JPH0836915A

JPH0836915A - セラミック電子部品用焼付型導電性ペースト及びセラミック電子部品

Info

Publication number: JPH0836915A
Application number: JP6192700A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Shibuya; 和行渋谷; Junichi Yagi; 淳一八木
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1994-07-26
Filing date: 1994-07-26
Publication date: 1996-02-06

Abstract

(57)【要約】【目的】積層セラミックコンデンサの外部電極のセラミ
ック素体、内部電極に対する接着性を向上し、静電容量
抜けを防止し、外部電極が作製容易であり、ガラス粉末
を少なくでき、内部電極のニッケルの外部電極に対する
拡散を抑制できる焼付型導電性ペースト及びこれを用い
た積層セラミックコンデンサを提供すること。【構成】銅粉末と、硼化ニッケル粉末と、バインダーを
少なくとも含有する焼付型導電性ペースト及びこれを用
いた外部電極を有する積層セラミックコンデンサ。【効果】積層セラミックコンデンサの外部電極のセラミ
ック素体、内部電極に対する接着性を向上し、静電容量
抜けを防止し、外部電極が作製容易であり、ガラス粉末
を少なくでき、内部電極のニッケルの外部電極に対する
拡散を抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば積層セラミック
コンデンサの外部電極のようにセラミック素体に導電膜
を形成するための焼付型導電性ペースト及びこれを用い
て得たセラミック電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】セラミックコンデンサ、ハイブリッドＩ
Ｃのような電子部品は電子製品の回路構成部品として広
く使用されている。これらの内、積層セラミックコンデ
ンサは、セラミック誘電体層と内部電極を交互に積層
し、その積層体のセラミック素体の両側端面に当該内部
電極の端部を引き出し、その内部電極の端部に接続する
外部電極を該端面に形成し、この外部電極をプリント基
板のはんだ付けランドにはんだ付けして使用されるもの
であり、また、ハイブリッドＩＣはセラミック層内及び
その表面に電子回路が形成されるものであるが、いずれ
もセラミック素体の表面には前者では外部電極、後者で
は回路導体としての導電膜が形成されるものである。こ
れらの外部電極や導電膜を形成するには、焼付型導電性
ペーストを用いることが行われているが、例えば積層セ
ラミックコンデンサの外部電極の場合には、セラミック
グリーンシートにニッケルを導電性粉末とする導電膜を
形成した未焼成材料シートを積層して得たチップを高温
で焼成し、そのチップのセラミック素体にニッケルを導
電粉末とする焼付型導電性ペーストを上記導電膜の焼成
体である内部電極に接続するように塗布し、焼付ける。
そして、その焼付け膜に銅メッキを行ってからニッケル
メッキを行って、銅メッキ膜を緩衝膜とすることにより
ニッケルメッキ膜が剥がれないようにし、さらにプリン
ト基板のはんだ付けランドに良くはんだ付けができるよ
うに半田メッキを行って外部電極としている。ところ
が、近年、銅粉末を含有する焼付型導電性ペーストをセ
ラミック素体に直接に塗布し、焼付けて外部電極とする
ことがコストの低減をはかる目的から行われている。

【０００３】例えば実公昭５８−１４６００号公報に
は、銅又はニッケルと、ホウ酸バリウムガラスからなる
外部電極を有する積層セラミックコンデンサが記載され
ており、その外部電極用の焼付型導電性ペーストも記載
されている。このような焼付型導電性ペーストには、銅
粉末にホウケイ酸鉛ガラス（ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ
₂）を３．５重量％と、適量のバインダーを混合したも
のも知られており、積層セラミックコンデンサのセラミ
ック素体に対するその塗布膜は窒素等の中性又は還元性
雰囲気中で焼付けられている。このようにすると、バイ
ンダーは高熱により分解除去され、銅とホウケイ酸鉛ガ
ラスからなる外部電極がセラミック素体表面に形成され
ることになり、ガラスが固着剤となって銅をセラミック
素体表面に接着させる。実際には中性又は還元性雰囲気
を得るためには比較的低廉な窒素ガスを用いているが、
市販の窒素ガスには数ｐｐｍの酸素が含まれており、僅
かな酸素を含む窒素雰囲気中で塗膜の焼付けが行われて
いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな僅かな酸素を含む窒素雰囲気中で塗膜の焼付けを行
うと、バインダーは完全には分解除去されることができ
ず、バインダーが炭化してそのカーボンが残留すること
になって、その焼付膜のセラミック素体に対する密着強
度が弱くなるという問題がある。窒素雰囲気中の酸素濃
度を高めると、残留したカーボンは酸化され、炭酸ガス
等となって除去され、残留するカーボンは無くなるの
で、この密着強度が弱くなるという問題は改善される
が、今度は銅が酸化されることにより銅の酸化物が生
じ、この酸化物を含む外部電極は積層セラミック素体の
両側端面に導出されている内部電極引き出し導体との接
着強度が不足し、その多数の接続のうちには断線するも
のもあり、コンデンサとしての所定の静電容量が得られ
ない、いわゆる静電容量抜けという現象を生じることが
ある。

【０００５】本発明の第１の目的は、例えば積層セラミ
ックコンデンサの外部電極の如き導電膜のセラミック素
体に対する密着強度の大きい焼付型導電性ペースト及び
これを用いて得たセラミック電子部品を提供することに
ある。本発明の第２の目的は、例えば積層セラミックコ
ンデンサにおいてセラミック素体の両側端面に導出され
ている内部電極引き出し導体との接着強度が大きく、静
電容量抜けのない外部電極を形成できる焼付型導電性ペ
ースト及びこれを用いて得たセラミック電子部品を提供
することにある。本発明の第３の目的は、例えば積層セ
ラミックコンデンサにおいてセラミック素体に対する外
部電極の製造工程を短縮し、生産性を向上できる焼付型
導電性ペースト及びこれを用いて得たセラミック電子部
品を提供することにある。本発明の第４の目的は、酸素
をある程度含有しても良くその酸素濃度コントロールを
厳密に行う必要のない中性又は還元性雰囲気中で焼付け
を行った場合でも上記第１〜第３の目的を達成できる焼
付型導電性ペースト及びこれを用いて得たセラミック電
子部品を提供することにある。本発明の第５の目的は、
固着剤としてのガラス粉末を少なくできる焼付型導電性
ペースト及びこれを用いて得たセラミック電子部品を提
供することにある。本発明の第６の目的は、例えば積層
セラミックコンデンサのように内部電極にニッケルを用
いた場合に外部電極の銅にニッケルが拡散することを抑
制できる焼付型導電性ペースト及びこれを用いて得たセ
ラミック電子部品を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、（１）銅粉末と、硼化ニッケル粉末と、
バインダーを少なくとも含有するセラミック電子部品用
焼付型導電性ペーストを提供するものである。また、本
発明は、（２）ガラスフリットを含有する上記（１）の
セラミック電子部品用焼付型導電性ペースト、（３）ガ
ラスフリットはホウケイ酸アルカリ酸化物系ガラスフリ
ットである上記（１）又は（２）のセラミック電子部品
用焼付型導電性ペースト、（４）硼化ニッケル粉末は銅
粉末に対して０．１重量％以上１０重量％以下である上
記（１）ないし（３）のいずれかのセラミック電子部品
用焼付型導電性ペースト、（５）硼化ニッケルがＮｉ
Ｂ、Ｎｉ₂Ｂ、Ｎｉ₃Ｂ、Ｎｉ₄Ｂ₃の群の少なくとも
１つである上記（１）ないし（４）のいずれかのセラミ
ック電子部品用焼付型導電性ペースト、（６）セラミッ
ク素体に導電膜を有するセラミック電子部品において、
該導電膜は上記（１）ないし（５）のいずれかのセラミ
ック電子部品用焼付型導電性ペーストの塗布膜の焼付膜
であるセラミック電子部品を提供するものである。

【０００７】本発明において、「硼化ニッケル」とは、
ニッケルの硼化物をいい、具体的には例えばＮｉＢ、Ｎ
ｉ₂Ｂ、Ｎｉ₃Ｂ、Ｎｉ₄Ｂ₃等のＮｉとＢからなる化
合物が挙げられ、これらは単独又は複数組み合わせて用
いられる。その硼化ニッケル粉末の使用量は、銅粉末に
対して０．０５重量％以上１１重量％以下が好ましい。
この範囲より少ないと、中性又は還元性雰囲気下で焼付
膜を得る際にその雰囲気に酸素が含まれ、銅が酸化され
るときに、後述するような機構（作用の項での説明、以
下同様）によるその酸化が抑制される効果が少なく、こ
の範囲より多いと焼付膜中における銅の含有量が少なく
なるので、その導電抵抗が大きくなるのみならず、積層
セラミックコンデンサの場合には内部電極との接着強度
も小さくなり、静電容量抜けが生じることがあるので好
ましくない。これらの点から特に好ましくは、０．１重
量％以上１０重量％以下である。硼化ニッケルの使用量
は、焼付膜を得る際の雰囲気の酸素濃度を高くするほど
多くすることが好ましいが、その雰囲気中の酸素濃度と
しては後述の実施例に挙げたように１００ｐｐｍ〜７０
０ｐｐｍを例示することができるが、これに限らない。
硼化ニッケルの平均粒径は０．５〜３μｍが好ましい。

【０００８】本発明は、上記（１）〜（６）において、
ガラス粉末を用いるが、これにはホウケイ酸アルカリ酸
化物系ガラスを用いることが後述するような機構により
生じるニッケルと銅の合金に対する濡れの点で好ましい
が、上述のホウ酸バリウムガラス、ホウケイ酸鉛系ガラ
ス（ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂）その他のガラスも単
独又はホウケイ酸アルカリ酸化物系ガラスその他のもの
と混合して用いることができる。銅粉末には、ニッケル
粉末を併用したり、銅とニッケルの合金粉末を用いるこ
ともできる。このようにすると、銅がニッケルとより確
実に合金化され、その合金のホウケイ酸アルカリ酸化物
系ガラスに対する濡れを良くすることがより確実になり
好ましい。この場合には、上記（１）〜（６）におい
て、「銅粉末と、」の代わりに、「銅とニッケルを主要
成分とする導電粉末と、」と表現することができる。ホ
ウケイ酸アルカリ酸化物系ガラスは、一般式、Ｒ₂Ｏ−
Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂（但しＲ₂ＯはＬｉ₂Ｏ、Ｎａ
₂Ｏ、Ｋ₂Ｏのいずれか単独又はこれらの任意の複数の
各成分任意の混合割合の組み合わせを示す。）で示され
ガラスを主要成分とすることをいい、本発明は、この一
般式のガラスを含有するセラミック電子部品用焼付型導
電性ペースト及びこれを用いて得た電子部品を提供する
ことができるということもできる。ホウケイ酸アルカリ
酸化物系ガラスは銅に対して０．８重量％以上１５重量
％以下が好ましい。これが０．８重量％より少ないと焼
付膜のセラミック素体に対する密着強度が良くなく、１
５重量％より多いと、例えば積層セラミックコンデンサ
の場合には内部電極との接着が弱く、静電容量を大きく
することができないことがある。ガラスフリットの粒径
としては０．５〜３．０μｍが好ましい。

【０００９】本発明における「バインダー」とは、ビヒ
クルとも言われるが、有機物を主体としたものが好まし
く、これには少なくとも樹脂を含有し、常温又は加温下
で液状の樹脂も使用できその場合には溶剤を使用としな
い場合でも良いことがあるが、一般には固形樹脂の場合
のみならず溶剤を使用する。本発明は、上記（１）〜
（６）において、有機物を主体とした、いわゆる有機物
バインダーとしては、銅粉末、硼化ニッケル粉末及び必
要に応じてガラスフリットを主とする固形分に対して１
０重量％以上４０重量％以下が好ましい。これより少な
いと流動性の点で塗布作業性が良くないことがあり、ま
た、セラミック素地に塗布しても素地に接着できなかっ
たり、形を保持することができないことがあり、したが
って、焼付膜のセラミック素地に対する密着強度を損な
ったり、静電容量抜けが生じたりすることがある。ま
た、４０重量％より多いと、固形分重量比が小さくな
り、十分な厚さの導電膜を形成することができない。

【００１０】樹脂としては、エチルセルロース等のセル
ロース誘導体、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール樹
脂、ポリビニルアルコール等のビニル系の非硬化型樹
脂、エポキシ、アクリル等の好ましくは過酸化物を併用
した熱硬化性樹脂、さらには紫外線硬化型樹脂、電子線
硬化型樹脂その他の樹脂が挙げられ、後者の２つの例と
しては、エポキシアクリレート、ポリブタジエンアクリ
レート、ウレタンアクリレート等のアクリル酸、メタク
リル酸変性物、不飽和ポリエステル等が挙げられ、紫外
線硬化型樹脂として使用するときは光開始剤としてベン
ゾイン、アセトフェノン、ベンジル、ベンゾフェノン、
ベンゾインブチルエーテル等を併用できる。また、溶剤
としては、テルピネオール（ターピネオール）、テトラ
リン、ブチルカルビトール、カービトールアセテート等
が単独又は複数混合して用いられる。樹脂と溶剤の使用
割合としては、樹脂が全体の７〜１０％前後が好まし
く、その樹脂溶液の粘度は５ポイズ前後が好ましい。

【００１１】本発明の焼付型導電性ペーストを作製する
には、銅粉末と、硼化ニッケル粉末と、バインダーを少
なくとも配合し、さらには必要に応じてガラスフリット
を混合撹拌することにより得られるが、これにはボール
ミル、三本ロール等の混合用機械が使用できる。焼付型
導電性ペーストの粘度としては、固形分２．０〜４．０
で３０〜４０ポイズであることが、塗布作業性等の点で
好ましい。本発明の焼付型導電性ペーストをセラミック
素地に塗布するには、例えばスクリーン印刷、ディッピ
ング法等が好ましい。

【００１２】本発明の焼付型導電性ペーストを用いてセ
ラミック電子部品を作製するには、例えば積層セラミッ
クコンデンサの場合には、具体的には例えば後述する実
施例に記載された方法が挙げられるが、一般的には次の
方法が挙げられ、本発明の焼付型導電性ペーストは次の
ように用いられる。すなわち、セラミック粉末と、バイ
ンダー樹脂を含有するセラミックグリーンシート用組成
物を用いてセラミックグリーンシートを形成する工程
と、このセラミックグリーンシートの複数枚のそれぞれ
にニッケル等を導電性粉末として含有する内部電極材料
ペーストを用いて導電体部を形成する工程と、この導電
体部を形成したセラミックグリーンシートを積層する工
程と、この積層体を圧着する工程と、この圧着積層体を
酸化性又は非酸化性雰囲気中の仮焼成を経てあるいはこ
れを経ずに中性又は還元性雰囲気中で焼成する工程と、
上記導電体部が焼成されることによって形成された内部
電極に接続する外部電極を形成する工程を有し、該外部
電極は上記（１）〜（５）の焼付型導電性ペーストを上
記仮焼した後又は焼成した後の積層体に塗布し、中性又
は還元性雰囲気中で焼付ける工程を有する積層セラミッ
クコンデンサの製造方法である。この場合の「中性又は
還元性雰囲気」としては窒素ガス等の不活性ガスが挙げ
られるが、これらには酸素を含有しても良く、例えば数
ｐｐｍの以上の酸素を含有していても良く、この場合に
は「酸素を含有しその含有量を厳密にコントロールしな
くても良い中性又は還元性雰囲気」とすることができ
る。

【００１３】本発明の焼付型導電性ペーストを用いた焼
付膜の導電膜を形成するセラミック電子部品としては、
積層セラミックコンデンサのほかにハイブリッドＩＣ、
積層ＬＣフイルター、積層部品表面に他の回路を形成し
た複合電子部品等が挙げられ、セラミック素体とは電極
その他の回路部品を内蔵するセラミック材料焼成体やこ
れらを内蔵しない、いわゆる基板と言われるものも含
む。

【００１４】

【作用】銅粉末と、硼化ニッケル粉末を含有する焼付型
導電性ペーストの焼付膜は、その加熱により硼化ニッケ
ルは硼素（Ｂ）とニッケル（Ｎｉ）に分解し、Ｂは銅
（Ｃｕ）の酸化物の還元剤となり、比較的酸素濃度が高
い中性又は還元性雰囲気中でＣｕの酸化物が生じても、
そのＣｕの酸化物を還元し、その酸化物が残存しないよ
うにできる。一方、Ｂは酸化物となってガラス成分とな
るためペーストにガラスフリットを配合しないかその配
合量を少なくできる。また、焼付膜にニッケル（Ｎｉ）
が含まれることにより、積層セラミックコンデンサの内
部電極にニッケルを用いた場合には、焼付膜のＣｕ中に
内部電極のＮｉが拡散する現象を抑制する、いわゆるカ
ーケンドール効果を抑制することができる。また、比較
的酸素濃度が高い中性又は還元性雰囲気中で焼付けるこ
とにより、バインダーは良く酸化分解（燃焼）され、除
去される。なお、付随的な作用として、焼付膜にＮｉが
生じると、これがＣｕと合金を作り、この合金のホウケ
イ酸アルカリ酸化物系ガラスに対する濡れが銅単独とホ
ウケイ酸アルカリ酸化物系ガラスとの濡れに比べて向上
するため、焼付膜とセラミック素体との密着性が向上
し、さらに積層セラミックコンデンサの場合にはセラミ
ック素体の端面に導出された内部電極引き出し導体との
接続強度も向上できる。また、比較的酸素濃度が高い中
性又は還元性雰囲気中で焼付けを行うと、塗膜中のバイ
ンダーは酸化され、除去され易くなるが、銅とニッケル
の合金とホウケイ酸アルカリ酸化物系ガラスとの濡れが
良くなることにより、焼付膜にカーボンが残存すること
があってもその焼付膜とセラミック素体との密着強度に
及ぼす影響はその実用強度を害するほど大きくはなく、
また、焼付膜に銅酸化物が生じても静電容量抜けを生じ
させるほどの影響はないものと考えることができるが、
この点は完全に解明されているわけではなく、この考え
方に限定されるものではない。

【００１５】

【実施例】

実施例１下記各成分を秤量して得た配合物を１リットルのポリエ
チレン性ポットに仕込み、６０ｒｐｍ、１５時間ボール
ミル法により湿式混合し、スラリーを得た。セラミック粉末（チタン酸バリウム）８８．６５重量部バインダー樹脂（ポリビニルブチラール樹脂）９．８５重量部可塑剤（ジ−ｎ−ブチルフタレート）１．５０重量部エタノール１００重量部トルエン１００重量部なお、セラミック粉末としては、チタン酸バリウム９
０．２重量％、ジルコン酸カルシウム０．８重量％、炭
酸バリウム０．５重量％、炭酸マグネシウム０．２４重
量％、酸化ニオブ０．１５重量％のものを使用しても良
い。

【００１６】得られたスラリーを脱泡処理した後、寸法
１００×１００ｍｍのシリコン系離型剤処理したＰＥＴ
フィルムからなるキャリアフィルム上に、隙間１００μ
ｍのドクターブレードにて寸法５０×５０ｍｍとなるよ
うに塗布し、乾燥させ、剥離させて厚さ３０μｍのセラ
ミック誘電体グリーンシートを得た。このようにして作
製したセラミック誘電体グリ−ンシートの片面に次の組
成の内部電極材料導電性ペーストを塗布し、１２０℃、
２時間乾燥させる。ニッケル粉末４３．４重量部エチルセルロース４．０重量部ターピネオール５２．６重量部このような内部電極材料膜を形成したセラミック誘電体
グリーンシートを所定枚数作製して表裏重ねて積層し、
その両面にさらに内部電極材料を形成していないセラミ
ック誘電体グリーンシートを重ねて熱圧着（８０℃で１
５０Ｋｇｆ／ｃｍ²）し、未焼成圧着積層体を作製す
る。

【００１７】次に上記の未焼成圧着積層体について、こ
れは多数のコンデンサ単位を含むように作製されている
ので、個々の単位毎に裁断してチップ化する。これらの
チップを５００℃で通常の方法で酸化性雰囲気中で加熱
して脱バインダー処理を行い、さらに１３００℃で中性
又は還元性雰囲気中（市販の窒素ガス（数ｐｐｍの酸素
を含有）を使用）で焼成して積層セラミックコンデサ素
体を得た。この積層セラミックコンデサ素体の上記内部
電極材料の焼成体である内部電極の導体が引き出されて
いる両端面に下記組成の焼付型導電性ペーストをスクリ
ーン印刷により塗布し、酸素を２００ｐｐｍ含有する窒
素ガス雰囲気中、７５０℃で１０分間焼付け、チップの
積層セラミックコンデンサを得た。銅粉末７４．２重量部硼化ニッケル（ＮｉＢ）１．４重量部Ｎａ₂Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂ガラスフリット２．４量部アクリル樹脂１．５重量部（三菱レイヨン社性ＢＲ−１２６）ターピネオール２０．５重量部この導電ペーストは、銅粉末、硼化ニッケル粉末、ガラ
スフリットの３者の固形分を乳鉢で良く混ぜたのち、ア
クリル樹脂をターピネオールで溶かしたバインダーを前
者の固形分に対し、２０重量％添加し、再度乳鉢中で良
くかきまぜ、さらに三本ロールにて練り合わせ、ペース
トとしたものである。その粘度は回転円板型粘度計で測
定したところ３２ポイズであった。

【００１８】上記の焼付膜のセラミック素体に対する密
着強度を測定するために、上記のセラミック誘電体グリ
ーンシートのみを積層し、圧着した後、上記と同様に焼
成して得た基板上に、上記焼付型導電性ペーストの内硼
化ニッケル粉末、ガラスフリットの銅に対する割合を表
１に示す割合にした以外は同様にして得た焼付型導電性
ペーストをスクリーン印刷により塗布し、表１に示す酸
素濃度（ｐｐｍ）の窒素ガス雰囲気下、７５０℃で１０
分間焼付けた焼付膜について、２ｍｍ角のピール強度
（密着強度（Ｋｇｆ））を測定した結果を表１に示す。
なお、ピール強度測定方法は、２ｍｍ角の基板のランド
にリード線をＬ字形に曲げて、リード線が垂直に立つよ
うに半田付けする。このリード線を垂直方向に引っ張
り、リード線が半田付けされた部分から剥がれる強度
（Ｋｇｆ）をプッシュブルゲージで測定した。測定値は
１００個の平均値である。測定値が高いほど密着強度は
大きい。

【００１９】また、３１６形状（横１．６ｍｍ、縦３．
２ｍｍの寸法）に形成した上述の積層セラミックコンデ
ンサ（ＪＩＳＦ４７５）について、銅粉末、ニッケル
粉末及びガラスフリットの配合割合を表１に示した以外
は上記と同様にして得た焼付型導電性ペーストを用い、
その塗布膜を７５０℃、１０分間窒素雰囲気（数ｐｐｍ
の酸素を含有）中で焼付けて外部電極を形成し、そのそ
れぞれについて室温にて静電容量を測定した結果を表１
に示す。測定値は１００個の平均値である。

【００２０】比較例１表１中、上記焼付型導電性ペーストの内、硼化ニッケル
粉末の配合量を０とし、ガラスフリットの配合量を銅に
対して５．０重量％とし、焼付けを行う際の窒素ガス雰
囲気中の酸素濃度を１０ｐｐｍ以下とした以外は同様に
して得た焼付型導電性ペーストを用いて上記と同様に試
験した結果を表１に示す。

【００２１】比較例２表１中、上記焼付型導電性ペーストの内、硼化ニッケル
粉末の配合量を０とし、ガラスフリットの配合量を銅に
対して５．０重量％とし、焼付けを行う際の窒素ガス雰
囲気中の酸素濃度を１００ｐｐｍとした以外は同様にし
て得た焼付型導電性ペーストを用いて上記と同様に試験
した結果を表１に示す。

【００２２】比較例３表１中、上記焼付型導電性ペーストの内、硼化ニッケル
粉末の配合量を０とし、ガラスフリットの種類をホウケ
イ酸鉛ガラス（ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂）に代えて
その配合量を銅に対して３．５重量％とし、それ以外は
同様にして得た焼付型導電性ペーストを用いて上記と同
様に試験した結果を表１に示す。

【００２３】

【表１】

【００２４】上記実施例において、バインダー（アクリ
ル樹脂とターピネオールの合計）の添加量は銅、ニッケ
ル、ガラスフリットの合計に対し、１０重量％未満、４
０重量％より多い範囲では上記の積層セラミックコンデ
ンサ本体への塗布が困難であった。このことから、使用
できるバインダーの配合量は、１０重量％≦バインダー
の銅、ニッケル、ガラスフリットの合計に対する添加量
≦４０重量％とすることができる。

【００２５】表１の結果より、比較例１、２のＮｉＢの
添加が無い場合は、前者の焼付け雰囲気中の酸素濃度が
低すぎる場合には（市販の窒素ガスに相当）、ピール強
度が小さく、後者の焼付け雰囲気中の酸素濃度が高くな
ると、ピール強度は向上するが、静電容量が小さい。こ
れに対し、実施例１の試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．６のＮｉＢ
の添加量を焼付け雰囲気中の酸素濃度とともに増加させ
た場合には、ピール強度は比較例１よりは顕著に良く、
静電容量は比較例２より顕著に良い。特に試料Ｎｏ．１
〜Ｎｏ．５のＮｉＢ濃度が０．１０重量〜１０．０重量
％のものは、焼付け雰囲気中の酸素濃度が１００〜５０
０ｐｐｍとその広い範囲にわたって変化していても、ピ
ール強度及び静電容量の両方が優れることがわかる。ま
た、試料Ｎｏ．５、Ｎｏ．６ではガラスフリットが無い
場合でも、焼付け雰囲気中の酸素濃度が５００ｐｐｍ、
７００ｐｐｍでは、前者はピール強度及び静電容量の両
方が優れ、後者ではピール強度が特に優れるが、静電容
量は若干劣る。これらの結果から、ピール強度及び静電
容量の一方だけではなく両方が比較例より良いとするた
めには、０．０５重量％≦Ｃｕに対するＮｉＢ量≦１２
重量％であるといえるが、０．１０重量％≦Ｃｕに対す
るＮｉＢ量≦１０重量％において、ピール強度及び静電
容量の両方が特に良いといえる。

【００２６】実施例２実施例１において、Ｎａ₂Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂ガラ
スフリットの代わりにＬｉ₂Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂ガ
ラスフリット、Ｋ₂Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂ガラスフリ
ットを用い、アクリル樹脂の代わりにエチルセルロース
又はポリビニルブチラール樹脂を用いても同様な結果が
得られた。但し、溶剤の種類は適宜変えることができ
る。

【００２７】

【発明の効果】本発明によれば、焼付型導電性ペースト
に銅粉末及び硼化ニッケル粉末を用いたので、酸素を含
有する中性又は還元性雰囲気中でセラミック素体に対す
るそのペースト塗膜を焼付けても、硼化ニッケルが分解
して生じた硼素が銅の酸化物を還元することにより塗膜
には銅として存在することができる。これにより、例え
ば積層セラミックコンデンサの場合に、例えばニッケル
からなる内部電極の導出されているセラミック素体の端
面にその塗膜からなる外部電極を設ける場合でも、その
銅を含有する外部電極とそのニッケルからなる内部電極
のとの接触を良く保つことができ、静電容量抜けを防止
することができる。その際、外部電極にはＮｉも含まれ
るので内部電極のＮｉが外部電極に拡散する現象も抑制
できる。一方、焼付けの際の雰囲気は酸素を含有するの
で焼付型導電性ペーストの塗布膜中のバインダーは良く
酸化分解され、除去されるので、バインダーが炭化して
カーボンを生じるようなこともなく、その焼付膜からな
る導電膜のセラミック素体に対する密着強度も大きくな
る。また、硼化ニッケルが分解して生じた硼素が銅の酸
化物を還元するが、硼素は酸化され、その酸化物はガラ
スの成分となることができるから、焼付型導電性ペース
トにガラスフリットを含有しない場合でも銅粒子をセラ
ミック素体表面に良く接着することができる。このよう
にして、従来の銅粉末だけを導電性粉末として有する焼
付型導電性ペーストのセラミック素体に対する塗布膜を
中性又は還元性雰囲気中で焼付けた場合の問題点を解決
できるとともに、従来のニッケル粉末だけを導電性粉末
として有する焼付型導電性ペーストを用いて例えば積層
セラミックコンデンサの外部電極を形成する場合の工程
の煩わしさを避けて工程を短縮し、生産性を向上するこ
とができる。また、焼付けの際の雰囲気中の酸素濃度は
多少変化しても上述したように硼化ニッケルが銅の酸化
物を還元するので、その酸素の含有量は厳密にコントロ
ールする必要がないから、その点からも生産性を向上で
きる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】銅粉末と、硼化ニッケル粉末と、バイン
ダーを少なくとも含有するセラミック電子部品用焼付型
導電性ペースト。
【請求項２】ガラスフリットを含有する請求項１記載
のセラミック電子部品用焼付型導電性ペースト。
【請求項３】ガラスフリットはホウケイ酸アルカリ酸
化物系ガラスフリットである請求項２記載のセラミック
電子部品用焼付型導電性ペースト。
【請求項４】硼化ニッケル粉末は銅粉末に対して０．
１重量％以上１０重量％以下である請求項１ないし３の
いずれかに記載のセラミック電子部品用焼付型導電性ペ
ースト。
【請求項５】硼化ニッケルがＮｉＢ、Ｎｉ₂Ｂ、Ｎｉ
₃Ｂ、Ｎｉ₄Ｂ₃の群の少なくとも１つである請求項１
ないし４のいずれかに記載のセラミック電子部品用焼付
型導電性ペースト。
【請求項６】セラミック素体に導電膜を有するセラミ
ック電子部品において、該導電膜は請求項１ないし５の
いずれかのセラミック電子部品焼付型導電性ペーストの
塗布膜の焼付膜であるセラミック電子部品。