JPH08503664A - 窒化シリコンのセラミックとこれから作られた切削工具 - Google Patents

窒化シリコンのセラミックとこれから作られた切削工具

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Abstract

(57)【要約】 金属材料の高速のチップを形成する機械加工に切削工具として特に有効に用いられる窒化シリコンベースのセラミックが提供されている。このセラミックは好ましくは少なくとも85容量パーセント(v/o)のベータ窒化シリコン相と約5v/o以下の粒子間相とを含む。セラミックは0.2重量パーセント(w/o)以上のマグネシア、0.2w/o以上のイットリアを有し、マグネシアとイットリアの合計は5w/o以下である。このセラミックは0.2v/o以下の多孔性を有する。

Description

【発明の詳細な説明】 窒化シリコンのセラミックとこれから作られた切削工具 発明の背景 本発明は窒化シリコンをベースとしたセラミック及び特に切削工具としてのこ れらの使用に関する。 過去においては米国特許No.4.652.276によって、鋳鉄を機械加工するために有 効なベータ窒化シリコン組成物は酸化イットリウム(イットリア)及び酸化マグ ネシウム(マグネシア)両方を、長い工具の寿命(即ち改良された耐摩耗性)及 び結節状鋳鉄の機械加工における改良された欠けに対する抵抗を得るために、全 部で5から20重量パーセント含まなければならないことを数えられた。 Y2O3及びMgOは、焼結の間にガラス状の粒子間相を、セラミックの適度の密度 化と改良された金属切削性能の達成に必要な量生み出すために指示された量加え られる。 98w/o Si3N4−1w/o MgO−1w/o Y2O3より成る組成物は米国特許No.4.652.2 76による組成物に比較して貧弱な欠けに対する抵抗及び貧弱な耐摩耗性を有する (表I及びIIの第4欄参照)。 しかし乍ら改良された特性と切削性能を有するが、又経済的な密度化の方法に よって密にすることができる。より進んだ窒化シリコンのセラミックとこれから 作られた切削工具に対する必要性が存在する。 発明の簡単な概略 本申請人は従来技術のものに比して改良された金属切削性能と機械加工及び物 理的特性とを有する改良された窒化シリコンベースのセラミック組成物を今や発 見した。 この発見は、この窒化シリコンベースのセラミック組成物が従来技術の教える ところは反対に全部で5w/o以下の酸化イットリウムと酸化マグネシウムとを含 むと云うことにおいて驚くべきことである。更に、従来技術と相反する組成物を 用いるにも拘らず、本願発明は好ましいことに且つ予期しなかったことではある が、1000℃のような高温における改良された硬度と、改良された横の破断強 度と、従来技術に比して改良されたWejbullモジュールとを有する。 より詳しく云えば窒化シリコンベースのセラミック組成物は少なくとも85v/ oのベータ窒化シリコン相と、好ましくは組成物の約1から5v/oを形成する粒子 間相とを有して与えられている。シリコンと窒素に加えて、このセラミックは元 素ベースで、約1.3から3.5w/oベースの酸素と、約0.16から3.15w /oのイットリウムと、約0.12から2.7w/oのマグネシウムとを含む。マグ ネシウムとイットリウムと酸素の含有量は、酸化物のベースで0.2w/oよりも 多いイットリアと0.2w/oよりも多いマグネシウムを含み、マグネシアとイッ トリアの合計が5w/o以下であるようにコントロールされる。好ましくは少なく とも夫々0.5w/oのイットリアとマグネシアが存在する。 好ましくは、イントリアは4.0w/o以下であり且つマグネシアは4.5w/o以 下である。マグネシアとイットリアの合計 は好ましくは低い方の端において少なくとも1.5w/oである。高い方の端にお いてはマグネシアとイットリアの合計は好ましくは3.5w/o以下である。1つ の好ましい組成物は0.5から1.5w/oのマグネシアと0.5から1.5w/oの イットリアを含む。本発明品は0.2以下の多孔性を有し、より好ましくは0. 1w/o以下の多孔性を有する。 より好ましくは窒化シリコンは組成物の少なくとも95v/o最も好ましくは少 なくとも96v/oを形成する。イットリウムとマグネシウムは好ましくはこの組 成物にイットリアとマグネシアとして加えられる。 前述の組成を有する、鋳鉄のような金属材料の高速のチップを形成する機械加 工用のセラミックの切削工具が作られている。 本発明によるこれらの切削工具はフランク面とレーキ面とを有し、この上をチ ップを形成する機械加工中に形成されたチップが流れる。レーキ面とフランク面 の接合部に、高速で金属材料の中に切り込んでチップを形成する切削刃が形成さ れている。 本発明のこれら及び其の他の面は本発明の詳細な説明に関連して以下に簡単に 説明された図面を検討することにより更に明らかとなるであろう。この図面は次 の通りである。 図面の簡単な説明 第1図は本願発明による切削工具の1つの実施例を示す。 第2図は本願発明の実施例の硬度を温度の関数として示している。 第3図は微細構造を示す、本願発明の実施例の走査エレクトロンマイクログラ フである。 第4図は本願発明の実施例の破断表面の走査エレクトロンマイクログラフであ る。 第5図は従来技術の工具と、本願発明による工具の2つの実施例に対する切削 のパスの数の関数としての切削工具のノーズの摩耗のグラフである。 発明の詳細な説明 本願発明によれば、第1図は本願発明によって発見された窒化シリコンベース のセラミック材料により構成された割り出し可能なセラミックの金属切削インサ ート10の好ましい実施例を示す。金属切削インサート10は好ましくは高速に おける(500表面フイート/毎分以上の)金属材料のチップを形成する機械加 工(旋盤加工、フライス加工、溝加工、及びねじ切り)に用いれらる。この発明 は最も好ましくは鋳鉄(例えばねずみ鋳鉄、結節状鉄)の高速機械加工に用いら れ、且つ特に高い靭性と高い耐摩耗性の組合わせが要求される。これらの材料の 荒削りと断続切削に有効である。この金属切削インサートはレーキ面30を有し 、この上を高温合金と鋳鉄の高速機械加工の間に形成されたチップが流れる。レ ーキ面30に接合してフランク面50がある。レーキ面とフランク面50の接合 部には、高速で高温合金と鋳鉄に切り込む切削刃70が形成されている。切削は 70は応用されるものの要求に応じて、鋭っているか、ホーニングされているか 、面取りされているか又は面取りとホーニングされた状態にあってもよい。ホー ニングは工業において用いられている如何なるスタイル又は寸法のホーニングで あってもよい。好ましくは切削刃70は面取り(即ちT−ランド) を有する。切削インサートは又標準の形及び寸法で作られる(例えばSNGN− 434T,SNGN−436T,SPGN−633T,SPGN−634T、イ ンサートは又その中に穴をもって作られてもよい)。 面取りは一般に0.003から0.020インチの巾と約20から30゜の角 度とを有する。 上に記載した金属切削インサートは本願発明に従った窒化シリコン組成物を含 む。この組成物は窒化シリコン粒子の間に配置された粒子間相を有するベータ相 の窒化シリコン粒子の微細構造を有する。ベータ窒化シリコン粒子は好ましくは セラミックの少なくとも85v/oを構成し、より好ましくは少なくとも95v/oを 構成する。ベータ窒化シリコン粒子は等軸と針状構造の両方を有し且つ好ましく は1μm以下の直径を有する。 粒子間相は好ましくはセラミックの約1から約5v/oを構成し、好ましくは焼 結助剤のマグネシア、イットリア及び窒化シリコンからの酸化シリコンの不純物 から生ずるガラスである。 用いられる焼結助剤は好ましくはマグネシアとイットリアである。しかし、イ ットリアの凡て又は1部の代りにハフニウム及びランタン系列の元素の酸化物の ような高温酸化物で置き換えることもできる。又ここに用いられたマグネシアの 凡て又は1部の代りにカルシア(calcia)で置き換えることもできる。 焼結できるためには本願発明の組成物において少なくとも0.2w/oのマグネ シアと0.2w/oのイットリアが存在すべきである。切削インサートへの応用の ためには適当な密度、即ち0.2以下の多孔性レベルより好ましくは0.1v/o 以下の多 孔性レベルを保証するために少なくとも0.5w/oのマグネシアと少なくとも0 .5w/oのイットリアが存在すべきである。切削インサートへの応用のためには 1.0w/oのMgOと0.5w/oのY2O3を含む組成物が適当な焼結性を与えることが 発見された。従って、マグネシアとイットリアの合計は少なくとも1.5v/oで あることが好ましい。 焼結助剤の含有量が増加するにつれて、本願発明品の硬度は室温においても且 つ高温においても減少する。従ってイットリアとマグネシアの合計は5w/o以下 に維持されることは重要である。個々には、イットリアは4w/o迄高められても よく且つマグネシアは4.5w/o迄高められてもよい。前述の理由のためにマグ ネシアとイットリアの合計は3.5w/o以下であることが好ましく、より好まし くは3.0w/o以下であり、最も好ましくは約2w/oと等しいか又はこれ以下であ る。0.5から1.5w/oのマグネシアと0.5から1.5w/oのイットリアの範 囲の組成物は、高速の荒削りの鋳鉄のフライス削りにおいてすぐれた金属切削性 能を有することが発見された。 本願発明による組成物は温度において1700kg/mm2より大きいヴイッカース 硬度番号(VHN 1kg負荷)を有し、1000℃において800より大きく、 且つより好ましくは900kg/mm2より大きいヴイッカース硬度番号を有する。本 願発明の横の破断強度は3点曲げテストにおいて150より大きくより好ましく は160ksiより大きく、且つ好ましくは少なくとも15のWeibullモジュールを 有する。本願発明のヤング率は好ましくは少なくとも300GPaでありより好ま しくは少なくと も320GPaである。 熱の拡散率(cm2/sec)は好ましくは少なくとも0.2であり且つ熱の伝導度 (cal/sec−cm℃)は好ましくは少なくとも0.1である。 本願発明の重要な利点は本願発明を単に例示するのみに意図された次の実例に よって更に示されている。 SPGN−633Tスタイルの切削インサートが下記の技術を用いて製造され た。表Iに示された比率の出発時の材料はSi3N4の媒体と共に24時間粉砕され て、約14m2/gのBET表面領域と、粉末の少なくとも90%が1μm以下であ る粒子寸法の範囲が得られた。粉砕後粉末は乾燥され、スクリーンされ、次に有 機物のバインダーを用いてペレットにされた。 グレードSN−E10のSi3N4粉末は日本東京の宇部興産から入手できる。こ の粉末は等軸であり、約0.2μmの平均粒子寸法を有し且つ略100パーセン ト結晶体で、この中95パーセント以上がアルフア窒化シリコンであり残りがあ るとすればベータ窒化シリコンである。グレードSN−E10の窒化シリコンの 組成は(重量パーセントで)、N>38.0,0<2.0, C<0.2,C1<100ppm,Fe<100ppm,Ca<50ppm,A1<50ppm,及び残りSiである。 フアイングレードのY2O3、はニユーヨーク州ニユーヨーク市のHerman C.Star ck,Inc.から入手できる。この粉末は高純度の少なくとも99.95重量パーセ ントのY2O3の粉末である。金属不純物の最大の重量パーセントは0.05である 。 ライトUSP/FCCグレードのマグネシアはニュージヤーシー州、フエヤー ローンのFisher Scientific lnc.の化学部門から入手できる。この粉末は次の 組成を有する。即ちMgO>96w/o、酸不溶物<0.1w/o、砒素<3ppm、カルシウム<1.1w /o、重金属<0.004w/o、鉄<0.05w/o、鉛<10ppm、燃焼時減損<10w/o。 ペレットにした後、材料はピルプレス(pill press)されて所望の形状のグリ ーンのインサートを形成する。グリーンインサートは次に600゜Fで空中で加 熱されて発散する有機バインダーを追い出された。引き続きグリーンインサート は適当なSi3N4ベースのセッテイングパウダーを用いて1気圧の窒素の中で18 00−1850℃において1〜2時間焼結された。焼結されたインサートは約1 750℃において20.000psiの窒素の雰囲気の中で熱間平衡プレスされて 最終的に密度を高められた。結果生じたインサートは上と底の面のグラインデイ ングに100又は180メッシュのグリットの寸法のグラインデイングホイール を用いて最終寸法にグラインドされた。このようにして、0.008″×20゜ のT又はKランドを有するSPGN−633Tインサートが作られた。 この組成物の特性は次の表II、III及びIVに示されている。 * 従来技術の組成は約2.2w/oのイットリウム(2.8w/oのイットリア)と約1 .4w/oのマグネシウム(2.3w/oのマグネシア)を含み、全体のイットリアとマ グネシアの含有量は約5.1w/o。 第2図は摂氏の温度の関数として高温のヴイッカース硬度数 (1kg負荷)をkg/mm2で示す。見られるように室温から1000℃迄の凡ゆる温 度において本発明品は、2.8w/oイットリアと2.3w/oマグネシアを含む従来 技術のSi3N4組成品よりも高い硬度を有する。 第3図は本願発明品の表面の金属顕微鏡で準備された10.000倍の拡大図 を示す。β−Si3N4粒子(灰色)は針状の形又は等軸の形をもつ。粒子間層(白 色)はβ−Si3N4粒子を囲み、材料の3〜4v/oを形成するものと想定される。 β−Si3N4粒子の中の若干の針状の構造は更に破壊された横の破断された試験 片の破断面の5000倍の走査電子顕微鏡写真を示す第4図によって強調されて いる。この電子顕微鏡写真から、β−Si3N4粒子の平均の直径は約1μm以下で あることを見ることができる。 SPGN−633Tのインサートはグレー鋳鉄のエンジンブロック(デイーゼ ルエンジン用の6つのシリンダー孔と冷却水チャンネルを含む)のフライカット ミリングで従来技術のSj3N4組成物に対してテストされた。従来技術の組成は約 2.2v/oのイットリウム(=2.8w/oのイットリア)と1.4w/oのマグネシ ウム(=2.3w/oのマグネシア)を含み、合計では5.1w/oのマグネシアとイ ットリアを含有している。 テスト条件は、 速度 300 sfm (表面フィート/毎分) フィード 0.006 IPT (1回転当りのインチ) DoC 0.080 インチ (切り込み深さ) 冷媒 なし カッター形式 KDPR 8″30゜ リード角 (ケンナメタル ミリング/87 カタログ26頁(1986)参照) パスの長さ 33.75″/巾 8″ このテストの結果は第5図にプロットされているが、本願発明による両方のイ ンサートA(100グリット)及びB(180グリット)は破損する前に極めて 多くの数のパスを達成することによって、従来技術の材料をしのいでいる。凡て のインサートは欠けによって破損した。第5図に示されたように、本願発明にお けるノーズの摩耗は従来技術によるもので生み出されたものよりも少なかった。 従って、このテストによって明らかに示されたように、本願発明は驚くべきこと に上に示された条件の下で鋳鉄のフライス加工において従来技術よりも欠けの抵 抗と耐摩耗性と両方とも強化されている。 選択的に、本願発明に従った切削インサートは耐摩耗性向上のために耐熱性コ ーテイングをコートされてもよい。Al2O3、TiC及びTiNのコーテイングが単独で 又は互いに組合わせて塗られてよい。 選択的に、本願発明の耐摩耗性は、組成中のβ−Si3N4相の少しの部分を耐熱 性の粒状の材料で代用することによっても又 改良される。耐熱材料はセラミック組成の1から35w/oを構成してもよく且つ 好ましくは1から10v/oである。β窒化シリコンのマトリックスの中に分散さ れる耐熱材料はTi,Hf及びZrの窒化物、炭化物及び炭窒化物並びにタングステン カーバイド単独又は互いに組合わせで含む。 本願発明は好ましくは鋳鉄の高速の荒削り及断続する切削に用いられる。本願 発明がよい性能を発揮する超合金の荒削り及び断続する切削にも又応用される。 しかし最も好ましくは、本願発明は次の条件の下で鋳鉄のフライス加工に最もよ く利用される。 速度 500−4000 sfm フィード 0.004−0.020 IPT DoC 0.25インチ迄 この明細書(出発材料粉末が参照されている事情から明らかでないならば)及 びこれに付属する請求項に用いられている定義のために、イットリア(Y2O3)と マグネシア(MgO)の重量パーセントの濃度は、密度を高くされたセラミックの 化学分析によって決定される重量パーセントにおけるMgとYの金属元素の濃度 に基いて計算される。計算されたY2O3の重量パーセントは計測されたYの重量パ ーセントを0.787で割ったものに等しい。計算されたMgOの重量パーセント は計測されたMgの重量パーセントを0.601で割ったものに等しい。 密度を高められたセラミックの中ではMgOとY2O3は別個の相として存在しない と云う主張がなされていることは理解されるべきである。最終的な密度を高めら れたセラミックに関する酸 化物の濃度を用いることは、単に従来技術から請求された発明を区別する便利な 方法を与えるためのみに行われている。 ここに参照された凡ての特許及び其の他の刊行物はここに参考として全体その ままで組入れられる。 本発明の他の実施例は、当業者にはここに開示されたこの明細書又は本発明の 実際から明らかであろう。 明細と実施とは単に例示するものとして考えられ、本発明の真の範囲と精神は 次の請求項によって示されていることが意図されている。
【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1994年10月20日 【補正内容】 請求の範囲 1. 金属材料の高速のチップを形成する機械加工のためのセラミックの切削工 具において、当該セラミック切削工具は、 当該チップを形成する金属材料の機械加工の間にチップがその上を流れるレー キ面と、 フランク面と、 当該レーキ面と当該フランク面の接合部に形成され、高速で当該金属材料の中 に切込んで当該チップを形成する切削刃とを含み、 当該セラミックは本質的にベータ窒化シリコン相と粒子間相とより成り、 当該セラミックは少なくとも0.2w/oのイットリアと少なくとも0.2w/oの マグネシアを有し、イットリアとマグネシアの合計は3.5w/o以下であり、且 つ当該セラミックは元素ベースで1.3w/oよりも大きく3.5w/o迄の酸素を有 し且つ0.2v/o以下の多孔性を有することを特徴とするセラミック切削工具。 2. 金属材料の高速のチップを形成する機械加工のためのセラミックの切削工 具において、当該セラミック切削工具は、 当該チップを形成する金属材料の機械加工の間にチップがその上を流れるレー キ面と、 フランク面と、 当該レーキ面と当該フランク面の接合部に形成され、高速で当該金属材料の中 に切込んで当該チップを形成する切削刃とを 含み、 当該セラミックはベータ窒化シリコン相と粒子間相とより成り、 当該セラミックは0.2w/oより大きいイットリアと0.2w/oよりも大きいマ グネシアとを有し、イットリアとマグネシアの合計は3.5w/o以下であり且つ 多孔性は0.2v/o以下であることを特徴とするセラミック切削工具。 3. 請求項1及び2の何れかのセラミック切削工具において、ベータ窒化シリ コン相は当該セラミックの少なくとも85v/oを形成することを特徴とするセラ ミック切削工具。 4. 請求項1及び2の何れかのセラミック切削工具において、イットリアとマ グネシアの合計は少なくとも1.5w/oであることを特徴とするセラミック切削 工具。 5. 請求項1及び2の何れかのセラミック切削工具は、 室温において1700kg/mm2より大きい硬度を有し、1000℃において硬度 は800kg/mm2より大きいことを特徴とするセラミック切削工具。 6. 請求項1のセラミック切削工具は、 150ksiよりも大きい横の破断強度を有することを特徴とするセラミック切 削工具。 7. 請求項1のセラミック切削工具は、 少なくとも15ののWeibullモジユールを有することを特徴とするセラミック 切削工具。 8. 請求項1のセラミック切削工具は、 少なくとも0.2cm2/sの熱拡散度と少なくとも.0.1カロリー /秒-cm℃の熱伝導度とを有することを特徴とするセラミック切削工具。 9. 請求項1のセラミック切削工具は、 少なくとも300GPaのヤングの弾性率を有することを特徴とするセラミック 切削工具。 10. 請求項2のセラミック切削工具において、 セラミックは元素ベースで1.3から3.5w/oの酸素を含むことを特徴とす るセラミック切削工具。 11. 請求項1のセラミック切削工具において、 イットリアは0.5から1.5w/o、且つマグネシアは0.5から1.5w/oで あり、 室温において硬度は少なくとも1700kg/mm2であり、且つ1000℃におい て硬度は少なくとも900kg/mm2であり、 横の破断強度は160ksiよりも大きく、 Weibullモジユールは少なくとも15であり、且つ、 ヤング率は少なくとも300GPaであることを特徴とするセラミック切削工具 。 12. 請求項1及び2の何れかのセラミック切削工具において、 イットリアは0.5から1.5w/oであり且つマグネシアは0.5から1.5w /oであることを特徴とするセラミック切削工具。 13. 請求項1及び11の何れかのセラミック切削工具において、 イットリアとマグネシアの合計は約2w/oと等しいか又はこ れ以下であることを特徴とするセラミック切削工具。 14. 請求項1、11及び13の何れかのセラミック切削工具において、 有することを特徴とするセラミック切削工具。 15. 請求項1、12及び13の何れかのセラミック切削工具において、 セラミックは900kg/mm2よりも大きい1000℃の硬度を有することを特徴 とするセラミック切削工具。 16. 請求項1、2、3、11、12、13、14及び15の何れかのセラミ ック切削工具において、セラミックは元素ベースで1.8から2.9w/oの酸素 を含むことを特徴とするセラミック切削工具。 17. 前述の請求項の何れかのセラミック切削工具は更に耐熱性コーテイング を含むことを特徴とするセラミック切削工具。 18. 請求項17のセラミック切削工具において、 当該耐熱性コーテイングはAl2O3を含むことを特徴とするセラミック切削工具 。 19. 本質的にベータ窒化シリコン相と粒子間相とを含むセラミックにおいて 、 当該セラミックは0.2w/oより大きいイットリア、0.2w/oより大きいマグ ネシアを含み、イットリアとマグネシアの合計は3.5w/o以下であり、且つ当 該セラミックは1.3w/oよりも大きく且つ3.5w/o迄の酸素を元素ベースで有 し、且つ0.2v/o以下の多孔性を有することを特徴とするセラミック。 20. ベータ窒化シリコン相と粒子間相から成るセラミックにおいて、当該セ ラミックは0.2w/oより大きいイットリアと0.2w/oより大きいマグネシアと を有し、イットリアとマグネシアの合計は3.5w/o以下であり且つ多孔性は0 .2v/o以下であることを特徴とするセラミック。 21. 請求項19及び20の何れかのセラミックにおいて、 マグネシアは0.5から1.5w/oの間であり、イットリアは0.5から1. 5w/oの間であることを特徴とするセラミック。 22. 請求項19のセラミックにおいて、 イットリアとマグネシアの合計は約2w/oに等しいか又はこれ以下であること を特徴とするセラミック。 23. 請求項21のセラミックにおいて、 多孔性は0.1v/o以下であることを特徴とするセラミック。 24. 請求項19のセラミックにおいて、 ベータ窒化シリコン相は当該セラミックの少なくとも85v/oを形成すること を特徴とするセラミック。 25. 請求項19、21及び23の何れかのセラミックは、 特徴とするセラミック。 26. 請求項19及び23の何れかのセラミックは、900kg/mm2以上の10 00℃における硬度を有することを特徴とするセラミック。 27. 請求項20のセラミックは元素ベースで1.3から3.5w/oの酸素を 含むことを特徴とするセラミック。 28. 請求項19、21及び23の何れかのセラミックは、元素ベースで1. 8から2.9重量パーセントの酸素を含むことを特徴とするセラミック。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 金属材料の高速のチップを形成する機械加工のためのセラミックの切削工 具において、当該セラミック切削工具は、 当該チップを形成する金属材料の機械加工の間にチップがその上を流れるレー キ面と、 フランク面と、 当該レーキ面と当該フランク面の接合部に形成され、高速で当該金属材料の中 に切込んで当該チップを形成する切削刃とを含み、 当該セラミックは本質的にベータ窒化シリコン相と粒子間相とより成り、 当該セラミックは0.2から4.0w/oのイットリアと0.2から4.5w/oの マグネシアを有し、イットリアとマグネシアの合計は5w/o以下であり且つ多孔 性は0.2v/o以下であることを特徴とするセラミックの切削工具。 2. 請求項1のセラミック切削工具において、 ベータ窒化シリコン相は当該セラミックの少なくとも85v/oを形成すること を特徴とするセラミック切削工具。 3. 請求項1のセラミック切削工具において、 イットリアとマグネシアの合計は少なくとも1.w/oであることを特徴とする セラミック切削工具。 4. 請求項1のセラミック切削工具は、 室温において1700kg/mm2より大きい硬度を有し、1000℃において硬度 は800kg/mm2より大きいことを特徴とする セラミック切削工具。 5. 請求項1のセラミック切削工具は、 150ksiよりも大きい横の破断強度を有することを特徴とするセラミック切 削工具。 6. 請求項1のセラミック切削工具は、 少なくとも15のWeibullモジユールを有することを特徴とするセラミック切 削工具。 7. 請求項1のセラミック切削工具は、 少なくとも0.2cm2/sの熱拡散度を少なくとも0.1カロリー/秒-cm℃の熱 伝導度とを有することを特徴とするセラミック切削工具。 8. 請求項1のセラミック切削工具は、 少なくとも300GPaのヤングの弾性率を有することを特徴とするセラミック 切削工具。 9. 請求項1の切削インサートにおいて、 イットリアとマグネシアの合計は3.5w/o以下であることを特徴とする切削 インサート。 10. 請求項1の切削インサートにおいて、 イットリアは0.5から1.5w/o、且つマグネシアは0.5から1.5w/oで あり、 室温において硬度は少なくとも1700kg/mm2であり、且つ1000℃におい て硬度は少なくとも900kg/mm2であり、 横の破断強度は160ksiよりも大きく、 Weibullモジユールは少なくとも15であり、且つヤング率は少なくとも30 0GPaであることを特徴とする切削インサー ト。 11. 請求項1のセラミック切削工具において、 イットリアとマグネシアの合計は約2w/oと等しいか又はこれ以下であること を特徴とするセラミック切削工具。 12. 請求項10のセラミック切削工具において、 イットリアとマグネシアの合計は約2w/oと等しいか又はこれ以下であること を特徴とするセラミック切削工具。 13. 請求項1のセラミック切削工具において、 イットリアは0.5から1.5w/oであり且つマグネシアは0.5から1.5w /oであることを特徴とするセラミック切削工具。 14. 請求項13のセラミック切削工具において、 イットリアとマグネシアの合計は約2w/oに等しいか又はこれ以下であること を特徴とするセラミック切削工具。 15. 請求項1のセラミック切削工具において、 イットリアとマグネシアの合計は3.5w/o以下であることを特徴とするセラ ミック切削工具。 16. 本質的にベータ窒化シリコン相と粒子間相とを含むセラミックにおいて 、当該セラミックは0.2w/oよりも大きいイットリアと、0.2w/oより大きい マグネシアとを有し、イットリアとマグネシアの合計は5w/oより少なく且つ0 .2v/o以下の多孔性を有することを特徴とするセラミック。 17. 請求項16のセラミックにおいて、 マグネシアは0.5から1.5w/oの間でありイットリアは0.5から1.5w /oの間であり且つ多孔性は0.1v/o以下で あることを特徴とするセラミック。 18. 請求項16のセラミックにおいて、 イットリアとマグネシアの合計は約2w/oに等しいか又はこれ以上であることを 特徴とするセラミック。 19. 請求項16のセラミックにおいて、 イットリアとマグネシアの合計は3.5w/o以下であることを特徴とするセラ ミック。 20. 請求項17のセラミックにおいて、 ベータ窒化シリコン相は当該セラミックの少なくとも85v/oを形成すること を特徴とするセラミック。
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