JPS60188955A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS60188955A JPS60188955A JP59042818A JP4281884A JPS60188955A JP S60188955 A JPS60188955 A JP S60188955A JP 59042818 A JP59042818 A JP 59042818A JP 4281884 A JP4281884 A JP 4281884A JP S60188955 A JPS60188955 A JP S60188955A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- thickness
- alignment
- advance
- positioning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は無光装置、特に半導体製造に用いられる露光装
置に関する。
置に関する。
第１図は従来例に係る縮少投影露光装置の概略ｌ）、ｉ
１面図である。第１図ｉ−参照しながら従来装置の構成
を説明する。投影レンズ１は、所定の位置に配置された
レチクル２の投影像を像面４に結像する。投影レンズ１
には、ウェハー載置台５に保持されたウェハー３の表面
位置を検知するためのエアセンサーノズルもしくは静電
答彊：型センサー等の非接触センサー６が固定されてい
る。これらのセンサーは、通常高い精度を有しているた
め、像面とのギヤツブ斌Ｇは極めて小さい。一方、投影
し／ズ１のイサ面と平行に移動するＸＹステージ７には
、ウェハー載置台５およびウェハー３全上下に移動させ
る２駆動機構８が組込まれており、これによりウェハー
３が投影レンズ１の下に置かれた時、非接触センサー６
の出力に従ってウェハー表面を像面に合致すべく動作す
る。投影レンズ１のそばには、ウェハー上の特定のパタ
ーンを検知すべく構成されたアライメント検出糸１０が
投影レンズとの相互位置関係を保持しながら固定されて
いる。この検出光学系は、いわゆるオファクシススチッ
パ−の場合、主アシイメント検出系として働き、ＴＴＬ
アライメント系を持つステッパーの嬌合、補助的なアラ
イメント検バーの厚さに支配されて１点鎖線と２点鎖線
で示ｔヶｍ ｉＥ工Ｌ６ｏＬ：＆、Ｉ−＃ＱＷＳ： Ｉ
Ｌ −、Ｗ、 “〔発明の目的〕 実施例〕 複数個の位１べ決めビン２２があり、ウェハーはこれに
突当てることにより位置決めされる。ウェハーの下には
ウェハー支持板２３があり、位置決めされたウェハーを
真空等の手段で吸着固定する。
１面図である。第１図ｉ−参照しながら従来装置の構成
を説明する。投影レンズ１は、所定の位置に配置された
レチクル２の投影像を像面４に結像する。投影レンズ１
には、ウェハー載置台５に保持されたウェハー３の表面
位置を検知するためのエアセンサーノズルもしくは静電
答彊：型センサー等の非接触センサー６が固定されてい
る。これらのセンサーは、通常高い精度を有しているた
め、像面とのギヤツブ斌Ｇは極めて小さい。一方、投影
し／ズ１のイサ面と平行に移動するＸＹステージ７には
、ウェハー載置台５およびウェハー３全上下に移動させ
る２駆動機構８が組込まれており、これによりウェハー
３が投影レンズ１の下に置かれた時、非接触センサー６
の出力に従ってウェハー表面を像面に合致すべく動作す
る。投影レンズ１のそばには、ウェハー上の特定のパタ
ーンを検知すべく構成されたアライメント検出糸１０が
投影レンズとの相互位置関係を保持しながら固定されて
いる。この検出光学系は、いわゆるオファクシススチッ
パ−の場合、主アシイメント検出系として働き、ＴＴＬ
アライメント系を持つステッパーの嬌合、補助的なアラ
イメント検バーの厚さに支配されて１点鎖線と２点鎖線
で示ｔヶｍ ｉＥ工Ｌ６ｏＬ：＆、Ｉ−＃ＱＷＳ： Ｉ
Ｌ −、Ｗ、 “〔発明の目的〕 実施例〕 複数個の位１べ決めビン２２があり、ウェハーはこれに
突当てることにより位置決めされる。ウェハーの下には
ウェハー支持板２３があり、位置決めされたウェハーを
真空等の手段で吸着固定する。
上方への移動に際しては、ウェハーと位置決めビン２２
が接触してウェハーを破損しないよう、ウェハーを一端
矢印方回（ａ −＋ ｂ ）へ移動する。
が接触してウェハーを破損しないよう、ウェハーを一端
矢印方回（ａ −＋ ｂ ）へ移動する。
次にウェハーは吸盤のようなウェハー保持手段を七する
搬送手段２５、例えば揺動アームによりウェハー支持板
２３から離脱させられ（ｂ→Ｃ）、ウェハー受渡し位置
１２の上方へ運ばれ、そこで一時待機する（ｃ −＋
ｄ ）。通常これら一連の動作はＸＹステージ上のウェ
ハー３がアライメントおよび露光等の処理がなされてい
る間に、次に処理されるべきウェハー３′に対して行わ
れるものであり、またかかる動作はウェハー３の処理時
間内にすべて終了しているものである。従ってもし更に
ウェハー３に対して別の作業を付加しても、ウェハー３
に対するアライメント・露光等の処理時間内に終了させ
れば装置自体の処理能力に何ら影響を及ぼすものではな
い。
搬送手段２５、例えば揺動アームによりウェハー支持板
２３から離脱させられ（ｂ→Ｃ）、ウェハー受渡し位置
１２の上方へ運ばれ、そこで一時待機する（ｃ −＋
ｄ ）。通常これら一連の動作はＸＹステージ上のウェ
ハー３がアライメントおよび露光等の処理がなされてい
る間に、次に処理されるべきウェハー３′に対して行わ
れるものであり、またかかる動作はウェハー３の処理時
間内にすべて終了しているものである。従ってもし更に
ウェハー３に対して別の作業を付加しても、ウェハー３
に対するアライメント・露光等の処理時間内に終了させ
れば装置自体の処理能力に何ら影響を及ぼすものではな
い。
ウェハー３に対してアライメント・露光等の処理が終了
してウェハー授受位置１２に来たときウェハー３は図示
せざる回収手段にょシウェハー載置台５の上から取り去
られ、次の新たなウェハー３′がウェハー載置台５の上
に記ｊ成される（ ｄ −＋ ｅ ）。
してウェハー授受位置１２に来たときウェハー３は図示
せざる回収手段にょシウェハー載置台５の上から取り去
られ、次の新たなウェハー３′がウェハー載置台５の上
に記ｊ成される（ ｄ −＋ ｅ ）。
２６はウェハーの厚さを決定する検出器であり、プリア
ライメント基準台２１に固定されている。
ライメント基準台２１に固定されている。
検出器２６はプリアライメントが終了した時点でウェハ
ーの表面を検知してウェハーの厚さを測冗し、それを記
憶装置に記憶する。検出器２６はウェハー表面を傷つけ
ないために非接触センサーであることが望ましい。この
実施例では検出器２６は固定されてお９、ウェハー表面
との位置に応じてウェハーの厚さを検出する。しかし、
例えば非接触センサーでは測定のリニアリティーを保証
できる範囲は限られておシ、その範囲は測定８反を要求
すると狭くなるという相関がある。従ってウェハーの厚
さのばらつきが大きいと測定精度もはらつく。
ーの表面を検知してウェハーの厚さを測冗し、それを記
憶装置に記憶する。検出器２６はウェハー表面を傷つけ
ないために非接触センサーであることが望ましい。この
実施例では検出器２６は固定されてお９、ウェハー表面
との位置に応じてウェハーの厚さを検出する。しかし、
例えば非接触センサーでは測定のリニアリティーを保証
できる範囲は限られておシ、その範囲は測定８反を要求
すると狭くなるという相関がある。従ってウェハーの厚
さのばらつきが大きいと測定精度もはらつく。
第４図は本発明の別の実施例装置の構成図であり、ウェ
ハーの厚さ測定のために検出器とウェハーの位置関係を
調整できる手段を備えている。以下、図を参照しながら
説明する。
ハーの厚さ測定のために検出器とウェハーの位置関係を
調整できる手段を備えている。以下、図を参照しながら
説明する。
プリアライメント基準台５１の上方には非接触センサー
５２が固定保持されている。ウェハー支持板５８は真空
などの手段でウェハー５３を保持するとともに、ネジ５
４．ナツト５５およびパルスモータ−５６によ如上下に
移動可能である０５７は東向部材である。
５２が固定保持されている。ウェハー支持板５８は真空
などの手段でウェハー５３を保持するとともに、ネジ５
４．ナツト５５およびパルスモータ−５６によ如上下に
移動可能である０５７は東向部材である。
まずウェハーが無い状態でウェハー支狩台５８は駆動さ
れる。すなわちウェハー支持台５８は駆動回路６３の指
令によるパルスモータ−５６の駆動により上方へ移動す
る。検出器５２は支持台５８の位置を位↑疑を挾知して
、その出力をアンプ６１およびＡ／ｆ）変換器６２を介
してＣＰＵ６０に送る。ＣＰＵ６０はこれをモニターし
、その出力が所定のｔ＋ｆに達したとき如対応するパル
スモータ−駆動量を読取る。次にウェハー５３が載置さ
れている状態で回付な操作が行われる。ただしこのとき
検出器５２はウェハー表面位置を検出し、検出出力が上
記所定の値に達したときのパルスモータ−駆動量を読取
る。ＣＰＵ６０はウェハーが無いときのパルスモータ−
駆動量とウェハーが有るときのそれとの差を演算し、そ
の差の値を記憶装置ゴに記憶する。
れる。すなわちウェハー支持台５８は駆動回路６３の指
令によるパルスモータ−５６の駆動により上方へ移動す
る。検出器５２は支持台５８の位置を位↑疑を挾知して
、その出力をアンプ６１およびＡ／ｆ）変換器６２を介
してＣＰＵ６０に送る。ＣＰＵ６０はこれをモニターし
、その出力が所定のｔ＋ｆに達したとき如対応するパル
スモータ−駆動量を読取る。次にウェハー５３が載置さ
れている状態で回付な操作が行われる。ただしこのとき
検出器５２はウェハー表面位置を検出し、検出出力が上
記所定の値に達したときのパルスモータ−駆動量を読取
る。ＣＰＵ６０はウェハーが無いときのパルスモータ−
駆動量とウェハーが有るときのそれとの差を演算し、そ
の差の値を記憶装置ゴに記憶する。
このときウェハー表面は上方定位置にあるから、搬送手
段５９はほとんどその位置でウェハーを受取り、一方つ
エバー保持板５８はウェハーの保持を解除して下方に降
シる。搬送手段５９は同時にその捷ま横に移動し、ウェ
ハーをＸＹステージ７０のウニ・・−受渡し位置６５に
移し、ＸＹステージ７０上に載置する。
段５９はほとんどその位置でウェハーを受取り、一方つ
エバー保持板５８はウェハーの保持を解除して下方に降
シる。搬送手段５９は同時にその捷ま横に移動し、ウェ
ハーをＸＹステージ７０のウニ・・−受渡し位置６５に
移し、ＸＹステージ７０上に載置する。
ＸＹステージ７０は所定のＸＹ平面上の動作を行ってＸ
Ｙ座標の位置合わせを行うとともに、前記の記憶装置内
のウェハー厚さに対応する差を駆動回路６４を介してＺ
駆動機構７２のパルスモータ−７４に所定のパルス駆動
してＺ座標の位置合わせを行って、ウェハー７３の表面
を検出系の物体面１１に直ちに一致させることができる
。なお、この場合のウェハーの位置移動は斜め方向移動
が望ましい。最短時間で移動できるからである。このよ
うにウェハーの位置合わせ・蕗光時の処理時間内に別の
ウェハーの厚さを測定しておき、ウェハーの位置合わせ
のためのウェハーの位置合わせ動作を簡略化できるから
、全体の処理時間の短縮を図ることができる。また補助
的アライメント検出系を具備せず゛、投影レンズの像面
、即ちＴＴＬアライメント系の物体面で初めからアライ
メントを行なうに５光装置にも本発明は適用できる。
Ｙ座標の位置合わせを行うとともに、前記の記憶装置内
のウェハー厚さに対応する差を駆動回路６４を介してＺ
駆動機構７２のパルスモータ−７４に所定のパルス駆動
してＺ座標の位置合わせを行って、ウェハー７３の表面
を検出系の物体面１１に直ちに一致させることができる
。なお、この場合のウェハーの位置移動は斜め方向移動
が望ましい。最短時間で移動できるからである。このよ
うにウェハーの位置合わせ・蕗光時の処理時間内に別の
ウェハーの厚さを測定しておき、ウェハーの位置合わせ
のためのウェハーの位置合わせ動作を簡略化できるから
、全体の処理時間の短縮を図ることができる。また補助
的アライメント検出系を具備せず゛、投影レンズの像面
、即ちＴＴＬアライメント系の物体面で初めからアライ
メントを行なうに５光装置にも本発明は適用できる。
以上説明したように本発明によればウェハーの°厚さを
予め測定し、この厚さを前照してＺ軸方向の位置設定を
ＸＹ方向の位置設定と同時に行なうことができるのでウ
ェハー処理時間の短縮を可能とし、生産効率を高める効
果がある。
予め測定し、この厚さを前照してＺ軸方向の位置設定を
ＸＹ方向の位置設定と同時に行なうことができるのでウ
ェハー処理時間の短縮を可能とし、生産効率を高める効
果がある。
第１図は従来例に係る縮少投影露光装置の概略断面図、
第２図はウェハーが搬送されて結像面１１に位置設定さ
れるまでの行程を示す図、第３図は本発明の実施例に係
る露光装置の構成を示す概略的断面図、第４図は本発明
の別の実施例に係る露光装置の構成を示す概略的断面図
およびブロック図である。 ｌ・・・投影レンズ ２・・・レチクル ３．３．５３・・・ウェハー ４・・・像面 ５・・・ウェハー載置台 １１・・・物体面 ６．２６．５２・・・非接触センサー（＠山裾）７．７
０・・・ＸＹステージ ８．７２・・・ｚ！ｇ動機栴 １０・・・アライメント検出系 １２・・・ウェハー装脱装置位置 ２１．５１・・・プリアライメント基準台２２・・・位
置決めビン ２３．５８・・・ウェハー支持板 ２５．５９・・・搬送手段 ５４・・・ネジ ５５・・・ナツト ５６．７４・・・パルスモータ− ５７・・・案内部材 ６０・・・ＣＰＵ ６１・・・アンプ ６２・・・Ａ／Ｄ変換器 ６３・・・駆動回路 ６５・・・ウェハー受渡し位置。 ｉ）・特許出願人 キャノン株式会社
第２図はウェハーが搬送されて結像面１１に位置設定さ
れるまでの行程を示す図、第３図は本発明の実施例に係
る露光装置の構成を示す概略的断面図、第４図は本発明
の別の実施例に係る露光装置の構成を示す概略的断面図
およびブロック図である。 ｌ・・・投影レンズ ２・・・レチクル ３．３．５３・・・ウェハー ４・・・像面 ５・・・ウェハー載置台 １１・・・物体面 ６．２６．５２・・・非接触センサー（＠山裾）７．７
０・・・ＸＹステージ ８．７２・・・ｚ！ｇ動機栴 １０・・・アライメント検出系 １２・・・ウェハー装脱装置位置 ２１．５１・・・プリアライメント基準台２２・・・位
置決めビン ２３．５８・・・ウェハー支持板 ２５．５９・・・搬送手段 ５４・・・ネジ ５５・・・ナツト ５６．７４・・・パルスモータ− ５７・・・案内部材 ６０・・・ＣＰＵ ６１・・・アンプ ６２・・・Ａ／Ｄ変換器 ６３・・・駆動回路 ６５・・・ウェハー受渡し位置。 ｉ）・特許出願人 キャノン株式会社
Claims (2)
- （１）第１の位置で被露光物の厚さを測る手段と、第２
の位置で前記測定量に基づき光学系の物体面又は像面に
前記被露光物の表面を位置設定する手段とを備えたこと
を特徴とする露光装置。 - （２）前記測定手段は、前記位置設定手段による第１の
被露光物の位置設定中に第２の被露光物の厚さを測定す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項目Ｃ載の無光
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59042818A JPS60188955A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | 露光装置 |
| US06/707,826 US4648708A (en) | 1984-03-08 | 1985-03-04 | Pattern transfer apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59042818A JPS60188955A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60188955A true JPS60188955A (ja) | 1985-09-26 |
Family
ID=12646527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59042818A Pending JPS60188955A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | 露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4648708A (ja) |
| JP (1) | JPS60188955A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63231673A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-27 | Fujitsu Ltd | 文章読上げ校正支援装置 |
| JPH03112123A (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-13 | Canon Inc | 露光装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4708467A (en) * | 1984-09-21 | 1987-11-24 | Cameronics Technology Corporation, Ltd. | Camera |
| US5114223A (en) * | 1985-07-15 | 1992-05-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
| JP3164960B2 (ja) * | 1994-02-18 | 2001-05-14 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
| US5715064A (en) * | 1994-06-17 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | Step and repeat apparatus having enhanced accuracy and increased throughput |
| JP4261932B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2009-05-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| CN109427616B (zh) * | 2017-09-05 | 2020-08-25 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种硅片涂胶及预对准检测装置及方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4179110A (en) * | 1974-05-28 | 1979-12-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for opposing a sheet-like material to a standard plane with predetermined space therebetween |
| GB2063524B (en) * | 1978-10-20 | 1982-12-22 | Hitachi Ltd | Method of positioning a wafer in a projection aligner |
-
1984
- 1984-03-08 JP JP59042818A patent/JPS60188955A/ja active Pending
-
1985
- 1985-03-04 US US06/707,826 patent/US4648708A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63231673A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-27 | Fujitsu Ltd | 文章読上げ校正支援装置 |
| JPH03112123A (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-13 | Canon Inc | 露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4648708A (en) | 1987-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2560371B2 (ja) | 基板処理システム | |
| JP2000084811A (ja) | ウェーハ面取り装置 | |
| JPH0685033A (ja) | 平行に作動する２個のマニュプレータを有する位置決め装置及びその位置決め装置が設けられている光学リソグラフィック装置 | |
| JPS60188955A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0199286A (ja) | スクリーン印刷方法 | |
| KR102645229B1 (ko) | 검사 지그 및 검사 방법 | |
| JP3276477B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2000012657A (ja) | 半導体ウェハの位置決め装置 | |
| JP3472336B2 (ja) | ダイシング装置及びダイシング方法 | |
| JP2908153B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPS61263123A (ja) | ステップアンドリピート露光方法 | |
| JPS62162342A (ja) | ウエハの位置合せ装置 | |
| JP2002071753A (ja) | ハンドラ | |
| JPS63237429A (ja) | ウエハプロ−バ | |
| JPS6239822B2 (ja) | ||
| JPH04298057A (ja) | プロービング装置及び方法 | |
| JPH0590309A (ja) | 位置決め方法および位置決め装置 | |
| JPS62263646A (ja) | ウエハ検査装置 | |
| JPS6329507A (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPH01248632A (ja) | 測定方法 | |
| JP2963891B2 (ja) | Ｂ・ｇ・ａ、ｃ・ｓ・ｐのｉｃパッケージ用の基板の導通検査装置への同基板の供給装置 | |
| JPH02281101A (ja) | 半導体検査装置 | |
| JPH11160058A (ja) | 膜厚測定装置 | |
| JPH0528767Y2 (ja) | ||
| JPS633156Y2 (ja) |