JPH10148827A - 電気光学装置およびその製造方法 - Google Patents
電気光学装置およびその製造方法Info
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- JPH10148827A JPH10148827A JP9336457A JP33645797A JPH10148827A JP H10148827 A JPH10148827 A JP H10148827A JP 9336457 A JP9336457 A JP 9336457A JP 33645797 A JP33645797 A JP 33645797A JP H10148827 A JPH10148827 A JP H10148827A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置等の電気光学装置、特に液晶セ
ルの一方の基板に反射層を有する電気光学装置に係り、
反射性能がよく、しかも製造容易な電気光学装置および
その製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明による電気光学装置は、対向する
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶セルの一方の
基板の液晶層側の面に、反射層を有する電気光学装置に
おいて、上記反射層を有する基板の液晶層側に微細な凹
凸を有し、その凹凸の表面に上記反射層としての金属膜
を有することを特徴とする。また本発明による電気光学
装置の製造方法は、反射層を形成する基板の液晶層側の
面に微細な凹凸を形成し、必要に応じてその凹凸表面を
補修処理した後、その凹凸表面に上記反射層としての金
属膜を形成することを特徴とする。
ルの一方の基板に反射層を有する電気光学装置に係り、
反射性能がよく、しかも製造容易な電気光学装置および
その製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明による電気光学装置は、対向する
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶セルの一方の
基板の液晶層側の面に、反射層を有する電気光学装置に
おいて、上記反射層を有する基板の液晶層側に微細な凹
凸を有し、その凹凸の表面に上記反射層としての金属膜
を有することを特徴とする。また本発明による電気光学
装置の製造方法は、反射層を形成する基板の液晶層側の
面に微細な凹凸を形成し、必要に応じてその凹凸表面を
補修処理した後、その凹凸表面に上記反射層としての金
属膜を形成することを特徴とする。
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は液晶表示装置等の電
気光学装置およびその製造方法に関する。
気光学装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の液晶表示装置、例えば特開平1−
188828号公報に示される反射型の液晶表示装置に
おいては、対向する一対の基板間に液晶層を挟持してな
る液晶セルの一方の基板の液晶層側の面に反射層等を設
けることによって、明るい表示が得られるようにするこ
とが提案されている。
188828号公報に示される反射型の液晶表示装置に
おいては、対向する一対の基板間に液晶層を挟持してな
る液晶セルの一方の基板の液晶層側の面に反射層等を設
けることによって、明るい表示が得られるようにするこ
とが提案されている。
【0003】しかし、上記従来のものは反射層が必ずし
も明確ではなく、反射層として基板の液晶層側の面に金
属膜等を平滑に形成すると、その反射層が鏡面となって
使用者の顔や背景が映り、表示が非常に見づらくなる等
の不具合がある。
も明確ではなく、反射層として基板の液晶層側の面に金
属膜等を平滑に形成すると、その反射層が鏡面となって
使用者の顔や背景が映り、表示が非常に見づらくなる等
の不具合がある。
【0004】そこで、基板の液晶層側の面に反射層を形
成した後に加熱処理して表面に凹凸をつける方法や、反
射層形成後にホーニングまたはエッチング処理して光散
乱面とする方法が提案されている。
成した後に加熱処理して表面に凹凸をつける方法や、反
射層形成後にホーニングまたはエッチング処理して光散
乱面とする方法が提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
に加熱処理して表面に凹凸をつける場合には、400〜
600℃と高温プロセスでの加熱処理が必要で、基板の
耐熱性が要求され基板の材質に制約がある。しかも凹凸
が結晶性の制御に因っているため、光散乱効果がうまく
出ない等の不具合がある。
に加熱処理して表面に凹凸をつける場合には、400〜
600℃と高温プロセスでの加熱処理が必要で、基板の
耐熱性が要求され基板の材質に制約がある。しかも凹凸
が結晶性の制御に因っているため、光散乱効果がうまく
出ない等の不具合がある。
【0006】また前述のように、反射層をホーニングす
る場合は、反射層にピンホール等が生じるおそれがあ
り、電極と併用する場合には断線や抵抗値が変化して画
質に及ぼす悪影響は無視できない。また反射層をエッチ
ングする場合は、反射層表面が等方的にエッチングされ
るため光散乱効果が少ない等の問題がある。
る場合は、反射層にピンホール等が生じるおそれがあ
り、電極と併用する場合には断線や抵抗値が変化して画
質に及ぼす悪影響は無視できない。また反射層をエッチ
ングする場合は、反射層表面が等方的にエッチングされ
るため光散乱効果が少ない等の問題がある。
【0007】本発明は上記の問題点を解消することので
きる電気光学装置およびその製造方法を提供することを
目的とする。
きる電気光学装置およびその製造方法を提供することを
目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明による電気光学装置およびその製造方法は以
下の構成としたものである。
めに本発明による電気光学装置およびその製造方法は以
下の構成としたものである。
【0009】即ち、本発明による電気光学装置は、対向
する一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶セルの一
方の基板の液晶層側の面に、反射層を有する電気光学装
置において、上記反射層を有する基板の液晶層側に微細
な凹凸を有し、その凹凸の表面に上記反射層としての金
属膜を有することを特徴とする。
する一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶セルの一
方の基板の液晶層側の面に、反射層を有する電気光学装
置において、上記反射層を有する基板の液晶層側に微細
な凹凸を有し、その凹凸の表面に上記反射層としての金
属膜を有することを特徴とする。
【0010】また本発明による電気光学装置の製造方法
は、対向する一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶
セルの一方の基板の液晶層側の面に、反射層を形成した
電気光学装置を製造するに当たり、上記反射層を形成す
る基板の液晶層側の面に微細な凹凸を形成し、必要に応
じてその凹凸表面を補修処理した後、その凹凸表面に上
記反射層としての金属膜を形成することを特徴とする。
は、対向する一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶
セルの一方の基板の液晶層側の面に、反射層を形成した
電気光学装置を製造するに当たり、上記反射層を形成す
る基板の液晶層側の面に微細な凹凸を形成し、必要に応
じてその凹凸表面を補修処理した後、その凹凸表面に上
記反射層としての金属膜を形成することを特徴とする。
【0011】
【作用】上記のように本発明による電気光学装置は、反
射層を有する基板の液晶層側に微細な凹凸を有し、その
凹凸の表面に上記反射層としての金属膜を有する構成で
あり、基板側の凹凸は金属膜表面にも波及して液晶層側
の面に微細な凹凸を有する反射層が形成され、その反射
層で光が良好に散乱されて表示が見やすく、しかも視角
が広い電気光学装置を提供することが可能となる。
射層を有する基板の液晶層側に微細な凹凸を有し、その
凹凸の表面に上記反射層としての金属膜を有する構成で
あり、基板側の凹凸は金属膜表面にも波及して液晶層側
の面に微細な凹凸を有する反射層が形成され、その反射
層で光が良好に散乱されて表示が見やすく、しかも視角
が広い電気光学装置を提供することが可能となる。
【0012】また本発明による電気光学装置の製造方法
は、反射層を形成する基板の液晶層側の面に微細な凹凸
を形成した後、その凹凸表面に上記反射層としての金属
膜を形成するようにしたので、反射層にピンホール等が
生じることなく、光散乱効果の優れた電気光学装置を容
易に製造することが可能となる。
は、反射層を形成する基板の液晶層側の面に微細な凹凸
を形成した後、その凹凸表面に上記反射層としての金属
膜を形成するようにしたので、反射層にピンホール等が
生じることなく、光散乱効果の優れた電気光学装置を容
易に製造することが可能となる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明による電気光学装置
およびその製造方法を、液晶表示装置を例にして具体的
に説明する。
およびその製造方法を、液晶表示装置を例にして具体的
に説明する。
【0014】図1は本発明による電気光学装置としての
液晶表示装置の一例を示す縦断面図である。図におい
て、1は液晶セルであり、上下一対の基板2・3間に液
晶層4を挟持してなる。上側の基板2の液晶層4側の面
には、ITO等の透明電極5が設けられ、他方の基板3
の内面には、反射層としての薄い金属膜6が設けられて
いる。7はスペーサ、8は偏光板を示す。
液晶表示装置の一例を示す縦断面図である。図におい
て、1は液晶セルであり、上下一対の基板2・3間に液
晶層4を挟持してなる。上側の基板2の液晶層4側の面
には、ITO等の透明電極5が設けられ、他方の基板3
の内面には、反射層としての薄い金属膜6が設けられて
いる。7はスペーサ、8は偏光板を示す。
【0015】そして本実施形態は、下側の基板3の液晶
層4側の面に微細な凹凸を設け、その表面に上記の薄い
金属膜6を設けることによって、金属膜6の表面にも凹
凸が波及するようにしたものである。
層4側の面に微細な凹凸を設け、その表面に上記の薄い
金属膜6を設けることによって、金属膜6の表面にも凹
凸が波及するようにしたものである。
【0016】なお、液晶層の層厚が均一になるように金
属膜6の表面上にSiO2等の無機膜や有機膜を塗布するこ
ともある。また液晶分子が均一に配向するようにポリイ
ミド、ポリビニルアルコール等の高分子有機薄膜をラビ
ング処理することもある。
属膜6の表面上にSiO2等の無機膜や有機膜を塗布するこ
ともある。また液晶分子が均一に配向するようにポリイ
ミド、ポリビニルアルコール等の高分子有機薄膜をラビ
ング処理することもある。
【0017】前記の基板3としては、例えばガラス基板
を用いる、またはポリエチレンテレフタレート(PE
T)、ポリエーテルサルフォン(PES)、ポリカーボ
ネート(PC)等の合成樹脂基板を用いてもよく、ある
いはガラス基板の表面にアクリル系樹脂、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ミラノー
ル系樹脂等の有機膜を有するものを用いることもでき
る。なお基板3は必ずしも透明である必要はない。また
基板はその両表面間に導電性をもち表面内では絶縁性を
もつ異方性導電性のものでもよい。
を用いる、またはポリエチレンテレフタレート(PE
T)、ポリエーテルサルフォン(PES)、ポリカーボ
ネート(PC)等の合成樹脂基板を用いてもよく、ある
いはガラス基板の表面にアクリル系樹脂、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ミラノー
ル系樹脂等の有機膜を有するものを用いることもでき
る。なお基板3は必ずしも透明である必要はない。また
基板はその両表面間に導電性をもち表面内では絶縁性を
もつ異方性導電性のものでもよい。
【0018】上記のように有機膜を有するガラス基板を
用いる場合には、そのガラス基板に前記の凹凸を形成し
てもよく、あるいは有機膜に形成してもよい。特にガラ
ス基板に凹凸を形成したのち有機膜を形成する場合、そ
の有機膜の厚さは、好ましくは2μm以下、より好まし
くは0.5μm以下にするのが望ましい。
用いる場合には、そのガラス基板に前記の凹凸を形成し
てもよく、あるいは有機膜に形成してもよい。特にガラ
ス基板に凹凸を形成したのち有機膜を形成する場合、そ
の有機膜の厚さは、好ましくは2μm以下、より好まし
くは0.5μm以下にするのが望ましい。
【0019】また反射層を構成する金属膜の材質は、ア
ルミニウム、銀その他任意であり、特に制限はない。又
その金属膜の膜厚は、好ましくは1μm以下、より好ま
しくは3000オングストローム以下にするのが望まし
い。
ルミニウム、銀その他任意であり、特に制限はない。又
その金属膜の膜厚は、好ましくは1μm以下、より好ま
しくは3000オングストローム以下にするのが望まし
い。
【0020】上記の金属膜は表示用電極に兼用すること
ができる。また、前記の金属膜を有する側の基板として
液晶層側にITO等の透明電極もしくは不透明の電極を
有するものを用いることもできる。その場合は上記基板
と電極のうち少なくとも電極の液晶層側の面に前記の凹
凸を設ける。
ができる。また、前記の金属膜を有する側の基板として
液晶層側にITO等の透明電極もしくは不透明の電極を
有するものを用いることもできる。その場合は上記基板
と電極のうち少なくとも電極の液晶層側の面に前記の凹
凸を設ける。
【0021】上記のように基板の液晶層側の面に凹凸を
設け、その表面に反射層として薄い金属膜を設けること
により、基板側の凹凸が金属膜表面に波及し、その凹凸
面が光散乱面となって観察面側(図で上側)から入射し
た光を良好に散乱反射させることができるものである。
設け、その表面に反射層として薄い金属膜を設けること
により、基板側の凹凸が金属膜表面に波及し、その凹凸
面が光散乱面となって観察面側(図で上側)から入射し
た光を良好に散乱反射させることができるものである。
【0022】なおその場合、図3(b)に示すように観
察者側に反射光が多くなるように制御するのが望まし
く、例えば凹凸のピッチを均一に形成すると、反射光に
指向性を生じ、全方向に対して均一に効果が生じないた
め、凹凸のピッチは図2のように不均一にランダムに形
成するのが望ましい。又その場合の凹凸の平均ピッチp
は、80μm以下、より好ましくは10μm以下とする
のが望ましく、また凹凸の高さhは、挟持する液晶の配
向安定性と、反射する光の観察者側への集中を考慮して
0.6μm以下、より好ましくは0.3μm以下とする
のが望ましい。
察者側に反射光が多くなるように制御するのが望まし
く、例えば凹凸のピッチを均一に形成すると、反射光に
指向性を生じ、全方向に対して均一に効果が生じないた
め、凹凸のピッチは図2のように不均一にランダムに形
成するのが望ましい。又その場合の凹凸の平均ピッチp
は、80μm以下、より好ましくは10μm以下とする
のが望ましく、また凹凸の高さhは、挟持する液晶の配
向安定性と、反射する光の観察者側への集中を考慮して
0.6μm以下、より好ましくは0.3μm以下とする
のが望ましい。
【0023】次に、上記のような液晶表示装置等の電気
光学装置の製造方法を具体的に説明する。
光学装置の製造方法を具体的に説明する。
【0024】即ち、本発明による製造方法は、対向する
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶セルの一方の
基板の液晶層側の面に反射層を有する液晶表示装置等を
製造するに当たり、上記反射層を形成する基板の液晶層
側の面に微細な凹凸を形成し、必要に応じてその凹凸表
面を補修処理した後、その凹凸表面に上記反射層として
の金属膜を形成するものである。
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶セルの一方の
基板の液晶層側の面に反射層を有する液晶表示装置等を
製造するに当たり、上記反射層を形成する基板の液晶層
側の面に微細な凹凸を形成し、必要に応じてその凹凸表
面を補修処理した後、その凹凸表面に上記反射層として
の金属膜を形成するものである。
【0025】上記の基板に凹凸を形成する手段は任意で
あるが、例えばホーニング処理により形成するとよい。
この場合、基板はガラス基板または前記の合成樹脂基板
もしくはガラス基板上に前記のような有機膜を有するも
のでもよい。そのガラス基板上に有機膜を有するものに
あっては、ガラス基板に有機膜を形成したのち有機膜を
ホーニング処理して凹凸を形成してもよく、あるいはガ
ラス基板をホーニング処理して凹凸を形成したのち有機
膜を形成してもよい。
あるが、例えばホーニング処理により形成するとよい。
この場合、基板はガラス基板または前記の合成樹脂基板
もしくはガラス基板上に前記のような有機膜を有するも
のでもよい。そのガラス基板上に有機膜を有するものに
あっては、ガラス基板に有機膜を形成したのち有機膜を
ホーニング処理して凹凸を形成してもよく、あるいはガ
ラス基板をホーニング処理して凹凸を形成したのち有機
膜を形成してもよい。
【0026】その有機膜の材質はアクリル樹脂その他適
宜であり、また膜厚については特に制約条件はない。有
機膜をガラス基板上に形成する手段は、塗布その他適宜
であり、また有機膜の形成位置は、信号入力用端子部は
避け上記の凹凸を形成すべき位置にのみ選択的に形成す
るのが、信頼性の上からも有効で望ましい。例えば感光
性アクリル樹脂をスピンコート法で2μm厚で全面コー
トした後、フォトマスクで所望のパターンのみに紫外線
を照射して光重合させ、残りを現像処理して有機膜を形
成することができる。
宜であり、また膜厚については特に制約条件はない。有
機膜をガラス基板上に形成する手段は、塗布その他適宜
であり、また有機膜の形成位置は、信号入力用端子部は
避け上記の凹凸を形成すべき位置にのみ選択的に形成す
るのが、信頼性の上からも有効で望ましい。例えば感光
性アクリル樹脂をスピンコート法で2μm厚で全面コー
トした後、フォトマスクで所望のパターンのみに紫外線
を照射して光重合させ、残りを現像処理して有機膜を形
成することができる。
【0027】前記の基板にホーニング処理により凹凸を
形成する際の研磨粒子は、ガラス基板にあっては酸化セ
リウム等を用いるとよく、また前記の合成樹脂基板もし
くは有機膜にあってはポリビニルアルコールやポリウレ
タン系樹脂等の粒子を用いるとよい。又それ等の粒径
は、10μm以下、より好ましくは5μm以下のものを
用いるのが望ましい。
形成する際の研磨粒子は、ガラス基板にあっては酸化セ
リウム等を用いるとよく、また前記の合成樹脂基板もし
くは有機膜にあってはポリビニルアルコールやポリウレ
タン系樹脂等の粒子を用いるとよい。又それ等の粒径
は、10μm以下、より好ましくは5μm以下のものを
用いるのが望ましい。
【0028】さらに、ホーニング処理する方向は基板に
対して鉛直(垂直)方向から行うと、形成される凹凸の
高さが大きくなり制御しにくくなるため、鉛直方向に対
して所定の角度傾斜させて行うことが、均一で浅い凹凸
を形成する上で望ましく、上記の傾斜角度は好ましくは
鉛直方向に対して45°以上傾斜させるとよい。
対して鉛直(垂直)方向から行うと、形成される凹凸の
高さが大きくなり制御しにくくなるため、鉛直方向に対
して所定の角度傾斜させて行うことが、均一で浅い凹凸
を形成する上で望ましく、上記の傾斜角度は好ましくは
鉛直方向に対して45°以上傾斜させるとよい。
【0029】なお、ホーニング処理以外の方法として、
ガラス基板をフッ酸でエッチングして凹凸を形成する方
法が有効である。また前記の補修処理としても、例えば
フッ酸を用いて基板上に形成された凹凸表面を軽くエッ
チング処理する、あるいは上記凹凸の凸部を研磨して凹
凸の高さを調整する方法をとり得る。
ガラス基板をフッ酸でエッチングして凹凸を形成する方
法が有効である。また前記の補修処理としても、例えば
フッ酸を用いて基板上に形成された凹凸表面を軽くエッ
チング処理する、あるいは上記凹凸の凸部を研磨して凹
凸の高さを調整する方法をとり得る。
【0030】上記のフッ酸を用いて基板上に形成された
凹凸表面を軽くエッチング処理する場合には、ホーニン
グ処理したガラス基板を、ホーニングした面側にフッ酸
もしくはフッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液(混合
比4:1〜1:4、程度により調整)を用いて20〜4
0℃で浸漬し、エッチングすることにより凹凸の高さや
形状を調整する。
凹凸表面を軽くエッチング処理する場合には、ホーニン
グ処理したガラス基板を、ホーニングした面側にフッ酸
もしくはフッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液(混合
比4:1〜1:4、程度により調整)を用いて20〜4
0℃で浸漬し、エッチングすることにより凹凸の高さや
形状を調整する。
【0031】また上記のように凸部を研磨する場合は、
研磨する基板の材質に応じて研磨材を適宜選択するもの
で、例えば前述したホーニング処理に用いる研磨粒子と
同じものを用いる。
研磨する基板の材質に応じて研磨材を適宜選択するもの
で、例えば前述したホーニング処理に用いる研磨粒子と
同じものを用いる。
【0032】次いで上記のようにして凹凸を形成した基
板上に反射層としての金属膜を形成するもので、例えば
スパッタもしくは蒸着等の真空成膜法により形成する。
この場合、成膜レートは早い方が膜に凹凸ができやす
く、例えば80〜250オングストローム/min程度が
望ましい。また成膜温度は100〜300℃程度が望ま
しい。
板上に反射層としての金属膜を形成するもので、例えば
スパッタもしくは蒸着等の真空成膜法により形成する。
この場合、成膜レートは早い方が膜に凹凸ができやす
く、例えば80〜250オングストローム/min程度が
望ましい。また成膜温度は100〜300℃程度が望ま
しい。
【0033】具体的には、例えばスパッタ法の場合は、
膜形成レートが200オングストローム/min 程度、
成膜温度が180℃程度で膜厚5000オングストロー
ム程度形成すればよく、蒸着法の場合は膜形成レートが
100オングストローム/min程度、成膜温度が200
℃程度で膜厚5000オングストローム程度形成すれば
よい。
膜形成レートが200オングストローム/min 程度、
成膜温度が180℃程度で膜厚5000オングストロー
ム程度形成すればよく、蒸着法の場合は膜形成レートが
100オングストローム/min程度、成膜温度が200
℃程度で膜厚5000オングストローム程度形成すれば
よい。
【0034】上記のようにして形成した金属膜は、必要
に応じて加熱処理して凹凸をコントロールすると、微細
なピッチの凹凸とすることができる。例えばガラス基板
を用いる場合は、200〜450℃で空気中で加熱処理
すればよい。また合成樹脂基板もしくはガラス基板上に
有機膜を有するものでも耐熱性の高いものであれば、上
記の加熱処理が可能であり、例えばポリイミド樹脂の場
合には220〜240℃で加熱処理できる。
に応じて加熱処理して凹凸をコントロールすると、微細
なピッチの凹凸とすることができる。例えばガラス基板
を用いる場合は、200〜450℃で空気中で加熱処理
すればよい。また合成樹脂基板もしくはガラス基板上に
有機膜を有するものでも耐熱性の高いものであれば、上
記の加熱処理が可能であり、例えばポリイミド樹脂の場
合には220〜240℃で加熱処理できる。
【0035】上記のようにして基板上に形成した金属膜
は、パターニングして表示用電極とする。この場合、電
極形成はパターニングの前でも後でもよいが、加熱処理
して結晶性のかわった表面はエッチングレートが変わる
ため望ましくはパターニング後に加熱するとよい。また
上記の加熱処理は空気中でもよいが、金属によっては、
例えばクロムのように酸化して反射率の低下するものが
あるため、望ましくは不活性ガス雰囲気中で処理すると
よい。
は、パターニングして表示用電極とする。この場合、電
極形成はパターニングの前でも後でもよいが、加熱処理
して結晶性のかわった表面はエッチングレートが変わる
ため望ましくはパターニング後に加熱するとよい。また
上記の加熱処理は空気中でもよいが、金属によっては、
例えばクロムのように酸化して反射率の低下するものが
あるため、望ましくは不活性ガス雰囲気中で処理すると
よい。
【0036】なお、前記の基板と金属膜との間には、I
TO等の透明または不透明の電極を設けることも可能で
あり、この場合、前記のようにして凹凸を形成した基板
上にITO等の所望のパターンの電極を形成した後、金
属膜を形成する。あるいは平らな基板上に電極を形成
し、その電極表面に前記と同様の要領で凹凸を形成した
後、金属膜を形成することもできる。又この場合、上記
の金属膜はニッケル等をメッキして形成することもでき
る。
TO等の透明または不透明の電極を設けることも可能で
あり、この場合、前記のようにして凹凸を形成した基板
上にITO等の所望のパターンの電極を形成した後、金
属膜を形成する。あるいは平らな基板上に電極を形成
し、その電極表面に前記と同様の要領で凹凸を形成した
後、金属膜を形成することもできる。又この場合、上記
の金属膜はニッケル等をメッキして形成することもでき
る。
【0037】具体的には、例えば以下の要領で形成す
る。すなわち、電極が形成された基板を20%のKOH
溶液の中に常温で10分間浸漬して脱脂を行い、5%の
HCl溶液に常温で5分間浸漬して中和させる。次い
で、その基板表面上に無電解メッキを開始してパラジウ
ムを付着させる。これは例えば15%のHCl溶液中に
増感剤(日立化成工業株式会社製 商品名HS−101
B)を7%混合し常温で10分間浸漬させることにより
行う。次いで、ニッケルメッキ液の中にガラス基板を浸
漬させ透明電極上に平均膜厚7000オングストローム
程度のニッケルメッキを行う。
る。すなわち、電極が形成された基板を20%のKOH
溶液の中に常温で10分間浸漬して脱脂を行い、5%の
HCl溶液に常温で5分間浸漬して中和させる。次い
で、その基板表面上に無電解メッキを開始してパラジウ
ムを付着させる。これは例えば15%のHCl溶液中に
増感剤(日立化成工業株式会社製 商品名HS−101
B)を7%混合し常温で10分間浸漬させることにより
行う。次いで、ニッケルメッキ液の中にガラス基板を浸
漬させ透明電極上に平均膜厚7000オングストローム
程度のニッケルメッキを行う。
【0038】なおアルミニウムを電解メッキして金属膜
を形成してもよく、本発明の効果はメッキ法に左右され
るものではなく、形成する金属により無電解メッキ、電
解メッキの選択が可能である。
を形成してもよく、本発明の効果はメッキ法に左右され
るものではなく、形成する金属により無電解メッキ、電
解メッキの選択が可能である。
【0039】上記の要領で製造することにより、基板上
の金属膜表面に微細な凹凸を形成することができるもの
で、実際に金属膜表面に平均ピッチ1〜2μm、深さ約
0.1〜0.2μmの凹凸を良好に形成することができ
た。又その基板を用い、それと対向する基板間にシール
部を介して液晶を挟持させ、その対向する基板の外側に
偏光板を設置して180°〜270°ねじれ配向したネ
マチック液晶層を用いた液晶表示装置を作成したとこ
ろ、反射層が散乱状態となっているため背景等が映るこ
とがなく、従来の反射板を基板の外側に付加するものと
比較して明るく影がでることなく、しかも広視角の反射
型液晶表示装置を得ることができた。また電極が金属で
できるため低抵抗電極となり、入力電圧波形のなまりが
殆どなく、クロストーク等の画像を不均一にする不良が
大幅に低減された。
の金属膜表面に微細な凹凸を形成することができるもの
で、実際に金属膜表面に平均ピッチ1〜2μm、深さ約
0.1〜0.2μmの凹凸を良好に形成することができ
た。又その基板を用い、それと対向する基板間にシール
部を介して液晶を挟持させ、その対向する基板の外側に
偏光板を設置して180°〜270°ねじれ配向したネ
マチック液晶層を用いた液晶表示装置を作成したとこ
ろ、反射層が散乱状態となっているため背景等が映るこ
とがなく、従来の反射板を基板の外側に付加するものと
比較して明るく影がでることなく、しかも広視角の反射
型液晶表示装置を得ることができた。また電極が金属で
できるため低抵抗電極となり、入力電圧波形のなまりが
殆どなく、クロストーク等の画像を不均一にする不良が
大幅に低減された。
【0040】その結果、例えばいわゆるノート型パソコ
ン等に盛んに採用されている反射型液晶表示装置におい
て、表示を見やすく、しかも薄型・軽量で低消費電力の
装置が得られるものである。
ン等に盛んに採用されている反射型液晶表示装置におい
て、表示を見やすく、しかも薄型・軽量で低消費電力の
装置が得られるものである。
【0041】なお本発明は光学的な補償体を備えたいわ
ゆる白黒表示タイプやカラータイプの液晶表示装置にも
適用可能である。また偏光板を多くとも1枚しか必要と
しない二色性染料を用いたゲストホストタイプ,光散乱
を利用したDSMや高分子保持体中に液晶を分散したP
DLC等のタイプに適用可能である。さらに液晶表示装
置に限らず、各種の電気光学装置にも適用できる。
ゆる白黒表示タイプやカラータイプの液晶表示装置にも
適用可能である。また偏光板を多くとも1枚しか必要と
しない二色性染料を用いたゲストホストタイプ,光散乱
を利用したDSMや高分子保持体中に液晶を分散したP
DLC等のタイプに適用可能である。さらに液晶表示装
置に限らず、各種の電気光学装置にも適用できる。
【0042】
【発明の効果】以上説明したように本発明による電気光
学装置は、対向する一対の基板間に液晶層を挟持してな
る液晶セルの一方の基板の液晶層側の面に、反射層を有
するものにおいて、上記反射層を有する基板の液晶層側
に微細な凹凸を有し、その凹凸の表面に上記反射層とし
ての金属膜を有するようにしたから、基板側の凹凸は金
属膜表面にも波及して液晶層側の面に微細な凹凸を有す
る反射層が形成され、その反射層で光が良好に散乱され
て表示が見やすく、しかも視角が広い電気光学装置を得
ることができる。
学装置は、対向する一対の基板間に液晶層を挟持してな
る液晶セルの一方の基板の液晶層側の面に、反射層を有
するものにおいて、上記反射層を有する基板の液晶層側
に微細な凹凸を有し、その凹凸の表面に上記反射層とし
ての金属膜を有するようにしたから、基板側の凹凸は金
属膜表面にも波及して液晶層側の面に微細な凹凸を有す
る反射層が形成され、その反射層で光が良好に散乱され
て表示が見やすく、しかも視角が広い電気光学装置を得
ることができる。
【0043】また本発明による電気光学装置の製造方法
は、反射層を形成する基板の液晶層側の面に微細な凹凸
を形成した後、その凹凸表面に上記反射層としての金属
膜を形成するようにしたから、前記従来のように反射層
にピンホール等が生じることなく、光散乱効果の優れた
電気光学装置を容易に製造できるものである。
は、反射層を形成する基板の液晶層側の面に微細な凹凸
を形成した後、その凹凸表面に上記反射層としての金属
膜を形成するようにしたから、前記従来のように反射層
にピンホール等が生じることなく、光散乱効果の優れた
電気光学装置を容易に製造できるものである。
【図1】本発明による電気光学装置の一実施形態を示す
断面図。
断面図。
【図2】基板の斜視図。
【図3】反射光分布の説明図。
1 液晶セル 2、3 基板 4 液晶層 5 電極 6 反射層(金属膜) 7 スペーサ 8 偏光板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成9年12月22日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】変更
【補正内容】
【0009】即ち、本発明の電気光学装置は、一対の基
板間に液晶層を挟持してなる電気光学装置において、一
方の前記基板の前記液晶層側の面には凹凸が形成されて
なり、前記凹凸が形成された基板上に有機膜が形成され
てなり、前記有機膜上に反射層が形成されてなることを
特徴とする。
板間に液晶層を挟持してなる電気光学装置において、一
方の前記基板の前記液晶層側の面には凹凸が形成されて
なり、前記凹凸が形成された基板上に有機膜が形成され
てなり、前記有機膜上に反射層が形成されてなることを
特徴とする。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】変更
【補正内容】
【0010】また、本発明による電気光学装置の製造方
法は、一対の基板間に液晶層が挟持されてなる電気光学
装置の製造方法において、前記一対の基板のうち一方の
基板の前記液晶層側の面に凹凸を形成する工程と、前記
凹凸を形成した前記一方の基板上に有機膜を形成する工
程と、前記有機膜上に反射層を形成する工程、とを有す
ることを特徴とする。
法は、一対の基板間に液晶層が挟持されてなる電気光学
装置の製造方法において、前記一対の基板のうち一方の
基板の前記液晶層側の面に凹凸を形成する工程と、前記
凹凸を形成した前記一方の基板上に有機膜を形成する工
程と、前記有機膜上に反射層を形成する工程、とを有す
ることを特徴とする。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】
【作用】上記のように本発明による電気光学装置は、一
対の基板のうちの一方の基板の液晶層側の面に凹凸が形
成され、その凹凸が形成された基板上に有機膜が形成さ
れ、且つその有機膜上に反射層が形成されてなるので、
その反射層で光が良好に散乱されて表示が見やすく、し
かも視角が広い電気光学装置を提供することが可能とな
る。
対の基板のうちの一方の基板の液晶層側の面に凹凸が形
成され、その凹凸が形成された基板上に有機膜が形成さ
れ、且つその有機膜上に反射層が形成されてなるので、
その反射層で光が良好に散乱されて表示が見やすく、し
かも視角が広い電気光学装置を提供することが可能とな
る。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】また、本発明による電気光学装置の製造方
法は、一対の基板のうち一方の基板の液晶層側の面に凹
凸を形成する工程と、その凹凸を形成した前記一方の基
板上に有機膜を形成する工程と、前記有機膜上に反射層
を形成する工程、とを有するので、反射層にピンホール
等が生じることなく、光散乱効果の優れた電気光学装置
を容易に製造することが可能となる。
法は、一対の基板のうち一方の基板の液晶層側の面に凹
凸を形成する工程と、その凹凸を形成した前記一方の基
板上に有機膜を形成する工程と、前記有機膜上に反射層
を形成する工程、とを有するので、反射層にピンホール
等が生じることなく、光散乱効果の優れた電気光学装置
を容易に製造することが可能となる。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0042
【補正方法】変更
【補正内容】
【0042】
【発明の効果】以上説明したように本発明による電気光
学装置は、一対の基板のうちの一方の基板の液晶層側の
面に凹凸が形成され、その凹凸が形成された基板上に有
機膜が形成され、且つその有機膜上に反射層が形成され
てなるので、基板側の凹凸は反射層表面にも波及して液
晶層側の面に凹凸を有する反射層が形成され、その反射
層で光が良好に散乱されて表示が見やすく、しかも視角
が広い電気光学装置を得ることができる。
学装置は、一対の基板のうちの一方の基板の液晶層側の
面に凹凸が形成され、その凹凸が形成された基板上に有
機膜が形成され、且つその有機膜上に反射層が形成され
てなるので、基板側の凹凸は反射層表面にも波及して液
晶層側の面に凹凸を有する反射層が形成され、その反射
層で光が良好に散乱されて表示が見やすく、しかも視角
が広い電気光学装置を得ることができる。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0043
【補正方法】変更
【補正内容】
【0043】また本発明による電気光学装置の製造方法
は、一対の基板のうち一方の基板の液晶層側の面に凹凸
を形成する工程と、その凹凸を形成した前記一方の基板
上に有機膜を形成する工程と、前記有機膜上に反射層を
形成する工程とを有し、それらの工程によって、前記従
来のように反射層にピンホール等が生じることなく、光
散乱効果の優れた電気光学装置を容易に製造することが
可能となるものである。
は、一対の基板のうち一方の基板の液晶層側の面に凹凸
を形成する工程と、その凹凸を形成した前記一方の基板
上に有機膜を形成する工程と、前記有機膜上に反射層を
形成する工程とを有し、それらの工程によって、前記従
来のように反射層にピンホール等が生じることなく、光
散乱効果の優れた電気光学装置を容易に製造することが
可能となるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今井 秀一 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内
Claims (22)
- 【請求項1】 対向する一対の基板間に液晶層を挟持し
てなる液晶セルの一方の基板の液晶層側の面に反射層を
有する電気光学装置において、上記反射層を有する基板
の液晶層側に微細な凹凸を有し、その凹凸の表面に上記
反射層としての金属膜を有することを特徴とする電気光
学装置。 - 【請求項2】 前記一対の基板のうち少なくとも反射層
を有する側の基板は、ガラス基板または合成樹脂基板で
ある請求項1記載の電気光学装置。 - 【請求項3】 前記一対の基板のうち少なくとも反射層
を有する側の基板は、ガラス基板上に有機膜を有するも
のであり、そのガラス基板と有機膜のうち少なくとも有
機膜の液晶層側の面に前記凹凸を有する請求項1記載の
電気光学装置。 - 【請求項4】 前記の反射層を有する側の基板は、液晶
層側の面に電極を有するものであり、その基板と電極の
うち少なくとも電極の液晶層側の面に前記の凹凸を有す
る請求項1、2または3記載の電気光学装置。 - 【請求項5】 前記凹凸のピッチは不均一であり、その
平均ピッチは80μm以下、凹凸の高さは2μm以下で
ある請求項1、2または3記載の電気光学装置。 - 【請求項6】 前記金属膜の膜厚は5μm以下である請
求項1記載の電気光学装置。 - 【請求項7】 前記金属膜は電極を兼ねる請求項1〜6
のいずれかに記載の電気光学装置。 - 【請求項8】 前記液晶層がネマチック液晶またはねじ
れ配向したネマチック液晶、もしくはコレステリック液
晶であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記
載の電気光学装置。 - 【請求項9】 前記液晶層に二色性染料を添加したこと
を特徴とする請求項8記載の電気光学装置。 - 【請求項10】 前記液晶層が、高分子保持体中に液晶
が分散されて形成されたことを特徴とする請求項8また
は9記載の電気光学装置。 - 【請求項11】 前記液晶層が電界制御により光散乱を
起こすことを特徴とする請求項1〜7、10のいずれか
に記載の電気光学装置。 - 【請求項12】 対向する一対の基板間に液晶層を挟持
してなる液晶セルの一方の基板の液晶層側の面に、反射
層を形成した電気光学装置を製造するに当たり、上記反
射層を形成する基板の液晶層側の面に微細な凹凸を形成
し、必要に応じてその凹凸表面を補修処理した後、その
凹凸表面に上記反射層としての金属膜を形成することを
特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 【請求項13】 前記一対の基板のうち少なくとも反射
層を有する側の基板は、ガラス基板または合成樹脂基板
であり、そのガラス基板または合成樹脂基板の液晶層側
の面に前記の凹凸をホーニング処理により形成すること
を特徴とする請求項12記載の電気光学装置の製造方
法。 - 【請求項14】 前記一対の基板のうち少なくとも反射
層を有する側の基板は、ガラス基板上に有機膜を有する
ものであり、そのガラス基板の液晶層側の面に有機膜を
形成した後、その有機膜の液晶層側の面に前記の凹凸を
ホーニング処理により形成することを特徴とする請求項
12記載の電気光学装置の製造方法。 - 【請求項15】 前記一対の基板のうち少なくとも反射
層を有する側の基板は、ガラス基板上に有機膜を有する
ものであり、そのガラス基板の液晶層側の面に前記の凹
凸をホーニング処理により形成した後、そのガラス基板
の液晶層側の面に有機膜を形成することを特徴とする請
求項12記載の電気光学装置の製造方法。 - 【請求項16】 前記の補修処理としてガラス基板また
は合成樹脂基板の基材自体を腐食させるエッチャントを
用いて上記の凹凸表面を軽くエッチング処理することを
特徴とする請求項12記載の電気光学装置の製造方法。 - 【請求項17】 前記の補修処理として前記凹凸の凸部
を研磨して凹凸の高さを調整することを特徴とする請求
項12記載の電気光学装置の製造方法。 - 【請求項18】 前記金属膜は、スパッタもしくは蒸着
等の真空成膜法により成膜することを特徴とする請求項
12記載の電気光学装置の製造方法。 - 【請求項19】 前記金属膜は、成膜された後に、20
0〜450℃で加熱処理することを特徴とする請求項1
8記載の電気光学装置の製造方法。 - 【請求項20】 前記の金属膜を形成する側の基板は所
定パターンの電極を有し、前記の微細な凹凸を形成した
基板上に上記電極を形成した後に前記の金属膜を形成す
ることを特徴とする請求項12記載の電気光学装置の製
造方法。 - 【請求項21】 前記の金属膜を形成する側の基板は所
定パターンの電極を有し、平坦な基板上に形成した上記
電極の表面に、前記の微細な凹凸を形成した後に前記の
金属膜を形成することを特徴とする請求項12記載の電
気光学装置の製造方法。 - 【請求項22】 前記金属膜は、メッキ法により形成す
ることを特徴とする請求項20または21記載の電気光
学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33645797A JP3199677B2 (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33645797A JP3199677B2 (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 電気光学装置の製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32826190A Division JP3167716B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 電気光学装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10148827A true JPH10148827A (ja) | 1998-06-02 |
JP3199677B2 JP3199677B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=18299342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33645797A Expired - Lifetime JP3199677B2 (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3199677B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1139153A1 (en) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Hewlett-Packard Company | Liquid crystal alignment |
EP1139152A1 (en) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Hewlett-Packard Company, A Delaware Corporation | Liquid crystal alignment structure |
JP2001281660A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-10 | Hewlett Packard Co <Hp> | 液晶デバイス |
KR100306546B1 (ko) * | 1998-09-28 | 2001-11-02 | 마찌다 가쯔히꼬 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
US6903790B2 (en) | 2000-03-27 | 2005-06-07 | Hewlett-Packard Development Company | Bistable nematic liquid crystal device |
US6992741B2 (en) | 2001-06-22 | 2006-01-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Bistable nematic liquid crystal device |
US7460200B2 (en) | 2000-03-27 | 2008-12-02 | Helwett-Packard Development Company, L.P. | Liquid crystal alignment |
-
1997
- 1997-11-20 JP JP33645797A patent/JP3199677B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100306546B1 (ko) * | 1998-09-28 | 2001-11-02 | 마찌다 가쯔히꼬 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
EP1139153A1 (en) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Hewlett-Packard Company | Liquid crystal alignment |
EP1139152A1 (en) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Hewlett-Packard Company, A Delaware Corporation | Liquid crystal alignment structure |
JP2001281660A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-10 | Hewlett Packard Co <Hp> | 液晶デバイス |
US6798481B2 (en) * | 2000-03-27 | 2004-09-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Liquid crystal alignment |
US6903790B2 (en) | 2000-03-27 | 2005-06-07 | Hewlett-Packard Development Company | Bistable nematic liquid crystal device |
US7106410B2 (en) | 2000-03-27 | 2006-09-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Bistable nematic liquid crystal device comprising an array of upstanding alignment posts |
KR100794888B1 (ko) * | 2000-03-27 | 2008-01-14 | 휴렛-팩커드 컴퍼니(델라웨어주법인) | 액정 배향 |
US7397526B2 (en) | 2000-03-27 | 2008-07-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Liquid crystal device comprising alignment posts having a random or pseudorandom spacing therebetween |
US7460200B2 (en) | 2000-03-27 | 2008-12-02 | Helwett-Packard Development Company, L.P. | Liquid crystal alignment |
US7633596B2 (en) | 2000-03-27 | 2009-12-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Liquid crystal alignment |
US6992741B2 (en) | 2001-06-22 | 2006-01-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Bistable nematic liquid crystal device |
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