JP2001166286A - 光反射性基板の製造方法および液晶表示素子 - Google Patents
光反射性基板の製造方法および液晶表示素子Info
- Publication number
- JP2001166286A JP2001166286A JP2000092855A JP2000092855A JP2001166286A JP 2001166286 A JP2001166286 A JP 2001166286A JP 2000092855 A JP2000092855 A JP 2000092855A JP 2000092855 A JP2000092855 A JP 2000092855A JP 2001166286 A JP2001166286 A JP 2001166286A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- liquid crystal
- crystal display
- reflective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学エッチングによっても、ほとんどうねり
が生じない光反射性基板を得る。 【解決手段】 反射型もしくは半透過型の液晶表示素子
用の基板としてダウンドロー法により製造された硼珪酸
ガラス２１を用い、この硼珪酸ガラス２１に化学エッチ
ングを施して微細な凹凸を有する光拡散面２１ａを形成
する。
が生じない光反射性基板を得る。 【解決手段】 反射型もしくは半透過型の液晶表示素子
用の基板としてダウンドロー法により製造された硼珪酸
ガラス２１を用い、この硼珪酸ガラス２１に化学エッチ
ングを施して微細な凹凸を有する光拡散面２１ａを形成
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、内面拡散反射方式
の反射型もしくは半透過型液晶表示素子に関し、さらに
詳しく言えば、その光反射性基板に関するものである。
の反射型もしくは半透過型液晶表示素子に関し、さらに
詳しく言えば、その光反射性基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】反射型液晶表示素子は、光源を外部から
の光に求めているため、バックライトを必要としない
分、消費電力が少なくて済むとともに、薄型化・軽量化
が可能である。しかしながら、暗いところでは表示が見
にくくなる。この点を補うため、半透過型においては、
光反射膜を光半透過性とし、バックライトを補助光源と
して用いるようにしている。
の光に求めているため、バックライトを必要としない
分、消費電力が少なくて済むとともに、薄型化・軽量化
が可能である。しかしながら、暗いところでは表示が見
にくくなる。この点を補うため、半透過型においては、
光反射膜を光半透過性とし、バックライトを補助光源と
して用いるようにしている。
【０００３】いずれの型式においても、多くの場合、視
野角を拡げるとともに外光を効率よく利用する目的で、
光反射膜に乱反射性を付与する光拡散層が設けられてい
る。この光反射膜および光拡散層は、表示の解像度との
関係でパネル内部に設けられることが好ましく、この方
式を内面拡散反射方式と称している。
野角を拡げるとともに外光を効率よく利用する目的で、
光反射膜に乱反射性を付与する光拡散層が設けられてい
る。この光反射膜および光拡散層は、表示の解像度との
関係でパネル内部に設けられることが好ましく、この方
式を内面拡散反射方式と称している。
【０００４】この内面拡散反射方式の一例として、従来
においては、液晶表示パネルに用いられる一方のガラス
基板上にネガ型感光性ポリイミド膜を形成し、所定の光
透過パターンを有するフォトマスクを介して露光した後
現像することにより、無数の微細な凸部を形成し粗面化
する。
においては、液晶表示パネルに用いられる一方のガラス
基板上にネガ型感光性ポリイミド膜を形成し、所定の光
透過パターンを有するフォトマスクを介して露光した後
現像することにより、無数の微細な凸部を形成し粗面化
する。
【０００５】このようにして得られた凸部は、断面ほぼ
矩形状で余り光拡散性がよくない。そこで、高い熱を加
えてポリイミド樹脂をメルティングして角部がなだらか
な断面波形状にし、その上に光反射膜もしくは光半透過
膜を形成するようにしている。
矩形状で余り光拡散性がよくない。そこで、高い熱を加
えてポリイミド樹脂をメルティングして角部がなだらか
な断面波形状にし、その上に光反射膜もしくは光半透過
膜を形成するようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術では、高価な感光性樹脂を使用するためコスト
アップとなる。また、その感光性樹脂をガラス基板上に
約１．０〜３．０μｍ厚に均一に塗布し、フォトリソ法
により微細な凹凸を形成するため、高度に管理された技
術が必要である。さらには、面内スペーサの埋まり込み
によるギャップむらが発生しやすいなどの課題があっ
た。
従来技術では、高価な感光性樹脂を使用するためコスト
アップとなる。また、その感光性樹脂をガラス基板上に
約１．０〜３．０μｍ厚に均一に塗布し、フォトリソ法
により微細な凹凸を形成するため、高度に管理された技
術が必要である。さらには、面内スペーサの埋まり込み
によるギャップむらが発生しやすいなどの課題があっ
た。
【０００７】なお、これよりも簡単な方法として、ガラ
ス基板を化学エッチングにより粗面化して、光拡散面を
得る方法が知られている。しかしながら、これにも次の
ような課題がある。
ス基板を化学エッチングにより粗面化して、光拡散面を
得る方法が知られている。しかしながら、これにも次の
ような課題がある。
【０００８】すなわち、ＳＴＮ型やＴＮ型液晶表示素子
のガラス基板には、入手が容易でしかも安価であるソー
ダガラスが一般的に用いられている。ソーダガラスを化
学エッチングする場合、形成される凹凸に均一性はある
ものの、エッチングむらが生じやすく基板にうねりが発
生する場合があり、特にＳＴＮ型ではギャップむらの原
因となるおそれがある。
のガラス基板には、入手が容易でしかも安価であるソー
ダガラスが一般的に用いられている。ソーダガラスを化
学エッチングする場合、形成される凹凸に均一性はある
ものの、エッチングむらが生じやすく基板にうねりが発
生する場合があり、特にＳＴＮ型ではギャップむらの原
因となるおそれがある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するためになされたもので、その目的は、化学
エッチングしても、ほとんどうねりが生じない光反射性
基板を提供することにある。また、本発明のもう一つの
目的は、このような光反射性基板を用いることにより、
ギャップむらのない反射型もしくは半透過型の液晶表示
素子を提供することにある。
題を解決するためになされたもので、その目的は、化学
エッチングしても、ほとんどうねりが生じない光反射性
基板を提供することにある。また、本発明のもう一つの
目的は、このような光反射性基板を用いることにより、
ギャップむらのない反射型もしくは半透過型の液晶表示
素子を提供することにある。
【００１０】上記目的を達成するため、本発明は、反射
型もしくは半透過型の液晶表示素子の一方の基板として
用いられる光反射性基板を製造するにあたって、ダウン
ドロー法により得られた硼珪酸ガラスの一方の面を化学
エッチング液により微細な凹凸を有する粗面とし、その
粗面上に光反射膜を形成することを特徴としている。
型もしくは半透過型の液晶表示素子の一方の基板として
用いられる光反射性基板を製造するにあたって、ダウン
ドロー法により得られた硼珪酸ガラスの一方の面を化学
エッチング液により微細な凹凸を有する粗面とし、その
粗面上に光反射膜を形成することを特徴としている。
【００１１】このように、ソーダガラスに代えてダウン
ドロー法により得られた硼珪酸ガラスを用いることによ
り、化学エッチングによってもうねりがほとんどない、
液晶表示素子に好適であるガラス基板が得られる。
ドロー法により得られた硼珪酸ガラスを用いることによ
り、化学エッチングによってもうねりがほとんどない、
液晶表示素子に好適であるガラス基板が得られる。
【００１２】本発明において、硼珪酸ガラスの化学エッ
チング液には、少なくとも弗化アンモニウム、水、弗化
水素が所定割合で含まれていることが好ましい。外光を
効率的に反射させるには、上記粗面のＲｚＤ（十点平均
粗さ）が０．３〜５．０μｍ、特には０．５〜２．０μ
ｍであることが好ましい。粗面を形成する凹凸のピッチ
Ｓｍは１〜１００μｍ、特には５〜３０μｍがよい。ま
た、上記粗面の６０゜鏡面光沢値（ＪＩＳ Ｚ８７４１
による）は３０〜７０％であることが好ましい。
チング液には、少なくとも弗化アンモニウム、水、弗化
水素が所定割合で含まれていることが好ましい。外光を
効率的に反射させるには、上記粗面のＲｚＤ（十点平均
粗さ）が０．３〜５．０μｍ、特には０．５〜２．０μ
ｍであることが好ましい。粗面を形成する凹凸のピッチ
Ｓｍは１〜１００μｍ、特には５〜３０μｍがよい。ま
た、上記粗面の６０゜鏡面光沢値（ＪＩＳ Ｚ８７４１
による）は３０〜７０％であることが好ましい。
【００１３】また、基板のうねりを最小限に止めるため
に、硼珪酸ガラスを化学エッチングする前に、弗酸系研
磨液で化学研磨することが好ましく、その化学研磨量は
０．５〜５．０μｍ、特には１．０〜３．０μｍが好適
である。
に、硼珪酸ガラスを化学エッチングする前に、弗酸系研
磨液で化学研磨することが好ましく、その化学研磨量は
０．５〜５．０μｍ、特には１．０〜３．０μｍが好適
である。
【００１４】また、本発明の液晶表示素子は、上記のよ
うにして得られた光反射性基板の光反射膜上に平滑化層
を介して透明電極が形成された電極基板を一方の基板と
して備えていることを特徴としており、これによれば、
ギャップ幅が正確にコントロールされた液晶表示素子が
得られる。
うにして得られた光反射性基板の光反射膜上に平滑化層
を介して透明電極が形成された電極基板を一方の基板と
して備えていることを特徴としており、これによれば、
ギャップ幅が正確にコントロールされた液晶表示素子が
得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明は反射型、半透過型のいず
れの場合も含むが、図１の模式的断面図により、その内
の反射型液晶表示素子の実施例について説明する。
れの場合も含むが、図１の模式的断面図により、その内
の反射型液晶表示素子の実施例について説明する。
【００１６】この反射型液晶表示素子１は、第１電極基
板２と第２電極基板３とを備えているが、第１電極基板
２には本発明の製造方法により得られた光反射性基板２
０が用いられている。すなわち、この光反射性基板２０
は硼珪酸ガラスよりなる透明ガラス板２１を基体として
おり、その内面側（図１において上面側）が微細な凹凸
よりなる粗面状の光拡散面２１ａとされている。
板２と第２電極基板３とを備えているが、第１電極基板
２には本発明の製造方法により得られた光反射性基板２
０が用いられている。すなわち、この光反射性基板２０
は硼珪酸ガラスよりなる透明ガラス板２１を基体として
おり、その内面側（図１において上面側）が微細な凹凸
よりなる粗面状の光拡散面２１ａとされている。
【００１７】光拡散面２１ａ上には、金属膜よりなる光
反射膜２３が形成されている。この実施例において、光
反射膜２３はスパッタ法にて成膜されたアルミニウム膜
よりなる。膜厚は例えば１００ｎｍ程度である。なお、
透明ガラス板２１の下面側は平滑である。
反射膜２３が形成されている。この実施例において、光
反射膜２３はスパッタ法にて成膜されたアルミニウム膜
よりなる。膜厚は例えば１００ｎｍ程度である。なお、
透明ガラス板２１の下面側は平滑である。
【００１８】光反射膜２３上には、例えばアクリル性樹
脂をスピンナーにて塗布してなる表面平滑化層２５が形
成されている。なお、カラー表示の場合には、光反射膜
２３上に電着法などにてカラーフィルタ層が設けられ、
その上に表面平滑化層２５が形成されてもよい。
脂をスピンナーにて塗布してなる表面平滑化層２５が形
成されている。なお、カラー表示の場合には、光反射膜
２３上に電着法などにてカラーフィルタ層が設けられ、
その上に表面平滑化層２５が形成されてもよい。
【００１９】第１電極基板２には、この表面平滑化層２
５上に透明導電膜としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）をスパッタしたものが用いられ、その表
示部には所定にパターニングされた表示電極としてのＩ
ＴＯパターン２ａが形成されている。
５上に透明導電膜としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）をスパッタしたものが用いられ、その表
示部には所定にパターニングされた表示電極としてのＩ
ＴＯパターン２ａが形成されている。
【００２０】この実施例において、第２電極基板３にも
硼珪酸ガラスが用いられており、この場合、第２電極基
板３側に引出電極形成用の端子部３１が連設されてい
る。この第２電極基板３の表示部および端子部３１には
表示電極および引出電極としてのＩＴＯパターン３ａが
形成されている。
硼珪酸ガラスが用いられており、この場合、第２電極基
板３側に引出電極形成用の端子部３１が連設されてい
る。この第２電極基板３の表示部および端子部３１には
表示電極および引出電極としてのＩＴＯパターン３ａが
形成されている。
【００２１】第１電極基板２および第２電極基板３は、
それらの各表示部を対向させた状態で周辺シール材４を
介して互いに貼り合わせられる。なお、各表示部間には
そのセルギャップを一定に保つための面内スペーサ（図
示省略）があらかじめ配置され、そのセルギャップ内に
所定の液晶物質６が封入されている。
それらの各表示部を対向させた状態で周辺シール材４を
介して互いに貼り合わせられる。なお、各表示部間には
そのセルギャップを一定に保つための面内スペーサ（図
示省略）があらかじめ配置され、そのセルギャップ内に
所定の液晶物質６が封入されている。
【００２２】また、周辺シール材４内には、例えば導電
ビースからなるトランスファ材４１が含まれており、こ
のトランスファ材４１を介して第１電極基板２側のＩＴ
Ｏパターン２ａが第２電極基板３側の端子部３１にある
引き出し電極に接続されている。第２電極基板３の表示
面側には、位相差板７および偏光板８がそれぞれ貼り付
けられる。
ビースからなるトランスファ材４１が含まれており、こ
のトランスファ材４１を介して第１電極基板２側のＩＴ
Ｏパターン２ａが第２電極基板３側の端子部３１にある
引き出し電極に接続されている。第２電極基板３の表示
面側には、位相差板７および偏光板８がそれぞれ貼り付
けられる。
【００２３】なお、半透過型液晶表示素子とするには、
光反射膜２３に多数のマイクロホール（微細孔）を設け
るか、もしくは光反射膜２３を例えば３５ｎｍ程度のき
わめて薄い膜として光半透過性を持たせたうえで、第１
電極基板２の裏面側に図示しないバックライトを設けれ
ばよい。
光反射膜２３に多数のマイクロホール（微細孔）を設け
るか、もしくは光反射膜２３を例えば３５ｎｍ程度のき
わめて薄い膜として光半透過性を持たせたうえで、第１
電極基板２の裏面側に図示しないバックライトを設けれ
ばよい。
【００２４】次に、図２および図３により、第１電極基
板２として用いられる光反射性基板２０について説明す
る。まず、その基体である透明ガラス板２１として、ダ
ウンドロー法により作製された硼珪酸ガラスを用意す
る。
板２として用いられる光反射性基板２０について説明す
る。まず、その基体である透明ガラス板２１として、ダ
ウンドロー法により作製された硼珪酸ガラスを用意す
る。
【００２５】そして、この硼珪酸ガラスの片面を耐酸レ
ジストもしくは耐酸フィルムで保護し、例えば弗化アン
モニウムおよび弗化水素酸（４０％溶液）を水に溶解さ
せ、弗化アンモニウムおよび弗化水素の濃度がそれぞれ
１０〜４０％、２〜２０％となるように調製したエッチ
ング液で化学エッチング処理し、図２に示すように表面
に微細な凹凸を形成する。
ジストもしくは耐酸フィルムで保護し、例えば弗化アン
モニウムおよび弗化水素酸（４０％溶液）を水に溶解さ
せ、弗化アンモニウムおよび弗化水素の濃度がそれぞれ
１０〜４０％、２〜２０％となるように調製したエッチ
ング液で化学エッチング処理し、図２に示すように表面
に微細な凹凸を形成する。
【００２６】これにより、粗面化された光拡散面２１ａ
が形成されるのであるが、その凹凸のプロファイルとし
ては、深さＲｚＤ（十点平均粗さ）は、０．３〜５．０
μｍ、好ましくは０．５〜２．０μｍの範囲、凹凸のピ
ッチ（平均間隔）Ｓｍは、１〜１００μｍ、好ましくは
５〜３０μｍの範囲がよい。なお、凹凸のピッチＳｍ
は、基準長さをＬ、その間の山数をｎとしてＬ／ｎで定
義される。また、粗面化された光拡散面２１ａの６０゜
鏡面光沢値は３０〜７０％の範囲がよい。
が形成されるのであるが、その凹凸のプロファイルとし
ては、深さＲｚＤ（十点平均粗さ）は、０．３〜５．０
μｍ、好ましくは０．５〜２．０μｍの範囲、凹凸のピ
ッチ（平均間隔）Ｓｍは、１〜１００μｍ、好ましくは
５〜３０μｍの範囲がよい。なお、凹凸のピッチＳｍ
は、基準長さをＬ、その間の山数をｎとしてＬ／ｎで定
義される。また、粗面化された光拡散面２１ａの６０゜
鏡面光沢値は３０〜７０％の範囲がよい。
【００２７】化学エッチング時における基板のうねりを
最小限に抑えるには、その凹凸形成前に弗酸系研磨液で
化学研磨すればよい。その化学研磨量は０．５〜５．０
μｍ、特には１．０〜３．０μｍの範囲が推奨される。
最小限に抑えるには、その凹凸形成前に弗酸系研磨液で
化学研磨すればよい。その化学研磨量は０．５〜５．０
μｍ、特には１．０〜３．０μｍの範囲が推奨される。
【００２８】そして、図３に示すように、粗面化された
光拡散面２１ａ上に、例えばスパッタ法によりアルミニ
ウムなどの金属からなる光反射膜２３を成膜する。この
光反射膜２３は例えば１００ｎｍ程度の厚さであるた
め、光拡散面２１ａの凹凸により、光反射膜２３に乱反
射性が付与される。
光拡散面２１ａ上に、例えばスパッタ法によりアルミニ
ウムなどの金属からなる光反射膜２３を成膜する。この
光反射膜２３は例えば１００ｎｍ程度の厚さであるた
め、光拡散面２１ａの凹凸により、光反射膜２３に乱反
射性が付与される。
【００２９】しかる後、この光反射膜２３上にアクリル
系樹脂により表面平滑化層２５を形成する（図１参
照）。このようにして、光反射性基板２０が得られる。
次に、本発明を実際に実施した具体的な実施例とその比
較例について説明する。
系樹脂により表面平滑化層２５を形成する（図１参
照）。このようにして、光反射性基板２０が得られる。
次に、本発明を実際に実施した具体的な実施例とその比
較例について説明する。
【００３０】
【実施例】《実施例１》ダウンドロー法で製造されたシ
ョット社製の硼珪酸ガラス（品番Ｄ２６３）の片面を耐
酸フィルムで保護し、まず、弗酸系化学研磨液で化学研
磨した。次に、弗化アンモニウムおよび弗化水素酸（４
０％溶液）を水に溶解させ、弗化アンモニウムおよび弗
化水素の濃度が３４％および１５％になるように調製し
たエッチング液で表面を化学エッチングした。このガラ
ス基板に、アルミニウムを蒸着法にて１００ｎｍ厚に成
膜し、続いて耐触保護層としてＳｉＯ２を３００Å厚に
成膜した。そして、表面平滑化のために、アクリル系樹
脂をスピンナーにて塗布し焼成して３μｍ厚の表面平滑
化層を形成した。化学エッチングにより作られた凹凸形
状を観測したところ、ＲｚＤが約１．０μｍ、Ｓｍが約
１５μｍであった。このときの６０゜鏡面光沢測定値は
４０％であった。また、ろ波中心うねりＷＣＡは０．０
３μｍ以下、ろ波最大うねりＷＣ Ｍは０．３μｍ以下で
あった。なお、表面平滑化層形成後ではＷＣＡ０．０１
μｍ以下、ＷＣＭ０．１μｍ以下であり、良好な平滑性
が得られた。表面平滑化層上に透明導電膜としてのＩＴ
Ｏを成膜し、パターニングして表示電極を形成した後、
配向膜を形成しラビング処理した。そして、定法にした
がって対向基板と組み合わせて反射型ＳＴＮカラー液晶
表示素子を作製したところ、基板のうねりによるギャッ
プむらがなく、しかも微小な凹凸によるコントラストの
低下も見られなかった。なお、対向基板には、ＲＧＢの
カラーフィルターを設け、平滑化のためにアクリル系樹
脂を塗布し焼成するとともに、透明導電膜としてのＩＴ
Ｏを成膜し、パターニングして対向電極を形成した後、
配向膜を形成しラビング処理したものを用いた。
ョット社製の硼珪酸ガラス（品番Ｄ２６３）の片面を耐
酸フィルムで保護し、まず、弗酸系化学研磨液で化学研
磨した。次に、弗化アンモニウムおよび弗化水素酸（４
０％溶液）を水に溶解させ、弗化アンモニウムおよび弗
化水素の濃度が３４％および１５％になるように調製し
たエッチング液で表面を化学エッチングした。このガラ
ス基板に、アルミニウムを蒸着法にて１００ｎｍ厚に成
膜し、続いて耐触保護層としてＳｉＯ２を３００Å厚に
成膜した。そして、表面平滑化のために、アクリル系樹
脂をスピンナーにて塗布し焼成して３μｍ厚の表面平滑
化層を形成した。化学エッチングにより作られた凹凸形
状を観測したところ、ＲｚＤが約１．０μｍ、Ｓｍが約
１５μｍであった。このときの６０゜鏡面光沢測定値は
４０％であった。また、ろ波中心うねりＷＣＡは０．０
３μｍ以下、ろ波最大うねりＷＣ Ｍは０．３μｍ以下で
あった。なお、表面平滑化層形成後ではＷＣＡ０．０１
μｍ以下、ＷＣＭ０．１μｍ以下であり、良好な平滑性
が得られた。表面平滑化層上に透明導電膜としてのＩＴ
Ｏを成膜し、パターニングして表示電極を形成した後、
配向膜を形成しラビング処理した。そして、定法にした
がって対向基板と組み合わせて反射型ＳＴＮカラー液晶
表示素子を作製したところ、基板のうねりによるギャッ
プむらがなく、しかも微小な凹凸によるコントラストの
低下も見られなかった。なお、対向基板には、ＲＧＢの
カラーフィルターを設け、平滑化のためにアクリル系樹
脂を塗布し焼成するとともに、透明導電膜としてのＩＴ
Ｏを成膜し、パターニングして対向電極を形成した後、
配向膜を形成しラビング処理したものを用いた。
【００３１】〈比較例１〉透明ガラス基板にソーダガラ
スを用いた。それ以外は、上記実施例１と同様の条件で
一方の基板に化学エッチングを施して、反射型ＳＴＮカ
ラー液晶表示素子を作製した。この比較例１において、
化学エッチングにより作られた凹凸形状を観測したとこ
ろ、ＲｚＤは約１．０μｍ、Ｓｍは約２０μｍであっ
た。このときの６０゜鏡面光沢測定値は５０％であっ
た。また、ろ波中心うねりＷＣＡは約０．２５μｍ、ろ
波最大うねりＷＣＭは約２．０μｍであった。なお、表
面平滑化層形成後においても、ＷＣＡ０．０４μｍ、Ｗ
ＣＭ０．３５μｍと大きく、このガラス基板を用いて作
製した反射型ＳＴＮカラー液晶表示素子では、基板うね
りによるギャップむらが発生しており、そのギャップむ
らは約０．１μｍであった。
スを用いた。それ以外は、上記実施例１と同様の条件で
一方の基板に化学エッチングを施して、反射型ＳＴＮカ
ラー液晶表示素子を作製した。この比較例１において、
化学エッチングにより作られた凹凸形状を観測したとこ
ろ、ＲｚＤは約１．０μｍ、Ｓｍは約２０μｍであっ
た。このときの６０゜鏡面光沢測定値は５０％であっ
た。また、ろ波中心うねりＷＣＡは約０．２５μｍ、ろ
波最大うねりＷＣＭは約２．０μｍであった。なお、表
面平滑化層形成後においても、ＷＣＡ０．０４μｍ、Ｗ
ＣＭ０．３５μｍと大きく、このガラス基板を用いて作
製した反射型ＳＴＮカラー液晶表示素子では、基板うね
りによるギャップむらが発生しており、そのギャップむ
らは約０．１μｍであった。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反射型もしくは半透過型の液晶表示素子用の基板として
ダウンドロー法により製造された硼珪酸ガラスを用い、
この硼珪酸ガラスに化学エッチングを施して微細な凹凸
を有する粗面（光拡散面）を形成するようにしたことに
より、化学エッチングによっても、ほとんどうねりが生
じない光反射性基板が得られる。また、これに伴なっ
て、ギャップむらのない反射型もしくは半透過型の液晶
表示素子が得られる。
反射型もしくは半透過型の液晶表示素子用の基板として
ダウンドロー法により製造された硼珪酸ガラスを用い、
この硼珪酸ガラスに化学エッチングを施して微細な凹凸
を有する粗面（光拡散面）を形成するようにしたことに
より、化学エッチングによっても、ほとんどうねりが生
じない光反射性基板が得られる。また、これに伴なっ
て、ギャップむらのない反射型もしくは半透過型の液晶
表示素子が得られる。
【図１】本発明を反射型液晶表示素子に適用した実施例
の模式的断面図。
の模式的断面図。
【図２】上記実施例に用いられる光反射性基板のエッチ
ング処理後の拡大断面図。
ング処理後の拡大断面図。
【図３】上記実施例に用いられる光反射性基板の光反射
膜形成後の拡大断面図。
膜形成後の拡大断面図。
１ 反射型液晶表示素子 ２，３ 電極基板 ２ａ，３ａ 透明電極 ２０ 光反射性基板 ２１ 透明ガラス基板（硼珪酸ガラス） ２１ａ 光拡散面 ２３ 光反射膜 ２５ 表面平滑化層 ４ 周辺シール材 ６ 液晶物質 ７ 位相差板 ８ 偏光板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 治樹 兵庫県尼崎市上坂部１丁目２番１号 オプ トレックス株式会社尼崎工場内 Ｆターム(参考） 2H042 BA04 BA15 BA20 2H090 HC12 JA02 JB02 JD01 KA05 KA08 LA15 2H091 FA02Y FA14Y FB02 FB08 FC26 GA01 HA07 HA10 LA30 5C094 AA03 BA03 BA43 BA45 CA19 CA24 EA04 EA05 EA07 EB02 EB04 ED03 ED11 JA08
Claims (7)
- 【請求項１】 反射型もしくは半透過型の液晶表示素子
の一方の基板として用いられる光反射性基板の製造方法
において、 ダウンドロー法により得られた硼珪酸ガラスの一方の面
を化学エッチング液により微細な凹凸を有する粗面と
し、その粗面上に光反射膜を形成することを特徴とする
光反射性基板の製造方法。 - 【請求項２】 上記化学エッチング液には、少なくとも
弗化アンモニウム、水、弗化水素が所定割合で含まれて
いる請求項１に記載の光反射性基板の製造方法。 - 【請求項３】 上記粗面のＲｚＤが０．３〜５．０μｍ
である請求項１に記載の光反射性基板の製造方法。 - 【請求項４】 上記粗面の６０゜鏡面光沢値が３０〜７
０％である請求項１に記載の光反射性基板の製造方法。 - 【請求項５】 上記硼珪酸ガラスを上記化学エッチング
する前に、弗酸系研磨液で化学研磨する請求項１ないし
４のいずれか１項に記載の光反射性基板の製造方法。 - 【請求項６】 上記化学研磨量が０．５〜５．０μｍで
ある請求項５に記載の光反射性基板の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１による光反射性基板の光反射膜
上に平滑化層を介して透明電極が形成された電極基板を
一方の基板として備えていることを特徴とする液晶表示
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000092855A JP2001166286A (ja) | 1999-10-01 | 2000-03-30 | 光反射性基板の製造方法および液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-281187 | 1999-10-01 | ||
| JP28118799 | 1999-10-01 | ||
| JP2000092855A JP2001166286A (ja) | 1999-10-01 | 2000-03-30 | 光反射性基板の製造方法および液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001166286A true JP2001166286A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=26554085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000092855A Withdrawn JP2001166286A (ja) | 1999-10-01 | 2000-03-30 | 光反射性基板の製造方法および液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001166286A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100906723B1 (ko) | 2002-12-31 | 2009-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사판을 가진 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법 |
| US8984785B2 (en) | 2010-11-05 | 2015-03-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with decorative filled groove |
| US20150153022A1 (en) * | 2013-12-02 | 2015-06-04 | Osram Gmbh | Lighting device for generating light by means of wavelength conversion |
-
2000
- 2000-03-30 JP JP2000092855A patent/JP2001166286A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100906723B1 (ko) | 2002-12-31 | 2009-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사판을 가진 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법 |
| US8984785B2 (en) | 2010-11-05 | 2015-03-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with decorative filled groove |
| US20150153022A1 (en) * | 2013-12-02 | 2015-06-04 | Osram Gmbh | Lighting device for generating light by means of wavelength conversion |
| US9904161B2 (en) * | 2013-12-02 | 2018-02-27 | Osram Gmbh | Lighting device for generating light by means of wavelength conversion |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0467659B1 (en) | A reflective-type liquid crystal display device and method for producing same | |
| KR100300367B1 (ko) | 반사형액정표시장치 | |
| JPH04212931A (ja) | 電気光学装置 | |
| US6650395B2 (en) | Liquid crystal device and electronic device and method of manufacturing the devices | |
| JP2001166286A (ja) | 光反射性基板の製造方法および液晶表示素子 | |
| JP2001330826A (ja) | 反射型ｌｃｄおよびその製造方法 | |
| JPH05281533A (ja) | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 | |
| US7718329B2 (en) | Method of fabricating liquid crystal display device | |
| JPH10148827A (ja) | 電気光学装置およびその製造方法 | |
| JP3063764B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| JP2002040399A (ja) | 光反射性基板の製造方法および液晶表示素子 | |
| JP3678881B2 (ja) | 反射体及びそれを用いた反射型液晶表示装置 | |
| JP3238384B2 (ja) | 電気光学装置およびその製造方法 | |
| JPH0618874A (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
| JP2001188112A (ja) | 反射板、その製造方法、表示素子、表示装置 | |
| JPH04308816A (ja) | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2008287204A (ja) | 半透過型液晶表示装置用カラーフィルターおよびその製造方法、並びにそれを用いた半透過型液晶表示装置 | |
| JP4206209B2 (ja) | 金属パターン付き基板の製造方法、金属パターン付き基板、液晶表示装置用金属パターン付き基板の製造方法、液晶表示装置用金属パターン付き基板および液晶表示装置 | |
| JP3141884B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| JP4232929B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP3212086B2 (ja) | 電気光学装置 | |
| JP2002350841A (ja) | 反射型液晶表示素子およびその製造方法 | |
| JP2000258762A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP3238381B2 (ja) | 電気光学装置 | |
| JP2000111906A (ja) | 電気光学装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070605 |