JPH08330190A - チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH08330190A JPH08330190A JP13457795A JP13457795A JPH08330190A JP H08330190 A JPH08330190 A JP H08330190A JP 13457795 A JP13457795 A JP 13457795A JP 13457795 A JP13457795 A JP 13457795A JP H08330190 A JPH08330190 A JP H08330190A
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- Japan
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- complex salt
- capacitor element
- tcnq complex
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 等価直列抵抗が小さく、チップ部品として要
求される耐熱性にも優れたチップ型体電解コンデンサを
提供する。 【構成】 陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙を介して巻
回したコンデンサ素子に融解液化可能なＴＣＮＱ錯塩を
含浸させて冷却固化し、有底筒状のケース内に収納した
表面実装用のチップ型固体電解コンデンサにおいて、前
記ＴＣＮＱ錯塩として融点が２３０℃以下のものを用
い、前記ＴＣＮＱ錯塩を含浸したコンデンサ素子の外周
面と前記ケースの内周面との間に中空部を設け、前記ケ
ースの開口端部をゴム製の封口部材にて密封する。
求される耐熱性にも優れたチップ型体電解コンデンサを
提供する。 【構成】 陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙を介して巻
回したコンデンサ素子に融解液化可能なＴＣＮＱ錯塩を
含浸させて冷却固化し、有底筒状のケース内に収納した
表面実装用のチップ型固体電解コンデンサにおいて、前
記ＴＣＮＱ錯塩として融点が２３０℃以下のものを用
い、前記ＴＣＮＱ錯塩を含浸したコンデンサ素子の外周
面と前記ケースの内周面との間に中空部を設け、前記ケ
ースの開口端部をゴム製の封口部材にて密封する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機半導体の一種であ
るＴＣＮＱ錯塩を電解質として用いた固体電解コンデン
サで、電子機器のプリント基板等に表面実装されるチッ
プ型の固体電解コンデンサに関するものである。
るＴＣＮＱ錯塩を電解質として用いた固体電解コンデン
サで、電子機器のプリント基板等に表面実装されるチッ
プ型の固体電解コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＴＣＮＱ錯塩を電解質として用いた固体
電解コンデンサは、特公平３−７６５７３号公報等に開
示されている。
電解コンデンサは、特公平３−７６５７３号公報等に開
示されている。
【０００３】Ｎ位をアルキル基で置換したイソキノリン
とのＴＣＮＱ錯塩、特にＮ−ｎ−ブチル・イソキノリニ
ウム・ＴＣＮＱ2 を電解質として用いた固体電解コンデ
ンサは、寿命、温度特性に加え、特に優れた高周波特性
を有するため、スイッチング電源等に広く採用されてい
る。
とのＴＣＮＱ錯塩、特にＮ−ｎ−ブチル・イソキノリニ
ウム・ＴＣＮＱ2 を電解質として用いた固体電解コンデ
ンサは、寿命、温度特性に加え、特に優れた高周波特性
を有するため、スイッチング電源等に広く採用されてい
る。
【０００４】近年、電子機器の小型化の必要性から、こ
の種のコンデンサにも表面実装部品（チップ部品）とし
ての対応が求められている。
の種のコンデンサにも表面実装部品（チップ部品）とし
ての対応が求められている。
【０００５】しかしながら、従来のこの種のコンデンサ
は、融点が２３０℃以下のＴＣＮＱ錯塩を電解質として
用い、外装ケースの開口端部をエポキシ樹脂にて封口し
たものであったため、チップ部品として不可避のハンダ
付け時の熱ストレス（約２３０℃）が加わると前記ＴＣ
ＮＱ錯塩が融解し、該ＴＣＮＱ錯塩が封口樹脂とケ−ス
との隙間や封口樹脂とリ−ド線との隙間からしみ出すと
いう問題が発生する。
は、融点が２３０℃以下のＴＣＮＱ錯塩を電解質として
用い、外装ケースの開口端部をエポキシ樹脂にて封口し
たものであったため、チップ部品として不可避のハンダ
付け時の熱ストレス（約２３０℃）が加わると前記ＴＣ
ＮＱ錯塩が融解し、該ＴＣＮＱ錯塩が封口樹脂とケ−ス
との隙間や封口樹脂とリ−ド線との隙間からしみ出すと
いう問題が発生する。
【０００６】この問題に対して、特開平２−２７５６１
２号公報には、２３０℃以上の融点を有し、カチオンの
異なる２種以上のＴＣＮＱ錯塩を混合したものを電解質
として用いた固体電解コンデンサが開示されているが、
該混合ＴＣＮＱ錯塩は先に述べた融点２３０℃以下のＴ
ＣＮＱ錯塩に比べて電導度が低く、固体電解コンデンサ
としての等価直列抵抗の増大を招くという点で、十分に
満足できるものではなかった。
２号公報には、２３０℃以上の融点を有し、カチオンの
異なる２種以上のＴＣＮＱ錯塩を混合したものを電解質
として用いた固体電解コンデンサが開示されているが、
該混合ＴＣＮＱ錯塩は先に述べた融点２３０℃以下のＴ
ＣＮＱ錯塩に比べて電導度が低く、固体電解コンデンサ
としての等価直列抵抗の増大を招くという点で、十分に
満足できるものではなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、等価直列抵
抗が小さく、表面実装用として要求される耐熱性にも優
れたチップ型固体電解コンデンサの構成及びその製造方
法を明らかにするものである。
抗が小さく、表面実装用として要求される耐熱性にも優
れたチップ型固体電解コンデンサの構成及びその製造方
法を明らかにするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によるチップ型固
体電解コンデンサは、陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙
を介して巻回したコンデンサ素子に融解液化可能なＴＣ
ＮＱ錯塩を含浸させて冷却固化し、有底筒状のケース内
に収納した表面実装用のチップ型固体電解コンデンサに
おいて、前記ＴＣＮＱ錯塩として融点が２３０℃以下の
ものを用い、前記ＴＣＮＱ錯塩を含浸したコンデンサ素
子の外側面と前記ケースの内側面との間に中空部を設
け、前記ケースの開口端部をゴム製の封口部材にて密封
したことを特徴とするものである。
体電解コンデンサは、陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙
を介して巻回したコンデンサ素子に融解液化可能なＴＣ
ＮＱ錯塩を含浸させて冷却固化し、有底筒状のケース内
に収納した表面実装用のチップ型固体電解コンデンサに
おいて、前記ＴＣＮＱ錯塩として融点が２３０℃以下の
ものを用い、前記ＴＣＮＱ錯塩を含浸したコンデンサ素
子の外側面と前記ケースの内側面との間に中空部を設
け、前記ケースの開口端部をゴム製の封口部材にて密封
したことを特徴とするものである。
【０００９】また、本発明によるチップ型固体電解コン
デンサの製造方法は、第１のケース内で融解液化させた
ＴＣＮＱ錯塩中に陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙を介
して巻回したコンデンサ素子を挿入浸漬することにより
前記ＴＣＮＱ錯塩を前記コンデンサ素子の内部に含浸さ
せる工程と、前記コンデンサ素子を前記第１のケ−スか
ら引き抜くとともに該コンデンサ素子内部に含浸した前
記ＴＣＮＱ錯塩を冷却固化させる工程と、前記コンデン
サ素子を有底筒状の第２のケース内に収納し、該第２の
ケースの開口端部をゴム製の封口部材にて密封する工程
とを備えることを特徴とするものである。
デンサの製造方法は、第１のケース内で融解液化させた
ＴＣＮＱ錯塩中に陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙を介
して巻回したコンデンサ素子を挿入浸漬することにより
前記ＴＣＮＱ錯塩を前記コンデンサ素子の内部に含浸さ
せる工程と、前記コンデンサ素子を前記第１のケ−スか
ら引き抜くとともに該コンデンサ素子内部に含浸した前
記ＴＣＮＱ錯塩を冷却固化させる工程と、前記コンデン
サ素子を有底筒状の第２のケース内に収納し、該第２の
ケースの開口端部をゴム製の封口部材にて密封する工程
とを備えることを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】上記本発明の構成によれば、ハンダ付け時の熱
ストレスによりＴＣＮＱ錯塩が融解あるいは体積膨張し
ても、コンデンサ素子とケースとの間に中空の緩衝部が
設けられているので、ＴＣＮＱ錯塩が封口部からしみ出
したり、コンデンサ素子の内部に無理な圧力が加わった
りすことがない。なお、融点が２３０℃以下のＴＣＮＱ
錯塩の電解質としての特性は、ハンダ付け時の熱ストレ
スにより再融解、再固化しても、ほとんど劣化しない。
ストレスによりＴＣＮＱ錯塩が融解あるいは体積膨張し
ても、コンデンサ素子とケースとの間に中空の緩衝部が
設けられているので、ＴＣＮＱ錯塩が封口部からしみ出
したり、コンデンサ素子の内部に無理な圧力が加わった
りすことがない。なお、融点が２３０℃以下のＴＣＮＱ
錯塩の電解質としての特性は、ハンダ付け時の熱ストレ
スにより再融解、再固化しても、ほとんど劣化しない。
【００１１】また、上記本発明の製造方法によれば、Ｔ
ＣＮＱ錯塩を含浸したコンデンサ素子を含浸工程で用い
たケースとは別のケースに収納して完成品とするので、
コンデンサ素子の外側面とケースの内側面との間に中空
部を設けることが可能となり、完成品用ケースの開口端
部におけるコンデンサ素子のリード端子の位置を規制し
ながら該開口端部をゴム製の封口部材にて密封すること
も可能となる。
ＣＮＱ錯塩を含浸したコンデンサ素子を含浸工程で用い
たケースとは別のケースに収納して完成品とするので、
コンデンサ素子の外側面とケースの内側面との間に中空
部を設けることが可能となり、完成品用ケースの開口端
部におけるコンデンサ素子のリード端子の位置を規制し
ながら該開口端部をゴム製の封口部材にて密封すること
も可能となる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１３】本発明実施例によるチップ型固体電解コン
デンサの主要部は、図１にその断面を示すように、融点
が約２３０℃以下のＴＣＮＱ錯塩を含浸させたコンデン
サ素子７を有底筒状のアルミニウム製ケース９２内に収
納し、その開口部をゴム製の封口部材１０にて密封した
ものであり、コンデンサ素子７の外側面とケース９２の
内側面との間には中空部１１が設けられている。
デンサの主要部は、図１にその断面を示すように、融点
が約２３０℃以下のＴＣＮＱ錯塩を含浸させたコンデン
サ素子７を有底筒状のアルミニウム製ケース９２内に収
納し、その開口部をゴム製の封口部材１０にて密封した
ものであり、コンデンサ素子７の外側面とケース９２の
内側面との間には中空部１１が設けられている。
【００１４】上記本発明実施例によるチップ型固体電解
コンデンサは、以下のような工程を経て製造される。
コンデンサは、以下のような工程を経て製造される。
【００１５】すなわち、まず、図２に示すように陽極用
エッチドアルミニウム箔１の表面に化成処理を施して誘
電体皮膜を形成し、該陽極箔１を陰極箔２及びセパレ−
タ紙３とともに巻回してコンデンサ素子７を形成する。
なお、図２において４は巻き止めテープ、５１、５２は
陽極及び陰極のリード端子、６１、６２はリードボスで
ある。
エッチドアルミニウム箔１の表面に化成処理を施して誘
電体皮膜を形成し、該陽極箔１を陰極箔２及びセパレ−
タ紙３とともに巻回してコンデンサ素子７を形成する。
なお、図２において４は巻き止めテープ、５１、５２は
陽極及び陰極のリード端子、６１、６２はリードボスで
ある。
【００１６】一方で、Ｎ−ｎ−ブチル・イソキノリニウ
ム・ＴＣＮＱ2 、あるいはＮ−ｎ−アミル・イソキノリ
ニウム・ＴＣＮＱ2 、あるいはＮ−ｉｓｏ−アミル・イ
ソキノリニウム・ＴＣＮＱ2 等、融点が２３０℃以下の
ＴＣＮＱ錯塩の粉末を有底筒状の第１のアルミニウム製
ケ−ス内に適量詰め、これを約３００℃の熱盤上に載置
して加熱し、前記ＴＣＮＱ錯塩を融解液化させる。
ム・ＴＣＮＱ2 、あるいはＮ−ｎ−アミル・イソキノリ
ニウム・ＴＣＮＱ2 、あるいはＮ−ｉｓｏ−アミル・イ
ソキノリニウム・ＴＣＮＱ2 等、融点が２３０℃以下の
ＴＣＮＱ錯塩の粉末を有底筒状の第１のアルミニウム製
ケ−ス内に適量詰め、これを約３００℃の熱盤上に載置
して加熱し、前記ＴＣＮＱ錯塩を融解液化させる。
【００１７】そして、図３に示すように前記コンデンサ
素子７を前記第１のアルミニウムケ−ス９１の開口部か
ら挿入して融解液化したＴＣＮＱ錯塩８中に浸漬し、コ
ンデンサ素子の内部に電解質としてのＴＣＮＱ錯塩を含
浸させた後、直ちに引き抜き、コンデンサ素子内部に含
浸したＴＣＮＱ錯塩を冷却固化させる。
素子７を前記第１のアルミニウムケ−ス９１の開口部か
ら挿入して融解液化したＴＣＮＱ錯塩８中に浸漬し、コ
ンデンサ素子の内部に電解質としてのＴＣＮＱ錯塩を含
浸させた後、直ちに引き抜き、コンデンサ素子内部に含
浸したＴＣＮＱ錯塩を冷却固化させる。
【００１８】次に、図１に示すように前記コンデンサ素
子７を有底筒状の第２のアルミニウム製ケース９２内に
収納し、コンデンサ素子のリード端子５１、５２の根元
部分のリードボス部６１、６２にゴム製の封口部材１０
を装着するとともに該封口部材を前記第２のケース９２
の開口端部に挿入し、該ケースの開口端部付近の側面を
カールして前記封口部材を締め付け、該ケースの開口端
部を密封する。
子７を有底筒状の第２のアルミニウム製ケース９２内に
収納し、コンデンサ素子のリード端子５１、５２の根元
部分のリードボス部６１、６２にゴム製の封口部材１０
を装着するとともに該封口部材を前記第２のケース９２
の開口端部に挿入し、該ケースの開口端部付近の側面を
カールして前記封口部材を締め付け、該ケースの開口端
部を密封する。
【００１９】前記封口部材としては、外部からの機械的
ストレスが素子に加わりにくくするため、高硬度のゴム
を使用することが望ましい。上記実施例では硬度８４
（ＪＩＳ−Ｋ６３０１）のブチルゴムを使用した。
ストレスが素子に加わりにくくするため、高硬度のゴム
を使用することが望ましい。上記実施例では硬度８４
（ＪＩＳ−Ｋ６３０１）のブチルゴムを使用した。
【００２０】その後、該コンデンサ（定格電圧１０Ｖ、
定格容量４．７μＦ）の定格電圧に近い１０〜１３Ｖの
直流電圧を印加しながら約１２０℃で１時間のエ−ジン
グを行い、さらに、表面実装用のチップ部品とするた
め、図４に示すように前記リ−ド端子５１、５２をプラ
スチック製の台座１２の孔に挿入、貫通、折り曲げて、
コンデンサ本体を台座に固定する。
定格容量４．７μＦ）の定格電圧に近い１０〜１３Ｖの
直流電圧を印加しながら約１２０℃で１時間のエ−ジン
グを行い、さらに、表面実装用のチップ部品とするた
め、図４に示すように前記リ−ド端子５１、５２をプラ
スチック製の台座１２の孔に挿入、貫通、折り曲げて、
コンデンサ本体を台座に固定する。
【００２１】なお、ＴＣＮＱ錯塩を電解質として用いた
固体電解コンデンサの従来製法においては、アルミニウ
ム製ケース内で融解液化させたＴＣＮＱ錯塩中にコンデ
ンサ素子を浸漬してＴＣＮＱ錯塩を含浸させた後、該ケ
ース全体を冷却してＴＣＮＱ錯塩を固化していたため、
ＴＣＮＱ錯塩の固化と同時にコンデンサ素子がケース内
に固定され、ケースの内径とコンデンサ素子の外径との
差が大きい場合には、ケース内でのコンデンサ素子の位
置ズレに伴うケース開口端部でのコンデンサ素子のリー
ド端子の位置ズレが起こりやすく、ゴム製の封口部材を
ケースの開口端部に挿入しながら該封口部材に予め形成
しておいた貫通孔にリード端子を通すことは困難であっ
たが、上記本発明の製法によれば、この問題も解決され
る。
固体電解コンデンサの従来製法においては、アルミニウ
ム製ケース内で融解液化させたＴＣＮＱ錯塩中にコンデ
ンサ素子を浸漬してＴＣＮＱ錯塩を含浸させた後、該ケ
ース全体を冷却してＴＣＮＱ錯塩を固化していたため、
ＴＣＮＱ錯塩の固化と同時にコンデンサ素子がケース内
に固定され、ケースの内径とコンデンサ素子の外径との
差が大きい場合には、ケース内でのコンデンサ素子の位
置ズレに伴うケース開口端部でのコンデンサ素子のリー
ド端子の位置ズレが起こりやすく、ゴム製の封口部材を
ケースの開口端部に挿入しながら該封口部材に予め形成
しておいた貫通孔にリード端子を通すことは困難であっ
たが、上記本発明の製法によれば、この問題も解決され
る。
【００２２】ここで、下記表１に示す５種類のチップ型
固体電解コンデンサ、すなわち、電解質として融点約２
１５℃のＮ−ｎ−ブチル・イソキノリニウム・ＴＣＮＱ
2 を用いるとともに封口材としてブチルゴムを用いた実
施例１、電解質として同じくＮ−ｎ−ブチル・イソキノ
リニウム・ＴＣＮＱ2 を用いるとともに封口材としては
エポキシ樹脂を用いた比較例１、電解質としてＮ，Ｎ’
−ペンタメチレン・（３，５ルチジン）2 ・（ＴＣＮ
Ｑ）4 とＮ−フェネチル・３，５ルチジン・（ＴＣＮ
Ｑ）2 とを２：１の割合で混合した融点約２５０℃の混
合ＴＣＮＱ錯塩を用いるとともに封口材としてエポキシ
樹脂を用いた比較例２、電解質として融点約２１５℃の
Ｎ−ｎ−アミル・イソキノリニウム・ＴＣＮＱ2 を用い
るとともに封口材としてブチルゴムを用いた実施例２、
電解質として融点約２２０℃のＮ−ｉｓｏ−アミル・イ
ソキノリニウム・ＴＣＮＱ2 を用いるとともに封口材と
してブチルゴムを用いた実施例３について、表面実装部
品としてのハンダ付け時の熱ストレスを想定したリフロ
−試験（ＶＰＳ：Vapor Phase Soldering 装置にて、蒸
気温度２３０℃中に３０秒保持）を行い、該試験の前後
に測定した静電容量：Ｃ、損失角の正接：ｔａｎδ、等
価直列抵抗：ＥＳＲの値を表２に示す。なお、表２に示
した値は試料数各１０個についての平均値であり、Ｃ及
びｔａｎδは１２０Ｈｚ、ＥＳＲは１００ｋＨｚにて測
定したものであり、ΔＣ／Ｃは静電容量変化率を示して
いる。
固体電解コンデンサ、すなわち、電解質として融点約２
１５℃のＮ−ｎ−ブチル・イソキノリニウム・ＴＣＮＱ
2 を用いるとともに封口材としてブチルゴムを用いた実
施例１、電解質として同じくＮ−ｎ−ブチル・イソキノ
リニウム・ＴＣＮＱ2 を用いるとともに封口材としては
エポキシ樹脂を用いた比較例１、電解質としてＮ，Ｎ’
−ペンタメチレン・（３，５ルチジン）2 ・（ＴＣＮ
Ｑ）4 とＮ−フェネチル・３，５ルチジン・（ＴＣＮ
Ｑ）2 とを２：１の割合で混合した融点約２５０℃の混
合ＴＣＮＱ錯塩を用いるとともに封口材としてエポキシ
樹脂を用いた比較例２、電解質として融点約２１５℃の
Ｎ−ｎ−アミル・イソキノリニウム・ＴＣＮＱ2 を用い
るとともに封口材としてブチルゴムを用いた実施例２、
電解質として融点約２２０℃のＮ−ｉｓｏ−アミル・イ
ソキノリニウム・ＴＣＮＱ2 を用いるとともに封口材と
してブチルゴムを用いた実施例３について、表面実装部
品としてのハンダ付け時の熱ストレスを想定したリフロ
−試験（ＶＰＳ：Vapor Phase Soldering 装置にて、蒸
気温度２３０℃中に３０秒保持）を行い、該試験の前後
に測定した静電容量：Ｃ、損失角の正接：ｔａｎδ、等
価直列抵抗：ＥＳＲの値を表２に示す。なお、表２に示
した値は試料数各１０個についての平均値であり、Ｃ及
びｔａｎδは１２０Ｈｚ、ＥＳＲは１００ｋＨｚにて測
定したものであり、ΔＣ／Ｃは静電容量変化率を示して
いる。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表２】
【００２５】表１と表２を対照すればわかるように、融
点が２３０℃以下のＴＣＮＱ錯塩を用いた固体電解コン
デンサで樹脂封口の比較例１においては、リフロー試験
によってＴＣＮＱ錯塩のしみ出し不良が発生するのに対
して、同じく融点が２３０℃以下のＴＣＮＱ錯塩を用い
た固体電解コンデンサでもゴム封口の実施例１、２、３
においては、そのような不良が発生しない。また、融点
が２３０℃以下のＴＣＮＱ錯塩を用いた実施例１、２、
３においては、融点が２３０℃以上のＴＣＮＱ錯塩を用
いた比較例２に比べて、リフロー試験前後のいずれにお
いてもＥＳＲやｔａｎδが小さく、該試験による静電容
量の変化も小さい。
点が２３０℃以下のＴＣＮＱ錯塩を用いた固体電解コン
デンサで樹脂封口の比較例１においては、リフロー試験
によってＴＣＮＱ錯塩のしみ出し不良が発生するのに対
して、同じく融点が２３０℃以下のＴＣＮＱ錯塩を用い
た固体電解コンデンサでもゴム封口の実施例１、２、３
においては、そのような不良が発生しない。また、融点
が２３０℃以下のＴＣＮＱ錯塩を用いた実施例１、２、
３においては、融点が２３０℃以上のＴＣＮＱ錯塩を用
いた比較例２に比べて、リフロー試験前後のいずれにお
いてもＥＳＲやｔａｎδが小さく、該試験による静電容
量の変化も小さい。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
等価直列抵抗が小さくて高周波特性に優れ、チップ部品
として要求される耐熱性にも優れたチップ型固体電解コ
ンデンサが提供される。
等価直列抵抗が小さくて高周波特性に優れ、チップ部品
として要求される耐熱性にも優れたチップ型固体電解コ
ンデンサが提供される。
【００２７】また、本発明によれば、コンデンサケース
の樹脂封口を前提とした従来のチップ型固体電解コンデ
ンサの製造方法に比べて、製造工数が著しく低減され
る。
の樹脂封口を前提とした従来のチップ型固体電解コンデ
ンサの製造方法に比べて、製造工数が著しく低減され
る。
【図１】本発明実施例によるチップ型固体電解コンデン
サの主要部の断面図である。
サの主要部の断面図である。
【図２】本発明実施例に用いられるコンデンサ素子の分
解斜視図である。
解斜視図である。
【図３】本発明実施例によるチップ型固体電解コンデン
サの製造方法におけるＴＣＮＱ錯塩含浸工程を説明する
ための断面図である。
サの製造方法におけるＴＣＮＱ錯塩含浸工程を説明する
ための断面図である。
【図４】本発明実施例によるチップ型固体電解コンデン
サの側面図である。
サの側面図である。
７ コンデンサ素子 ９１ 第１のケース（含浸工程用ケース） ９２ 第２のケース（完成品用ケース） １０ ゴム製の封口部材 １１ 中空部
Claims (3)
- 【請求項１】 陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙を介し
て巻回したコンデンサ素子に融解液化可能なＴＣＮＱ錯
塩を含浸させて冷却固化し、有底筒状のケース内に収納
した表面実装用のチップ型固体電解コンデンサにおい
て、 前記ＴＣＮＱ錯塩として融点が２３０℃以下のものを用
い、 前記ＴＣＮＱ錯塩を含浸したコンデンサ素子の外側面と
前記ケースの内側面との間に中空部を設け、 前記ケースの開口端部をゴム製の封口部材にて密封した
ことを特徴とするチップ型固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】 前記ＴＣＮＱ錯塩が、Ｎ位をｎ−ブチ
ル、ｎ−アミルまたはｉｓｏ−アミルにて置換したイソ
キノリンとのＴＣＮＱ錯塩であることを特徴とする請求
項１記載のチップ型固体電解コンデンサ。 - 【請求項３】 第１のケース内で融解液化させたＴＣＮ
Ｑ錯塩中に陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙を介して巻
回したコンデンサ素子を挿入浸漬することにより、前記
ＴＣＮＱ錯塩を前記コンデンサ素子の内部に含浸させる
工程と、 前記コンデンサ素子を前記第１のケ−スから引き抜くと
ともに該コンデンサ素子内部に含浸したＴＣＮＱ錯塩を
冷却固化させる工程と、 前記コンデンサ素子を有底筒状の第２のケース内に収納
し、該第２のケースの開口端部をゴム製の封口部材にて
密封する工程とを備えることを特徴とするチップ型固体
電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13457795A JPH08330190A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US08/562,063 US5766271A (en) | 1994-11-24 | 1995-11-22 | Process for producing solid electrolyte capacitor |
| DE69508889T DE69508889T2 (de) | 1994-11-24 | 1995-11-23 | Festelektrolytkondensator und Herstellungsverfahren |
| EP95118486A EP0714109B1 (en) | 1994-11-24 | 1995-11-23 | Solid electrolyte capacitor and process for producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13457795A JPH08330190A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330190A true JPH08330190A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15131615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13457795A Pending JPH08330190A (ja) | 1994-11-24 | 1995-05-31 | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08330190A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008141079A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Saga Sanyo Industries Co Ltd | 電解コンデンサ |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP13457795A patent/JPH08330190A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008141079A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Saga Sanyo Industries Co Ltd | 電解コンデンサ |
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