JPH08331695A - 超音波センサの製造方法および超音波センサ - Google Patents
超音波センサの製造方法および超音波センサInfo
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- JPH08331695A JPH08331695A JP15985495A JP15985495A JPH08331695A JP H08331695 A JPH08331695 A JP H08331695A JP 15985495 A JP15985495 A JP 15985495A JP 15985495 A JP15985495 A JP 15985495A JP H08331695 A JPH08331695 A JP H08331695A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安価で、かつ特性の安定した超音波センサを
製造することができる製造方法および超音波センサを提
供する。 【構成】 アルミ平板３６の一方面に、半田付け性の良
い金属の薄膜２２を、スパッタリングにより形成する。
アルミ平板３６はプレス加工などにより、円錐形または
断面が台形で漏斗状などの形状に成形し、アルミコーン
１８とする、アルミコーン１８はその頂点部分におい
て、圧電振動子１６上に半田２０を用いて固着される。
あるいは、アルミ平板３４を、円錐形または断面が台形
で漏斗状などの形状に成形して、アルミコーン１８とす
る。アルミコーン１８の外面に、スパッタリングにより
薄膜２２を形成する。アルミコーン１８は、その頂点部
分において、圧電振動子１６上に半田２０を用いて固着
される。
製造することができる製造方法および超音波センサを提
供する。 【構成】 アルミ平板３６の一方面に、半田付け性の良
い金属の薄膜２２を、スパッタリングにより形成する。
アルミ平板３６はプレス加工などにより、円錐形または
断面が台形で漏斗状などの形状に成形し、アルミコーン
１８とする、アルミコーン１８はその頂点部分におい
て、圧電振動子１６上に半田２０を用いて固着される。
あるいは、アルミ平板３４を、円錐形または断面が台形
で漏斗状などの形状に成形して、アルミコーン１８とす
る。アルミコーン１８の外面に、スパッタリングにより
薄膜２２を形成する。アルミコーン１８は、その頂点部
分において、圧電振動子１６上に半田２０を用いて固着
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は超音波センサの製造方
法および超音波センサに関し、特にたとえば、障害物探
知や自動ドアなどに用いられる、超音波センサの製造方
法および超音波センサに関する。
法および超音波センサに関し、特にたとえば、障害物探
知や自動ドアなどに用いられる、超音波センサの製造方
法および超音波センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】この発明が適用され、かつ背景となる超
音波センサとして、実公昭６２ー８４２９８号のよう
な、圧電振動子上に、円錐形または断面が台形で漏斗状
のコーンを固着し、ケースに組み込んだ超音波センサが
知られている。
音波センサとして、実公昭６２ー８４２９８号のよう
な、圧電振動子上に、円錐形または断面が台形で漏斗状
のコーンを固着し、ケースに組み込んだ超音波センサが
知られている。
【０００３】従来、このような超音波センサを製造する
場合には、コーン材料に、アルミニウムまたはアルミ合
金を使用したアルミコーン１が多用されている。そし
て、図５に示すように、アルミコーン１は圧電振動子２
に半田３を用いて固着される。アルミコーン１が固着さ
れる部分は、圧電振動子２の振動の腹近傍にあたる。そ
のため圧電振動子２の振動を妨げないように、接合面積
は小さく、かつ接合強度が高いのが望ましい。しかし、
アルミ材は半田付け性が非常に悪い。そのため、アルミ
コーン１をそのまま半田付けしようとすると、接合面積
が大きくなり、接合強度も弱くなってしまう。そこで、
従来は半田付け性の良い金属をアルミコーン１にメッキ
することにより、アルミコーン１の表裏全面にメッキ薄
膜４を形成し、アルミコーン１の半田付け性を改善をし
ていた。
場合には、コーン材料に、アルミニウムまたはアルミ合
金を使用したアルミコーン１が多用されている。そし
て、図５に示すように、アルミコーン１は圧電振動子２
に半田３を用いて固着される。アルミコーン１が固着さ
れる部分は、圧電振動子２の振動の腹近傍にあたる。そ
のため圧電振動子２の振動を妨げないように、接合面積
は小さく、かつ接合強度が高いのが望ましい。しかし、
アルミ材は半田付け性が非常に悪い。そのため、アルミ
コーン１をそのまま半田付けしようとすると、接合面積
が大きくなり、接合強度も弱くなってしまう。そこで、
従来は半田付け性の良い金属をアルミコーン１にメッキ
することにより、アルミコーン１の表裏全面にメッキ薄
膜４を形成し、アルミコーン１の半田付け性を改善をし
ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、アルミ材表面
は、極めてち密で強固な酸化皮膜に覆われている。その
ために、メッキを施す従来の方法では、弱アルカリ洗
浄、酸処理、置換メッキなど、他の金属材料と違った処
理液や工程が必要である。このため、アルミコーンの製
造工程において、処理や工程が多くなり、アルミコーン
のコストが高価になる。
は、極めてち密で強固な酸化皮膜に覆われている。その
ために、メッキを施す従来の方法では、弱アルカリ洗
浄、酸処理、置換メッキなど、他の金属材料と違った処
理液や工程が必要である。このため、アルミコーンの製
造工程において、処理や工程が多くなり、アルミコーン
のコストが高価になる。
【０００５】また、メッキを施す従来の方法では、メッ
キの密着が酸化皮膜により阻害されやすいため、メッキ
膜厚が大きくばらつく。また、アルミコーン材料が熱処
理や冷間加工されたアルミ合金である場合では、含有金
属の偏析などにより、同一の製品においても薄膜の表面
性質が異なる。このような膜厚のバラツキや表面性質の
バラツキは、超音波センサの特性バラツキの原因とな
る。
キの密着が酸化皮膜により阻害されやすいため、メッキ
膜厚が大きくばらつく。また、アルミコーン材料が熱処
理や冷間加工されたアルミ合金である場合では、含有金
属の偏析などにより、同一の製品においても薄膜の表面
性質が異なる。このような膜厚のバラツキや表面性質の
バラツキは、超音波センサの特性バラツキの原因とな
る。
【０００６】さらに、メッキを施す従来の方法では、メ
ッキ薄膜形成後に、アルミコーンをプレス加工などによ
り成形を行ったときに、曲げ部分のメッキ薄膜にクラッ
クが発生する場合がある。そのため、半田付け時に半田
濡れが十分でなくなり、接合不良が発生する場合があ
る。それを予防するために、成形後メッキ処理を行う場
合、部品形状ごとにメッキ条件を設定しなければならな
いため、アルミコーンの製造工程が複雑になり、コスト
が高価になるという問題があった。
ッキ薄膜形成後に、アルミコーンをプレス加工などによ
り成形を行ったときに、曲げ部分のメッキ薄膜にクラッ
クが発生する場合がある。そのため、半田付け時に半田
濡れが十分でなくなり、接合不良が発生する場合があ
る。それを予防するために、成形後メッキ処理を行う場
合、部品形状ごとにメッキ条件を設定しなければならな
いため、アルミコーンの製造工程が複雑になり、コスト
が高価になるという問題があった。
【０００７】また、メッキを施す従来の方法では、アル
ミコーンの全面にメッキ薄膜が、形成されてしまうた
め、アルミコーンの軽量化が図れない。
ミコーンの全面にメッキ薄膜が、形成されてしまうた
め、アルミコーンの軽量化が図れない。
【０００８】それゆえに、この発明の主たる目的は、安
価で、かつ特性の安定した超音波センサを製造すること
ができる、超音波センサの製造方法および超音波センサ
の提供を目的とするものである。
価で、かつ特性の安定した超音波センサを製造すること
ができる、超音波センサの製造方法および超音波センサ
の提供を目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる超音波
センサの製造方法は、圧電振動子と、圧電振動子上に固
着されたアルミコーンを含む超音波センサの製造方法に
おいて、アルミコーンの外面に、半田付け性の良い金属
の薄膜を、スパッタリングにより形成する工程を含む、
超音波センサの製造方法である。
センサの製造方法は、圧電振動子と、圧電振動子上に固
着されたアルミコーンを含む超音波センサの製造方法に
おいて、アルミコーンの外面に、半田付け性の良い金属
の薄膜を、スパッタリングにより形成する工程を含む、
超音波センサの製造方法である。
【００１０】この発明にかかる他の超音波センサの製造
方法は、圧電振動子と、圧電振動子上に固着されたアル
ミコーンを含む超音波センサの製造方法において、アル
ミ平板を準備する工程と、アルミ平板をアルミコーンと
して成形する工程と、アルミコーンの外面に、半田付け
性の良い金属の薄膜を、スパッタリングにより形成する
工程とを含む、超音波センサの製造方法である。
方法は、圧電振動子と、圧電振動子上に固着されたアル
ミコーンを含む超音波センサの製造方法において、アル
ミ平板を準備する工程と、アルミ平板をアルミコーンと
して成形する工程と、アルミコーンの外面に、半田付け
性の良い金属の薄膜を、スパッタリングにより形成する
工程とを含む、超音波センサの製造方法である。
【００１１】この発明にかかる別の超音波センサの製造
方法は、圧電振動子と、圧電振動子上に固着されたアル
ミコーンを含む超音波センサの製造方法において、アル
ミ平板を準備する工程と、アルミ平板の一方面に、半田
付け性の良い金属の薄膜を、スパッタリングにより形成
する工程と、薄膜の形成されたアルミ平板をアルミコー
ンとして成形する工程とを含む、超音波センサの製造方
法である。
方法は、圧電振動子と、圧電振動子上に固着されたアル
ミコーンを含む超音波センサの製造方法において、アル
ミ平板を準備する工程と、アルミ平板の一方面に、半田
付け性の良い金属の薄膜を、スパッタリングにより形成
する工程と、薄膜の形成されたアルミ平板をアルミコー
ンとして成形する工程とを含む、超音波センサの製造方
法である。
【００１２】また、この発明にかかる超音波センサは、
圧電振動子と、圧電振動子上に固着されたアルミコーン
とを含む超音波センサであって、アルミコーンの圧電振
動子との固着面にのみ、半田付け性の良い金属の薄膜を
形成した超音波センサである。
圧電振動子と、圧電振動子上に固着されたアルミコーン
とを含む超音波センサであって、アルミコーンの圧電振
動子との固着面にのみ、半田付け性の良い金属の薄膜を
形成した超音波センサである。
【００１３】なお、この発明にかかる超音波センサの製
造方法において、薄膜は、銀またはモネルメタルから形
成されてもよい。
造方法において、薄膜は、銀またはモネルメタルから形
成されてもよい。
【００１４】
【作用】スパッタリングにより、アルミコーンの外面、
すなわち圧電振動子に対向する面に、半田付け性の良い
金属の薄膜が、均一な膜厚でち密に形成される。このア
ルミコーンは、この外面において、圧電振動子と半田付
けにより固着される。
すなわち圧電振動子に対向する面に、半田付け性の良い
金属の薄膜が、均一な膜厚でち密に形成される。このア
ルミコーンは、この外面において、圧電振動子と半田付
けにより固着される。
【００１５】
【発明の効果】この発明にかかる超音波センサの製造方
法では、メッキを施す従来の方法に比べて、特別な処理
液や工程が必要でなくなる。それにともなってアルミコ
ーンの製造工程を簡略化でき、コストを低減することが
できる。
法では、メッキを施す従来の方法に比べて、特別な処理
液や工程が必要でなくなる。それにともなってアルミコ
ーンの製造工程を簡略化でき、コストを低減することが
できる。
【００１６】また、この発明にかかる超音波センサの製
造方法では、メッキを施す従来の方法に比べて、薄膜が
ち密で膜厚が均一に形成される。それにともなって超音
波センサの特性のバラツキが少なくなる。
造方法では、メッキを施す従来の方法に比べて、薄膜が
ち密で膜厚が均一に形成される。それにともなって超音
波センサの特性のバラツキが少なくなる。
【００１７】そして、アルミコーンの外面にのみ、薄膜
を形成するので、アルミコーンを軽量化することがで
き、超音波センサの特性を向上させることができる。か
つ銀などの高価な材料の使用量を節約することができる
ため、アルミコーンのコストを削減することができる。
を形成するので、アルミコーンを軽量化することがで
き、超音波センサの特性を向上させることができる。か
つ銀などの高価な材料の使用量を節約することができる
ため、アルミコーンのコストを削減することができる。
【００１８】さらに、アルミコーンをプレス加工などに
より成形を行った後、スパッタリングにより薄膜を形成
することで、曲げ部分の薄膜にクラックが発生するのを
予防できる。それにともなって歩留りが向上する。
より成形を行った後、スパッタリングにより薄膜を形成
することで、曲げ部分の薄膜にクラックが発生するのを
予防できる。それにともなって歩留りが向上する。
【００１９】この発明の上述の目的、その他の目的、特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００２０】
【実施例】図１は、この発明が適用される超音波センサ
の一例を示す図解図であり、図２は、その要部図解図で
ある。この超音波センサ１０は、たとえば合成樹脂など
の絶縁材料からなるベース１２を含む。ベース１２上に
は、たとえばシリコンゴムからなる緩衝材１４を介し
て、圧電振動子１６が支持される。この圧電振動子１６
としては、金属板１６ａの下面に圧電素子１６ｂを張り
合わせたモノモルフ振動子が利用可能である。圧電振動
子１６の上面には、円錐形または断面が台形で漏斗状の
アルミコーン１８が、その頂点部分において、半田２０
を用いて固着される。アルミコーン１８の外面、すなわ
ち、圧電振動子１６と対向する面には、スパッタリング
により、薄膜２２が形成されている。そして、ベース１
２には、２つのピン端子２４および２６が形成される。
ピン端子２４および２６は、それぞれリード線２８およ
び３０によって、圧電振動子１６に形成された電極（図
示せず）に接続される。ベース１２の側端縁には、ケー
ス３２の下端が固着される。このケース３２はアルミコ
ーン１８の上方部分が開口され、アルミコーン１８およ
び圧電振動子１６の周囲を覆っている。ケース３２の開
口部にはスクリーン３４が形成される。
の一例を示す図解図であり、図２は、その要部図解図で
ある。この超音波センサ１０は、たとえば合成樹脂など
の絶縁材料からなるベース１２を含む。ベース１２上に
は、たとえばシリコンゴムからなる緩衝材１４を介し
て、圧電振動子１６が支持される。この圧電振動子１６
としては、金属板１６ａの下面に圧電素子１６ｂを張り
合わせたモノモルフ振動子が利用可能である。圧電振動
子１６の上面には、円錐形または断面が台形で漏斗状の
アルミコーン１８が、その頂点部分において、半田２０
を用いて固着される。アルミコーン１８の外面、すなわ
ち、圧電振動子１６と対向する面には、スパッタリング
により、薄膜２２が形成されている。そして、ベース１
２には、２つのピン端子２４および２６が形成される。
ピン端子２４および２６は、それぞれリード線２８およ
び３０によって、圧電振動子１６に形成された電極（図
示せず）に接続される。ベース１２の側端縁には、ケー
ス３２の下端が固着される。このケース３２はアルミコ
ーン１８の上方部分が開口され、アルミコーン１８およ
び圧電振動子１６の周囲を覆っている。ケース３２の開
口部にはスクリーン３４が形成される。
【００２１】この超音波センサ１０では、圧電素子１６
ｂに駆動信号を印加すれば、圧電振動子１６が屈曲振動
し、超音波を発生する。発生した超音波は、アルミコー
ン１８を介して、ケース３２の開口部から外部へ送波さ
れる。送波された超音波は、障害物などにより反射す
る。反射した超音波は、ケース３２の開口部から、アル
ミコーン１８を介して圧電振動子１６に戻る。そして、
圧電素子１６ｂは反射してきた超音波の音圧に応じた出
力電圧を発生する。したがって、この超音波センサ１０
は超音波の送波および検知をすることができる。
ｂに駆動信号を印加すれば、圧電振動子１６が屈曲振動
し、超音波を発生する。発生した超音波は、アルミコー
ン１８を介して、ケース３２の開口部から外部へ送波さ
れる。送波された超音波は、障害物などにより反射す
る。反射した超音波は、ケース３２の開口部から、アル
ミコーン１８を介して圧電振動子１６に戻る。そして、
圧電素子１６ｂは反射してきた超音波の音圧に応じた出
力電圧を発生する。したがって、この超音波センサ１０
は超音波の送波および検知をすることができる。
【００２２】図３は、この発明の一実施例を示す図解図
である。この実施例では、直流二極スパッタ方式を用い
て、アルミコーン１８になるべきアルミ平板４２に、た
とえば銀、モネルメタルなどからなる薄膜が形成され
る。直流二極スパッタ方式では、略密閉されたスパッタ
室３６が準備される。スパッタ室３６の上部には陰極３
８が設けられる。陰極３８は、薄膜の材料となるたとえ
ば銀、モネルメタルなどの半田付け性の良い金属から形
成される。そして、陽極４０が陰極３８に対向するよう
に、スパッタ室３６の下部に設けられる。陽極４０上に
はアルミ平板４２が取り付けられる。陰極３８と陽極４
０との間にはシャッタ４４が設けられている。このシャ
ッタ４４は、水平方向に回転可能であり、スパッタ粒子
より、アルミ平板４２を遮る時に用いられる。
である。この実施例では、直流二極スパッタ方式を用い
て、アルミコーン１８になるべきアルミ平板４２に、た
とえば銀、モネルメタルなどからなる薄膜が形成され
る。直流二極スパッタ方式では、略密閉されたスパッタ
室３６が準備される。スパッタ室３６の上部には陰極３
８が設けられる。陰極３８は、薄膜の材料となるたとえ
ば銀、モネルメタルなどの半田付け性の良い金属から形
成される。そして、陽極４０が陰極３８に対向するよう
に、スパッタ室３６の下部に設けられる。陽極４０上に
はアルミ平板４２が取り付けられる。陰極３８と陽極４
０との間にはシャッタ４４が設けられている。このシャ
ッタ４４は、水平方向に回転可能であり、スパッタ粒子
より、アルミ平板４２を遮る時に用いられる。
【００２３】スパッタ室３６は真空排気系（図示せず）
を用いてバルブ４６を通して、真空に排気される。次に
バルブ４８を通してアルゴンなどのガスが導入される。
陰極３８と陽極４０の間に直流電圧を印加すると、ガス
イオンの衝撃により、陰極３８からスパッタ粒子が発生
する。発生したスパッタ粒子は対向するアルミ平板４２
に衝突し、薄膜が形成される。
を用いてバルブ４６を通して、真空に排気される。次に
バルブ４８を通してアルゴンなどのガスが導入される。
陰極３８と陽極４０の間に直流電圧を印加すると、ガス
イオンの衝撃により、陰極３８からスパッタ粒子が発生
する。発生したスパッタ粒子は対向するアルミ平板４２
に衝突し、薄膜が形成される。
【００２４】薄膜形成後、アルミ平板４２はプレス加工
などにより、たとえば円錐形または断面が台形で漏斗状
などの形状に成形され、アルミコーン１８が形成され
る。この時、図２に示すように、薄膜形成面がアルミコ
ーン１８の外面、すなわち、圧電振動子１６の金属板１
６ａに対向する面に形成される。
などにより、たとえば円錐形または断面が台形で漏斗状
などの形状に成形され、アルミコーン１８が形成され
る。この時、図２に示すように、薄膜形成面がアルミコ
ーン１８の外面、すなわち、圧電振動子１６の金属板１
６ａに対向する面に形成される。
【００２５】そして、アルミコーン１８は、その頂点部
分において、圧電振動子１６上に半田２０を用いて固着
される。
分において、圧電振動子１６上に半田２０を用いて固着
される。
【００２６】この実施例によれば、メッキを施す従来に
方法に比べて、特別な処理液や工程が必要でなくなる。
それにともなってアルミコーン１８の製造工程が簡略化
され、コストを低減することができる。
方法に比べて、特別な処理液や工程が必要でなくなる。
それにともなってアルミコーン１８の製造工程が簡略化
され、コストを低減することができる。
【００２７】また、この実施例では、メッキを施す従来
の方法に比べて、薄膜がち密で膜厚が均一に形成され
る。それにともなって超音波センサの特性のバラツキが
少なくなり、歩留りが向上する。
の方法に比べて、薄膜がち密で膜厚が均一に形成され
る。それにともなって超音波センサの特性のバラツキが
少なくなり、歩留りが向上する。
【００２８】さらに、アルミコーン１８の外面のみに薄
膜を形成するので、アルミコーン１８が軽量となり、超
音波センサの特性が向上する。かつ、銀などの高価な材
料の使用量が少なくなるため、アルミコーン１８のコス
トを抑えることができる。
膜を形成するので、アルミコーン１８が軽量となり、超
音波センサの特性が向上する。かつ、銀などの高価な材
料の使用量が少なくなるため、アルミコーン１８のコス
トを抑えることができる。
【００２９】なお、上述の実施例では，薄膜に銀あるい
はモネルメタルが使用されているが、それに限らず、た
とえば金などの他の半田付け性の良い金属が使用されて
もよい。
はモネルメタルが使用されているが、それに限らず、た
とえば金などの他の半田付け性の良い金属が使用されて
もよい。
【００３０】また、上述の実施例では、アルミ平板４２
に薄膜を形成しているが、図４に示すように、この発明
ではアルミ平板４２をたとえば円錐形または断面が台形
で漏斗状などに成形してから薄膜を形成してもよい。こ
の時薄膜はアルミコーン１８の外面となる面に形成され
る。
に薄膜を形成しているが、図４に示すように、この発明
ではアルミ平板４２をたとえば円錐形または断面が台形
で漏斗状などに成形してから薄膜を形成してもよい。こ
の時薄膜はアルミコーン１８の外面となる面に形成され
る。
【００３１】この場合には、薄膜形成後にアルミコーン
１８を成形しないため、曲げ部分の薄膜にクラックが発
生することが予防することができる。そのため、半田付
け時に、半田の濡れが十分で、接合強度が弱くなること
がなくなる。そして超音波センサの歩留りが向上する。
１８を成形しないため、曲げ部分の薄膜にクラックが発
生することが予防することができる。そのため、半田付
け時に、半田の濡れが十分で、接合強度が弱くなること
がなくなる。そして超音波センサの歩留りが向上する。
【００３２】さらに、上述の実施例では直流二極スパッ
タ方式を用いているが、この発明ではプラズマスパッタ
方式、高周波スパッタ方式などの他のスパッタ方式が使
用されてもよい。
タ方式を用いているが、この発明ではプラズマスパッタ
方式、高周波スパッタ方式などの他のスパッタ方式が使
用されてもよい。
【図１】この発明が適用される超音波センサの一例を示
す図解図である。
す図解図である。
【図２】図１に示す超音波センサの要部図解図である。
【図３】この発明の一実施例におけるアルミ平板４２に
半田付け性の良い金属の薄膜を形成する工程を示す概略
図である。
半田付け性の良い金属の薄膜を形成する工程を示す概略
図である。
【図４】この発明の他の実施例におけるアルミコーン１
８に半田付け性の良い金属の薄膜を形成する工程を示す
概略図である。
８に半田付け性の良い金属の薄膜を形成する工程を示す
概略図である。
【図５】この発明の背景となる超音波センサの要部図解
図である。
図である。
１０ 超音波センサ １２ ベース １４ 緩衝材 １６ 圧電振動子 １６ａ 金属板 １６ｂ 圧電素子 １８ アルミコーン ２０ 半田 ２２ 薄膜 ２４，２６ ピン端子 ２８，３０ リード線 ３２ ケース ３４ スクリーン ３６ スパッタ室 ３８ 陰極 ４０ 陽極 ４２ アルミ平板 ４４ シャッタ ４６，４８ バルブ
Claims (5)
- 【請求項１】 圧電振動子、および前記圧電振動子上に
固着されたアルミコーンを含む超音波センサの製造方法
において、 前記アルミコーンの外面に、半田付け性の良い金属の薄
膜を、スパッタリングにより形成する工程を含む、超音
波センサの製造方法。 - 【請求項２】 圧電振動子、および前記圧電振動子上に
固着されたアルミコーンを含む超音波センサの製造方法
において、 アルミ平板を準備する工程、 前記アルミ平板をアルミコーンとして成形する工程、お
よび前記アルミコーンの外面に、半田付け性の良い金属
の薄膜を、スパッタリングにより形成する工程を含む、
超音波センサの製造方法。 - 【請求項３】 圧電振動子、および前記圧電振動子上に
固着されたアルミコーンを含む超音波センサの製造方法
において、 アルミ平板を準備する工程、 前記アルミ平板の一方面に、半田付け性の良い金属の薄
膜を、スパッタリングにより形成する工程、および、 前記薄膜の形成された前記アルミ平板をアルミコーンと
して成形する工程を含む、超音波センサの製造方法。 - 【請求項４】 前記薄膜は、銀またはモネルメタルから
なる、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の、超
音波センサの製造方法。 - 【請求項５】 圧電振動子、および前記圧電振動子上に
固着されたアルミコーンを含む超音波センサであって、 前記アルミコーンの前記圧電振動子との固着面にのみ、
半田付け性の良い金属の薄膜を形成した超音波センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15985495A JPH08331695A (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 超音波センサの製造方法および超音波センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15985495A JPH08331695A (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 超音波センサの製造方法および超音波センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08331695A true JPH08331695A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15702687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15985495A Pending JPH08331695A (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 超音波センサの製造方法および超音波センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08331695A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10258053A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 生体用音響センサ |
| EP0874351A2 (en) * | 1997-04-21 | 1998-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ultrasonic transmitter-receiver |
| KR100442646B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2004-08-02 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 분할형 초음파센서의 접합방법 |
| CN101782378A (zh) * | 2010-02-11 | 2010-07-21 | 浙江金利电子有限公司 | 微型超声波传感器 |
-
1995
- 1995-06-01 JP JP15985495A patent/JPH08331695A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10258053A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 生体用音響センサ |
| EP0874351A2 (en) * | 1997-04-21 | 1998-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ultrasonic transmitter-receiver |
| EP0874351A3 (en) * | 1997-04-21 | 2000-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ultrasonic transmitter-receiver |
| KR100442646B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2004-08-02 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 분할형 초음파센서의 접합방법 |
| CN101782378A (zh) * | 2010-02-11 | 2010-07-21 | 浙江金利电子有限公司 | 微型超声波传感器 |
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