JP3238381B2 - 電気光学装置 - Google Patents
電気光学装置Info
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Description
る。
188828号公報に示される反射型の液晶表示装置に
おいては、対向する一対の基板間に液晶層を挟持してな
る液晶セルの一方の基板の液晶層側の面に反射層等を設
けることによって、明るい表示が得られるようにするこ
とが提案されている。
も明確ではなく、反射層として基板の液晶層側の面に金
属膜等を平滑に形成すると、その反射層が鏡面となって
使用者の顔や背景が映り、表示が非常に見づらくなる等
の不具合がある。
成した後に加熱処理して表面に凹凸をつける方法や、反
射層形成後にホーニングまたはエッチング処理して光散
乱面とする方法が提案されている。
に加熱処理して表面に凹凸をつける場合には、400〜
600℃と高温プロセスでの加熱処理が必要で、基板の
耐熱性が要求され基板の材質に制約がある。しかも凹凸
が結晶性の制御に因っているため、光散乱効果がうまく
出ない等の不具合がある。
る場合は、反射層にピンホール等が生じるおそれがあ
り、電極と併用する場合には断線や抵抗値が変化して画
質に及ぼす悪影響は無視できない。また反射層をエッチ
ングする場合は、反射層表面が等方的にエッチングされ
るため光散乱効果が少ない等の問題がある。
凸の制御が容易でなかったため、観察者側に反射光を集
中させるような凹凸を得る制御ができず、また、そのよ
うな凹凸の形状についての配慮はなされていなかった。
本発明は上記の課題を解消し観察者側に反射光を集中さ
せるような電気光学装置を提供することを目的とする。
めに本発明による電気光学装置は以下の構成としたもの
である。
液晶層を挟持してなり、一方の前記基板の液晶層側の面
に凹凸を有する反射層が形成されてなる電気光学装置に
おいて、前記凹凸のピッチが不均一で、かつ前記凹凸が
2次元方向に形成されてなり、前記凹凸の平均ピッチは
80μm以下であり、前記凹凸の高さは0.3μm以下
であり、前記液晶層は180゜〜270゜ねじれ配向を
したネマチック液晶層であることを特徴とする。
均一で、かつ前記凹凸が2次元方向に形成されてなり、
凹凸の平均ピッチは80μm以下であり、凹凸の高さは
0.3μm以下であるので、 反射層で光が良好に散乱
されて表示が見やすく、で観察者側に反射光が集中す
る。
置を例にして具体的に説明する。
液晶表示装置の一例を示す縦断面図である。
対の基板2・3間に液晶層4を挟持してなる。上側の基
板2の液晶層4側の面には、ITO等の透明電極5が設
けられ、他方の基板3の内面には、反射層としての薄い
金属膜6が設けられている。7はスペーサ、8は偏光板
を示す。
4側の面に微細な凹凸を設け、その表面に上記の薄い金
属膜6を設けることによって、金属膜6の表面にも凹凸
が波及するようにしたものである。
属膜6の表面上にSiO2等の無機膜や有機膜を塗布す
ることもある。また液晶分子が均一に配向するようにポ
リイミド、ポリビニルアルコール等の高分子有機薄膜を
ラビング処理することもある。
を用いる、またはポリエチレンテレフタレート(PE
T)、ポリエーテルサルフォン(PES)、ポリカーボ
ネート(PC)等の合成樹脂基板を用いてもよく、ある
いはガラス基板の表面にアクリル系樹脂、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ミラノー
ル系樹脂等の有機膜を有するものを用いることもでき
る。なお基板3は必ずしも透明である必要はない。また
基板はその両表面が異方性導電性を有するものでもよ
い。
用いる場合には、そのガラス基板に前記の凹凸を形成し
てもよく、あるいは有機膜に形成してもよい。特にガラ
ス基板に凹凸を形成したのち有機膜を形成する場合、そ
の有機膜の厚さは、好ましくは2μm以下、より好まし
くは0.5μm以下にするのが望ましい。
ルミニウムその他任意であり、特に制限はない。又その
金属膜の膜厚は、好ましくは1μm以下、より好ましく
は300オングストローム以下にするのが望ましい。
ができる。また、前記の金属膜を有する側の基板として
液晶層側にITO等の透明電極もしくは不透明の電極を
有するものを用いることもできる。その場合は上記基板
と電極のうち少なくとも電極の液晶層側の面に前記の凹
凸を設ける。
設け、その表面に反射層として薄い金属膜を設けること
により、基板側の凹凸が金属膜表面に波及し、その凹凸
面が光散乱面となって観察面側(図で上側)から入射し
た光を良好に散乱反射させることができるものである。
察者側に反射光が多くなるように制御するのが望まし
く、例えば凹凸のピッチを均一に形成すると、反射光に
指向性を生じ、全方向に対して均一に効果が生じないた
め、凹凸のピッチは図2のように不均一にランダムに形
成する。又その場合の凹凸の平均ピッチpは、80μm
以下にする、より好ましくは10μm以下とする。また
凹凸の高さhは、挟持する液晶の配向安定性と、反射す
る光の観察者側への集中を考慮して0.3μm以下とす
る。
光学装置を製造する場合について具体的に説明する。
合は、対向する一対の基板間に液晶層を挟持してなる液
晶セルの一方の基板の液晶層側の面に反射層を有する液
晶表示装置等を製造するに当たり、上記反射層を形成す
る基板の液晶層側の面に微細な凹凸を形成し、必要に応
じてその凹凸表面を補修処理した後、その凹凸表面に上
記反射層としての金属膜を形成する。
あるが、例えばホーニング処理により形成するとよい。
合成樹脂基板もしくはガラス基板上に前記のような有機
膜を有するものでもよい。そのガラス基板上に有機膜を
有するものにあっては、ガラス基板に有機膜を形成した
のち有機膜をホーニング処理して凹凸を形成してもよ
く、あるいはガラス基板をホーニング処理して凹凸を形
成したのち有機膜を形成してもよい。
宜であり、また膜厚については特に制約条件はない。有
機膜をガラス基板上に形成する手段は、塗布その他適宜
であり、また有機膜の形成位置は、信号入力用端子部は
避け上記の凹凸を形成すべき位置にのみ選択的に形成す
るのが、信頼性の上からも有効で望ましい。例えば感光
性アクリル樹脂をスピンコート法で2μm厚で全面コー
トした後、フォトマスクで所望のパターンのみに紫外線
を照射して光重合させ、残りを現像処理して有機膜を形
成することができる。
形成する際の研磨粒子は、ガラス基板にあっては酸化セ
リウム等を用いるとよく、また前記の合成樹脂基板もし
くは有機膜にあってはポリビニルアルコールやポリウレ
タン系樹脂等の粒子を用いるとよい。又それ等の粒径
は、10μm以下、より好ましくは5μm以下のものを
用いるのが望ましい。
対して鉛直(垂直)方向から行うと、形成される凹凸の
高さが大きくなり制御しにくくなるため、鉛直方向に対
して所定の角度傾斜させて行うことが、均一で浅い凹凸
を形成する上で望ましく、上記の傾斜角度は好ましくは
鉛直方向に対して45°以上傾斜させるとよい。
ガラス基板をフッ酸でエッチングして凹凸を形成する方
法が有効である。また前記の補修処理としても、例えば
フッ酸を用いて基板上に形成された凹凸表面を軽くエッ
チング処理する、あるいは上記凹凸の凸部を研磨して凹
凸の高さを調整する方法をとり得る。
凹凸表面を軽くエッチング処理する場合には、ホーニン
グ処理したガラス基板を、ホーニングした両側にフッ酸
もしくはフッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液(混合
比4:1〜1:4、程度により調整)を用いて20〜4
0℃で浸漬し、エッチングすることにより凹凸の高さや
形状を調整する。
研磨する基板の材質に応じて研磨材を適宜選択するもの
で、例えば前述したホーニング処理に用いる研磨粒子と
同じものを用いる。
板上に反射層としての金属膜を形成するもので、例えば
スパッタもしくは蒸着等の真空成膜法により形成する。
この場合、成膜レートは早い方が膜に凹凸ができやす
く、例えば80〜250オングストローム/min程度
が望ましい。また成膜温度は100〜300℃程度が望
ましい。
膜形成レートが200オングストローム/min程度、
成膜温度が180℃程度で膜厚5000オングストロー
ム程度形成すればよく、蒸着法の場合は膜形成レートが
100オングストローム/min程度、成膜温度が20
0℃程度で膜厚5000オングストローム程度形成すれ
ばよい。
に応じて加熱処理して凹凸をコントロールすると、微細
なピッチの凹凸とすることができる。例えばガラス基板
を用いる場合は、200〜450℃で空気中で加熱処理
すればよい。また合成樹脂基板もしくはガラス基板上に
有機膜を有するものでも耐熱性の高いものであれば、上
記の加熱処理が可能であり、例えばポリイミド樹脂の場
合には220〜240℃で加熱処理できる。
は、パターニングして表示用電極とする。この場合、電
極形成はパターニングの前でも後でもよいが、加熱処理
して結晶性のかわった表面はエッチングレートが変わる
ため望ましくはパターニング後に加熱するとよい。また
上記の加熱処理は空気中でもよいが、金属によっては、
例えばクロムのように酸化して反射率の抵下するものが
あるため、望ましくは不活性ガス雰囲気中で処理すると
よい。
TO等の透明または不透明の電極を設けることも可能で
あり、この場合、前記のようにして凹凸を形成した基板
上にITO等の所望のパターンの電極を形成した後、金
属膜を形成する。あるいは平らな基板上に、電極を形成
し、その電極表面に前記と同様の要領で凹凸を形成した
後、金属膜を形成することもできる。又この場合、上記
の金属膜はニッケル等をメッキして形成することもでき
る。
る。すなわち、電極が形成された基板を20%のKOH
溶液の中に常温で10分間浸漬して脱脂を行い、5%の
HCl溶液に常温で5分間浸漬して中和させる。次い
で、その基板表面上に無電解メッキを開始してパラジウ
ムを付着させる。これは例えば15%のHCl溶液中に
増感剤(日立化成工業株式会社製 商品名HS−101
B)を7%混合し常温で10分間浸漬させることにより
行う。次いで、ニッケルメッキ液の中にガラス基板を浸
漬させ透明電極上に平均膜厚7000オングストローム
程度のニッケルメッキを行い、その表面をホーニング処
理して凹凸を形成すればよい。この場合の研磨剤の粒子
径は例えば20μm程度のものを用い、凹凸の平均ピッ
チは2μm、高さは0.4μm程度に形成する。
を形成してもよく、本発明の効果はメッキ法に左右され
るものではなく、形成する金属により無電解メッキ、電
解メッキの選択が可能である。
の金属膜表面に微細な凹凸を形成することができるもの
で、実際に金属膜表面に平均ピッチ1〜2μm、深さ約
0.1〜0.2μmの凹凸を良好に形成することができ
た。又その基板を用い、それと対向する基板間にシール
部を介して液晶を挟持させ、その対向する基板の外側に
偏光板を設置して180°〜270°ねじれ配向したネ
マチック液晶層を用いた液晶表示装置を作成したとこ
ろ、反射層が散乱状態となっているため背景等が映るこ
とがなく、従来の反射板を基板の外側に付加するものと
比較して明るく影がでることなく、しかも広視角の反射
型液晶表示装置を得ることができた。また電極が金属で
できるため低抵抗電極となり、入力電圧波形のなまりが
殆どなく、クロストーク等の画像を不均一にする不良が
大幅に低減された。
ン等に盛んに採用されている反射型液晶表示装置におい
て、表示を見やすく、しかも薄型・軽量で低消費電力の
装置が得られるものである。
ゆる白黒表示タイプやカラータイプの液晶表示装置にも
適用可能である。また偏光板を多くとも1放しか必要と
しない二色性染料を用いたゲストホストタイプ,光散乱
を利用したDSMや高分子保持体中に液晶を分散したP
DLC等のタイプに適用可能である。さらに液晶表示装
置に限らず、各種の電気光学装置にも適用できる。
電気光学装置は、凹凸のピッチが不均一で、かつ前記凹
凸が2次元方向に形成されてなり、凹凸の平均ピッチは
80μm以下であり、凹凸の高さは0.3μm以下であ
るので、観察者側に反射光が集中し、表示が見やすく、
且つ視角が広くなるという効果を奏する。
面図。
Claims (1)
- 【請求項1】 一対の基板間に液晶層を挟持してな
り、一方の前記基板の液晶層側の面に凹凸を有する反射
層が形成されてなる電気光学装置において、 前記凹凸のピッチが不均一で、かつ前記凹凸が2次元方
向に形成されてなり、 前記凹凸の平均ピッチは80μm以下であり、 前記凹凸の高さは0.3μm以下であり、 前記液晶層は180゜〜270゜ねじれ配向をしたネマ
チック液晶層である ことを特徴とする電気光学装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21896099A JP3238381B2 (ja) | 1999-08-02 | 1999-08-02 | 電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21896099A JP3238381B2 (ja) | 1999-08-02 | 1999-08-02 | 電気光学装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32826190A Division JP3167716B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 電気光学装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000047206A JP2000047206A (ja) | 2000-02-18 |
JP3238381B2 true JP3238381B2 (ja) | 2001-12-10 |
Family
ID=16728055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21896099A Expired - Lifetime JP3238381B2 (ja) | 1999-08-02 | 1999-08-02 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3238381B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100433594B1 (ko) * | 2001-07-06 | 2004-05-31 | 가부시끼가이샤 도시바 | 액정표시장치 |
-
1999
- 1999-08-02 JP JP21896099A patent/JP3238381B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Appl.Phys.Lett.45(10)(1984)pp 1021−1023 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000047206A (ja) | 2000-02-18 |
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