JPH08502388A - 多区画セルを備えたエネルギー貯蔵および/または電力送出用電気化学的装置 - Google Patents

多区画セルを備えたエネルギー貯蔵および/または電力送出用電気化学的装置

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JPH08502388A JP6509760A JP50976094A JPH08502388A JP H08502388 A JPH08502388 A JP H08502388A JP 6509760 A JP6509760 A JP 6509760A JP 50976094 A JP50976094 A JP 50976094A JP H08502388 A JPH08502388 A JP H08502388A
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Abstract

(57)【要約】 単一のセルまたは単位セルの配列(10)を備えたエネルギー貯蔵および発電用電気化学的装置であって、各セルは+ve電極(12)と−ve電極(14)とを備え、さらに、ポジライトおよびアノード液溶液(22,24)のために、各セル中にこれを+ve室と−ve室(22Cおよび24C)とに分割する二重膜を有し、このポジライトおよびアノード液溶液は、離れたポンプ(26,28)および貯蔵タンク(32,34)を通って室に戻るよう再循環する。各セル中の二重膜によって+ve室(22C)と−ve室(24C)との間に第三の室(23C)が設けられ、これを通ってアイドラ電解質か循環する。セルの稼働の間、理想的な系においてはセルの+ve室または−ve室のいずれかに残留する、陽イオン交換膜を横切るイオン性種はいずれも、緩衝室または緩衝室群に集まる。

Description

【発明の詳細な説明】 多区画セルを備えたエネルギー貯蔵および/または電力送出用電気化学的装置 本発明は、概して、相殺する電気化学的反応を、相反する正(以下、+ve)お よび負(以下−ve)の電極で起こし、かつ、充電および放電のサイクルにおいて 、エネルギーを電解質に貯蔵し、および電解質から引き出す、エネルギー貯蔵お よび発電の系に関し、特に、多区画セルを備えたエネルギー貯蔵および/または 電力送出(power delivery)用電気化学的装置に関する。本発明のために重要な 反応は実質的に可逆的であるので、電流をこのような系中に流すことにより、エ ネルギーを化学反応物中に貯蔵することによって系が充電される。化学反応は、 イオン輸送系(膜など)のいずれかの側で、膜を通して選択的電荷担体を輸送し ながら起こる。発電の際には、これらの化学反応が逆転し、電流(電力)が負荷 に供給される。 電流をセル中に流すことと対照的に、セルを回復させるために、試薬が外部で 再構成または再生される系もある。 このようなエネルギー貯蔵および発電の系は、長年知られている。これらの系 の主な制限は、単純な直接的化学プロセスと考えられることを実用に当てはめる と生じた。実用に際する問題としては、危険物、効率、系の大きさ、閉塞(plug ging)や目詰り(clogging)、気体の形成、「プレーティングアウト(plating out)」すなわち材料の沈殿、膜拡散の制限、材料コストおよび稼働コストが特 に挙げられる。この様な系の他の制限は、系の放電の際の電力出力の損失である 。 これらの系における基礎的化学プロセスは、系の充電の際には一方向に、系に よる発電の間には反対方向に反応が進行する化学方程式によって特徴づけられる 。レドックス系の例は、次の化学方程式によって与えられる。なお、「レドック ス」の語は還元および相補的酸化が共に起こる反応を意味する。 この系においては、クロムが高価であるので、制限があり、クロムおよび鉄は 膜のいずれかの側にあるよう意図されるが、膜を横切って越えて反対側を汚染す る。このため、電解質を頻繁に再処理する必要がある。さらに、反応を促進する ために、貴金属触媒を要する。また、気体の形成を防ぐために、系のpHが制御 されなければならない。 US-A-4485154には、セルの半分で硫化物/ポリ硫化物反応を用い、セルの他の 半分でヨウ素/ポリヨウ化物、塩素/塩化物または臭素/臭化物反応を用いた、 電気的に充電可能な陰イオン的に(anionically)活性な還元-酸化系が開示され ている。 関係する全体の化学反応は、例えば臭素/硫化物系に関しては、以下の通りで ある: この電気化学的反応は、隔てられているが従属関係にある臭素および硫黄の反応 において起こる。臭素の反応は膜の+ve側で起こり、硫黄の反応は膜の−ve側で 起こる。充電が行われるときは反応は右から左へ進み、放電するときは反応は左 から右へ進む。セルが長期間反復使用される間に、イオン性種は膜を通して望ま しくない方向に拡散する。幾らかの硫化物はセルの+ve側中に拡散し、この硫化 物のうちの幾らかは、+ve側で臭素によって酸化されて硫酸塩SO4 2-になる。 硫酸塩は+ve電解質からは容易に回収できないので、系からの硫黄の残留損失( net loss)に相当する。 セルの半分において硫化物/ポリ硫化物を用いる、別の還元-酸化系は、この 反応をFe3+/Fe2+の対と組み合わせた、次の全体的な化学方程式によるもの である: この電気化学的反応は、隔てられているが従属関係にある鉄および硫黄の反応に おいて起こる。鉄の反応はセルの+ve側で起こり、硫化物の反応はセルの−ve側 で起こる。この系では、2つだけしか区画をもたないセルは、セルの充電の間に 電荷を運ぶイオンが+ve室中に存在しなければ、電荷を受け入れない。この様な セルを充電しようとした場合、すぐに抵抗が高くなり、電流は流れない。これは 、膜を横切って進む鉄イオンはいずれもS-2イオンと反応し、硫化鉄の沈殿を形 成し、膜の細孔を詰まらせるからである。 私たちは、電極または膜の上での固体の析出を防ぎまたは減らし、かつ、望ま しくない種の形成を減らしまたはセルの反応を妨害する種の形成を減らすことに よって電解質が管理され得る、エネルギー貯蔵および/または電力送出用電気化 学的装置を開発した。 したがって、本発明は、以下を組み合わせて備えた、エネルギー貯蔵および電 力送出用電気化学的装置を提供する: (a) 各セルが+ve電極の入った室(+ve室)と−ve電極の入った室(−ve 室)とを有する、単一のセルまたは繰り返しセル構造の配列を規定する手段、 (b) 少なくとも1つの緩衝室によって各セルの+ve室と−ve室とを隔てる 、複数の陽イオン交換膜を備えた手段、 (c) +ve室を通して+ve電解質を循環させるための手段、 (d) −ve室を通して−ve電解質を循環させるための手段、 (e) 上記緩衝室を通してアイドラ電解質を循環させるための手段、 (f) +ve電極を、電源(充電)手段およぴ送出(放電)負荷手段に接続す るための手段、および (g) 直流電流を、+ve電極中におよび−ve電極から流すことにより、系を 再充電するための手段。 本発明の装置は、その中に、複数の陽イオン交換膜によって+ve室と−ve室と を互いに隔てる、少なくとも1つの緩衝室を有する。必要であれば、複数の緩衝 室を用いてもよい。理想的な系においてはセルの+ve室または−ve室のいずれか に残留する、陽イオン交換膜を横切るイオン性種はいずれも、セルを稼働してい る間は緩衝室または緩衝室群に集まる。この様に、この室は、望ましくないイオ ン性種が望ましくない沈殿を形成したり、セルの稼働に干渉することを防ぐ。 セルまたはセル群中にある様々な区画は、陽イオン交換膜によって互いに隔て られている。1またはそれ以上の緩衝室が各セル中に組み入れられているため、 膜の選択範囲を締めつけるものは減少する。なぜなら、単一の膜によって+ve電 解質と−ve電解質の両方の要件を同時に満たそうする必要がないからである。+ ve電解質を緩衝室と隔て、そして−ve電極を緩衝室と隔てるために、異なった 膜材料を用いてもよい。 上述しかつ化学方程式2で詳述した臭素/硫化物の系を用いて、本発明の装置 を使用してもよい。ナトリウム、カリウム、リチウムまたはアンモニウムイオン を、セル中の膜を横切って輸送することによって、電荷の均衡が与えられる。こ のプロセスを実行する際に、緩衝室を通って流動するアイドラ電解質は通常Na 2Sxなどの硫化物、またはNa2xとNaBrとの混合物を含有する。 電荷均衡化イオンを充電している間、例えばNa+が、+ve室を−ve室から隔 てる膜を横切って輸送され、電荷を均衡化し、Na2xをNa2Sに変換する。 硫黄は、2倍充電されたポリ硫化物イオン(S2-.Sy、ここでyは4程度になり 得る)として存在し、初期にS2-.Sy-1に還元され、最終的にS2-に還元され る。硫化物イオンS2-の幾つかは、−ve室を緩衝室と隔てる膜を横切って、緩衝 室中に移行する。Br-はBr2に酸化され、これは三臭化物イオンBr3 -として 溶液中に進む。+ve室を緩衝室と隔てる膜を横切って、緩衝室中に移行する、B r2もある。緩衝室中に存在する臭素はいすれも、存在するS2-イオンを酸化し 、NaBrおよび、沈殿としての硫黄を形成する。緩衝区画中で生じた遊離硫黄 はいずれも、アイドラ電解質の再循環の間、ろ過され得る。系の劣化を克服する 一つの方法は、フィルタを定期的に−ve室中の電解質の循環に切り換えるよう規 定することである。硫黄は、ポリ硫化物として分離可能にされることによって元 に戻り、再使用のために電解質中に送給される。 アイドラ電解質がNa2xとNaBrとを含有するとき、Br-イオンの幾ら かはセルの+ve室中に戻って拡散し、そうすることにより、セルの+ve側から移 行することによって膜を横切って輸送される臭素を均衡化する。 臭素/硫化物系における反応速度論(reaction kinetics)を強調するために 、利用可能な表面積を拡大するように、かつ表面の湿潤性を増大するように、か つ 臭素の加水分解を減少するように選択された非導電性多孔質粒子の被覆を、+ve 電極が有していてもよい。適当な被覆は、活性炭と混和された、二酸化ケイ素、 ゼオライトまたは同様のケイ酸塩を有する混合物を含有する。 また、上述しかつ化学方程式3で詳述した硫化鉄系を用いて、本発明の装置を 使用してもよい。このプロセスを実行する際に、アイドラ電解質は通常、陰イオ ンが、+ve室中を循環する第一鉄/第二鉄塩の陰イオンに対応するような、塩を 含有する。例えば、塩化第一鉄/第二鉄塩が+ve室中を循環する電解質中に用い られる場合、アイドラ電解質は、NaClなどの塩化物を含有し得る。この塩の 陽イオンは、通常、このプロセスを実行する際に第一の電荷担体として用いられ る陽イオンと同じものでよい。例えば、ナトリウム、カリウム、リチウムまたは アンモニウムイオンを、セル中の膜を横切って輸送することによって、電荷の均 衡が与えられる。セルまたはセル群の、+ve室(群)および−ve室(群)のそれ ぞれから膜を横切って輸送される鉄イオンおよび硫化物イオンはいずれも、共に 反応して不溶の硫化鉄を形成し、これはアイドラ電解質中で沈殿を形成する。こ の沈殿は適当なフイルタによってアイドラ電解質から除去されてもよい。 充電している間、電荷均衡化イオン、例えばK+が、+ve側から膜を横切って 輸送され、電荷を均衡化し、K25をK2Sに変換する。2倍に充電されたポリ 硫化物イオンS2-.Sy(ここでyは4程度になり得る)として存在する硫黄は、 初期にS2-.Sy-1に還元され、最終的にS2-に還元される。Fe2+はFe3+に 酸化され、これは溶液中に進み、放電の間にS2-イオンを再酸化して硫黄に戻す ために利用できる。 2またはそれ以上の膜の両側で、電解質の流動が与えられ、好ましくは、最終 使用の大部分における流動を経て、一度よりはむしろ再循環される。これらの再 循環する電解質は、好ましい実施態様の特定の要件を十分満たすたけ多量の、独 立した容器に貯蔵される。また、この循環により、電解質がろ過されるか、そう でなければ、電解質は系をオフライン(off-line)にすることなく定期的に再構 成される。 +ve側中の電解質が循環される際の鉄/硫化物系において、溶液中の第二鉄イ オンは、+ve電極の表面でおよび/またはその多孔質表面層中に吸収され、放電 によって第二鉄イオンを第一鉄イオンに還元するような部位で補充される。さら に+ve電極の表面は、鉄の反応速度論を強調するような活性成分、好ましくは活 性炭、で好ましくは被覆される。この組み合わせにより、放電要件を満たす鉄が 即座に与えられ、よって実質的に完全に放電されるまで最大限の電力が与えられ る。この放電の間、セルの出力電圧はほぼ一定であり、分極損失はほとんどない 。 −ve側は、臭素/硫化物と鉄/硫化物の反応の双方のために、好ましくは次の 放電のためのS2-溶液を吸収し、かつ+ve電極で述べられたものと同様の性能を 高める電極を有する。 中電極(mid electrodes)(中間(intermediate)または二重電極(bipolar electrodes)としても定義される)は、+ve電極が一方の表面上に設けられ、−ve 電極が同じ基材上の他方の表面上に形成されるよう、上記を組み合わせてなる 。 その他の目的、特徴および効果は、添付の図面と共に、以下の好ましい実施態 様の詳細な説明によって明示する。図面は以下の通り: 図1Aおよび1Bは、2つのセルのタイプ(AおよびB)の基本的な構成要素 の概略図であり、タイプAは比較のために含められたものであり、タイプBは本 発明の好ましい実施態様である: 図1Cは、図1BタイプBのセルを用いたセル配列の図である; 図1Dは、セルの配列のカプセル化を示す; 図1Eは、再利用(reclamation)技術を示す; 図2は、図1Bのセルを用いた完全な系のブロック図である; 図3Aは、単一の緩衝室を中に有する、臭素/硫化物系における使用のための セルの概略図である; 図3Bは、2つの緩衝室を中に有する、臭素/硫化物系における使用のための セルの概略図である; 図4は、放電の間のあるセルのグラフである。 図1Aから1Eおよび2についての以下の説明においては、塩化鉄、塩化ナト リウム(電荷担体として)および硫化ナトリウムを利用する、特定の鉄/硫化物 系に言及する。 図面を参照すれば、図1Aは、比較のために、+ve電極12と−ve電極14と を有するタイプAのセル10を示す。単一の陽イオン膜16は、IONAC MC3470の 名称でSybron Chemical Co.によって製造されている不均質な構造物から形成さ れる。タイプAのセルにおいては、単一の膜16は、セル10の+veおよび−ve 側を隔てるように作用するものであり、そして+ve側から−ve側への鉄の移行を 最小にし、かつ−ve側から+ve側へのS-2イオンの移行を最小にするように選択 される。FeCl3、FeCl2およびNaClの水溶液22は、+ve電極12と 膜16との間に形成された室22Cに備えられ、Na2xの水溶液24は、−ve 電極14と膜16との間に形成された室24Cに備えられる。 セルと電解質を送給する電解質系とが充電状態にあるとき、4.0モル濃度ま での塩化第二鉄の溶液がセルの室22C中に存在し、2.5モル濃度のNa2S の溶液がセルの室24中に存在する。典型的には、室22C,24Cのそれぞれ の容量は約200ccである。陽イオン膜16により、Na+イオンの輸送を介し て電荷が通過できる。 図1Aは、初期には再充電可能であっても無限には電気的に再充電できない、 本発明の範囲に当てはまらないセルを図示している。この実施態様において、溶 液は定期的に外部でセルに再構成され、交換されなければならない。電荷担体は 、膜16を通して電荷を移送するナトリウムイオン(Na+)である。放電して いる(電力を外部の負荷に供給している)間に、Na+イオンは膜を通って−ve 側から+ve側へ移動する。第二鉄イオンは、+ve側において第一鉄イオンに還元 され、−ve側にあるS-2イオンは硫黄(硫化ナトリウムによって可溶化される) に酸化される。放電している間にはまた、−veイオンは−ve側に移動しようとす るが、この膜は陽イオン交換膜であるので、Cl-はほとんど失われない。 陽イオン交換膜は、伝導率および選択性に関してある条件を満たさなければな らない。陽イオン交換膜は自由にNa+を輸送しなければならないか、Fe陽イ オンに関しては低い拡散速度を示さなければならない。しかし、ほとんどの陽イ オン交換膜は、最も選択性のあるものであっても、約500μg cm-2 h-1 mol-1 のFe拡散速度を有する。これにより、結果的に幾らかの鉄が膜を横切って移行 し、S-2と反応して膜表面層中に不溶の沈殿を形成するので、単一の膜のセル中 での充電/放電サイクルは実際上制限される。 図1BのタイプBのセルは電気的に再充電可能である。この実施態様では、タ イプAのセルの2つの室に加え、2つの陽イオン交換膜16Aおよび16Bによ って電極を囲む他の2つの室から隔てられた付加的な中央緩衝室(middle buffe rchamber)23Cが用いられる。中心室(center chamber)にはそれを通って循 環し、組成が変化しない(「アイドラ(idler)」電解質)、NaClおよび/ またはNaOH溶液23がある。充電するときには、Na+イオンは+ve側から 、中央室(middle chamber)23C(両方の膜)を通り、−ve側中に輸送される 。しかし、Fe3+、Fe2+またはS2-イオンが、これらが反応する中央室に移送 されるなら、これらはフィルタ17によって溶液からろ過され得る。NaOHが 中央室中にあるとき、この室中に存在するFe3+またはFe2+イオンは、水酸化 物として沈殿する。後述するように、室22および24Cのいずれかまたは両方 において、pH制御の必要があるかもしれない。 図1Bに図示された三室の再充電可能セルを用いることは、沈殿が中央室中で 起こっても、主要な電解質流動回路を妨害せずに除去できることを意味する。 三室のセルを充電するときに、Na+イオンは陽イオン膜16Aおよび16B を横切って、セルの+veから−ve側に輸送される。Na+イオンはNa25をN a2Sに変換し、そしてこのプロセスにおいてSはS-2イオンに還元される。+v e 側で、第二鉄イオンが生成し(+ve電極12で第一鉄イオンの酸化を経る)、 溶液22に中に残る(ポジライト(posilyte))。 多数回のサイクルの後に、中央室または室群はある量の硫化鉄沈殿、例えばF eSおよびFe23、を蓄積する。これらの材料は、結局は系から除去されるか または循環使用される(recycled)必要がある。これらの沈殿の循環使用または 再利用のための方法は、図1Eに示されている。この方法は、完全な自己充足の プロセス(但し、エネルギー系内で)であり、付加的な化学試薬の導入を全く要 しない。 液体23がアイドラタンク室25に循環すると、再利用のために特に設計され た補助電気化学的セル27を通過する。このセルの−ve電極29は、液体23の 流れの中でフィルタとして硫化鉄沈殿を回収する、多孔質炭素である。+ve電極 30は軽微に表面処理された炭素複合基材である。 中央室23C中の液体23がNaClまたはKCl溶液ならば、電気分解によ って多孔質炭素−ve電極内に鉄が生じ、+ve電極でH2Sが生じる。H2Sは、気 体としてセル27から排気され管路31を通って電力セルの−電解質中に戻され 、そこでNaOHまたはKOHと反応し、電解質中でのエネルギー貯蔵試薬とし て再使用するために、それそれNa2SまたはK2Sを形成する。再利用セル内で のこの反応は、次の通りである: めっきされた鉄Feoは、水力で再利用セルを+ve電解質管路に切り換えるこ とにより、電力セルの正極側でFe3+イオンの直接的作用によって、後で除去さ れる。 中央室23C中の液体23がNaOHまたはKOH溶液であるならば、再利用 セルとの反応は次の通りである: 電力を供与しているときに、セルは放電する。タイプAおよびタイプBのセル の両方において、同様の反応が2つの電極で起こる。+ve側電極12では、第二 鉄イオンFe3+が第一鉄イオンFe2+に還元され、電子は外部回路から得られる 。−ve電極14では、硫化物イオンが、硫化ナトリウムによって可溶化された分 子の硫黄に酸化される。+ve電極での化学反応により、0.7から0.75ボル トを生じ(開路)、−ve電極での化学反応により、0.45ボルトを生じる(開 路)。組み合わせた反応では、セルあたり1.15から1.20ボルトを生じる (開路)。 図1Cは、電気的には直列に、流体は並列に接続された、多数のセルのセル配 列20を示している。末端電極12E(+ve)および14E(−ve)、および多 数の中電極13(それぞれの一つ一つは、+ve電極部12Aおよび−ve電極部1 4Aを有する)が、全てのセル室22C,24C中にある膜16およびスクリー ンまたはメッシュスペーサ22D,24D(これら2つの部分22D,24Dは 、実施例に示されている)によって互いに間をあけておかれ、末端セルCE1およ びCE2、およびn個(n#)の中セル(mid cells)CM(典型的には10−20; しかし、ずっと少ないおよびずっと多い数のセルでも適応できることに留意)の 配列を形成する。末端電極12E(+ve)および14E(−ve)は、中にカプセ ル化された、かつ外部負荷に接続される(例えば制御回路CONTを介して、車 を駆動するモータMに接続される)かまたは電源(例えば、負荷水準化装置(lo ad levelling device)として用いられるときの通常電源グリッド(utility powe r sources))に接続される外部端子12G,14Gに通じる、内部導体12Fお よび14F(典型的には銅スクリーン)を有する。 図1Dは、図1Cに示されたようなセル配列をカプセル化する方法を示す。セ ル配列20(図1Cに示されたようなもの)をクランビングブロックCBの間に 保持し、1つの縁を、中に液体エポキシ樹脂(図示しない)の浴を有する浅い容 器中に浸ける。エポキシ樹脂は硬化して電池の壁を形成する。FeCl3/Na Cl溶液の送給のための送給管22Nを有する多岐管などの流動導管(flow con duits)を設ける(同様の配置(図示しない)が硫化ナトリウム溶液の送給のた めに設けられる)。これらの流動導管は、電極および膜の縁で同時にカプセル化 される。 セル配列を90℃回転し、プロセスを3回繰り返して4つの長い壁を形成する 。多岐管および電解質抜き出しのための管は、上面に設けられる。付加的なカプ セル化を末端電極12E,14Eの後で行ってもよい。 カプセル化の別の方策として、セル室22C,24C、および電池20の本質 的に全てのセルの多岐管および管を充填するために、可溶性または低融点の固体 を用いることができる。この電池は次に、全体を深いエポキシ樹脂浴に浸けられ る。エポキシ樹脂が硬化した後、電池は固体を溶解するために循環路を通って送 給される水または他の溶媒に当てられる、固体を溶融するために熱せられる。 別の効果的なカプセル化の方策は、外装用重合体(encasing polymer)(エポ キシ)を1回注ぐだけで良いように、十分な短期的な密封の完全状態をもつ板お よび骨組みの構造物(図示しない)である。この重合体により、電極および膜の 全 ての縁での長期的な密封が与えられる。 カプセル化のいずれの実施態様においても、目標は以下のことに対する防護で ある:(a)セルからセルへの漏出;(b)管の間および多岐管の間の漏出;( c)環境への漏出;および(d)狭い断面の管を短い長さにすること。 図2は自由流動系を示し、発電/貯蔵系は1またはそれ以上のセルまたはセル 配列構成20を利用している。各セル10はFeCl3/NaClおよびNa25 溶液(それそれ22および24)のためのポンプ26および28を通して電解 質を受け取る。電解質22および24は、特定の仕事の要求のために十分な大き さの容器32および34に貯蔵される。タンク32,34は、新しい電解質の入 ったタンクを代用し、かつ/またはこれらを管路32R,34Rを介して充電さ れた供給源から、使用済みの(放電された)試薬を排出するために設けられた対 応する管路(図示しない)で再充填することにより、新たに充電された電解質と 入れ替えることができる。 図3Aおよび3Bは、臭化ナトリウムと硫化ナトリウムとを用いる特定の系を 図示している。しかし、適当な場合には、これらの塩に他の塩を代用してもよい と理解される。 図面を参照すれば、図3Aは、+ve電極102と−ve電極104とを有する単 一のセル100を図示している。陽イオン交換膜106Aおよび106Bにより 、セル108の+ve室はセルの−ve室110から隔てられ、緩衝室112が形成 される。室108を介して循環する電解質は、管路109によって送給されるN aBrであり、一方、室110を介して循環する電解質は、管路111によって 送給されるNa2xである。 膜106Aおよび106Bは、同じ陽イオン交換膜でも異なった陽イオン交換 膜でもよい。膜106Aは臭素/臭化物と接触しており、酸のpHにおける臭素 による攻撃に対して抵抗性がなければならない。セルのこの側で用いるために好 ましい膜は、ガンマ線照射によってスチレンとグラフトし、かつ電荷担体を与え るためのスルホン酸基またはカルボン酸基で官能性を与えられた(functionaliz ed)、フッ素樹脂構造物(臭素に対して高い化学的抵抗性を有する)である。 膜106Bは膜106Aと同じであってもよいが、この膜はセルの臭素側と接 触しないので、臭素の攻撃に対して抵抗性をもたない膜を用いてもよい。使用で きる、代わりの膜の例は、NAFION(DuPont)またはIONAC HC3470(Sybron Chemi cal Co.)である。 セルの中心緩衝室(center buffer chamber)112は、これを通って循環す るNa2xアイドラ電解質を有する。充電しているときに、Na+イオンは、+v e 側108から、緩衝室112(両方の膜)を通って、セルの−ve側110に輸 送される。放電時には、反対のことが起こり、Na+イオンは、セルの−ve側1 10から+ve側108に輸送される。膜106Aを通って移行する臭素はいずれ も、アイドラ電解質中に保持され、そこで膜106Bを通って移行するS2-およ び/またはHS-のいずれをも酸化してNaBrおよび、沈殿としての硫黄を形 成する。電解質を緩衝室112に再循環する際に、アイドラ電解質113中に沈 殿した遊離硫黄を、フィルタ114を通してろ過することによって除去してもよ い。緩衝室112を通るアイドラ電解質の流動速度は、沈殿した硫黄で膜106 Aおよび106Bの細孔が目詰まりすることを防ぐのに十分なだけこの流動速度 が速ければ、−ve室110と+ve室108とを通る電解質の流動速度より遅くて もよい。 膜106Aと106Bとをそれぞれ横切って移行する臭素の量とS2-および/ またはHS-イオンの量とは一般的には等価ではなく、よってこれらの種の1つ は一般的にアイドラ電解質中に過剰にあることが認められるであろう。S2-およ び/またはHS-イオンは臭素より容易に陽イオン交換膜を横切って移行する傾 向があるので、S2-イオンはおそらくアイドラ電解質中に過剰にある。過剰のS2- イオンを硫黄に酸化して沈殿させ、次いでフィルタ114によってアイドラ電 解質の流れ113からろ過して取り出すことができる。 図3Bを参照すれば、+ve電極122と−ve電極124とを有する単一のセル 120が図示されている。陽イオン交換膜126A,126Bおよび126Cに より、セルの+ve室128はセルの−ve室130から隔てられ、これにより膜1 26Aと126Bとの間に第一の緩衝室132か形成され、膜126Bと126 Cとの間に第二の緩衝室134が形成される。室128を介して循環する電解質 は、管路129によって送給されるNaBrであり、一方、室130を介して循 環する電解質は、管路131によって送給されるNa2xである。 膜126A,126Bおよび126Cは、図3Aに関して述べられた様に、同 じ陽イオン交換膜であっても異なった陽イオン交換膜でもよい。 第一の緩衝室132は、これを通って循環するアイドラ電解質136であって 好ましくはNaBrを有し、一方、第二の緩衝室134は、これを通って循環す るアイドラ電解質138であって好ましくはNa2xを有する。充電をしている ときに、Na+イオンは+ve側128から、緩衝室132および134(3つの 膜全て)を通って、セルの−ve側130に輸送される。膜126Bを横切って緩 衝室134中に移行する臭素も幾らかあるが、膜126Aを通って移行する臭素 はいずれも、主にアイドラ電解質136中に保持される。膜126Bを横切って 緩衝区画132中に移行するS2-またはHS-イオンも幾らかあるが、膜126 Cを横切って移行するS2-および/またはHS-イオンはいずれも、主にアイド ラ電解質138中に保持される。臭素がS2-またはHS-イオンと出会うところ では、臭素はこれらのイオンを酸化して、NaBrおよび、沈殿である硫黄を形 成する。沈殿した遊離硫黄をいずれも、フィルタ(図示しない)を通してアイド ラ電解質をろ過することによって除去してもよい。緩衝室132および134を 通るアイドラ電解質の流動速度は、これらの流動速度が沈殿した硫黄で膜126 A,126Bおよび126Cの細孔が目詰まりすることを防ぐのに十分なだけ速 ければ、−ve室128と+ve室130とを通る電解質の流動速度より遅くてもよ い。 膜126Cを横切って緩衝室134中に移行するS2-および/またはHS-イ オンは、一般的に膜126Aおよび126Bを横切って移行するいずれの臭素よ り過剰であることが認められるであろう。したがって、S2-イオンはおそらく緩 衝室134中に過剰にあり、これら過剰のS2-イオンを硫黄に酸化して沈殿させ 、次いで電解質の流れ138からろ過して取り出すことができる。 [電極の製造] 末端電極は中電極とは異なる。なぜなら末端電極は、この電極領域を横切って 通じている(running across)、この構造内に埋め込まれた金属導体を有してい な ければないからである。これは、末端電極が作られる材料となる基材材料(subs trate material)の抵抗性が、外部電気コネクタへ十分に電気伝導させるために は高すぎるという理由により必要とされる。例えば0.25cm(0.10インチ )厚の基材材料の2.5cm×2.5cm平方(10インチ×10インチ平方)のも のは、約10オームの抵抗を有するであろうが、対応するセルは約0.01オー ムの内部抵抗を有している。おおよそ同じ面積を有し電極に埋め込まれた0.0 25cm(0.010インチ)厚の銅シートは、有効な電極抵抗を約100マイク ロオームまで減少させるであろう。末端電極は単極であるが、中電極は双極であ る。導体シートは、電流の流路に沿って機械的に良好に接触する末端電極の長さ に沿って埋め込まれた薄いスクリーン構造である。 双極の中電極を作製する方法は以下の通りである。基材を、プラスチックバイ ンダーあるいは他の適当なバインダーと混合した黒鉛薄片(graphite flakes) から形成する。通常、その化合物の重量比は1:1である。この混合物を、加熱 および/または乾燥法により水分を除去して、シート状に形成し、使用される材 料に適した温度と圧力で高温プレス(hot pressed)する。 次いで、成型プレート表面に活性炭粒子の散布物(a sprinkling)を置き、そ して基材の全空間(all voids)を完全に密封しかつその表面に上記粒子を埋め 込むために基材を高温プレスすることにより、−veおよび+ve表面上の両方で、 上記基材を活性炭粒子によって被覆する。電極の表面処理に使用するために適当 なタイプの活性炭は、North American Carbon社のG212、Barnebey-Cheney社 のUU、Calgon Carbon社のGAC、またはCalgon Carbon社のPCBである。 各プレス工程の後、プレスの金型とその内容物を、曲がり(bowing)やゆがみ (warping)に対する防護のために、またコンパクトで非多孔質の(non-porous )構造を確保するために、水冷熱交換器(water cooled heat exchanger)によ って加圧下で冷却する。 末端電極は、双極の中電極を作製した方法として記載したものと同様の一般的 方法で、黒鉛薄片とプラスチックバインダーを合わせて混合して基材を作製する ことにより調製される。 次にこれらの基材を、伝導性スクリーン(conductive screen)、例えば銅ス ク リーンの間に入れて、サンドイッチ状に成形する。この組立品(assembly)を、 高温プレスして末端電極基材を形成し、ゆがみを最小限にするために加圧下で冷 却する。 次に、−ve電極または+ve電極のどちらが形成されるかによって、活性炭もし くは二酸化ケイ素粒子、または二酸化ケイ素/活性炭粒子混合物を用いて、この 基材の一表面を表面処理する。これは、所望の粒子(活性炭または二酸化ケイ素 の散布物を電極表面におき、高温プレスしてその表面に粒子を埋め込むことによ って実施される。各プレス工程の後、プレスの金型とその内容物を、曲がりやゆ がみに対する防護のために、例えば水冷熱交換器を用いて冷却する。 [膜] 本発明の鉄/硫化物での使用に好適な陽イオン交換膜は、IONAC HC3470の名称 でSybron Chemical社により製造された不均質な構造物である。これは、Kynarと 共に結合した、機能性材料としてスルホン化された樹脂を含む、陽イオン交換膜 である。この材料は、ガラス布または重合体繊維の、繊維状の支持シートに結合 している。この膜の仕様は:0.040cm(0.016インチ)厚、96%の選 択透過性および1NのNaCl中で5オーム/平方cmである。 本発明の臭素/硫化物系で使用するための好ましい膜は、特にセルの臭素側と 接触する膜に関していえば、ガンマ線照射によってスチレンとグラフトし、かつ スルホン酸末端基またはカルボン酸末端基で官能性を与えられた、フッ素樹脂か ら形成された陽イオン交換膜である。このフッ素樹脂は、好ましくは、フッ化エ チレンプロピレン共重合体である。この膜は、ガンマ線照射を利用してフッ素樹 脂上にスチレンをグラフトし、次いでこのグラフトされた重合体をスルホン化す ることによって(例えば、クロロスルホン酸を用いることによって、またはカル ホン酸基によって官能性を与えることによって)調製される。 この膜は、好ましくは0.005から0.0175cm(0.002から0.0 07インチ)厚、より好ましくは約0.0125cm(0.005インチ)厚であ る。これらの膜は、例えばコバルト60線源からのガンマ線照射によってスチレ ンとグラフトした、所望の厚さのエチレンプロピレン共重合体ベースフィルムか ら作られる。ビニル置換された単量体のポリオレフィンフィルムへの放射線グラ フト化(radiation grafting)は、当該技術において公知であり、米国特許第42 30549号および第4339473号が参照される。 フッ素樹脂のガンマ線照射により、遊離基の部位が形成され、次いでこの部位 はスチレン単量体との反応のために利用できるようになる。続いてスルホン化さ れたときには、このイオン交換膜の電気抵抗は、この上にグラフトされたスチレ ンの百分率に直接的に相関し、グラフトパーセント(persent graft)が増加す るにつれて電気抵抗は減少する。一般的に、グラフトパーセントの有効な範囲は 、10%から35%であり、より好ましくは、10%から20%である。グラフ トパーセントは、グラフト化による重さの増加を重合体フィルムの初期の重さで 割り、100を掛けたものとして定義される。一般的には、膜の電気抵抗も、5 %から30%、より好ましくは12%から20%の範囲にあるスルホン化の百分 率に相関し、スルホン化の百分率が増加するにつれて電気抵抗は減少する。 [移行の補償] 浸透または電気浸透(electro-osmosis)により水が膜を横切って移送される ので、このことを補正する(correct)ことが必要となる。これは逆浸透により 、あるいは適当な電解質から水を蒸発させることにより、あるいは電気透析によ り達成される。 [特定の実施態様] 以下の非制限的実施例を参照して、本発明についてさらに述べる。実施例1お よび2は、単一の膜のみを有するセルにおいて実施された比較例である。これら の比較例において、一次装置(primary devices)として、すなわち放電のみの モードとして、セルの試験を実施した。 [実施例1] [末端電極の製造] 黒鉛薄片(Asbury Carbon社の#4012黒鉛薄片)をポリフッ化ビニリデン (PVDF)バインダー(Penwaltの#461)と1:1の重量比で混合することに より、2つの基材を調製した。混合物を、加熱して水分を除去し、シート状に成 型し、温度177℃(350°F)および圧力1723kPa(250psi)におい て10分間高温プレスし、次いで水冷されたプラテン(platens)の間で同じ圧 力下で冷却した。 次いで、下から上の順に、アルミニウム基板(base plate)、テフロンシート 、基材、銅スクリーン(0.025cm厚)、他の基材、テフロンシート、高温ゴ ムシート(high temperature rubber sheet)、および最後にもう1つのアルミ ニウム基板を有する、スタック(stack)を形成した。次いで、組立品(assembl y)を1034kPa(150psi)、177℃(350°F)で10分間プレス し、次いで、水冷プラテンの間で同じ圧力下で冷却した。 表面処理される基材の縁をテープで覆い、次いで、この表面処理される基材を テフロンシートで覆われたアルミニウム基板の上に置き、その表面上に80%黒 鉛と20%Kynarの混合物を散布した。次いで基材の表面に活性炭素粒子(North American Carbon社のG212、あるいはBarnebey-Cheney社のUU)の層を散布 した。 高温ゴムシートを表面処理された基材の上に置き、つづいてテフロンシート、 アルミニウム基板を置いた。次に、構造物を517kPa(75psi)、177℃ (350°F)で10分間プレスし、次いで、水冷されたプラテンの間で同じ圧 力下で冷却した。 次いで上記テープを表面処理された側の縁から取りはずし、このテープを取り はずした縁(cleared border)の上面にゴムの「ピクチャー(picture)」フレ ームを置いた。次いで電極を、表面処理された面がいちばん上になるように、テ フロンシートで覆われたアルミニウム基板の上に置き、構造物の上面をテフロン シートとアルミニウム基板で覆った。組立品の縁を、2413kPa(350psi) 、177℃(350°F)で210分間プレスし、次いで水冷プラテンの間で同 じ圧力下で冷却した。電解質による腐食を防ぐための、銅スクリーンの完全なカ プセル化を確保するために、この工程により基材シートを縁に沿って密封した。 [セル製造] +ve電極と−ve電極の間にIONAC HC3470膜を入れて配置することにより、密封 された単一のセルを作製した。エポキシ樹脂を用いてセルの4つの縁を注型して (cast)、セルと、電解質をセルに供給しかつセルから除去できるように形成さ れたポート(port)とをカプセル化した。 このセルの構成により、銅スクリーンおよび取り付けられたワイヤが、セルに は電気的に接触するが、電解質には接触しないことが保証される。 [セルの性能] 上記のセルであって、1.25cm(0.50インチ)の間隔のUU炭素表面処 理された電極を有し、電極表面と各側の膜との間の空間がG−212多孔質炭素 で充填されたものを用いた。セルの活性領域(active area)は129平方cm( 20平方インチ)であった。電解質は次の通りとした: 正極側(Positive side)……100ccの3モル濃度のFeCl3溶液 負極側(Negative side)……100ccの2モル濃度のNa2S溶液 セル抵抗 ……0.2オーム。 両溶液を、最初に充電状態とし、放電のみとなるようにセルを設定した。 以下に示す五硫化物への反応 が完了したと仮定したときの、セルの最大クーロン容量(coulombic capacity) は次の通りであった: +ve側……7.8AH −ve側……9.6AH。 これらの例では、正極側の溶液中のFeCl3の量により、上記容量は制限さ れた。 各放電後に電解質を入れ替えながら、4回の放電を行なった。多孔質G−21 2炭素の表面の細孔内部の「使用済みの」試薬を洗い流す(flush out)ために 、 セル区画を排水してその区画に新たな溶液を再充填することを3回行うことによ り、電解質の入れ替えを行った。 表1にこれらの実験から得られたデータを示す。 [表1] 2.0アンペアレートにおける放電データ [実施例2] 電極から電極までの間隔を1.25cm(0.40インチ)とした以外は、上記 実施例1と同様にセルを構成した。セルには静止(static)電解質(非循環性 )を入れたが、電極表面におけるイオン性種の適当な混合と物理的利用性(phys icalavailability)を確実にするために、溶液を周期的に撹拌した(stirred or agitated)。セルの活性領域は129平方cm(20平方インチ)であり、加え られる電解質に対応する(accommodate)ための余剰セル容量を有している。 電解質は次の通りとした: 正極側 ……200ccの3モル濃度のFeCl3溶液 負極側 ……200ccの2モル濃度のNa2S溶液 セル抵抗……0.08オーム。 両溶液を、最初に充電状態とし、放電のみとなるようにセルを設定した。 [化学方程式7]に示した五硫化物への反応が完了したと仮定したときの、セ ルの最大のクーロン容量(coulombic capacity)は次の通りであった: +ve側……15.6AH −ve側……19.2AH。 これらの例では、正極側の溶液中のFeCl3の量により、上記容量は制限さ れた。 各放電後に電解質を入れ替えながら、2回の放電を行なった。最初の放電は2 ampレートで行い、2回目は4ampレートで行った。放電の深さが90%より上ま では(to over 90% depth of discharge)、非常に平坦であった。充電出力は有 効電圧(useful voltages)において約9AHであった。 図4は、第一サイクルに関する放電曲線であり、適切な撹拌(agitation or s tirring)を伴う非循環電解質に関する放電曲線の典型的な型である。放電して いる間に数回、セルの+veと−ve電極を、直流電力供給の+veと−ve端子にそれ ぞれ接続することにより、セルの再充電を試みた。1ampより少ない初期電流に おいて、10から20秒以内で、セル抵抗は0.2オームから100オームより 高くまで増加し、電流は10maより低くまで減少した。セル抵抗は、「充電」電 力供給が端子に接続されている限り増加し続けた。 充電している回路を取りはずし、電気的負荷を交換すると、セル抵抗はその通 常値0.2オームまで減少し、放電は通常通りに進んだ。電気的に再充電を試み た結果、膜内で残存する影響は観察されなかった。 +ve側では利用できるナトリウムイオン濃度が低いので、Fe3+イオンが「再 充電」の間の優先的な電荷担体となりやすいであろう。しかしながら、実質的に Fe3+イオンは膜を横切って輸送されないので、陽イオン交換膜は、電荷担体イ オンなしでは実質上非伝導性となる。 [実施例3] 上記2つの実施例のセル試験は、一次装置、例えば放電だけのモード、として 実施した。これらのセルは、Fe3+輸送に対する膜の抵抗によって及び2つの電 解質を分離させておく必要性によって課せられる必然的な制限のために、本質的 に再充電できない装置である。ナトリウムイオンのみが、充電および放電の間に Fe3+/S2-の対と共に膜を横切って移行することが許容され得る。 このシステムを電気的に再充電するために、再充電している間イオン性塩が+ ve室内に存在することが必要であり、さらに多数室配置(a multiple chamber configuration)が好ましい。 上記の対の再充電可能な型式の特徴を調べるために、セルを組み立てた。セル には静止電解質(非循環性)を入れ、3つの区画を設けた。+ve区画には、酸化 剤とFeCl3とNaClとの水溶液、および+ve電極を入れた。−ve室には、 還元剤とNa2Sとの水溶液、および−ve電極を入れた。中央区画は隔離室(iso lation chamber)または緩衝区画とした。ここにはNaClの2モル濃度の溶液 を入れた。3つの区画の各々を陽イオン交換膜によって隔てた。セルの物理的パ ラメーターは以下の通りとした: 2つの同一末端電極と2つの陽イオン交換膜からなる単一のセル。 膜 ……SYBRON 陽イオン膜 電解質……UU炭素表面処理された基材(実施例1に記載されたように調製され たもの) 電解質のための区画間隔……1.25cm(0.50インチ) 活性領域 ……129平方cm(20平方インチ)。 電解質は以下の通りとした: 正極側 ……200ccの3モル濃度のFeCl3溶液および 1.5モル濃度のNaCl溶液 負極側 ……200ccの2モル濃度のNa2S溶液 中央区画 ……200ccの2モル濃度のNaCl セル抵抗 ……0.1オーム。 両溶液は、最初に充電状態とした。 [化学方程式7]に示した五硫化物との反応が完了したと仮定したときの、セ ルの最大のクーロン容量(coulombic capacity)は: +ve側……15.6AH −ve側……17.9AH これらの例では、正極側の溶液中のFeCl3の量により、上記容量は制限さ れた。 同じ電解質を用いて3回の部分的サイクルを行った。 表2にこれらの実験から得られたデータを示す。 [表2] 2.0アンペアレートにおける放電データ 3回の放電後の中央室電解質を調べると、最初の無色透明な外観から実質的に は全く変色していなかった。遊離硫黄あるいは硫化鉄化合物などの他の不溶性化 合物がいくらか存在していることを示すと思われる、極わすかなくもり(cloudi ness)が検出されただけであった。 [実施例4] UU炭素表面処理された−ve電極およびGAC炭素表面処理された+ve電極を 用いて、三区画セルを構成した。電極を2枚のNafion 117膜で隔てて三区画セル を形成し、セルの構成要素間の間隔は、−ve電極から膜までを0.25cm、膜間 を0.62cm、そして+ve電極から膜までを0.25cmとした。セルの活性領域 は155cm2であった。 電解質は以下の通りとした: 正極側……1500ccの3モル濃度のFeCl3溶液 および150ccの2モル濃度のNaCl溶液 負極側……300ccの1.25モル濃度のNa25溶液 緩衝室……350ccの2モル濃度のNaCl。 各電解質は、それそれのセル室を通して再循環した。 セル抵抗は106ミリオームであった。 両電解質は最初に充電状態とした。3ampで3サイクルにわたってセルの放電 と充電を行った。その結果を図5に示す。これらの結果より、この充電電位(ch arging potentials)は抵抗の著しい増加を示すことがわかる。 [実施例5] 2枚のNafion 117膜で隔てた、2つのUU炭素表面処理された電極を用いて、 三区画セルを構成した。セルの構成要素の間隔は、−ve電極から膜までを0.2 5cm、膜間を0.62cm、そして+ve電極から膜までを0.25cmとした。セル の活性領域は155cmであった。 電解質は以下の通りとした: 正極側……500ccの6モル濃度のNaBr 負極側……300ccの0.75モル濃度のNa25 緩衝室……400ccの3モル濃度のNaBr。 このセルを、250サイクルにわたって稼働した。セル抵抗は最初は206ミ リオームであった。両電解質は最初に充電状態とした。本実施例においては、硫 黄室中のアイドラ電解質から硫黄を回収する工程を行わないので、−ve室から緩 衝室中への硫黄の損失を補償するために、セルの−ve室に硫黄を定期的に加えた 。+veおよび−ve室の水面も、定期的に均衡にした。6ampで121、122お よび123サイクルにわたって充電/放電したときのセルの代表的な特性を、添 付図面の図6に示す。 [実施例6] 2枚のNafion 117膜で隔てた、UU炭素表面処理された−ve電極とPCB炭素 表面処理された+ve電極とを用いて、三区画セルを構成した。電極間隔は[記入 して下さい]とした。セルの活性領域は[記入して下さい]であった。 電解質は以下の通りとした: 正極側……500ccの6モル濃度のNaBr 負極側……400ccの1.5モル濃度のNa25 緩衝室……400ccの3モル濃度のNaBr。 セル抵抗は最初は170ミリオームであった。このセルを、150サイクルに わたって稼働した。本実施例においては、硫黄室中のアイドラ電解質から硫黄を 回収する工程を行わないので、−ve室から緩衝室中への硫黄の損失を補償するた めに、セルの−ve室に硫黄を定期的に加えた。+veおよび−ve室の水面も、定期 的に均衡にした。5ampで充電/放電したときの26サイクル目のセルの代表的 な特性を、添付図面の図7に示す。 [実施例7] 三区画セルを、2層の黒鉛の布を設けて実施例5に記載のように構成した。セ ルの構成要素の間隔は、−ve電極から膜までを0.25cm、膜間を0.62cm、 そして+ve電極から膜までを0.25cmとした。セルの活性領域は155cmであ った。 電解質は以下の通りとした: 正極側……500ccの6モル濃度のNaBr 負極側……300ccの0.75 Na25 緩衝室……400ccの3モル濃度のNaBr。 電解質を、セルのそれぞれの区画の底部に置かれた流動分配器(flow distrib utors)を介してそれそれの区画を通して、再循環した。 セル抵抗は最初は160ミリオームであった。 このセルを、200サイクルにわたって稼働した。本実施例においては、硫黄 室中のアイドラ電解質から硫黄を回収する工程を行わないので、−ve室から緩衝 室中への硫黄の損失を補償するために、セルの−ve室に硫黄を定期的に加えた。 +veおよび−ve室の水面も、定期的に均衡にした。6ampで66および67サイ クルのあいだ充電/放電したときのセルの特性を、添付図面の図8に示す。
【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1994年11月29日 【補正内容】 (1) 国際出願日明細書第8貞(翻訳文第6頁第6行から第6頁第28行) −ve側は、臭素/硫化物と鉄/硫化物の反応の双方のために、好ましくは次の 放電のためのS2-溶液を吸収し、かつ+ve電極で述べられたものと同様の性能を 高める電極を有する。 中電極(mid electrodes)(中間(intermediate)または二重電極(bipolar electrodes)としても定義される)は、+ve電極が一方の表面上に設けられ、−ve 電極が同じ基材上の他方の表面上に形成されるよう、上記を組み合わせてなる 。 その他の目的、特徴および効果は、添付の図面と共に、以下の好ましい実施態 様の詳細な説明によって明示する。図面は以下の通り: 図1Aおよび1Bは、2つのセルのタイプ(AおよびB)の基本的な構成要素 の概略図であり、タイプAは比較のために含められたものであり、タイプBは本 発明の好ましい実施態様である; 図1Cは、図1BタイプBのセルを用いたセル配列の図である; 図1Dは、セルの配列のカプセル化を示す; 図1Eは、再利用(reclamation)技術を示す; 図2は、図1Bのセルを用いた完全な系のブロック図である; 図3Aは、単一の緩衝室を中に有する、臭素/硫化物系における使用のための セルの概略図である; 図3Bは、2つの緩衝室を中に有する、臭素/硫化物系における使用のための セルの概略図である; 図4は、放電の間のあるセルのグラフである。 図5から8は、充電/放電の間のあるセルの特性を示すグラフである。 図1Aから1Eおよび2についての以下の説明においては、塩化鉄、塩化ナト リウム(電荷担体として)および硫化ナトリウムを利用する、特定の鉄/硫化物 系に言及する。 (2) 国際出願日明細書第9頁(翻訳文第6頁第26行から第7頁第19行) 図1Aから1Eおよび2についての以下の説明においては、塩化鉄、塩化ナト リウム(電荷担体として)および硫化ナトリウムを利用する、特定の鉄/硫化物 系に言及する。 図面を参照すれば、図1Aは、比較のために、+ve電極12と−ve電極14と を有するタイプAのセル10を示す。単一の陽イオン膜16は、IONAC MC3470( 登録商標)の名称でSybron Chemical Co.によって製造されている不均質な構造 物から形成される。タイプAのセルにおいては、単一の膜16は、セル10の+ve および−ve側を隔てるように作用するものであり、そして+ve側から−ve側へ の鉄の移行を最小にし、かつ−ve側から+ve側へのS-2イオンの移行を最小にす るように選択される。FeCl3、FeCl2およびNaClの水溶液22は、+ve 電極12と膜16との間に形成された室22Cに備えられ、Na2xの水溶液 24は、−ve電極14と膜16との間に形成された室24Cに備えられる。 セルと電解質を送給する電解質系とが充電状態にあるとき、4.0モル濃度ま での塩化第二鉄の溶液がセルの室22C中に存在し、2.5モル濃度のNa2S の溶液がセルの室24中に存在する。典型的には、室22C,24Cのそれそれ の容量は約200ccである。陽イオン膜16により、Na+イオンの輸送を介し て電荷が通過できる。 図1Aは、初期には再充電可能であっても無限には電気的に再充電できない、 本発明の範囲に当てはまらないセルを図示している。この実施態様において、溶 液は定期的に外部でセルに再構成され、交換されなければならない。電荷担体は 、膜16を通して電荷を移送するナトリウムイオン(Na+)である。放電して いる(電力を外部の負荷に供給している)間に、Na+イオンは膜を通って−ve 側から+ve側へ移動する。 (3) 国際出願日明細書第15頁(翻訳文第11頁第18行から第12頁第16行) 陽イオン交換膜106Aおよび106Bにより、セル108の+ve室はセルの− ve室110から隔てられ、緩衝室112が形成される。室108を介して循環 する電解質は、管路109によって送給されるNaBrであり、一方、室110 を介して循環する電解質は、管路111によって送給されるNa2xである。 膜106Aおよび106Bは、同じ陽イオン交換膜でも異なった陽イオン交換 膜でもよい。膜106Aは臭素/臭化物と接触しており、酸のpHにおける臭素 による攻撃に対して抵抗性がなければならない。セルのこの側で用いるために好 ましい膜は、ガンマ線照射によってスチレンとグラフトし、かつ電荷担体を与え るためのスルホン酸基またはカルボン酸基で官能性を与えられた(functionaliz ed)、フッ素樹脂構造物(臭素に対して高い化学的抵抗性を有する)である。 膜106Bは膜106Aと同じであってもよいが、この膜はセルの臭素側と接 触しないので、臭素の攻撃に対して抵抗性をもたない膜を用いてもよい。使用で きる、代わりの膜の例は、NAFION (DuPont(登録商標))またはIONAC MC3470 (Sybron Chemical Co.(登録商標))である。 セルの中心緩衝室(center buffer chamber)112は、これを通って循環す るNa2xアイドラ電解質を有する。充電しているときに、Na+イオンは、+v e 側108から、緩衝室112(両方の膜)を通って、セルの−ve側110に輸 送される。放電時には、反対のことが起こり、Na+イオンは、セルの−ve側1 10から+ve側108に輸送される。膜106Aを通って移行する臭素はいずれ も、アイドラ電解質中に保持され、そこで膜106Bを通って移行するS2-およ び/またはHS-のいずれをも酸化してNaBrおよび、沈殿としての硫黄を形 成する。電解質を緩衝室112に再循環する際に、アイドラ電解質113中に沈 殿した遊離硫黄を、フィルタ114を通してろ過することによって除去してもよ い。緩衝室112を通るアイドラ電解質の流動速度は、沈殿した硫黄で膜106 Aおよび106Bの細孔が目詰まりすることを防ぐのに十分なだけこの流動速度 が速ければ、−ve室110と+ve室108とを通る電解質の流動速度より遅くて もよ い。 (4) 国際出願日明細書第19頁(翻訳文第14頁第22行から第15頁第21行) 各プレス工程の後、プレスの金型とその内容物を、曲がり(bowing)やゆがみ (warping)に対する防護のために、またコンパクトで非多孔質の(non-porous )構造を確保するために、水冷熱交換器(water cooled heat exchanger)によ って加圧下で冷却する。 末端電極は、双極の中電極を作製した方法として記載したものと同様の一般的 方法で、黒鉛薄片とプラスチックバインダーを合わせて混合して基材を作製する ことにより調製される。 次にこれらの基材を、伝導性スクリーン(conductive screen)、例えば銅ス クリーンの間に入れて、サンドイッチ状に成形する。この組立品(assembly)を 、高温プレスして末端電極基材を形成し、ゆがみを最小限にするために加圧下で 冷却する。 次に、−ve電極または+ve電極のどちらが形成されるかによって、活性炭もし くは二酸化ケイ素粒子、または二酸化ケイ素/活性炭粒子混合物を用いて、この 基材の一表面を表面処理する。これは、所望の粒子(活性炭または二酸化ケイ素 )の散布物を電極表面におき、高温プレスしてその表面に粒子を埋め込むことに よって実施される。各プレス工程の後、プレスの金型とその内容物を、曲がりや ゆがみに対する防護のために、例えば水冷熱交換器を用いて冷却する。 [膜] 本発明の鉄/硫化物での使用に好適な陽イオン交換膜は、IONAC HC3470(登録 商標)の名称でSybron Chemical社により製造された不均質な構造物である。こ れは、Kynar(登録商標)と共に結合した、機能性材料としてスルホン化された 樹脂を含む、陽イオン交換膜である。この材料は、ガラス布または重合体繊維の 、繊維状の支持シートに結合している。この膜の仕様は:0.040cm(0.0 16インチ)厚、96%の選択透過性および1NのNaCl中で5オーム/平方 cmである。 本発明の臭素/硫化物系で使用するための好ましい膜は、特にセルの臭素側と 接触する膜に関していえば、ガンマ線照射によってスチレンとグラフトし、かつ スルホン酸末端基またはカルボン酸末端基で官能性を与えられた、フッ素樹脂か ら形成された陽イオン交換膜である。 (5) 国際出願日明細書第22頁(翻訳文第17頁第6行から第17頁第28行) 次いで、下から上の順に、アルミニウム基板(base plate)、テフロン(登録 商標)シート、基材、銅スクリーン(0.025cm厚)、他の基材、テフロン( 登録商標)シート、高温ゴムシート(high temperature rubber sheet)、およ び最後にもう1つのアルミニウム基板を有する、スタック(stack)を形成した 。次いで、組立品(assembly)を1034kPa(150psi)、177℃(3 50°F)で10分間プレスし、次いで、水冷プラテンの間で同じ圧力下で冷却 した。 表面処理される基材の縁をテープで覆い、次いで、この表面処理される基材を テフロン(登録商標)シートで覆われたアルミニウム基板の上に置き、その表面 上に80%黒鉛と20%Kynar(登録商標)の混合物を散布した。次いで基材の 表面に活性炭素粒子(North American Carbon社のG212、あるいはBarnebey- Cheney社のUU)の層を散布した。 高温ゴムシートを表面処理された基材の上に置き、つづいてテフロン(登録商 標)シート、アルミニウム基板を置いた。次に、構造物を517kPa(75psi) 、177℃(350°F)で10分間プレスし、次いで、水冷されたプラテンの 間で同じ圧力下で冷却した。 次いで上記テープを表面処理された側の縁から取りはずし、このテープを取り はずした縁(cleared border)の上面にゴムの「ヒクチャー(picture)」フレ ームを置いた。次いで電極を、表面処理された面がいちばん上になるように、テ フロン(登録商標)シートで覆われたアルミニウム基板の上に置き、構造物の上 面をテフロン(登録商標)シートとアルミニウム基板で覆った。組立品の縁を、 2413kPa(350psi)、177℃(350°F)で210分間プレスし、次 いで水冷プラテンの間で同じ圧力下で冷却した。電解質による腐食を防ぐための 、銅スクリーンの完全なカプセル化を確保するために、この工程により基材シー トを縁に沿って密封した。 (6) 国際出願日明細書第23頁(翻訳文第18頁第1行から第18頁第20行) [セル製造] +ve電極と−ve電極の間にIONAC MC3470(登録商標)膜を入れて配置すること により、密封された単一のセルを作製した。エポキシ樹脂を用いてセルの4つの 縁を注型して(cast)、セルと、電解質をセルに供給しかつセルから除去できる ように形成されたポート(port)とをカプセル化した。 このセルの構成により、銅スクリーンおよび取り付けられたワイヤが、セルに は電気的に接触するが、電解質には接触しないことが保証される。 [セルの性能] 上記のセルであって、1.25cm(0.50インチ)の間隔のUU炭素表面処 理された電極を有し、電極表面と各側の膜との間の空間がG−212多孔質炭素 で充填されたものを用いた。セルの活性領域(active area)は129平方cm( 20平方インチ)であった。電解質は次の通りとした: 正極側(Positive side)……100ccの3モル濃度のFeCl3溶液 負極側(Negative side)……100ccの2モル濃度のNa2S溶液 セル抵抗 ……0.2オーム。 両溶液を、最初に充電状態とし、放電のみとなるようにセルを設定した。 以下に示す五硫化物への反応 (7) 国際出願日明細書第27貞(翻訳文第21貞第3行から第21頁第29行) セルには静止電解質(非循環性)を入れ、3つの区画を設けた。+ve区画には、 酸化剤とFeCl3とNaClとの水溶液、および+ve電極を入れた。−ve室に は、還元剤とNa2Sとの水溶液、および−ve電極を入れた。中央区画は隔離室 (isolation chamber)または緩衝区画とした。ここにはNaClの2モル濃度 の溶液を入れた。3つの区画の各々を陽イオン交換膜によって隔てた。セルの物 理的パラメーターは以下の通りとした: 2つの同一末端電極と2つの陽イオン交換膜からなる単一のセル。 膜 ……SYBRON (登録商標)陽イオン膜 電解質……UU炭素表面処理された基材(実施例1に記載されたように調製され たもの) 電解質のための区画間隔……1.25cm(0.50インチ) 活性領域 ……129平方cm(20平方インチ)。 電解質は以下の通りとした: 正極側 ……200ccの3モル濃度のFeCl3溶液および 1.5モル濃度のNaCl溶液 負極側 ……200ccの2モル濃度のNa2S溶液 中央区画 ……200ccの2モル濃度のNaCl セル抵抗 ……0.1オーム。 両溶液は、最初に充電状態とした。 [化学方程式7]に示した五硫化物との反応が完了したと仮定したときの、セ ルの最大のクーロン容量(coulombic capacity)は: +ve側……15.6AH −ve側……17.9AH これらの例では、正極側の溶液中のFeCl3の量により、上記容量は制限さ れた。 同じ電解質を用いて3回の部分的サイクルを行った。 (8) 国際出願日明細書第28頁(翻訳文第21頁第29行から第22頁第22行) 同じ電解質を用いて3回の部分的サイクルを行った。 表2にこれらの実験から得られたデータを示す。 [表2] 2.0アンペアレートにおける放電データ 3回の放電後の中央室電解質を調べると、最初の無色透明な外観から実質的に は全く変色していなかった。遊離硫黄あるいは硫化鉄化合物などの他の不溶性化 合物がいくらか存在していることを示すと思われる、極わずかなくもり(cloudi ness)が検出されただけであった。 [実施例4] UU炭素表面処理された−ve電極およびGAC炭素表面処理された+ve電極を 用いて、三区画セルを構成した。電極を2枚のNafion(登録商標)117膜で隔て て三区画セルを形成し、セルの構成要素間の間隔は、−ve電極から膜までを0. 25cm、膜間を0.62cm)そして+ve電極から膜までを0.25cmとした。セ ルの活性領域は155cm2であった。 (9) 国際出願日明細書第29頁(翻訳文第22頁第23行から第23頁第18行) 電解質は以下の通りとした: 正極側……150ccの3モル濃度のFeCl3溶液 および150ccの2モル濃度のNaCl溶液 負極側……300ccの1.25モル濃度のNa25液 緩衝室……350ccの2モル濃度のNaCl。 各電解質は、それぞれのセル室を通して再循環した。 セル抵抗は106ミリオームであった。 両電解質は最初に充電状態とした。3ampで3サイクルにわたってセルの放電 と充電を行った。その結果を図5に示す。これらの結果より、この充電電位(ch arging potentials)は抵抗の著しい増加を示すことがわかる。 [実施例5] 2枚のNafion(登録商標) 117膜で隔てた、2つのUU炭素表面処理された電 極を用いて、三区画セルを構成した。セルの構成要素の間隔は、−ve電極から膜 までを0.25cm、膜間を0.62cm、そして+ve電極から膜までを0.25cm とした。セルの活性領域は155cmであった。 電解質は以下の通りとした: 正極側……500ccの6モル濃度のNaBr 負極側……300ccの0.75モル濃度のNa25 緩衝室……400ccの3モル濃度のNaBr。 このセルを、250サイクルにわたって稼働した。セル抵抗は最初は206ミ リオームであった。両電解質は最初に充電状態とした。本実施例においては、硫 黄室中のアイドラ電解質から硫黄を回収する工程を行わないので、−ve室から緩 衝室中への硫黄の損失を補償するために、セルの−ve室に硫黄を定期的に加えた 。+veおよび−ve室の水面も、定期的に均衡にした。 (10) 国際出願日明細書第30頁(翻訳文第23頁第18行から第24頁第12行) +veおよび−ve室の水面も、定期的に均衡にした。6ampで121、122およ び123サイクルにわたって充電/放電したときのセルの代表的な特性を、添付 図面の図6に示す。 [実施例6] 2枚のNafion(登録商標) 117膜で隔てた、UU炭素表面処理された−ve電極 とPCB炭素表面処理された+ve電極とを用いて、三区画セルを構成した。 電解質は以下の通りとした: 正極側……500ccの6モル濃度のNaBr 負極側……400ccの1.5モル濃度のNa25 緩衝室……400ccの3モル濃度のNaBr。 セル抵抗は最初は170ミリオームであった。このセルを、150サイクルに わたって稼働した。本実施例においては、硫黄室中のアイドラ電解質から硫黄を 回収する工程を行わないので、−ve室から緩衝室中への硫黄の損失を補償するた めに、セルの−ve室に硫黄を定期的に加えた。+veおよび−ve室の水面も、定期 的に均衡にした。5ampで充電/放電したときの26サイクル目のセルの代表的 な特性を、添付図面の図7に示す。 [実施例7] 三区画セルを、2層の黒鉛の布を設けて実施例5に記載のように構成した。セ ルの構成要素の間隔は、−ve電極から膜までを0.25cm、膜間を0.62cm、 そして+ve電極から膜までを0.25cmとした。セルの活性領域は155cmであ った。 (11) 請求の範囲 1. 以下を組み合わせて備えた、エネルギー貯蔵および電力送出用電気化学的 装置: (a) 各セルが+ve電極の入った室(+ve室)と−ve電極の入った室(−ve 室)とを有する、単一のセルまたは繰り返しセル構造の配列を規定する手段、 (b) 少なくとも1つの緩衝室によって各セルの+ve室と−ve室とを隔てる 、複数の陽イオン交換膜を備えた手段、 (c) +ve室を通して+ve電解質を循環させるための手段、 (d) −ve室を通して−ve電解質を循環させるための手段、 (e) 上記緩衝室を通してアイドラ電解質を循環させるための手段、 (f) +ve電極を、電源(充電)手段および送出(放電)負荷手段に接続す るための手段、および (g) 直流電流を、+ve電極中におよび−ve電極から流すことにより、系を 再充電するための手段。 2. 内部に複数の緩衝室を設けた、請求の範囲第1項記載の装置。 3. 緩衝室から+ve室と−ve室とを隔てる膜が同じである、請求の範囲第1項 または第2項記載の装置。 4. 緩衝室から+ve室と−ve室とを隔てる膜が異なる、請求の範囲第1項また は第2項記載の装置。 5. 鉄を含有する+ve室を通って電解質が循環するときに、セルを充電してい る間、電極で形成されるFe3+イオンの吸引および貯蔵を行うように+ve電極が 構成された、請求の範囲第1項ないし第4項のうちのいずれか一項記載の装置。 6. −ve電極が、充電している間S2-イオンの吸引および貯蔵を行うように構 成され、かつ硫黄を含有する−ve室を通って電解質が循環するときに、放電して いる間、分子の硫黄の形成を増加する、請求の範囲第1項ないし第5項のうちの いずれか一項記載の装置。 7. 電極が活性炭粒子によって表面処理された、請求の範囲第5項または第6 項記載の装置。 8. 利用可能な表面積を拡大するように、かつ表面の湿潤性を増大するように 、かつ+ve室を通って循環する電解質が臭素を含有するとき臭素の加水分解を減 少するように選択された非導電性の被覆を、+ve電極が有する、請求の範囲第1 項ないし第7項のうちのいずれか一項記載の装置。 9. 被覆が、活性炭と混和された、二酸化ケイ素、ゼオライトまたは同様のケ イ酸塩を有する混合物を含有する、請求の範囲第8項記載の装置。 10. 再利用セル中で沈殿する固体を保持するために、アイドラ電解質を再利 用セルに通すための手段を設けた、請求の範囲第1項ないし第9項のうちのいず れか一項記載の装置。 11. 末端+veおよび−ve電極と1またはそれ以上の中間二重電極とを有する 繰り返しセル構造の配列を備えた、請求の範囲第1項ないし第10項のうちのい ずれか一項記載の装置。 12. 以下を組み合わせて備えた、エネルギー貯蔵および電力送出用電気化学 的装置: (a) 各セルが+ve電極の入った室(+ve室)と−ve電極の入った室(−ve 室)とを有する、単一のセルまたは繰り返しセル構造の配列を規定する手段、 (b) 少なくとも1つの緩衝室によって各セルの+ve室と−ve室とを隔てる 、 複数の陽イオン交換膜を備えた手段、 (c) +ve室を通して、鉄と、エネルギー貯蔵の間、電荷担体として作用す る、ナトリウム、カリウム、リチウムまたはアンモニウム塩からなる可溶性イオ ン性塩とを含有する電解質を循環させるための手段、 (d) −ve室を通して、硫化物を含有する電解質を循環させるための手段、 (e) 上記+ve電極を、電源(充電)手段および送出(放電)負荷手段に接 続するための手段、および (f) 直流電流を、+ve電極中におよび−ve電極から流すことにより、系を 再充電するための手段。 13. 緩衝室を通してアイドラ電解質を循環させるための手段を設けた、請求 の範囲第2項記載の装置。 14. 内部に複数の緩衝室を設けた、請求の範囲第12項または第13項記載 の装置。 15. セルを充電している間、電極で形成されるFe3+イオンの吸引および貯 蔵を行うように+ve電極が構成された、請求の範囲第12項ないし第14項のう ちのいずれか一項記載の装置。 16. −ve電極が、充電している間S2-イオンの吸引および貯蔵を行うように 構成され、かつ、放電している間、分子の硫黄の形成を増加する、請求の範囲第 12項ないし第15項のうちのいずれか一項記載の装置。 17. 電極が活性炭粒子によって表面処理された、請求の範囲第14項または 第15項記載の装置。 18. 末端+veおよび−ve電極と1またはそれ以上の中間二重電極とを有する 繰り返しセル構造の配列を備えた、請求の範囲第12項ないし第17項のうちの いずれか一項記載の装置。 19. 以下を組み合わせて備えた、エネルギー貯蔵および電力送出用電気化学 的装置: (a) 各セルが+ve電極の入った室(+ve室)と−ve電極の入った室(−ve 室)とを有する、単一のセルまたは繰り返しセル構造の配列を規定する手段、 (b) 少なくとも1つの緩衝室によって各セルの+ve室と−ve室と−ve室と を隔てる、複数の陽イオン交換膜を備えた手段、 (c) +ve室を通して、臭素を含有する+ve電解質を循環させるための手段 、 (d) −ve室を通して、硫化物を含有する−ve電解質を循環させるための手 段、 (e) 緩衝室を通してアイドラ電解質を循環させるための手段、 (f) 上記+ve電極を、電源(充電)手段および送出(放電)負荷手段に接 続するための手段、および (g) 直流電流を、+ve電極中におよび−ve電極から流すことにより、系を 再充電するための手段。 20. 利用可能な表面積を拡大するための、かつ表面の湿潤性を増大するため の、かつ+ve室を通って循環する電解質が臭素を含有するとき臭素の加水分解を 減少するための非導電性の被覆を、+ve電極が有する、請求の範囲第19項記載 の装置。 21. 被覆が、活性炭と混和された、二酸化ケイ素、ゼオライトおよび同様の ケイ酸塩からなる群から選ばれる混合物を含有する、請求の範囲第20項記載の 装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG ,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN, TD,TG),AT,AU,BB,BG,BR,BY, CA,CH,CZ,DE,DK,ES,FI,GB,H U,JP,KP,KR,KZ,LK,LU,LV,MG ,MN,MW,NL,NO,NZ,PL,PT,RO, RU,SD,SE,SK,UA,US,UZ,VN

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 以下を組み合わせて備えた、エネルギー貯蔵および電力送出用電気化学的 装置: (a) 各セルが+ve電極の入った室(+ve室)と−ve電極の入った室(−ve 室)とを有する、単一のセルまたは繰り返しセル構造の配列を規定する手段、 (b) 少なくとも1つの緩衝室によって各セルの+ve室と−ve室とを隔てる 、複数の陽イオン交換膜を備えた手段、 (c) +ve室を通して+ve電解質を循環させるための手段、 (d) −ve室を通して−ve電解質を循環させるための手段、 (e) 上記緩衝室を通してアイドラ電解質を循環させるための手段、 (f) +ve電極を、電源(充電)手段および送出(放電)負荷手段に接続す るための手段、および (g) 直流電流を、+ve電極中におよび−ve電極から流すことにより、系を 再充電するための手段。 2. 内部に複数の緩衝室を設けた、請求の範囲第1項記載の装置。 3. 緩衝室から+ve室と−ve室とを隔てる膜が同じである、請求の範囲第1項 または第2項記載の装置。 4. 緩衝室から+ve室と−ve室とを隔てる膜が異なる、請求の範囲第1項また は第2項記載の装置。 5. 鉄を含有する+ve室を通って電解質が循環するときに、セルを充電してい る間、電極で形成されるFe3+イオンの吸引および貯蔵を行うように+ve電極が 構成された、請求の範囲第1項ないし第4項のうちのいずれか一項記載の装置。 6. −ve電極が、充電している間S2-イオンの吸引および貯蔵を行うように構 成され、かつ硫黄を含有する−ve室を通って電解質が循環するときに、放電して いる間、分子の硫黄の形成を増加する、請求の範囲第1項ないし第5項のうちの いずれか一項記載の装置。 7. 電極が活性炭粒子によって表面処理された、請求の範囲第5項または第6 項記載の装置。 8. 利用可能な表面積を拡大するように、かつ表面の湿潤性を増大するように 、かつ+ve室を通って循環する電解質が臭素を含有するとき臭素の加水分解を減 少するように選択された非導電性の被覆を、+ve電極が有する、請求の範囲第1 項ないし第7項のうちのいずれか一項記載の装置。 9. 被覆が、活性炭と混和された、二酸化ケイ素、ゼオライトまたは同様のケ イ酸塩を有する混合物を含有する、請求の範囲第8項記載の装置。 10. 再利用セル中で沈殿する固体を保持するために、アイドラ電解質を再利 用セルに通すための手段を設けた、請求の範囲第1項ないし第9項のうちのいず れか一項記載の装置。 11. 末端+veおよび−ve電極と1またはそれ以上の中間二重電極とを有する 繰り返しセル構造の配列を備えた、請求の範囲第1項ないし第10項のうちのい ずれか一項記載の装置。 12. 以下を組み合わせて備えた、エネルギー貯蔵および電力送出用電気化学 的装置: (a) 各セルが+ve電極の入った室(+ve室)と−ve電極の入った室(−ve 室)とを有する、単一のセルまたは繰り返しセル構造の配列を規定する手段、 (b) 少なくとも1つの緩衝室によって各セルの+ve室と−ve室とを隔てる 、複数の陽イオン交換膜を備えた手段、 (c) +ve室を通して、鉄を含有する電解質を循環させるための手段、 (d) −ve室を通して、硫化物と、電力送出の間、電荷担体として作用する 、ナトリウム、カリウム、リチウムまたはアンモニウム塩からなる可溶性イオン 性塩とを含有する、電解質を循環させるための手段、 (e) 上記+ve電極を、電源(充電)手段および送出(放電)負荷手段に接 続するための手段、および (f) 直流電流を、+ve電極中におよび−ve電極から流すことにより、系を 再充電するための手段。 13. 緩衝室を通してアイドラ電解質を循環させるための手段を設けた、請求 の範囲第2項記載の装置。 14. 内部に複数の緩衝室を設けた、請求の範囲第12項または第13項記載 の装置。 15. セルを充電している間、電極で形成されるFe3+イオンの吸引および貯 蔵を行うように+ve電極が構成された、請求の範囲第12項ないし第14項のう ちのいずれか一項記載の装置。 16. −ve電極が、充電している間S2-イオンの吸引および貯蔵を行うように 構成され、かつ、放電している間、分子の硫黄の形成を増加する、請求の範囲第 12項ないし第15項のうちのいずれか一項記載の装置。 17. 電極が活性炭粒子によって表面処理された、請求の範囲第14項または 第15項記載の装置。 18. 末端+veおよび−ve電極と1またはそれ以上の中間二重電極とを有する 繰り返しセル構造の配列を備えた、請求の範囲第12項ないし第17項のうちの いずれか一項記載の装置。
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