JPH083584B2 - 液晶光シヤツタ - Google Patents
液晶光シヤツタInfo
- Publication number
- JPH083584B2 JPH083584B2 JP61085561A JP8556186A JPH083584B2 JP H083584 B2 JPH083584 B2 JP H083584B2 JP 61085561 A JP61085561 A JP 61085561A JP 8556186 A JP8556186 A JP 8556186A JP H083584 B2 JPH083584 B2 JP H083584B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal layer
- shutter
- response
- voltage
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶シヤツタに関する。更に詳しくは、高
速応答可能な液晶光シヤツタの構造に関する。
速応答可能な液晶光シヤツタの構造に関する。
液晶の光シヤツタは、外光又は背景光の透過率又は反
射率を液晶層に電圧を印加してコントロールすることに
よつてパターンを表示する電卓、時計、計測器、コンピ
ユータ等の表示装置として応用されている。また、２周
波駆動された液晶はプリンタなどへも適用されている。
射率を液晶層に電圧を印加してコントロールすることに
よつてパターンを表示する電卓、時計、計測器、コンピ
ユータ等の表示装置として応用されている。また、２周
波駆動された液晶はプリンタなどへも適用されている。
TN型又はゲストホスト型の液晶シヤツタは、光透過率
の電圧に対する応答が数十ms〜数百msであり、高速応答
を要求される用途には不向きであつた。またTN型液晶シ
ヤツタは強い方向依存性があり適用範囲を狭くしてい
た。また、２周波駆動されたTN型液晶シヤツタは電圧に
対する応答は速いものの、高い周波数を使用するために
装置全体の消費電力が大きくなる、高電圧を必要とする
などの欠点を有していた。
の電圧に対する応答が数十ms〜数百msであり、高速応答
を要求される用途には不向きであつた。またTN型液晶シ
ヤツタは強い方向依存性があり適用範囲を狭くしてい
た。また、２周波駆動されたTN型液晶シヤツタは電圧に
対する応答は速いものの、高い周波数を使用するために
装置全体の消費電力が大きくなる、高電圧を必要とする
などの欠点を有していた。
TN型液晶シヤツタの応答スピードは、電圧印加時にお
いてその電圧に依存するが、電圧をとり去つた時は電圧
にほとんど依存しない。TN型液晶シヤツタの応答を速く
する方法として、液晶層の厚さを小さくする方法がある
が、その厚さと複屈折率の積を550nm以下にすると急速
に光学特性が劣化する。
いてその電圧に依存するが、電圧をとり去つた時は電圧
にほとんど依存しない。TN型液晶シヤツタの応答を速く
する方法として、液晶層の厚さを小さくする方法がある
が、その厚さと複屈折率の積を550nm以下にすると急速
に光学特性が劣化する。
本発明は上記欠点を除去し、低電圧、低消費電力で駆
動可能であり、光学特性、高速応答性にすぐれた液晶シ
ヤツタを提供することを目的としている。
動可能であり、光学特性、高速応答性にすぐれた液晶シ
ヤツタを提供することを目的としている。
本発明の液晶シヤツタは、ほぼホモジーニヤス配向さ
れた正の誘電異方性を有する液晶層の厚さと複屈折率と
の積が180nm以上400nm以下であり、且つ、液晶層を挾持
する一対の偏光板の偏光軸又は吸収軸が、偏光板に隣接
する液晶層表面の液晶分子の光軸となす角が30゜以上60
゜以下であることを特徴としている。
れた正の誘電異方性を有する液晶層の厚さと複屈折率と
の積が180nm以上400nm以下であり、且つ、液晶層を挾持
する一対の偏光板の偏光軸又は吸収軸が、偏光板に隣接
する液晶層表面の液晶分子の光軸となす角が30゜以上60
゜以下であることを特徴としている。
以下、実施例を用いて説明する。
実施例１ 本発明による一実施例の構成を第１図を使用して説明
する。本実施例において、液晶層１は複屈折率0.12であ
りその厚さは２μである。従つてその積は240nmであ
る。液晶層１は、内面をそれぞれ反対方向にラビングさ
れた２枚の基板２に挾持されてホモジーニヤス配向さ
れ、透明電極３によつて電圧が印加できるようになつて
いる。更に、偏光板４によつて挾持されている。偏光板
の偏光軸は、ラビング軸即ち液晶層の光軸と45゜をな
し、お互いに平行である。偏光板は透過率約43％偏光度
96％のものを使用した。以上の構造において、透明電極
３に電圧無印加時及び480HZ8Vの矩形波印加時のシヤツ
タの透過率の分光特性を第２図に示す。第２図から明ら
かなようにほぼ白黒のシヤツタ特性を示しているコント
ラスト比約1:10であつた。
する。本実施例において、液晶層１は複屈折率0.12であ
りその厚さは２μである。従つてその積は240nmであ
る。液晶層１は、内面をそれぞれ反対方向にラビングさ
れた２枚の基板２に挾持されてホモジーニヤス配向さ
れ、透明電極３によつて電圧が印加できるようになつて
いる。更に、偏光板４によつて挾持されている。偏光板
の偏光軸は、ラビング軸即ち液晶層の光軸と45゜をな
し、お互いに平行である。偏光板は透過率約43％偏光度
96％のものを使用した。以上の構造において、透明電極
３に電圧無印加時及び480HZ8Vの矩形波印加時のシヤツ
タの透過率の分光特性を第２図に示す。第２図から明ら
かなようにほぼ白黒のシヤツタ特性を示しているコント
ラスト比約1:10であつた。
第３図にその時の応答特性を示す。印加時における応
答スピード約0.4ms、電圧印加をやめた時の応答スピー
ド2.5msでありTN型よりもかなり速い応答を示した。
答スピード約0.4ms、電圧印加をやめた時の応答スピー
ド2.5msでありTN型よりもかなり速い応答を示した。
実施例２ 実施例１において、偏光板として透過率38％偏光度99
％を使用した。応答は実施例１と同じだつたが、コント
ラスト比約1:15に向上しかなりよいシヤツタ特性を有し
た。
％を使用した。応答は実施例１と同じだつたが、コント
ラスト比約1:15に向上しかなりよいシヤツタ特性を有し
た。
実施例３ 実施例１において、偏光板の偏光軸がお互に90゜にな
るように設定した。この時の分光特性を第４図に示す。
コントラスト比約1:20であり、実施例１よりもシヤツタ
特性が向上した。またこの時の応答特性を第５図に示
す。
るように設定した。この時の分光特性を第４図に示す。
コントラスト比約1:20であり、実施例１よりもシヤツタ
特性が向上した。またこの時の応答特性を第５図に示
す。
実施例４ 実施例１において、透明電極３をパターンニングし
て、ネガ型の透過型液晶表示装置にした。TN型よりも視
角範囲が広く見栄えのあるデイスプレイになつた。自動
車用等応答スピードの要求される計測器用途に適してい
る。
て、ネガ型の透過型液晶表示装置にした。TN型よりも視
角範囲が広く見栄えのあるデイスプレイになつた。自動
車用等応答スピードの要求される計測器用途に適してい
る。
実施例５ 実施例３において、透明電極をパターンニングし、シ
ヤツタ裏面に反射板をつけて、反射型液晶表示装置とし
た。TN型よりも視角範囲が広かつた。
ヤツタ裏面に反射板をつけて、反射型液晶表示装置とし
た。TN型よりも視角範囲が広かつた。
本発明によつて、可視光の主要な波長域450nmから650
nmにおいて、充分なコントラスト比が得られ且つ高速応
答の液晶シヤツタを提供することが可能になつた。更に
本発明によれば、従来のTN方式などに比べ方向性依頼の
少ない液晶シヤツタを提供することができる。本発明に
よる液晶シヤツ又は、自動車のデイスプレイなど、応答
スピードの速さを要求される計測器、高速応答デイスプ
レイを左右の目に別々の時間に見させることによる立体
画表示用のシヤツタめがね等従来の液晶シヤツタ、液晶
デイスプレイの限界を越えることができた。
nmにおいて、充分なコントラスト比が得られ且つ高速応
答の液晶シヤツタを提供することが可能になつた。更に
本発明によれば、従来のTN方式などに比べ方向性依頼の
少ない液晶シヤツタを提供することができる。本発明に
よる液晶シヤツ又は、自動車のデイスプレイなど、応答
スピードの速さを要求される計測器、高速応答デイスプ
レイを左右の目に別々の時間に見させることによる立体
画表示用のシヤツタめがね等従来の液晶シヤツタ、液晶
デイスプレイの限界を越えることができた。
第１図は本発明の一実施例を示す液晶シヤツタの構成図 １……液晶層、２……基板 ３……透明電極、４……偏光板 第２図は本発明の実施例１における液晶シヤツタの分光
特性を示す図 第３図は実施例１における応答を示す図 第４図は実施例３における液晶シヤツタの分光特性を示
す図 第５図は実施例３における液晶シヤツタの応答を示す図
特性を示す図 第３図は実施例１における応答を示す図 第４図は実施例３における液晶シヤツタの分光特性を示
す図 第５図は実施例３における液晶シヤツタの応答を示す図
Claims (1)
- 【請求項１】対向配置された電極基板間にほぼホモジー
ニヤス配向された正の誘電異方性を有する液晶層の厚さ
と該液晶層の複屈折率との積が180nm以上400nm以下であ
り、少なくとも該液晶層を挾持する一対の偏光板の吸収
軸又は偏光軸が、該偏光板に隣接する前記液晶層表面の
液晶分子の光軸となす角が30゜以上60゜以下であること
を特徴とする液晶光シヤツタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61085561A JPH083584B2 (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 液晶光シヤツタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61085561A JPH083584B2 (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 液晶光シヤツタ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8336122A Division JPH09171178A (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | 液晶光シャッタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62240928A JPS62240928A (ja) | 1987-10-21 |
| JPH083584B2 true JPH083584B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=13862224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61085561A Expired - Lifetime JPH083584B2 (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 液晶光シヤツタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH083584B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6368813A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-28 | Casio Comput Co Ltd | 液晶光学素子 |
| US5056896A (en) * | 1988-08-29 | 1991-10-15 | Ricoh Company, Ltd. | Liquid crystal display device with dielectric anisotropy |
| JPH02130521A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Nippon I B M Kk | ツイステッド・ネマチック液晶表示装置 |
| JPH07212639A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-08-11 | Sony Corp | テレビジョン・カメラ用電子シャッター装置 |
| JP3506804B2 (ja) * | 1995-05-23 | 2004-03-15 | 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 | 液晶表示パネル |
| JP4545770B2 (ja) * | 2007-03-14 | 2010-09-15 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP7448910B2 (ja) * | 2019-11-29 | 2024-03-13 | 日本化薬株式会社 | 液晶セル及び液晶表示装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4367924A (en) * | 1980-01-08 | 1983-01-11 | Clark Noel A | Chiral smectic C or H liquid crystal electro-optical device |
| JPS6032085A (ja) * | 1983-08-01 | 1985-02-19 | キヤノン株式会社 | 表示パネル |
-
1986
- 1986-04-14 JP JP61085561A patent/JPH083584B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62240928A (ja) | 1987-10-21 |
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