JP2002040399A - 光反射性基板の製造方法および液晶表示素子 - Google Patents
光反射性基板の製造方法および液晶表示素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学エッチングによっても、ほとんどうねり
が生じない光反射性基板を得る。 【解決手段】 反射型もしくは半透過型の液晶表示素子
用の基板として、フロート法で製造された基板うねりＷ
ｃｍが０．１μｍ以下であるガラス基板２１を用い、こ
のガラス基板２１に化学エッチングを施して微細な凹凸
を有する光拡散面２１ａを形成する。
が生じない光反射性基板を得る。 【解決手段】 反射型もしくは半透過型の液晶表示素子
用の基板として、フロート法で製造された基板うねりＷ
ｃｍが０．１μｍ以下であるガラス基板２１を用い、こ
のガラス基板２１に化学エッチングを施して微細な凹凸
を有する光拡散面２１ａを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、内面拡散反射方式
の反射型もしくは半透過型液晶表示素子に関し、さらに
詳しく言えば、その光反射性基板に関するものである。
の反射型もしくは半透過型液晶表示素子に関し、さらに
詳しく言えば、その光反射性基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】反射型液晶表示素子は、光源を外部から
の光に求めているため、バックライトを必要としない
分、消費電力が少なくて済むとともに、薄型化・軽量化
が可能である。しかしながら、暗いところでは表示が見
にくくなる。この点を補うため、半透過型においては、
光反射膜を光半透過性とし、バックライトを補助光源と
して用いるようにしている。
の光に求めているため、バックライトを必要としない
分、消費電力が少なくて済むとともに、薄型化・軽量化
が可能である。しかしながら、暗いところでは表示が見
にくくなる。この点を補うため、半透過型においては、
光反射膜を光半透過性とし、バックライトを補助光源と
して用いるようにしている。
【０００３】いずれの型式においても、多くの場合、視
野角を拡げるとともに外光を効率よく利用する目的で、
光反射膜に乱反射性を付与する光拡散層が設けられてい
る。この光反射膜および光拡散層は、表示の解像度との
関係でパネル内部に設けられることが好ましく、この方
式を内面拡散反射方式と称している。
野角を拡げるとともに外光を効率よく利用する目的で、
光反射膜に乱反射性を付与する光拡散層が設けられてい
る。この光反射膜および光拡散層は、表示の解像度との
関係でパネル内部に設けられることが好ましく、この方
式を内面拡散反射方式と称している。
【０００４】この内面拡散反射方式の一例として、従来
においては、液晶表示パネルに用いられる一方のガラス
基板上にネガ型感光性ポリイミド膜を形成し、所定の光
透過パターンを有するフォトマスクを介して露光した後
現像することにより、無数の微細な凸部を形成し粗面化
する。
においては、液晶表示パネルに用いられる一方のガラス
基板上にネガ型感光性ポリイミド膜を形成し、所定の光
透過パターンを有するフォトマスクを介して露光した後
現像することにより、無数の微細な凸部を形成し粗面化
する。
【０００５】このようにして得られた凸部は、断面ほぼ
矩形状で余り光拡散性がよくない。そこで、高い熱を加
えてポリイミド樹脂をメルティングして角部がなだらか
な断面波形状にし、その上に光反射膜もしくは光半透過
膜を形成するようにしている。
矩形状で余り光拡散性がよくない。そこで、高い熱を加
えてポリイミド樹脂をメルティングして角部がなだらか
な断面波形状にし、その上に光反射膜もしくは光半透過
膜を形成するようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術では、高価な感光性樹脂を使用するためコスト
アップとなる。また、その感光性樹脂をガラス基板上に
約１．０〜３．０μｍ厚に均一に塗布し、フォトリソ法
により微細な凹凸を形成するため、高度に管理された技
術が必要である。さらには、面内スペーサの埋まり込み
によるギャップむらが発生しやすいなどの課題があっ
た。
従来技術では、高価な感光性樹脂を使用するためコスト
アップとなる。また、その感光性樹脂をガラス基板上に
約１．０〜３．０μｍ厚に均一に塗布し、フォトリソ法
により微細な凹凸を形成するため、高度に管理された技
術が必要である。さらには、面内スペーサの埋まり込み
によるギャップむらが発生しやすいなどの課題があっ
た。
【０００７】これよりも簡単に微細な凹凸を形成する方
法として、ガラス基板を化学エッチングにより粗面化し
て、光拡散面を得る方法が知られている。しかしなが
ら、これにも次のような課題がある。すなわち、ＳＴＮ
型やＴＮ型液晶表示素子のガラス基板には、入手が容易
でしかも安価であるフロート法によるソーダガラスが一
般的に用いられているが、フロート法で製造されたガラ
スの場合、その冷却工程でうねりが発生しやすい。
法として、ガラス基板を化学エッチングにより粗面化し
て、光拡散面を得る方法が知られている。しかしなが
ら、これにも次のような課題がある。すなわち、ＳＴＮ
型やＴＮ型液晶表示素子のガラス基板には、入手が容易
でしかも安価であるフロート法によるソーダガラスが一
般的に用いられているが、フロート法で製造されたガラ
スの場合、その冷却工程でうねりが発生しやすい。
【０００８】その理由は、場所により早く冷却された部
分は他の部分に比べてより収縮が進行し密度が高くなっ
て凹になるためである。このうねりが大きいものほど密
度分布の差が大きい。そのため、光反射性基板として使
用する際には研磨などによりうねりを少なくすようにし
ているが、化学エッチングを行なうと密度の低い凸部分
でエッチングが速く行なわれるためその部分が凹にな
り、結局のところ、うねりが再発生してしまうことにな
る。
分は他の部分に比べてより収縮が進行し密度が高くなっ
て凹になるためである。このうねりが大きいものほど密
度分布の差が大きい。そのため、光反射性基板として使
用する際には研磨などによりうねりを少なくすようにし
ているが、化学エッチングを行なうと密度の低い凸部分
でエッチングが速く行なわれるためその部分が凹にな
り、結局のところ、うねりが再発生してしまうことにな
る。
【０００９】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、その目的は、フロート法で製造され
たガラスよりなるが、化学エッチングしても、ほとんど
うねりが生じない光反射性基板を提供することにある。
また、本発明のもう一つの目的は、このような光反射性
基板を用いることにより、ギャップむらのない反射型も
しくは半透過型の液晶表示素子を提供することにある。
になされたもので、その目的は、フロート法で製造され
たガラスよりなるが、化学エッチングしても、ほとんど
うねりが生じない光反射性基板を提供することにある。
また、本発明のもう一つの目的は、このような光反射性
基板を用いることにより、ギャップむらのない反射型も
しくは半透過型の液晶表示素子を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、反射型もしくは半透過型の液晶表示素子
の一方の基板として用いられる光反射性基板を製造する
にあたって、フロート法で製造された基板うねりＷｃｍ
が０．１μｍ以下であるガラス基板の少なくとも一方の
面を化学エッチング液により微細な凹凸を有する粗面と
し、その粗面上に光反射膜を形成することを特徴として
いる。
め、本発明は、反射型もしくは半透過型の液晶表示素子
の一方の基板として用いられる光反射性基板を製造する
にあたって、フロート法で製造された基板うねりＷｃｍ
が０．１μｍ以下であるガラス基板の少なくとも一方の
面を化学エッチング液により微細な凹凸を有する粗面と
し、その粗面上に光反射膜を形成することを特徴として
いる。
【００１１】このように、そもそも基板うねりが少ない
ガラス基板を用いることにより、化学エッチングによっ
てもうねりがほとんどない、液晶表示素子に好適である
ガラス基板が得られる。
ガラス基板を用いることにより、化学エッチングによっ
てもうねりがほとんどない、液晶表示素子に好適である
ガラス基板が得られる。
【００１２】本発明の好ましい態様をいくつか挙げるな
らば、上記化学エッチング液には、少なくとも弗化アン
モニウム、水、弗化水素が所定割合で含まれていること
が好ましい。外光を効率的に反射させる上で、上記粗面
のＲｚＤ（十点平均粗さ）は０．３〜５．０μｍ、特に
は０．５〜２．０μｍであることが好ましい。粗面を形
成する凹凸のピッチＳｍは１〜１００μｍ、特には５〜
３０μｍがよい。上記粗面の６０゜鏡面光沢値（ＪＩＳ
Ｚ８７４１による）は３０〜７０％であることが好ま
しい。
らば、上記化学エッチング液には、少なくとも弗化アン
モニウム、水、弗化水素が所定割合で含まれていること
が好ましい。外光を効率的に反射させる上で、上記粗面
のＲｚＤ（十点平均粗さ）は０．３〜５．０μｍ、特に
は０．５〜２．０μｍであることが好ましい。粗面を形
成する凹凸のピッチＳｍは１〜１００μｍ、特には５〜
３０μｍがよい。上記粗面の６０゜鏡面光沢値（ＪＩＳ
Ｚ８７４１による）は３０〜７０％であることが好ま
しい。
【００１３】また、本発明の液晶表示素子は、上記のよ
うにして得られた光反射性基板の光反射膜上に平滑化層
を介して透明電極が形成された電極基板を一方の基板と
して備えていることを特徴としており、これによれば、
ギャップ幅が正確にコントロールされた液晶表示素子が
得られる。
うにして得られた光反射性基板の光反射膜上に平滑化層
を介して透明電極が形成された電極基板を一方の基板と
して備えていることを特徴としており、これによれば、
ギャップ幅が正確にコントロールされた液晶表示素子が
得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は反射型、半透過型のいず
れの場合も含むが、図１の模式的断面図により、その内
の反射型液晶表示素子の実施形態について説明する。
れの場合も含むが、図１の模式的断面図により、その内
の反射型液晶表示素子の実施形態について説明する。
【００１５】この反射型液晶表示素子１は、第１電極基
板２と第２電極基板３とを備えているが、第１電極基板
２には本発明の製造方法により得られた光反射性基板２
０が用いられている。すなわち、この光反射性基板２０
は、フロート法で製造された基板うねりＷｃｍが０．１
μｍ以下である透明ガラス板２１を基体としており、そ
の内面側（図１において上面側）が微細な凹凸よりなる
粗面状の光拡散面２１ａとされている。
板２と第２電極基板３とを備えているが、第１電極基板
２には本発明の製造方法により得られた光反射性基板２
０が用いられている。すなわち、この光反射性基板２０
は、フロート法で製造された基板うねりＷｃｍが０．１
μｍ以下である透明ガラス板２１を基体としており、そ
の内面側（図１において上面側）が微細な凹凸よりなる
粗面状の光拡散面２１ａとされている。
【００１６】光拡散面２１ａ上には、金属膜よりなる光
反射膜２３が形成されている。この実施例において、光
反射膜２３はスパッタ法にて成膜されたアルミニウム膜
よりなる。膜厚は例えば１００ｎｍ程度である。なお、
透明ガラス板２１の下面側は平滑であってよい。
反射膜２３が形成されている。この実施例において、光
反射膜２３はスパッタ法にて成膜されたアルミニウム膜
よりなる。膜厚は例えば１００ｎｍ程度である。なお、
透明ガラス板２１の下面側は平滑であってよい。
【００１７】光反射膜２３上には、例えばアクリル性樹
脂をスピンナーにて塗布してなる表面平滑化層２５が形
成されている。なお、カラー表示の場合には、光反射膜
２３上に電着法などにてカラーフィルタ層が設けられ、
その上に表面平滑化層２５が形成されてもよい。
脂をスピンナーにて塗布してなる表面平滑化層２５が形
成されている。なお、カラー表示の場合には、光反射膜
２３上に電着法などにてカラーフィルタ層が設けられ、
その上に表面平滑化層２５が形成されてもよい。
【００１８】第１電極基板２には、この表面平滑化層２
５上に透明導電膜としてＩＴＯ（インジウム・錫酸化
物）をスパッタしたものが用いられ、その表示部には所
定にパターニングされた表示電極としてのＩＴＯパター
ン２ａが形成されている。
５上に透明導電膜としてＩＴＯ（インジウム・錫酸化
物）をスパッタしたものが用いられ、その表示部には所
定にパターニングされた表示電極としてのＩＴＯパター
ン２ａが形成されている。
【００１９】この実施形態において、第２電極基板３に
もフロート法による透明ガラスが用いられているが、第
２電極基板３は必ずしも基板うねりＷｃｍが０．１μｍ
以下である必要はない。第２電極基板３側には、引出電
極形成用の端子部３１が連設されている。この第２電極
基板３の表示部および端子部３１には表示電極および引
出電極としてのＩＴＯパターン３ａが形成されている。
もフロート法による透明ガラスが用いられているが、第
２電極基板３は必ずしも基板うねりＷｃｍが０．１μｍ
以下である必要はない。第２電極基板３側には、引出電
極形成用の端子部３１が連設されている。この第２電極
基板３の表示部および端子部３１には表示電極および引
出電極としてのＩＴＯパターン３ａが形成されている。
【００２０】第１電極基板２および第２電極基板３は、
それらの各表示部を対向させた状態で周辺シール材４を
介して互いに貼り合わせられる。なお、各表示部間には
そのセルギャップを一定に保つための面内スペーサ（図
示省略）があらかじめ配置され、そのセルギャップ内に
所定の液晶物質６が封入されている。
それらの各表示部を対向させた状態で周辺シール材４を
介して互いに貼り合わせられる。なお、各表示部間には
そのセルギャップを一定に保つための面内スペーサ（図
示省略）があらかじめ配置され、そのセルギャップ内に
所定の液晶物質６が封入されている。
【００２１】また、周辺シール材４内には、例えば導電
ビースからなるトランスファ材４１が含まれており、こ
のトランスファ材４１を介して第１電極基板２側のＩＴ
Ｏパターン２ａが第２電極基板３側の端子部３１にある
引き出し電極に接続されている。第２電極基板３の表示
面側には、位相差板７および偏光板８がそれぞれ貼り付
けられる。
ビースからなるトランスファ材４１が含まれており、こ
のトランスファ材４１を介して第１電極基板２側のＩＴ
Ｏパターン２ａが第２電極基板３側の端子部３１にある
引き出し電極に接続されている。第２電極基板３の表示
面側には、位相差板７および偏光板８がそれぞれ貼り付
けられる。
【００２２】なお、半透過型液晶表示素子とするには、
光反射膜２３に多数のマイクロホール（微細孔）を設け
るか、もしくは光反射膜２３を例えば３５ｎｍ程度のき
わめて薄い膜として光半透過性を持たせたうえで、第１
電極基板２の裏面側に図示しないバックライトを設けれ
ばよい。
光反射膜２３に多数のマイクロホール（微細孔）を設け
るか、もしくは光反射膜２３を例えば３５ｎｍ程度のき
わめて薄い膜として光半透過性を持たせたうえで、第１
電極基板２の裏面側に図示しないバックライトを設けれ
ばよい。
【００２３】次に、図２および図３により、第１電極基
板２として用いられる光反射性基板２０について説明す
る。まず、その基体である透明ガラス板２１として、フ
ロート法で製造された基板うねりＷｃｍが０．１μｍ以
下であるソーダガラスを用意する。実際には、フロート
法により製造されたガラス母板の中から基板うねりＷｃ
ｍが０．１μｍ以下のものを切り出す。
板２として用いられる光反射性基板２０について説明す
る。まず、その基体である透明ガラス板２１として、フ
ロート法で製造された基板うねりＷｃｍが０．１μｍ以
下であるソーダガラスを用意する。実際には、フロート
法により製造されたガラス母板の中から基板うねりＷｃ
ｍが０．１μｍ以下のものを切り出す。
【００２４】そして、このソーダガラスの片面を耐酸レ
ジストもしくは耐酸フィルムで保護し、例えばフッ化ア
ンモニウム、水、およびフッ酸などを調製したエッチン
グ液で化学エッチング処理し、図２に示すように表面に
微細な凹凸を含む光拡散面２１ａを形成する。
ジストもしくは耐酸フィルムで保護し、例えばフッ化ア
ンモニウム、水、およびフッ酸などを調製したエッチン
グ液で化学エッチング処理し、図２に示すように表面に
微細な凹凸を含む光拡散面２１ａを形成する。
【００２５】その凹凸のプロファイルとしては、深さＲ
ｚＤ（十点平均粗さ）は、０．３〜５．０μｍ、好まし
くは０．５〜２．０μｍの範囲、凹凸のピッチ（平均間
隔）Ｓｍは、１〜１００μｍ、好ましくは５〜３０μｍ
の範囲がよい。なお、凹凸のピッチＳｍは、基準長さを
Ｌ、その間の山数をｎとしてＬ／ｎで定義される。ま
た、粗面化された光拡散面２１ａの６０゜鏡面光沢値は
３０〜７０％の範囲がよい。
ｚＤ（十点平均粗さ）は、０．３〜５．０μｍ、好まし
くは０．５〜２．０μｍの範囲、凹凸のピッチ（平均間
隔）Ｓｍは、１〜１００μｍ、好ましくは５〜３０μｍ
の範囲がよい。なお、凹凸のピッチＳｍは、基準長さを
Ｌ、その間の山数をｎとしてＬ／ｎで定義される。ま
た、粗面化された光拡散面２１ａの６０゜鏡面光沢値は
３０〜７０％の範囲がよい。
【００２６】そして、図３に示すように、粗面化された
光拡散面２１ａ上に、例えばスパッタ法によりアルミニ
ウムなどの金属からなる光反射膜２３を成膜する。この
光反射膜２３は例えば１００ｎｍ程度の厚さであるた
め、光拡散面２１ａの凹凸により、光反射膜２３に乱反
射性が付与される。
光拡散面２１ａ上に、例えばスパッタ法によりアルミニ
ウムなどの金属からなる光反射膜２３を成膜する。この
光反射膜２３は例えば１００ｎｍ程度の厚さであるた
め、光拡散面２１ａの凹凸により、光反射膜２３に乱反
射性が付与される。
【００２７】しかる後、この光反射膜２３上にアクリル
系樹脂により表面平滑化層２５を形成する（図１参
照）。このようにして、光反射性基板２０が得られる。
次に、本発明の実施例とその比較例について説明する。
系樹脂により表面平滑化層２５を形成する（図１参
照）。このようにして、光反射性基板２０が得られる。
次に、本発明の実施例とその比較例について説明する。
【００２８】
【実施例】《実施例１》フロート法で製造された旭硝子
社製のソーダガラスＡＳ（未研磨時の表面うねりＷｃｍ
＝０．０８μｍ）の基板片面を耐酸フィルムで保護した
上で、フッ酸を用いてフラッシュエッチングし、続いて
フッ化アンモニウム、水、およびフッ酸などを調製した
エッチング液で基板表面を化学エッチングした。このガ
ラス基板にアルミニウムを蒸着法にて１００ｎｍ厚に成
膜した後、その上に保護層としてＳｉＯ２を３０ｎｍ厚
に成膜した。そして、表面平滑化のためにアクリル系樹
脂をスピンナーにて焼成後の膜厚が３μｍになるように
塗布焼成した後、その上にＩＴＯを成膜しパターニング
して透明電極を形成するとともに配向膜を形成し、対向
基板と組み合わせて反射型ＳＴＮ液晶表示素子を作製し
た。なお、対向基板には、Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ
を設け、平滑化のためにアクリル系樹脂を塗布焼成し、
ＩＴＯ電極および配向膜を形成したものを用いた。化学
エッチングにより作られた粗面の凹凸形状を観察したと
ころ、ＲｚＤは約１．０μｍ、Ｓｍは約１５μｍであ
り、また、Ｗｃａ（ろ波中心うねり）は０．０３μｍ以
下、Ｗｃｍは０．３μｍ以下であった。得られた粗面の
６０゜鏡面光沢値は４０％であった。また、アクリル系
樹脂による表面平滑化後のＷｃａは０．０１μｍ以下
で、Ｗｃｍは０．１μｍ以下であり、良好な平滑化層が
得られた。この反射型ＳＴＮ液晶表示素子では、基板の
うねりによるギャップむらもなく、かつ、微少凹凸によ
るコントラストの低下も見られなかった。
社製のソーダガラスＡＳ（未研磨時の表面うねりＷｃｍ
＝０．０８μｍ）の基板片面を耐酸フィルムで保護した
上で、フッ酸を用いてフラッシュエッチングし、続いて
フッ化アンモニウム、水、およびフッ酸などを調製した
エッチング液で基板表面を化学エッチングした。このガ
ラス基板にアルミニウムを蒸着法にて１００ｎｍ厚に成
膜した後、その上に保護層としてＳｉＯ２を３０ｎｍ厚
に成膜した。そして、表面平滑化のためにアクリル系樹
脂をスピンナーにて焼成後の膜厚が３μｍになるように
塗布焼成した後、その上にＩＴＯを成膜しパターニング
して透明電極を形成するとともに配向膜を形成し、対向
基板と組み合わせて反射型ＳＴＮ液晶表示素子を作製し
た。なお、対向基板には、Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ
を設け、平滑化のためにアクリル系樹脂を塗布焼成し、
ＩＴＯ電極および配向膜を形成したものを用いた。化学
エッチングにより作られた粗面の凹凸形状を観察したと
ころ、ＲｚＤは約１．０μｍ、Ｓｍは約１５μｍであ
り、また、Ｗｃａ（ろ波中心うねり）は０．０３μｍ以
下、Ｗｃｍは０．３μｍ以下であった。得られた粗面の
６０゜鏡面光沢値は４０％であった。また、アクリル系
樹脂による表面平滑化後のＷｃａは０．０１μｍ以下
で、Ｗｃｍは０．１μｍ以下であり、良好な平滑化層が
得られた。この反射型ＳＴＮ液晶表示素子では、基板の
うねりによるギャップむらもなく、かつ、微少凹凸によ
るコントラストの低下も見られなかった。
【００２９】〈比較例１〉ソーダガラスで未研磨時の表
面うねりＷｃｍが０．２０μｍのガラス基板を研磨処理
してＷｃｍを０．０５μｍとした。この研磨処理基板を
用いた以外は、上記実施例１と同様にして反射型ＳＴＮ
液晶表示素子を作製した。この比較例１において、化学
エッチングにより作られた粗面の凹凸形状を観察したと
ころ、ＲｚＤは約１．０μｍ、Ｓｍは約２０μｍであ
り、また、Ｗｃａは約０．２５μｍ、Ｗｃｍは約２．０
μｍであった。上記粗面の６０゜鏡面光沢値は５０％で
あった。また、アクリル系樹脂による表面平滑化後のＷ
ｃａは０．０４μｍで、Ｗｃｍは０．３５μｍと大きか
った。反射型ＳＴＮ液晶表示素子として組み立てたとこ
ろ、基板うねりによるギャップむらが発生しており、そ
のギャップむらは約０．１μｍ／６μｍであった。
面うねりＷｃｍが０．２０μｍのガラス基板を研磨処理
してＷｃｍを０．０５μｍとした。この研磨処理基板を
用いた以外は、上記実施例１と同様にして反射型ＳＴＮ
液晶表示素子を作製した。この比較例１において、化学
エッチングにより作られた粗面の凹凸形状を観察したと
ころ、ＲｚＤは約１．０μｍ、Ｓｍは約２０μｍであ
り、また、Ｗｃａは約０．２５μｍ、Ｗｃｍは約２．０
μｍであった。上記粗面の６０゜鏡面光沢値は５０％で
あった。また、アクリル系樹脂による表面平滑化後のＷ
ｃａは０．０４μｍで、Ｗｃｍは０．３５μｍと大きか
った。反射型ＳＴＮ液晶表示素子として組み立てたとこ
ろ、基板うねりによるギャップむらが発生しており、そ
のギャップむらは約０．１μｍ／６μｍであった。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反射型もしくは半透過型の液晶表示素子用の基板とし
て、フロート法で製造された基板うねりＷｃｍが０．１
μｍ以下であるガラス基板を用いたことにより、化学エ
ッチングによっても、ほとんどうねりが生じない光反射
性基板が得られる。また、これに伴なって、ギャップむ
らのない反射型もしくは半透過型の液晶表示素子が得ら
れる。
反射型もしくは半透過型の液晶表示素子用の基板とし
て、フロート法で製造された基板うねりＷｃｍが０．１
μｍ以下であるガラス基板を用いたことにより、化学エ
ッチングによっても、ほとんどうねりが生じない光反射
性基板が得られる。また、これに伴なって、ギャップむ
らのない反射型もしくは半透過型の液晶表示素子が得ら
れる。
【図１】本発明を反射型液晶表示素子に適用した実施例
の模式的断面図。
の模式的断面図。
【図２】上記実施例に用いられる光反射性基板のエッチ
ング処理後の拡大断面図。
ング処理後の拡大断面図。
【図３】上記実施例に用いられる光反射性基板の光反射
膜形成後の拡大断面図。
膜形成後の拡大断面図。
１ 反射型液晶表示素子 ２，３ 電極基板 ２ａ，３ａ 透明電極 ２０ 光反射性基板 ２１ 透明ガラス基板 ２１ａ 光拡散面 ２３ 光反射膜 ２５ 表面平滑化層 ４ 周辺シール材 ６ 液晶物質 ７ 位相差板 ８ 偏光板
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H042 BA03 BA15 BA20 DA02 DA12 DA18 DA22 DB01 DC02 DC08 DE00 2H090 HA04 HD03 JA03 JA06 JA19 JB02 JC03 LA20 2H091 FA14Y FA15Y FC01 FC26 GA01 GA03 GA07 GA16 LA16 5C094 AA03 AA43 AA55 BA43 DA13 EA04 EA05 EB03 EB04 EC02 ED11 ED12 FA01 FA02 FB02 FB04 GB10 JA01 JA08 JA09 JA11
Claims (5)
- 【請求項１】 反射型もしくは半透過型の液晶表示素子
の一方の基板として用いられる光反射性基板の製造方法
において、 フロート法で製造された基板うねりＷｃｍが０．１μｍ
以下であるガラス基板の少なくとも一方の面を化学エッ
チング液により微細な凹凸を有する粗面とし、その粗面
上に光反射膜を形成することを特徴とする光反射性基板
の製造方法。 - 【請求項２】 上記化学エッチング液には、少なくとも
弗化アンモニウム、水、弗化水素が所定割合で含まれて
いる請求項１に記載の光反射性基板の製造方法。 - 【請求項３】 上記粗面のＲｚＤが０．３〜５．０μｍ
で、凹凸ピッチＳｍが１〜１００μｍである請求項１に
記載の光反射性基板の製造方法。 - 【請求項４】 上記粗面の６０゜鏡面光沢値が１０〜７
０％である請求項１に記載の光反射性基板の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１による光反射性基板の光反射膜
上に平滑化層を介して透明電極が形成された電極基板を
一方の基板として備えていることを特徴とする液晶表示
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000230297A JP2002040399A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | 光反射性基板の製造方法および液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000230297A JP2002040399A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | 光反射性基板の製造方法および液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002040399A true JP2002040399A (ja) | 2002-02-06 |
Family
ID=18723276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000230297A Withdrawn JP2002040399A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | 光反射性基板の製造方法および液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002040399A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100848558B1 (ko) * | 2002-07-31 | 2008-07-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
-
2000
- 2000-07-31 JP JP2000230297A patent/JP2002040399A/ja not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|---|
| KR100848558B1 (ko) * | 2002-07-31 | 2008-07-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071002 |