １１８ フィールド １２０ ｙレーザ・ビーム １２２ ｙレーザ・ビーム １２４ ｘレーザ・ビーム １２６ ｘレーザ・ビーム １２８ ｘレーザ・ビーム １３０ ｘレーザ・ビーム １３２ ｘレーザ・ビーム １３４ ｘレーザ・ビーム ３００ ステッパ

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】複数のウェーハ・ステーションを具備し、
    各前記ウェーハ・ステーションがチャック、オプティッ
    クスおよびウェーハ位置監視追跡装置を含むことを特徴
    とする、ウェーハ上に繰返し像を形成するためのステッ
    プ・アンド・リピート装置。
  2. 【請求項２】前記複数のウェーハ・ステーションが、２
    つのウェーハ・ステーションであることを特徴とする、
    請求項１に記載のステップ・アンド・リピート装置。
  3. 【請求項３】前記複数のウェーハ・ステーションが、３
    つのウェーハ・ステーションであることを特徴とする、
    請求項１に記載のステップ・アンド・リピート装置。
  4. 【請求項４】前記ウェーハ位置監視追跡装置が、前記ウ
    ェーハを干渉計によって突き止め、追跡することを特徴
    とする、請求項１に記載のステップ・アンド・リピート
    装置。
  5. 【請求項５】前記ウェーハ位置監視追跡装置が、 各チャックの周囲に配置された複数の鏡と、 少なくとも４つのレーザ・ビームの供給源とを具備し、 前記少なくとも４つのレーザ・ビームのうちの少なくと
    も２つが、前記ウェーハに向かう第１方向の平行ビーム
    であり、前記少なくとも４つのレーザ・ビームのうちの
    少なくとも２つが、前記ウェーハに向かう第２方向の平
    行ビームであり、前記第２方向が前記第１方向に対して
    直角であることを特徴とする、請求項１に記載のステッ
    プ・アンド・リピート装置。
  6. 【請求項６】前記少なくとも４つのレーザ・ビームの供
    給源が、少なくとも４つのレーザ・エネルギー源であ
    り、前記少なくとも４つのレーザ・エネルギー源のそれ
    ぞれが、前記少なくとも４つのレーザ・ビームのうちの
    １つを生成することを特徴とする、請求項５に記載のス
    テップ・アンド・リピート装置。
  7. 【請求項７】ウェーハ位置監視追跡装置が、 各チャックの周囲に配置された複数の鏡と、 少なくとも４つのレーザ・ビームの供給源とを具備し、 前記少なくとも４つのレーザ・ビームのうちの少なくと
    も２つが、前記ウェーハに向かう第１方向の平行ビーム
    であり、前記少なくとも４つのレーザ・ビームのうちの
    少なくとも２つが、前記ウェーハに向かう第２方向の平
    行ビームであり、前記第２方向が前記第１方向に対して
    直角であることを特徴とする、請求項２に記載のステッ
    プ・アンド・リピート装置。
  8. 【請求項８】前記２つのステーションが、 ウェーハ上のフィールドの特性を測定するための特性測
    定ステーションと、 前記特性測定されたフィールド上に像を形成するための
    結像ステーションとを含むことを特徴とする、請求項７
    に記載のステップ・アンド・リピート装置。
  9. 【請求項９】前記特性測定ステーションが、フィールド
    深さとフィールド傾斜とを判定するための手段を含むこ
    とを特徴とする、請求項８に記載のステップ・アンド・
    リピート装置。
  10. 【請求項１０】前記特性測定ステーションが、位置決め
    点を検出するための手段を含むことを特徴とする、請求
    項８に記載のステップ・アンド・リピート装置。
  11. 【請求項１１】前記３つのウェーハ・ステーションが、
    特性測定ステーションと第１および第２の結像ステーシ
    ョンとを含むことを特徴とする、請求項３に記載のステ
    ップ・アンド・リピート装置。
  12. 【請求項１２】前記第２結像ステーションが、特性測定
    ステーション兼像欠陥修復ステーションであることを特
    徴とする、請求項１１に記載のステップ・アンド・リピ
    ート装置。
  13. 【請求項１３】前記３つのウェーハ・ステーションが、
    特性測定ステーション、結像ステーションおよび位相シ
    フト・マスク・ループ・カッティング・ステーションで
    あることを特徴とする、請求項３に記載のステップ・ア
    ンド・リピート装置。
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