JPH08328940A - メモリ制御装置 - Google Patents

メモリ制御装置

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JPH08328940A
JPH08328940A JP7135447A JP13544795A JPH08328940A JP H08328940 A JPH08328940 A JP H08328940A JP 7135447 A JP7135447 A JP 7135447A JP 13544795 A JP13544795 A JP 13544795A JP H08328940 A JPH08328940 A JP H08328940A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
control circuit
initialization
power supply
address
Prior art date
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Pending
Application number
JP7135447A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Kanbe
淳一 神戸
Satoru Nagao
哲 長尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH08328940A publication Critical patent/JPH08328940A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 システムの立ち上げ直後にメモリの初期化を
行うことができるメモリ制御装置を得ることを目的とす
る。 【構成】 システム電源電圧監視回路12はシステム電
源13の電源電圧値を検出し、閾値を超えたことを確認
した場合には、検出信号を出力し、この検出信号を受信
したフリップフロップ14は電源投入フラグをセットす
る。ここで、電源投入フラグがセットされている場合に
は、メモリ初期化制御回路15はメモリアクセス制御回
路16にアドレスイニシャライズ指示を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、メモリのアクセスを制
御するメモリ制御装置に関するものであり、特にECC
回路やパリティチェック回路を用いてメモリアクセス時
にデータチェックを行うメモリ制御装置の初期化に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】図10は例えば特開平1ー266642
号公報に示された従来のメモリ制御装置の構成図であ
り、図において1はバス制御回路、2はメモリ初期化制
御回路、3はアドレスカウンタ、4はデータ切替回路、
5はメモリアクセス制御回路、6はメモリである。
【0003】次に、動作について説明する。まず、シス
テムに電源が投入され、メモリ初期化制御回路2はバス
制御回路1を介してCPU(図示なし)からの初期化開
始指示を受け取る。指示を受けたメモリ初期化制御回路
2は初期化データを生成しデータ切替回路4に出力す
る。また、CPUはアドレスカウンタ3を操作しデータ
切替回路4にアドレスを送るとともに、データ切替回路
4を制御することによってメモリアクセス制御回路5に
初期化データと初期化するアドレスと制御信号を出力す
る。そして、これらのデータ、アドレス、および制御信
号を受け取ったメモリアクセス制御回路5はメモリ6の
初期化を行う。
【0004】このとき、初期化されるメモリ6のメモリ
空間は、アドレスカウンタ3がカウンタとして備えてい
るビット数に応じたものであり、アドレスカウンタ3に
より順次インクリメントされる。そして、上記アドレス
空間の初期化が終了するとメモリ初期化制御回路2は終
了通知をバス制御回路1を介してCPUに通知する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来のメモリ制御装置
は以上のように構成されているので、メモリ6の初期化
はシステムの立ち上げ後、CPUの初期化が終了した後
にCPUの指示によりメモリ初期化制御回路2を介して
行われていたので、メモリ6の初期化はCPUの初期化
に必要な時間だけ遅延するなどの問題点があった。
【0006】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、システムの立ち上げ直後にメモ
リの初期化を行うことができるメモリ制御装置を得るこ
とを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係るメ
モリ制御装置では、システム電源電圧監視回路によりシ
ステム電源の電圧値を監視し、この電圧値が零から立ち
上がり設定された閾値に達したときに検出信号を出力
し、この検出信号を受信したメモリ初期化制御回路はメ
モリアクセス制御回路にアドレスイニシャライズ指示
し、指示を受けたメモリ初期化制御回路によりメモリを
初期化させるようにしたものである。
【0008】請求項2の発明に係るメモリ制御装置で
は、バックアップ電源電圧監視回路によりバックアップ
電源付きメモリの電圧値が設定された閾値より低下した
ときに検出信号を出力させ、メモリ初期化制御回路によ
りシステム電源電圧監視回路からの検出信号を受信する
とともに、バックアップ電源電圧監視回路からの検出信
号を受信したときに、アドレスイニシャライズ指示を出
力させるようにしたものである。
【0009】
【作用】請求項1の発明におけるメモリ制御装置は、シ
ステム電源の電圧値を監視し、この電圧値が零から立ち
上がり設定された閾値に達したときに検出信号を出力す
るシステム電源電圧監視回路の検出信号を受信したとき
に、アドレスイニシャライズ指示を出力するメモリ初期
化制御回路とこのメモリ初期化制御回路からのアドレス
イニシャライズ指示を受信すると、メモリを初期化する
メモリアクセス制御回路とを設けたことにより、システ
ム電源の立ち上げの直後にメモリの初期化を行うことが
できるようになる。
【0010】請求項2の発明におけるメモリ制御装置
は、バックアップ電源付きメモリの電圧値を監視し、こ
の電圧値が設定された閾値より低下したときに検出信号
を出力するバックアップ電源電圧監視回路とシステム電
源電圧監視回路からの検出信号を受信するとともに、バ
ックアップ電源電圧監視回路からの検出信号を受信した
ときに、アドレスイニシャライズ指示を出力するメモリ
初期化制御回路とを設けたことにより、バックアップ電
源付きメモリの電圧値の状態を確認しながら、システム
電源の立ち上げの直後にメモリの初期化を行うことがで
きるようになる。
【0011】
【実施例】
実施例1.以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1はこの発明の一実施例によるメモリ制御装置
を示す構成図であり、従来のものと同一の符号は同一ま
たは相当部分を示すので説明を省略する。11は同一の
信号線を時分割してアドレス、データを送受信するマル
チプレクサバスと制御信号バスとが接続されたバス制御
回路、12はシステム電源電圧監視回路でありシステム
電源13に接続され、システム電源13の電圧値がある
閾値に達したことを検知したときに、検出信号を出力す
る。14はシステム電源電圧監視回路12からの検出信
号を受信したときに電源投入フラグをセットするフリッ
プフロップ、15はフリップフロップ14の電源投入フ
ラグがセットされている場合に、CPU(図示なし)の
代わりにメモリ6の初期化を行うメモリ初期化制御回
路、16はアドレスカウンタを備えたメモリアクセス制
御回路であり、メモリ初期化制御回路15からのアドレ
スイニシャライズ指示により初期化開始アドレスにセッ
トされ、同じくメモリ初期化制御回路15からのアドレ
スカウントアップ指示によりカウントアップを行い、メ
モリ6の初期化を順次行う。
【0012】次に動作について説明する。図2はこの発
明の一実施例によるメモリ制御装置の動作を示すフロー
チャートである。まず、システム電源電圧監視回路12
はシステム電源13の電源電圧値を検出し(ステップS
T1)、閾値を超えたか否かを判断する(ステップST
2)。ここで、YESの場合は電源投入が行われたとし
てシステム電源電圧監視回路12は検出信号を出力する
(ステップST3)。一方、NOの場合は電源投入が行
われていないためステップST1へ戻り、システム電源
13の電源電圧値の検出を続ける。そして、上記検出信
号を受信したフリップフロップ14は電源投入フラグを
セットする。ここで、メモリ初期化制御回路15はフリ
ップフロップ14の電源投入フラグのセット状態を読み
にいき(ステップST5)、電源投入フラグがセットさ
れているか否かを判断する(ステップST6)。
【0013】ここで、電源投入フラグがセットされてい
る(YES)場合には、メモリ初期化制御回路15はメ
モリアクセス制御回路16に対してアドレスイニシャラ
イズ指示を行い、メモリアクセス制御回路16ではアド
レスカウンタを初期化開始アドレスにセットし、メモリ
初期化制御回路15からのアドレスカウントアップ指示
によりカウントアップを行う(ステップST7)。一
方、電源投入フラグがセットされていない(NO)場合
には、ステップST5へ戻り、フリップフロップ14の
電源投入フラグのセット状態を読みにいく。次に、メモ
リ初期化制御回路15は、メモリアクセス制御回路16
に対して初期化データの書き込み指示を行う(ステップ
ST8)。そして、この書き込み指示を受信したメモリ
アクセス制御回路16はメモリ6に初期化データを書き
込む。
【0014】次に、メモリ初期化制御回路15はメモリ
アクセス制御回路16内のアドレスカウンタを読み込
み、最終アドレスか否かを判断する(ステップST
9)。ここで、メモリ初期化制御回路15が最終アドレ
スであることを確認した(YES)場合には、電源投入
フラグをリセットした後に(ステップST10)、メモ
リ初期化処理を完了する。一方、最終アドレスでないこ
とを確認した(NO)場合には、メモリアクセス制御回
路16内のアドレスカウンタをカウントアップした後に
(ステップST11)、ステップST8へ戻り処理を繰
り返す。
【0015】以上の説明で明らかなように、この実施例
1によれば、システムの立ち上げ直後にメモリの初期化
を行うことができるため、メモリ6の初期化はCPUの
初期化に必要な時間だけ遅延することはないという効果
がある。
【0016】実施例2.図3はこの発明のその他の実施
例によるメモリ制御装置のメモリアクセス制御回路とメ
モリとの接続状態を示す構成図である。上記実施例1で
はメモリ6毎に初期化を行っていたので、メモリ6の数
に比例して初期化時間が増加していくという問題点があ
った。しかし、実施例2では複数のチップセレクト線と
複数のリード/ライト線を図3に示すように接続し、メ
モリアクセス制御回路16がこのときにチップセレクト
線グループ1〜4をすべて「H」とすることにより、リ
ード/ライト線グループA〜Dをすべて用いてメモリの
初期化を行うようにすることができる。つまり、システ
ム電源13の立ち上げと同時にメモリ1〜16を同時に
初期化することが可能である。
【0017】実施例3.図4はこの発明のその他の実施
例によるメモリ制御装置を示す構成図である。従来のも
のと同一の符号は同一または相当部分を示すので説明を
省略する。図において、21はバックアップ電源22が
付いたバックアップ電源付きメモリ、23はバックアッ
プ電源電圧監視回路であり、バックアップ電源付きメモ
リ21のバックアップ電源22の電圧状態を検出し、電
圧値が設定された閾値より低下したときに検出信号を出
力する。なお、このバックアップ電源電圧監視回路23
は、コンパレータ等で構成し、ツェナーダイオードで検
出すべき電圧値を設定する。24はバックアップ電源電
圧監視回路23からの検出信号を受信したときに電圧低
下フラグをセットするフリップフロップ、25はメモリ
初期化制御回路であり、フリップフロップ14の電源投
入フラグがセットされているとともに、フリップフロッ
プ24の電圧低下フラグがセットされたときにCPUの
代わりにメモリ6の初期化を行う。
【0018】次に、動作について説明する。なお、メモ
リ初期化制御回路15と同一の動作については説明を省
略する。まず、メモリ初期化制御回路25はフリップフ
ロップ14の電源投入フラグがセットされていないこと
を確認すると、フリップフロップ24の電圧低下フラグ
がセットされたことを確認する。ここで、両者が規定通
りであれば、メモリ初期化制御回路25はCPUの代わ
りにバックアップ電源付きメモリ21の初期化を行う
が、電圧低下フラグがセットされている場合には、CP
Uに通知し初期化を停止する。
【0019】以上のように、この実施例3によれば、従
来CPUが実行していたバックアップ電源付きメモリ2
1のバックアップ電源22の電圧状態の監視をシステム
電源13の立ち上げと同時にメモリ初期化制御回路25
が行うようにしたため、CPUの負荷が少なくなるとい
う効果がある。
【0020】実施例4.図5はこの発明のその他の実施
例によるメモリ制御装置を示す構成図である。従来のも
のと同一の符号は同一または相当部分を示すので説明を
省略する。実施例4ではDRAM、SRAMの複数種類
のメモリを搭載しているときに、これらのメモリをそれ
ぞれ同時にハードウェア機構を用いて初期化できるよう
にし、メモリの初期化に要する時間を短縮したものであ
る。すなわち、メモリアクセス制御回路33はメモリ初
期化制御回路15からの初期化指示命令を受信すると、
DRAM31とSRAM32に対して初期化処理を行う
ものである。したがって、システム電源13の立ち上げ
と同時に複数種類のメモリ素子の初期化ができる効果が
ある。
【0021】なお、DRAM31、SRAM32のいず
れも初期化データはアドレス/データ線がプルアップあ
るいはプルダウンされていることによって決まる。初期
化データが固定されているため初期化のときにはDRA
M31、SRAM32への制御信号は時刻的に重複して
いてかまわない。
【0022】実施例5.図6はこの発明のその他の実施
例によるメモリ制御装置を示す構成図である。従来のも
のと同一の符号は同一または相当部分を示すので説明を
省略する。この実施例6では、FLASHメモリを搭載
している場合に、初期化すべきか否かをCPUの負荷に
ならないように判別し、必要な場合にはCPUの負荷に
ならないように初期化を行うことができる。図におい
て、41はFLASHメモリ、42はメモリアクセス制
御回路であり、メモリ初期化制御回路15からの初期化
指示命令を受信すると、FLASHメモリ41内の自動
読み込みアドレス41aの内容の自動読み込みを行うも
のである。
【0023】図7はFLASHメモリの内部を示した構
成図であり、(a)は出荷時に未書き込みの状態を示し
たもの、(b)は出荷時に既書き込みの状態を示したも
のであり、未書き込みか、既書き込みかを表す1ビット
以上で構成される特定ビットパターンが入力してあるも
のとする。したがって、未書き込みのメモリ内容は出荷
状態であるので2進数ですべて1である。したがって自
動読み込みされるアドレスの内容も2進数ですべて1で
あり、特定ビットパターンの内容もすべて1である。こ
れに対して既書き込みのメモリ内容の自動読み込みされ
るアドレスの特定ビットパターンには少なくとも1つの
0(1ビットで構成される場合ではそのビットが0)が
あれば未書き込みのものと区別できる。
【0024】実施例6.図8は図7の機能を拡張したと
きのFLASHメモリの内部を示した構成図である。こ
の実施例6においてはメモリ内容のうち自動読み込みさ
れるアドレスの特定ビットパターン51は前述した未書
き込み、既書き込みを表すものであり、同じアドレスに
ある1ビット以上で構成される特定ビットパターン52
はこのFLASHメモリの内容が、自己診断を行うもの
であるか、アプリケーションの起動を行うものであるか
を表すものである。
【0025】実施例7.図9は図6でFLASHメモリ
が未書き込みである場合に、初期化データを専用のハー
ドウェア機構を用いて書き込む場合を説明する構成図で
ある。従来のものと同一の符号は同一または相当部分を
示すので説明を省略する。メモリ初期化制御回路61は
実施例6のようにしてFLASHメモリ41が未書き込
みであることを検知すると、メモリアクセス制御回路4
2に初期化を指示する。そして、指示を受けたメモリア
クセス制御回路42は、初期化データを書き込んである
メモリ6のデータを読み込み、これをFLASHメモリ
41に転送する。
【0026】
【発明の効果】以上のように、請求項1の発明によれ
ば、システム電源電圧監視回路によりシステム電源の電
圧値を監視し、この電圧値が零から立ち上がり設定され
た閾値に達したときに検出信号を出力し、この検出信号
を受信したメモリ初期化制御回路はメモリアクセス制御
回路にアドレスイニシャライズ指示をし、指示を受けた
メモリ初期化制御回路によりメモリを初期化させるよう
に構成したので、システムの立ち上げ直後にCPUの初
期化に必要な時間だけ遅延することなく、メモリの初期
化を直ちに行うことができる効果がある。
【0027】請求項2の発明によれば、バックアップ電
源電圧監視回路によりバックアップ電源付きメモリの電
圧値が設定された閾値より低下したときに検出信号を出
力させ、メモリ初期化制御回路によりシステム電源電圧
監視回路からの検出信号を受信するとともに、バックア
ップ電源電圧監視回路からの検出信号を受信したとき
に、アドレスイニシャライズ指示を出力させるように構
成したので、システムの立ち上げ直後にメモリの初期化
を直ちに行うことができるとともに、CPUを介さずに
バックアップ電源の電圧を検出することができる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の一実施例によるメモリ制御装置を
示す構成図である。
【図2】 この発明の一実施例によるメモリ制御装置の
動作を示すフローチャートである。
【図3】 この発明のその他の実施例によるメモリ制御
装置のメモリアクセス制御回路とメモリとの接続状態を
示す構成図である。
【図4】 この発明のその他の実施例によるメモリ制御
装置を示す構成図である。
【図5】 この発明のその他の実施例によるメモリ制御
装置を示す構成図である。
【図6】 この発明のその他の実施例によるメモリ制御
装置を示す構成図である。
【図7】 FLASHメモリの内部を示した構成図であ
る。
【図8】 図7の機能を拡張したときのFLASHメモ
リの内部を示した構成図である。
【図9】 図6でFLASHメモリが未書き込みである
場合に、初期化データを専用のハードウェア機構を用い
て書き込む場合を説明する構成図である。
【図10】 特開平1ー266642号公報に示された
従来のメモリ制御装置の構成図である。
【符号の説明】
6 メモリ、12 システム電源電圧監視回路、13
システム電源、15,25 メモリ初期化制御回路、1
6,33,42 メモリアクセス制御回路、21 バッ
クアップ電源付きメモリ、23 バックアップ電源電圧
監視回路。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 システム電源の電圧値を監視し、この電
    圧値が零から立ち上がり設定された閾値に達したときに
    検出信号を出力するシステム電源電圧監視回路と、この
    システム電源電圧監視回路からの検出信号を受信したと
    きに、アドレスイニシャライズ指示を出力するメモリ初
    期化制御回路と、上記メモリ初期化制御回路からのアド
    レスイニシャライズ指示を受信すると、メモリを初期化
    するメモリアクセス制御回路とを備えたメモリ制御装
    置。
  2. 【請求項2】 バックアップ電源付きメモリの電圧値を
    監視し、この電圧値が設定された閾値より低下したとき
    に検出信号を出力するバックアップ電源電圧監視回路を
    設け、上記メモリ初期化制御回路は、上記システム電源
    電圧監視回路からの検出信号を受信するとともに、上記
    バックアップ電源電圧監視回路からの検出信号を受信し
    たときに、アドレスイニシャライズ指示を出力すること
    を特徴とする請求項1記載のメモリ制御装置。
JP7135447A 1995-06-01 1995-06-01 メモリ制御装置 Pending JPH08328940A (ja)

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