JPS6032085A - 表示パネル - Google Patents

表示パネル

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JPS6032085A
JPS6032085A JP14090083A JP14090083A JPS6032085A JP S6032085 A JPS6032085 A JP S6032085A JP 14090083 A JP14090083 A JP 14090083A JP 14090083 A JP14090083 A JP 14090083A JP S6032085 A JPS6032085 A JP S6032085A
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liquid crystal
electrode
signal
electrodes
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JP14090083A
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裕一 正木
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、表示パネル特に高速応答特性を有する液晶表
示パネルに関するものである。
従来より、走査電極群と信号電極群をマドIJクス状に
構成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素
を形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は
、よく知られている。
この表示素子の駆動法としては、走査電極群に順次周期
的にアドレス信号を選択印加し、信号電極群には所定の
情報信号をアドレス1g号と同期させて並列的に選択印
加する時分割駆動が採用されているが、この表示素子及
びその駆動法には以下に述べる如き致命的とも言える大
きな欠点を有していた〇 即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆んどが、例えばM、5cha
dtとW−Helfrich著″’ Applied 
Ph)’5ies Letters”Vo 、 18.
 No−4(1971,2,15)、 P、 127〜
128の”Voltage−DePendent 0p
tical Activity of aTwiste
d Nematic Liquid Crystal”
に示されたTN (twisted nematic 
)型の液晶を用いたものであり、この型の液晶は無電界
状態で正の誘電異方性をもつネマチック液晶の分子が液
晶層厚方向で捩れた構造(ヘリカル構造)を形成し、両
電極面でこの液晶の分子が並行に配列した構造を形成し
ている。一方、電界印加状態では、正の誘電異方性をも
つネマチック液晶が電界方向に配列し、この結果光学変
調を起すことができる。この型の液晶を用いてマトリク
ス電極構造によって表示素子を構成した場合、走査電極
と信号電極が共に選択される領域(選択点)には、液晶
分子を電極面に垂直に配列させるに要する閾値以上の電
圧が印加され、走査電極と信号電極が共に選択されない
領域(非選択点)には電圧は印加されず、したがって液
晶分子は電極面に対して並行な安定配列を保っている。
このような液晶セルの上下に互いにクロスニコル関係に
ある直線偏光子を配置することによシ、選択点では光が
透過せず、非選択点では光が透過するため、画像素子と
することが可能となる。
然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、走
査電極が選択され、信号電極が選択されない領域或いは
走査電極が選択されず、信号電極が選択される領域(所
謂6半選択点”)にも有限の電界がかかつてしまう。選
択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差が充分
に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるのに要す
る電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば、表
示素子は正常に動作するわけであるが、走査線数(N)
を増やして行った場合、画面全体(1フレーム)を走査
する間に一つの選択点に有効な電界がかかつている時間
(dutF比)がRの割合で減少してしまう。このため
に、くり返し走査を行った場合の選択点と非選択点にか
かる実効値としての電圧差は走査線数が増えれば増える
程小さくなシ、結果的には画像コントラストの低下やク
ロストークが避は難い欠点となっている。このような現
象は、双安定性を肩さない液晶(電極面に対し、液晶分
子が水平に配向しているのが安定状態であり、電界が有
効に印加されている間のみ垂直に配向する)を時間的蓄
積効果を利用して駆動する(即ち、繰シ返し走査)とき
に生ずる本質的には避は難い問題点である。この点を改
良するために、電圧平均化法、2周波駆動法や多重マト
リクス法等が既に提案されているが、いずれの方法でも
不充分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査
線数が充分に増やせないことによって頭打ちになってい
るのが現状である。
この様なことから、各画素毎に半導体スイッチング素子
を設けた半導体駆動回路基板を用いた表示パネルが、例
えば特開昭56−27114号公報などに示されている
。しかし、このパネルでは各画素毎にスイッチング素子
を形成することから、コスト高となシ安値で且つ大型パ
ネルには適していない欠点を有している。
本発明の目的は、前述の欠点を解消した高速応答特性を
もつ表示パネルを提供することにあり、又別の目的はテ
レビ動作が可能な大型ノ(ネルに適した表示パネルを提
供することにある。
すなわち、不発明は、互いに対向した複数の帯 電極を
交差させてマトリクス状とした電極構造を有し、一方の
複数の帯状電極を行電極(共通室4V@)として行ごと
に時分割で電圧を印加する方式の駆動方式によって液晶
を動作させることができ、しかも前記行電極とこれと対
向させた配置した信号電極との交差部となる部分を除い
た部分(液晶が電界の影響を受けない個所)を遮光手段
によって遮光した表示パネルに特徴を有している。
本発明の液晶表示パネルは、例えば第1図に示す態様を
有し、そこに用いる行電極(共通電極)基板は第2図に
示す態様を有している。
第1図、第2図および第3図に示すシャッタは、シャツ
タ開口部21(21a、21b、”・・・)がチドリ状
に複数個で配列されており、打電@ 22 aおよび2
2bと信号電極23 (23a。
23 b 、 23 c 、 23 d 、”e* )
の交差部に位装置している。このシャ°ツタに用いる行
電極基板は、基板24(ガラス、プラスチックなど)の
上にシャツタ開口部21を形成する区域21′(2fa
、2rb)を除いた区域の行電極22aと22bの上に
金属遮光マスク25が形成されている。さらに、行電極
22aと22bの間には着色絶縁膜26が配置されてい
る。又、図中27は樹脂などからなる絶縁膜を示してい
る0第2図に示す行電極基板の形成工程の一例を説明す
る。第2図においてガラス基板24の内面側には透明導
電性薄膜からなる電極行電極22aと22bおよび金属
遮光マスク25が形成されているものとし、その上に配
向膜としてポリビニールアルコール(PVA)vcを形
成する0PVAはゴーセノーlL/(日本合成化学工業
)九−05の10%水溶液を用い感光性付子側として重
クロム酸アンモニウムを上記PVAの固形分に対し5チ
の割合で添加したものを回転塗布した( 6000rp
m、10’)後60℃にて15分間加熱して絶縁膜27
を形成する0 次に周縁部をマスクで佼った状態でPVA膜(絶縁膜2
7)を10〜15秒露光し、純゛水により30秒間現像
して未露光部を除去する。次にN2ガスによシ吹乾後8
0℃で5分間加熱乾燥した後に、PVA膜表面をラビン
グによシ配向処理する。
次にフォトレジスト(FPPR+800)を回転塗布(
2000rpm、10′)した後、80℃にて5分間加
熱してフォトレジスト層を形成、次いで図中の26の区
域を覆う形のマスクをかけてフォトレジスト層を7秒間
露光後現像液で現像して図中の26の区域のフォトレジ
スト層を除去した〇 次に染料液に5分間浸漬してPVA皮膜を染色して、着
色絶縁膜26を形成する。染料はSumtfix Bl
ack ENS (住友化学) 、 5oloPhen
yINGL (チバガイギー)、C1bacet Gr
e)’ NH(チバガイギー)の何れかをNlI40I
(の2チ水溶液で溶解して用い、2種又社3種の染料に
順次浸漬することにより所要の濃度を得るようにしても
よい。次に純水によるリンス後、メチルエチルケトンに
よりフォトレジスト層の残部を除去、イソプロピルアル
コールによルリンス、フロンペーパー乾燥、ベーキング
(180’OS15’)等の仕上工程を経て行電極22
aと22bの隙間部分が不透明に染色された遮光マスク
が完成する。
又、第3図に示す行電極基板の形成工程の一例を説明す
る。第3図において、ガラス基板24の内面には透明導
電性薄膜からなる行電極228と22bおよび金属遮光
マスク25が形成されているものとし、その上にポリビ
ニルアルコール(PVA)膜を形成する。PVAはゴー
セノール(日本合成化学工業)EG−05の10%水溶
液を用い感光性付子側として重クロム酸アンモニウムを
上記PVAの固形分に対し5%の割合で添加したものを
回転塗布した(6000rpm。
10′)後60℃にて15分間加熱する。
次に金属遮光マスク25の隙間部分のみに光が当たる様
なマスクを7ライメントした状態でPVA膜を10〜1
5秒露光し、純水により3−0秒現像して未露光部を除
去する。次にN、ガスにより吹乾後80℃で5分間加熱
乾燥する。
次に染料に5分間浸漬してPVA皮膜を染色する。染料
は5wn1fix Black ENS (住友化学)
、5olopheny INGL (チバガイギー)、
C1bacetGrey NH(チバカイギー)の何れ
かをNH,OHの2チ水溶液で溶解して用い、2種又は
3種の染料に順次浸漬することにより所要の濃度を得る
ようにしてもよい。これによ!りPVA膜が染色されて
、着色絶縁膜26が形成される。
次に純水によるリンス後、イソプロビルアルコールニヨ
ルリンス、フロンペーパー乾燥、ベーキング(180℃
、15′)等の仕上工程を経て隙間部分が不透明に染色
された遮光マスクが構成する。゛ そして、その表向にポリイミド樹脂(東し■製5P−5
10)の2.5−NMP溶液を用いて回転塗布した( 
3000rpm、60秒間)後に300’030分間加
熱して絶縁膜27を形成する。
シール及び電極端子部分のポリイミド膜を除す 去(アルカ−10チ水溶液を用いて60℃の温度で10
分間エツチング)した後、ラビングにて液晶分子の配向
方位を決定づける。
金属遮光マスク25は、通常クロム、アルミニウムや銀
などの反射性金属を蒸着又はメッキなどの手段によって
被膜形成後フォトリソ工程を採用して形成することがで
きる。この金属遮光マスク25は、クロムで形成された
時には約300〜2000人の膜厚で形・成される。
上述の様にして遮光マスクを形成されたガラス基板と従
来の通りの対向電極を有するガラス基板とを組合せ、偏
光板を配置して液晶表示パネルを構成した場合、前述の
様な電圧非印加部を透過する僅かな光量は殆んど染色マ
スクによって吸収される。遮光マスクは対向電極側に形
成しても同様の効果が得られることは勿論で69、この
場合も上述と同様の方法で、パターン電極に対応する部
分以外を法う遮光マスクを形成することが出来る。又、
パターン′llt極側と対向電極側との両方に遮光マス
クを形成してもよいことは勿論である。
本発明は上述の様に絶縁性を有する水溶性樹脂皮膜を用
いて染色によりスキ間の遮光マスクを形成したもので、
遮光マスクが配向膜を兼ねたものであるから構成が簡単
で、極めて安価に製造できる。又電極間に隙間が生ずる
こともないという利点を有する。
第4図は、本発明の液晶表示パネルの一部を示す平面図
である。
本発明の具体例では、多重時分割駆動用電極構造を有す
る液晶表示パネルを用いることができる。例えば、基板
上に設けた行電極41が32個配置され、対向基板に列
(信号)電極42がn個配置されている。上下に偏光板
が偏光軸43と44をクロスニコル状態となる様に配置
され、正の誘電異方性をもつネマチック液晶(Npとい
う)が偏光軸と45°の方向45にホモジニアス配向さ
れている。ここで、第5図に示す様にC8に10時間の
み(T1=1msec ) 、他の行電極とは、逆相の
電圧を印加し、順次嶋→C,まで1 m sec間で線
順次走査を行っていく。第6図に示す様にT、では、C
Iの行においてアドレスの選択を行ない、他行の表示点
では全て液晶の閾値電圧以上の電圧が印加される様に駆
動する。ここでアドレスを行なう場合、C1と同相の電
圧を印加すると、その印加時間により、第7図に示す、
ごとく光量が制御可能となる。よってT、の時間内に同
相の電圧を印加する時間を16種類にすれば16階調の
表示が可能とな・る。
この様にして人間の目にフリッカが感じない程度に走査
周期を決定すれば、クロストークの無い極めて表示品位
の良い階調表示マトリクスが可能となる。
又、T、において表示点a、はC8とSlが同相のため
に上下電界が無く、明状態となり、at〜astは逆相
の為に、電圧が印加され、液晶分子カニ立ち暗状態をと
る。b8においても、a、と同様である。clは、C1
〜CnとS3の電圧差の電界が印加され、液晶が動作す
る電圧なので暗状態をとる。
この時、他行の全表示点には電圧が印加されているので
全て暗状態となる。次にT2において、表示点す、のみ
同相となり、明状態をとる。以上の様に、各ライン上の
表示点を同相信号によりアドレスし順次線走査し、入間
の目にフリッカとして感じさせない周期で走査を縁り返
すことによりONとOFFのコントラストが明確であり
従来の長時分割駆動で発生したクロストーク現象は皆無
となり極めて表示品位の高い液晶マトリクス表示が可能
である。
更に本発明のマトリクス表示の表示能力を高めるには、
行電極の走査時間を短かくすれば良い。しかしながら第
8図に示す背面照明手段85の光量増大も限界があシ実
験結果から40Wの照明、1 m Sの走査時間で約3
2本の行電極が最大であった。
−よって、本発明では第8図に示す様に液晶セル81の
観察者82の側にある前面偏光板83に螢光体84を塗
布し、少ない光量で長い残像を持たせる事によシ行電極
の走査本数を2〜3倍に増加させる事が可能となった(
図中、86は背後偏光板)。
又、本発明の別の具体例では、双安定性を有する液晶を
用いることもできる。
本発明で用いる双安定性を有する液晶は、強誘電性を有
するものであって、具体的にはカイラルスメクデイツク
C相(SmC)又は、H相(SmH)を有する液晶を用
いることができる。
この液晶は電界に対して第1の光学的安定状態と第2の
光学安定状態からなる双安定状態を有し、従って前述の
TN型の液晶で用いられた光学変調素子とは異なり、例
えば一方の電界ベクトルに対し第1の光学的安定状態に
液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対しては第2の光
学的安定状態に液晶が配向される。
強誘電性液晶については、’ LE JOURNAL 
DEP)fY8IQUE LETTER8″と(L−6
9)1975゜jFerroel@ctrie Liq
uid Crystals J ;” Applied
 Ph)’5ics+ Letters″36(11)
i 980 「Submicro Segond B1
5tableEleetrooptic Switch
ing in LiquidCryst*lsJ ; 
”固体物理”16(141)1981 「液晶」等に記
載されており、本発明ではこれらに開示された強誘電性
液晶を用いることができる。
強訴電性液晶化合物の具体例としては、デシロキシベン
ジリデン アミノ メチルdecyloxybenzy
lidene−P’−amino−2−methylc
innamate (HOBACPC)および4−O−
(2−oct71aniline (MBRA 8 )
等が挙けられる。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合液晶化合物
がSmC”相又はSmH”相となるような温度状態に保
持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた
銅ブロック等にょシ支持することができる。
第9図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの例
を模式的に描゛いたものである。91と9rは、In、
O,、8nO!やITO(Indium −Tin □
cide )等の透明電極がコートされた基板(カラス
板)であシ、その間に層92がガラス面に垂直になるよ
う配向したSmC”相又はSmH相の液晶が封入されて
いる。太線そ示した線93が液晶分子を表わしており、
この液晶分子93は、その分子に直交した方向に双極子
そ−メント(Pよ)94を有している。基板91と9r
上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶
分子93のらせん構造がほどけ、双極子モーメント(P
よ)94はすべて電界方向に向くよう、液晶分子93は
配向方向を変えることができる。液晶分子93は細長い
形状を有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異
方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロ
スニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学
特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理
解される。
本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く(例えば1μ)することができ
る0すなわち、第10図に示すように電界を印加してい
ない状態でも液晶分子のらせん構造はほどけ、その双極
子モーメントP又はP′は上向き(104)又は下向き
(104’)のどちらかの状態をとる。このようなセル
に第10図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界
E又はE′を電圧印加手段101と1ofにより付与す
ると、双極子モーメントは電界E又はE′の電界ベクト
ルに対応して上向き104又は下向き104′と向きを
変え、それに応じて液晶分子は第1の安定状態103か
あるいは第2の安定状態103′の何れか1万に配向す
る0このような強誘電性液晶を光学変調素子として用い
ることの利点は2つある。、第1に、応答速度が極めて
速いこと、第2に液晶分子の配向が双安定性を有するこ
とである。第2の点を例えば第3図によって説明すると
、電界Eを印加すると液晶分子は第1の安定状態103
に配向するが、この状態は電界を切っても安定である。
又、逆向きの電界E′を印加すると、液晶分子は第2の
安定状態103′に配向してその分子の向きを変えるが
、やはシミ界を切ってもこの状態に留っている。又、与
える電界Eが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配
向状態にやはり維持されている。このような応答速度の
速さと、双安定性が有効に実現されるにはセルとしては
出来るだけ薄い方が好ましい。この様な強誘電性を有す
る液晶で素子を形成するに当たって直面する問題点とし
て、第1にモノドメイン性の高いセルを形成することが
難しい点にある。既に述べたように、光学素子として有
効に作動させる為には、SmC相又はSmHを有する層
が基板面に対して垂直に、すなわち液晶分子は基板面に
略平行になるように、セルが形成されている。この様な
液晶セルは、例えば米国特許第4367924号公報に
開示されている。
第11図〜第13図は、本発明の液晶表示Iくネルの駆
動例を示している。
第11図は、中間に強誘電性液晶化合物が挾まれたマト
リクス電極構造を有するモル114の模式図である。1
12は走査電極群であり、11.3は信号電極群である
。第12図181とTblはそれぞれ選択された走査電
極112(畦装与え、られる電気信号とそれ以外の走査
電極(選択されない走査電極) 1121filに与え
られる電気信号を示し、第12図1cIとkl)はそれ
ぞれ選択された信号電極113 ts+に与えられる電
気信号と選択されない信号電極、113(filに与え
られる電気信号を表わす。第12図181〜141それ
ぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧を表す。例えば、動画を
表示するような場合には、走査電極群112は逐次、周
期的に選択される。今、双安定性を有する液晶セルの第
1の安定状態を与えるだめの閾値電圧をvth、とし、
第2の安定状態を与えるための闇値電圧を−vth、と
すると、選択された走査電極42 ts+に与えられる
電気信号は第11図−)に示される如く位相(時間) 
11では、■を、位相(時間) 11では一■となるよ
うな交番する電圧である。又、それ以外の走査電極11
2 +rt+は、第12図181に示す如くアース状態
となっており、電気信号Oである。一方、選択された信
号電極113 ts+に与えられる電気信号は第12図
tc>に示される如くvであり、又選択されない信号電
極1131nlに与えられる電気信号は第12図111
1に示される如(−Vである。以上に於て、電圧値vt
iv<vth、<zvと−v>−vth、>−2Vを満
足する所望の値に設定される。このような電気信号が与
えられたときの各画素に印加される電圧波形を第13図
に示す。第13図181〜1dlはそれぞれ第11図中
の画素A、B、CとDは対応している。すなわち、第1
3図により明らかな如く、選択された走査線上にある画
素Aでは位相t、に於て閾値vth、を越える電圧2v
が印加される。又、同一走査線上に存在する画素Bでは
位相t、で閾値−vth、を越える電圧−2vが印加さ
れる。従って、選択された走査電極線上に於て信号電極
が選択されたか否かに応じて、選択された場合には、液
晶分子は第1の安定状態に配向を揃え、選択されない場
合には第2の安定状態に配向を揃える。いずれにしても
各画素の前歴には関係することはない。
一方、画2CとDVC示される如く選択されない走査線
上では、すべての画素CとDに印加される電圧は+■又
は−Vであって、いずれも閾値電圧を越えない。従って
、各画素CとDにおける液晶分子は、配向状態を変える
ことなく前回走査されたときの信号状態に対応した配向
をそのまま保持している。即ち、走査電極が選択された
ときにその一ライン分の(g号の書き込みが行われ、−
フレームが終了して次回選択されるまでの間は、その信
号状態を保持し得るわけである。従って、走査電極数が
増えても、実質的なデユーティ比はかわらず、コントラ
ストの低下とクロストーク等は全く生じない。この際電
圧値Vの値及び位相(t++tt)=Tの値としては、
用いられる液晶材料やセルの厚さにも依存するが、通常
3ボルト〜70ボルトで0.1μglee〜2m5ec
の範囲で用いられる。従って、この場合では選択された
走査電極に与えられる電気信号が第1の安定状態(光信
号に変換されたとき「明」状態であるとする)から第2
の安定状態(光信号に変換されたとき「暗」状態である
とする)へ、又はその逆のいずれの変化をも起すことが
できる。
以上の説明から本発明の利点として 1、高時分割(64〜128デユーテイ)駆動が可能; 2、 クロストークが発生しない; 3、大面積化が容易; 4、視角依存性がない; 5、階調表示が簡単に可能で、かつ階調数が多く容易に
とれる; 6、表示品位が極めて良い; 7、画素密度の設計に自由度がある; 8、螢光体を設けて残像(メモリー)性を付与して、チ
ラつき防止に有効である; 等を挙げる仁とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の表示ノくネルの平面図である。第2
図および第3図は、本発明の表示ノくネル断面図である
。第4図は、本発明の表示ノ(ネルの電極構造を示す平
面図である。第5図および第6図は、本発明の表示)く
ネルで用いたタイムチャートを示す説明図である。第7
図は、本発明の表示パネルの動作状態を示す説明図であ
る。第8図は、本発明の表示ノくネルの断面図である。 第9図および第10図は、本発明の表示パネルの斜視図
である。第11図は、本発明の表示パネルの電極構造を
示す平面図である。第12図(ml 〜ldlおよび第
13図tal 〜1dlは、本発明の表示パネルを動作
させた時のタイムチャートを示す説明図である。 出願人 キャノン株式会社 μmう Cb) Cd>

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 複数の信号電極とこの信号電極に対向させて配
    置した複数の行電極をマトリクス状とした電極構造、該
    信号電極と該行電極が少なくとも対向する部分を除いた
    部分を遮光する遮光手段および該信号電極と行電極の間
    に配置した液晶を備えた液晶セルと前記液晶セルの背後
    に備えた照明手段を有することを特徴とする表示パネル
  2. (2)複数の信号電極とこの信号電極に対向させて^4
    置した複数の行電極をマトリクス状とした電極構、該信
    号電極と該行電極が少なくとも対向する部分を除いた部
    分を遮光する遮光手段および該信号電極と行電極の間に
    配置した液晶を備えた液晶セル、前記液晶セルを挾持す
    る1対の偏光手段、前記行電極に走査信号を印加し、こ
    の走査信号と同期させて選択された信号電極に信号を印
    加する電圧印加手段と前記1対の偏光手段のうち観察者
    側と反対の位置にある偏光手段の背後に備えた照明手段
    を有することを特徴とする表示パネル。
  3. (3)複数の信号電極とこの信号電極に対向させて配置
    した複数の行電極をマトリクス状とした電極構造、該信
    号電極と該行電極が少なくとも対向する部分を除いた部
    分を遮光する遮光手段および該信号電極と行電極の間に
    配置した液晶を備えた液晶−ル、前記液晶セルを挾持す
    る1対の偏光手段、前記行電極に走査信号を印加し、こ
    の走査信号と同期させて選択された信号電極に信号を印
    加する電圧印加手段、前記液晶セルの観察者側に配置し
    た螢光手段および前記1対の偏光手段のうち観察者側と
    反対の位置にある偏光手段の背後に備えた照明手段を有
    することを特徴とする表示パネル。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62240928A (ja) * 1986-04-14 1987-10-21 Seiko Epson Corp 液晶光シヤツタ
JPH0739076U (ja) * 1991-10-28 1995-07-14 スタンレー電気株式会社 垂直配向型ドットマトリックス液晶ディスプレイ

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