JPH0475022A - 反射型液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

反射型液晶表示装置の製造方法

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JPH0475022A JP2188775A JP18877590A JPH0475022A JP H0475022 A JPH0475022 A JP H0475022A JP 2188775 A JP2188775 A JP 2188775A JP 18877590 A JP18877590 A JP 18877590A JP H0475022 A JPH0475022 A JP H0475022A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、バックライトを用いない反射型液晶表示装置
に関する。
(従来の技術) 近年、ワードプロセッサ、ラップトツブパソコン、ポケ
ットテレビ等への液晶表示装置の応用が急速に進展して
いる。液晶表示装置の中でも、特に、外部から表示装置
に入射した光を反射板で反射させて表示を行う反射型液
晶表示装置は、バフクライトを必要としないため、薄型
化、軽量化、低消費電力化に適しており、注目されてい
る。
従来より、反射型液晶表示装置には、TN(ツィステッ
ドネマティック)モード、及びSTN (スーパーツィ
ステッド早マチイック)モードが用いられている。しか
し、これらのモードを用いた反射型液晶表示装置では直
線偏光子が用いられるため、自然光のほぼ2分の1は表
示には用いられない。従って、自然光の強度に比較して
、得られる表示画面は暗いものとなる。
このような欠点を解消するために、自然光の全ての方向
の偏光を有効に利用する表示モードが提案されている。
このようなモードの例として、相転移型ゲスト・ホスト
方式が挙げられる( D、 L、 White and
 G、N、Taylor、 J、Appl、Phys、
 45. p、47181974)。このモードでは、
ホスト液晶であるコレステリック液晶の電界によるネマ
ティック相への相転移現象が利用されている。この方式
に、更にマイクロカラーフィルタを組み合わせた反射型
マルチカラーデイスプレィも提案されている( Pro
ceedings of  the SID、  Vo
l、29.  p、157 1988)。
このような偏光板を必要としないモードで更に明るい表
示を得るためには、あらゆる角度からの入射光に対し、
表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強度を増加させる
必要がある。そのためには、反射板上の凹凸の形成を制
御して、最適な反射特性を有する反射板を作製すること
が必要となる。
上記の文献には、ガラス基板の表面を研磨剤で粗面化し
、フッ化水素酸でエツチングする時間を変えることによ
り凹凸部の形状を制御し、その上にAg金属薄膜を形成
した反射板について記載されている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記の文献に記載の反射板には、ガラス
基板に研磨剤によって傷をつけることにより凹凸部が形
成されるので、均一な形状の凹凸部が形成されない。ま
た、凹凸部の形状の再現性が悪いという問題点もある。
このようなガラス基板を用いると、良好な反射特性を有
する反射型液晶表示装置を提供することができない。
本発明はこのような問題点を解決するものであり、本発
明の目的は、良好な反射特性を有する反射板を備えた反
射型液晶表示装置を提供することである。本発明の他の
目的は上記の反射型液晶表示装置の製造方法を提供する
ことである。
(課題を解決するための手段) 本発明の反射型液晶表示装置は、電極を形成した透明基
板と、一方の面に酸化物の膜を成長させエツチング処理
して凹凸部を形成したガラス板と該凹凸部上に形成され
た金属薄膜とを有する反射板と、該透明基板と該反射板
との間に封入された液晶層と、を備えており、そのこと
によって上記目的が達成される。
また、前記凹凸部の凸部が尾根状の形状を有し、該凸部
の平均ピッチが100μm以下である構成とすることが
できる。
また、前記反射板の前記金属薄膜を形成した面が、該液
晶層側に配されている構成とすることができる。
更に、前記金属薄膜が、前記透明基板に形成された電極
に前記液晶層を挟んで対向する電極としても機能してい
る構成とすることができる。
本発明の反射型液晶表示装置の製造方法は、ガラス基板
上に金属薄膜を形成した反射板を備えた反射型液晶表示
装置の製造方法であって、該ガラス基板の一方の面に酸
化物の膜を成長させる工程と、該ガラス基板をエツチン
グ処理して該一方の面に凹凸部を形成する工程と、該凹
凸部を形成した面上に該金属薄膜を形成する工程と、を
包含しており、そのことによって上記目的が達成される
(作用) ガラス基板上に、真空蒸着又はスパッタリング法により
酸化物の薄膜を成長させると、酸化物の種類、膜厚、成
膜条件により、基板表面の状態はかなり異なることが知
られている。薄膜の成膜もメカニズムについては、次の
よう説明されている。
一般に、蒸着又はスパッタリングされて基板に衝突した
原子又は分子は核を形成する。この核は、次々に衝突し
てくる原子若しくは分子、又は隣接する核の一部若しく
は全部と合体して成長する。
合体が進むと、島状構造の状態(island sta
ge)、島がつながって海峡を残している状態(cha
nnelstage)、海峡が途切れて穴となった状態
(holestage)を経て、連続膜が形成される。
膜の成長の状態は、蒸着とスパッタリングとではかなり
異なることが知られている。スパッタリングによって形
成された島状構造の状態では、各島が小さくその数は多
いのに対し、真空蒸着によって形成された島状構造の状
態では、各島が大きいと言われている。本発明では何れ
の状態の膜でも酸化物の膜として用いることができる。
酸化物の膜を成長させたガラス基板は、例えばフッ化水
素酸(HF)と硝酸(HN O3)とを所定の割合に混
合したエッチャントによってエツチング処理される。基
板上に成長した酸化物は多孔質なので、エッチャントは
酸化物の膜に浸透する。
酸化物とガラスとではエツチング速度が異なるので、浸
透したエチャントに接したガラス基板の部分が先にエツ
チングされて凹凸部が形成されるものと考えられる。こ
の状態から更にエツチングが進行して、酸化物は除去さ
れ、ガラス基板上に凹凸部が形成される。凹凸部の形状
等は、酸化物の種類、ガラス基板の表面状態、エッチャ
ントの濃度、エツチング時間等を変えることにより制御
することができる。このようにして凹凸部が形成された
ガラス基板上に金属薄膜を形成することにより、反射板
の反射特性を制御することができる。
(実施例) 本発明の実施例について以下に説明する。第1図に本発
明の反射型液晶表示装置の一実施例に用いられる反射板
の製造工程を示す。第1図(a)に示すような厚さ1.
1−のガラス基板(コーニング社製、商品名7059)
11の一方の面に、スパッタリング法により酸化物を成
長させ、酸化物膜12を形成した(第1図(b))。用
い得る酸化物としては、SiO2、Al2O3、ZrO
2,5iOS TiO2、S n 02、I T O(
Indium tinoxide)等を挙げることがで
きる。酸化物の膜厚は0.01〜1μ、mの範囲にある
ことが好ましい。
本実施例では酸化物として5i02を用い、0.1μm
の厚さに成長させた。
次に、フッ化水素酸(47%溶ti)と硝酸(60%溶
液)とを重1比1対1ooの割合で混合した25℃の溶
液に、酸化物膜工2を形成したガラス基板11を10分
間浸漬してエツチング処理を行った。このエツチング処
理により、第1図(C)に示すように、ガラス基板11
の一方の面に凹凸部I3を形成した。
このガラス基板11を観察すると、凹凸部13の凸部は
連続した尾根状の形状を有しており、この尾根状の部分
は、高いピークと比較的低いピークとが連なった形状を
存している。凹凸部13の凸部の高さは0.8μm、平
均ピッチは5μmであった。尚、ここで凸部の平均ピッ
チとは隣接する尾根状の凸部の平均距離である。ガラス
基板11の裏面IOは均一にエツチング処理されるので
凹凸部は形成されず、不透明となることはない。
従って、レジスト等で保護する必要はない。
更に、凹凸部13を形成した基板11上に金属薄膜14
を形成した(第1図(d))。金属薄膜としてはAI、
NiS CrS Ag等を挙げることができる。金属薄
膜の厚さは、0.01〜1. 0μm程度が適している
。本実施例ではAgを真空蒸着することにより、金R薄
膜14を形成した。
以上により、反射板15が得られる。
反射板15の反射特性の測定方法を第2図に示す。反射
板15を液晶表示装置に用いた場合、反射板15の表面
と液晶層とが接することになる。
従って、反射板15の反射特性は液晶層と接した状態で
測定するのが好ましい。しかし、液晶層とガラス基板1
1との屈折率は何れも約1. 5でありほぼ等しいので
、反射板15の反射特性を反射板15の裏面10から測
定した結果は、反射板15の表面と液晶層との境界に於
ける反射特性と同様の結果を与える。従って、本実施例
ではガラス基板11の裏面10から反射特性を測定した
第2図に示すように、反射率特性の測定は、反射板15
に入射する光の散乱光を、フォトマルチメータ5で検出
することにより行われる。反射板15の裏面10には、
その法線2に対し角θをもって入射光3が入射する。フ
ォトマルチメータ5は、金属薄膜14上の入射光3が照
射される点を通る裏面lOの法線の方向に固定されてい
る。入射光3の入射角θを変えて入射光の金属薄膜14
による散乱光の強度を測定することにより、第3図に示
す反射特性が得られた。
第3図では法線2に対して入射角θをもって入射する光
の反射強度が、第3図の0°の線に対して角θの方向に
、原点0からの距離として表されている。第3図に破線
で示す反射特性曲線32は、標準白色板(酸化マグネシ
ウム)について測定したものである。本実施例の反射板
15の反射特性曲線35は曲線32に近似しており、標
準白色板に近い反射率特性を有していることが分かる。
本実施例の反射板を用いて反射型液晶表示装置を組み立
てたところ、明るい表示画面を有する表示装置が得られ
た。
上述の実施例では凸部の平均ピッチが5μmの場合につ
いて述べたが、該平均ピッチが100μm以内であれば
本実施例と同様の効果が得られることが確認された。こ
れよりも大きな平均ピ・ソチの凸部が形成されると、反
射板15へ入射する光をあらゆる方向に散乱させること
ができなくなるので好ましくない。
第4図に本発明の反射型液晶表示装置に用いられる他の
反射板の製造工程を示す。第4図(a)に示すように、
厚さ1.1圓のガラス基板(コーニング社製、商品名7
059)11の一方の面に、スパッタリング法によりI
TOを0.1μmの厚さに成長させ、酸化物膜42を形
成した(第2図(b))。
次に、フッ化水素酸(47%溶液)と硝酸(60%溶液
)とを重量比1対100の割合で混合した25°Cの溶
液に、酸化物膜42を形成したガラス基板11を10分
間浸漬してエツチング処理を行った。このエツチング処
理により、第4図(C)に示すように、ガラス基板11
の一方の面に凹凸部43を形成した。
このガラス基板11を歓察すると、凹凸部43の凸部は
連続した尾根状となった部分を有しており、凹凸部43
の凸部の高さは0.5μm、平均ピッチは5μmであっ
た。更に、凹凸部43を形成した基板11上にAgを真
空蒸着することにより、金属薄膜44を形成した(第4
図(d))。
以上により、反射板45が得られる。
また、上述の製造工程に於て、エツチング処理時間を1
2分として反射板46を作製した。この反射板46の凸
部も連続した尾根状となった部分を有しており、凹凸部
43の凸部の高さは0.8μm1 平均ピッチは5μm
であった。
第5図に反射板45及び46の反射特性曲線55及び5
6を示す。反射特性の測定方法は、前述の第2図と同様
である。比較のために標準白色板の反射特性曲線32も
示しである。曲線32及び55の比較から、本実施例の
反射板45では、入射角θが小さい場合には反射板55
の法線方向への反射率が小さく、入射角θが大きい場合
には反射板55の法線方向への反射率が大きい。これに
対して、反射板46は標準白色板と同様の反射特性を有
していることが分かる。このように、工7チング処理の
時間を制御することにより、反射板45のように法線方
向への反射率を大きくしたり、反射板46のように入射
光をあらゆる方向へ散乱させたりすることができる。
第6図に反射板45を用いて作製した反射型液晶表示装
置の断面図を示す。本実施例の反射型液晶表示装置は、
アクティブマトリクス基板20と、反射板45とを有す
る。アクティブマトリクス基板20は、ガラスからなる
透明基板23と、該基板23上に形成された薄膜トラン
ジスタ(以下ではrTFTJと称する)24と、該TP
T24に接続された絵素電極25とを有する。更に、絵
素電極25及びTFT24を覆って基板23上の全面に
、配向膜26が形成されている。反射板45上にも配向
膜27が形成されている。また、反射板45の金属薄膜
44が、透明基板23に形成された絵素電極25に液晶
層21を挟んで対向する対向電極としても機能している
アクティブマトリクス基板20と反射板45との間には
、液晶封止層22が7μmのスペーサを混入した接着性
ソール剤をスクリーン印刷することによって形成されて
いる。液晶層21は液晶封止層22を形成した後、真空
脱気することにより封入される。液晶層21には、黒色
色素を混入したゲストホスト液晶(メルク社製、商品名
ZLI2327)に光学活性物質(メルク社製、商品名
5811)を0.5%混入したものを用いた。
以上のようにして作製した反射型液晶表示装置の電圧−
反射率特性を第7図に示す。反射率の測定は、前述の東
2図の反射板15の位置に、上記の反射型液晶表示装置
を置いて測定した。縦軸は反射率を表し、横軸は絵素電
極25と対向電極である金属薄膜44との間の印加電圧
を表わす。反射率は、入射角θ=30°をもって入射す
る入射光について測定され、標準白色板に於ける法線方
向への拡散光の強度に対する、表示装置に於ける法線ガ
ロへ拡散光の強度の比率を求めることにより得られる。
第7図に示すように、電圧印加時の反射率は約50%と
かなり明るく、コントラスト比は27であった。
本実施例の反射型液晶表示装置では、反射板45の金属
薄膜44を形成した面が、液晶層21側に配されている
ので視差がなくなり、良好な表示画面が得られる。また
、本実施例では反射板45の金属薄膜44が対向電極と
しても機能しているので、表示装置の製造工程が簡略化
される。
更に、第8図に示すように、各絵素電極25に対応して
カラーフィルタ28を設け、カラーフィルタの間にブラ
ックマスク29を設けた構成とすることにより、反射型
カラー液晶表示装置を容易に作製することができる。
本実施例ではガラス基板11に酸化物の膜12又は42
を形成した後に金属薄膜44を形成したが、酸化物の膜
を形成した基板に研磨傷を付けてエツチングした後に金
属薄膜44を形成してもよい。また、ガラス基板11に
研磨傷を付けてから酸化物の膜を形成してもよい。
(発明の効果) 本発明の反射型液晶表示装置では、一方の面に酸化物の
膜を成長させたガラス基板を用いることにより、得られ
る反射板に形成される凹凸部の形状を制御することがで
きるので、反射板の反射特性を制御することが可能とな
る。従って、本発明によれば良好な反射特性特性を有す
る反射板を備えた反射型液晶表示装置が提供される。ま
た、本発明の反射型液晶表示装置の製造方法によれば、
上記の表示装置を容易に得ることができる。
4、    の   な号 a 第1図(a)〜Cd>は本発明の反射型液晶表示装置の
一実施例を構成する反射板の製造工程を示す図、第2図
は反射板の反射特性の測定方法を示す図、第3図は第1
図の製造工程で製造した反射板の反射特性を示す図、第
4図(a)〜(d)は本発明の他の実施例を構成する反
射板の製造工程を示す図、第5図は第4図(a)〜(d
)の製造工程で製造された反射板の反射特性を示す図、
第6図は第4図の製造工程で製造された反射板を用いた
反射型液晶表示装置の断面図、第7図は第6図の反射型
液晶表示装置の印加電圧−反射率特性を示す図、第8図
は第6図の表示装置にカラーフィルタを設けた反射型カ
ラー液晶表示装置の断面図である。
5・・・フォトマルチメータ、10・・・3面、11・
・・ガラス基板、12.42・・・酸化物膜、13.4
3・・・凹凸部、14.44・・・金属薄膜、15.4
5・・・反射板、20・・・アクティブマトリクス基板
、21・・・液晶層、24・・・TFT、25・・・絵
素電極、26゜27・・・配同膜。
以上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電極を形成した透明基板と、 一方の面に酸化物の膜を成長させエッチング処理して凹
    凸部を形成したガラス板と該凹凸部上に形成された金属
    薄膜とを有する反射板と、 該透明基板と該反射板との間に封入された液晶層と、 を備えた反射型液晶表示装置。 2、前記凹凸部の凸部が尾根状の形状を有し、該凸部の
    平均ピッチが100μm以下である請求項1に記載の反
    射型液晶表示装置。 3、前記反射板の前記金属薄膜を形成した面が、該液晶
    層側に配されている請求項1又は2に記載の反射型液晶
    表示装置。 4、前記金属薄膜が、前記透明基板に形成された電極に
    前記液晶層を挟んで対向する電極としても機能している
    請求項3に記載の反射型液晶表示装置。 5、ガラス基板上に金属薄膜を形成した反射板を備えた
    反射型液晶表示装置の製造方法であって、該ガラス基板
    の一方の面に酸化物の膜を成長させる工程と、 該ガラス基板をエッチング処理して該一方の面に凹凸部
    を形成する工程と、 該凹凸部を形成した面上に該金属薄膜を形成する工程と
    、 を包含する反射型液晶表示装置の製造方法。
JP2188775A 1990-07-17 1990-07-17 反射型液晶表示装置の製造方法 Expired - Lifetime JP2610698B2 (ja)

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