JPH06202961A - メモリテスト機能内蔵のマイクロコンピュータ - Google Patents

メモリテスト機能内蔵のマイクロコンピュータ

Info

Publication number
JPH06202961A
JPH06202961A JP5016761A JP1676193A JPH06202961A JP H06202961 A JPH06202961 A JP H06202961A JP 5016761 A JP5016761 A JP 5016761A JP 1676193 A JP1676193 A JP 1676193A JP H06202961 A JPH06202961 A JP H06202961A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
address
data
memory test
written
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5016761A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirohiko Inoue
博彦 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP5016761A priority Critical patent/JPH06202961A/ja
Publication of JPH06202961A publication Critical patent/JPH06202961A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Microcomputers (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Hardware Redundancy (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 メモリを内蔵したワンチップマイクロコンピ
ュータにおいて、ブランク不良品と判断メモリを救済す
る。 【構成】 CPU1は、メモリテスト機能部7の指示に
従って、メモリ部10を検査(ブランクチェック)す
る。そして、メモリテスト機能部7はこのブランクチェ
ックの結果、ブランクエラーが検出されれば、その時の
アドレスをラッチし、そのアドレスを冗長回路制御部8
に伝えるとともに、この冗長回路制御部8に冗長回路9
への切り換えを指示する。冗長回路9は、メモリ部10
のそのアドレスの示す記憶領域を再検査する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、EPROM等の不揮
発性メモリを内蔵したワンチップマイコンにおいて、メ
モリテスト機能を備えることにより、そのメモリ内の不
良ビットを検出し、不良ビットを検出した場合に、冗長
回路に切り換えて再検査をするメモリテスト機能内蔵の
マイクロコンピュータに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図5は従来のEPROM等の不揮発性メ
モリを内蔵したシリコンチップからなるワンチップマイ
クロコンピュータのブロック図である。図5において、
1はCPU(中央演算処理装置)、10はメモリ部、1
2はアドレス端子、13はデータ端子、14は制御端子
(TM1)、15は制御端子(TM2)、16は内部バ
ス、40はワンチップマイクロコンピュータである。C
PU1は、内部バス16によりEPROM等の不揮発性
メモリで構成されたメモリ部10に接続されている。ま
たCPU1とメモリ部10はワンチップマイクロコンピ
ュータ40内に収納されている。メモリ部10には、ア
ドレスバス12Aを介してワンチップマイクロコンピュ
ータ40の外部にアドレス端子12が接続され、同様に
して、データバス13Aを介してデータ端子13が接続
され、制御線14Aを介して制御端子(TM1)が接続
され、制御線15Aを介して制御端子(TM2)が接続
されている。
【0003】次にこの従来例の動作について説明する。
図6はメモリ部にデータを書き込む場合の動作を示すフ
ローチャートを示しており、図7はこのときのタイミン
グチャートを示している。ワンチップマイクロコンピュ
ータ40のメモリ部10にデータを書き込む場合、図示
しないEPROMライターをワンチップマイクロコンピ
ュータに接続する。このとき、メモリ部10とEPRO
Mライターとは、アドレス端子12、データ端子13、
制御端子(TM1)14、制御端子(TM2)15を介
して接続される。そして、図7(e),(f)に示すよ
うに、EPROMライターは、例えば”L”レベルの信
号をワンチップマイクロコンピュータ40の制御端子
(TM1)14と制御端子(TM2)15に出力する。
この状態で、EPROMライターのアドレス端子12か
ら図6(a)に示すようにメモリの先頭アドレスをワン
チップマイクロコンピュータ40のアドレス端子12に
出力すると(ステップS30)、図6(b)に示すよう
に、ワンチップマイクロコンピュータのデータ端子13
からEPROMライターのデータ端子にアドレス値に対
応したデータを出力する(ステップS31)。EPRO
Mライターは受け取ったデータとメモリにデータが書き
込まれていない時のデータ(例えば”FF”)を比較
し、メモリ部10にデータが書き込まれていないブラン
クの状態かデータが書き込まれていない状態かを判断す
る(ステップS32)。EPROMライターがブランク
であると判断すると、アドレス値を+1加算する(ステ
ップS33)。そして、アドレス値がメモリの最終番地
であるかどうかを判断し(ステップS34)、最終番地
でない場合は(YES)、ステップS20からの動作を
繰り返し行うが、最終番地の場合は上記動作を行わず、
図6(e)、(f)に示すタイミングでメモリの先頭ア
ドレスから最終アドレスまでデータの書き込みを行う
(ステップS35)。一方、EPROMライターがブラ
ンクでないと判断した場合、ブランクチェックを中止し
(ステップS32でNO)、メモリへのデータの書き込
みを行わない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のEPROM等の
不揮発性メモリを内蔵したワンチップマイクロコンピュ
ータは、以上のように構成されているので、メモリのブ
ランクチェックにおいて、ブランクエラーになるとメモ
リへのデータの書き込みが再度行われないため、そのワ
ンチップマイクロコンピュータが不良品として判断され
る。このため、メモリに異常がなくても、データの書き
込みミスによりメモリが不良品と判断され、マイクロコ
ンピュータの不良品率が高くなるという問題があった。
【0005】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、ブランクエラーによる不良品
を低減するとともに、ブランクエラーで検出された不良
品を救済できるメモリテスト機能内蔵のマイクロコンピ
ュータを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に係るメモリテ
スト機能内蔵のマイクロコンピュータは、図1で示すよ
うに、メモリを備えるマイクロコンピュータにおいて、
上記メモリのそれぞれのアドレスが示す記憶領域に対し
て所定のデータが書込まれているか否かを判断し、所定
のデータが書込まれていれば正常と判断して次のアドレ
スが示す記憶領域を検査し、上記データが書込まれてい
なければ異常と判断し、次の検査を中断し、この記憶領
域のアドレスを保持しておくメモリテスト手段(メモリ
テスト機能部7)と、このメモリテスト手段で異常と判
断された時の上記アドレスが示す記憶領域に対して再検
査を行い、正常であれば上記メモリテスト手段による検
査を続行させ、異常であれば上記メモリを不良と判断す
る冗長手段(冗長回路9等)とを備えるようにした。
【0007】
【作用】この発明によるメモリテスト機能内蔵のマイク
ロコンピュータは、まず、メモリテスト手段(メモリテ
スト機能部7)により、マイクロコンピュータ内のメモ
リのそれぞれのアドレスが示す記憶領域に対して所定の
データが書込まれているか否かを判断する。この結果、
所定のデータが書込まれていれば正常と判断して次のア
ドレスが示す記憶領域を検査し、上記データが書込まれ
ていなければ異常と判断し、次の検査を中断して、この
記憶領域のアドレスを保持する。次に、冗長手段によ
り、このメモリテスト手段で異常と判断された時の上記
アドレスが示す記憶領域に対して再検査を行い、正常で
あれば上記メモリテスト手段による検査を続行させ、異
常であれば上記メモリを不良と判断する。このように、
異常と判断されたメモリの記憶領域に対して、再度検査
を行って、ブランクエラーで検出されたメモリの不良品
を救済する。
【0008】
【実施例】以下、この発明の実施例を図に基づいて説明
する。図1はこの発明の一実施例によるワンチップマイ
クロコンピュータの機能ブロック図である。図1におい
て、1はCPU(中央演算処理装置)、2はアドレスド
ス、3はデータバス、4はリードライト信号線、5はメ
モリテスト信号線、6は冗長回路切換え信号線、7はメ
モリテスト機能部、7Aはラッチ回路、8は冗長回路制
御部、8Aはラッチ回路、9は冗長回路、10はメモリ
部、11はメモリテスト端子、12はアドレス端子、1
3はデータ端子、14は制御端子(TM1)、15は制
御端子(TM2)である。CPU1はアドレスバス2、
データバス3、リード信号線4、メモリテスト信号線
5、冗長回路切り換え信号線6を介して、メモリテスト
機能部7と接続されている。冗長回路制御部8は、アド
レスバス2、データバス3、リード信号線4、冗長回路
切り換え信号線6を介してメモリテスト機能部7と接続
されている。冗長回路9は、アドレスバス2、データバ
ス3、リード信号線4を介して冗長回路制御部8と接続
され、メモリ部10は、アドレスバス2、データバス
3、リード信号線4を介して冗長回路制御部8と接続さ
れている。メモリテスト端子11はワンチップマイクロ
コンピュータ30の外側に設けられており、その一端は
チップ内部でCPU1と接続されている。EPROMラ
イターと接続される、アドレス端子12、データ端子1
3、制御端子(TM1)14、制御端子(TM2)15
はマイクロコンピュータ30のでチップの外側に設けら
れており、これらの端子の一端はワンチップマイクロコ
ンピュータ30の内部でメモリ部10と接続されてい
る。
【0009】メモリテスト機能部7は、メモリ部10の
それぞれのアドレスが示す記憶領域に対して、例えば
「FF」のデータが書込まれているか否かを判断する。
そして、「FF」が書込まれていれば、「FF」が書込
まれている記憶領域を正常と判断し、また、「FF」が
書込まれていなければ異常と判断して、メモリ部10の
次のアドレスに対するメモリテスト(ブランクチェッ
ク)を中断し、異常と判断した記憶領域のアドレスをラ
ッチ回路7Aに保持し冗長回路制御部8に伝える。冗長
回路制御部8はそのアドレスをラッチ回路8Aで保持
し、ラッチ回路8A内のアドレスが示すメモリ部10の
記憶領域に対して、再検査(再度、「FF」を書込み、
書込んだ「FF」を読出す。そして、異常があれば、そ
のマイクロコンピュータのメモリを不良とし、異常がな
ければ、そのメモリに対するメモリテストを続行する。
【0010】図2はこの実施例のマイクロコンピュータ
における冗長回路制御部、冗長回路を詳細に示す回路ブ
ロック図である。図2において、20〜22はゲート回
路、8aは制御部である。冗長回路制御部8はゲート回
路20〜22と、制御部23とから構成されている。制
御部23とメモリテスト機能部7との間には、メモリテ
ストでメモリテスト機能部7から異常時にアドレスを受
信するためのアドレスバス2と、冗長回路9への切り換
えを行う信号を受信するための冗長回路切り換え信号線
6とが接続されている。制御部23はゲート回路20〜
22と接続され、これらのゲートをオン・オフ制御す
る。冗長回路9内には、メモリ書込み部9aと、メモリ
読出し部9bとが設けられ、メモリテストで異常があっ
たメモリ部10の記憶領域に対して、例えばデータ「F
F」を書込み、そのデータ「FF」を読込んで、メモリ
テスト(ブランクチェック)を再度行う。図4はこの実
施例のワンチップマイクロコンピュータにおけるタイミ
ングチャートである。図4において、(a)はメモリテ
スト端子11における波形、(b)はメモリテスト信号
線5における波形、(c)はリード・ライト信号線にお
ける波形、(d)はアドレスバス2における波形、
(e)はデータバス3における波形である。
【0011】図3はこの実施例のマイクロコンピュータ
における動作を示すフローチャートである。次に、この
実施例のワンチップマイクロコンピュータにおける動作
について図3に基づいて説明する。まず、図4(a)で
示すようにメモリテスト端子11に”H”レベルの信号
(電圧)を外部より入力する(ステップS20)。CP
U1は、メモリテスト端子11からの信号を受け、図4
(b)で示すように、メモリテスト信号線5に”H”レ
ベルの信号を出力し、メモリテスト機能部7からブラン
クチェックプログラムを読み出し、そのプログラムを実
行してメモリからデータを読み出す(ステップS2
1)。すなわち、図4(c),(d),(e)に示すよ
うに、CPU1はメモリ部10に対して、リード信号線
4に例えば”H”レベルの信号を出力した状態でアドレ
スバス2にメモリの先頭アドレスを出力すると、メモリ
部10はデータバス3にアドレスに対応したメモリのデ
ータをCPU1に出力する。CPU1はメモリ部10か
らのデータを受け取り、ブランクチェックを行う(ステ
ップS22)。CPU1はブランクエラーと判断すると
(ステップS22でYES)、冗長回路切り換え信号線
6に例えば”H”レベルの信号を冗長回路制御部8に出
力する。冗長回路制御部8は、CPU1から冗長回路切
り換え信号線6より信号を受け取ると、今、アクセスし
ているメモリのアドレス値をメモリテスト機能部7から
受け、冗長回路に切り換える(ステップS23)。そし
て、切り換えた冗長回路9でのブランクチェックを再度
行い(ステップS24)、ブランクエラーでない場合は
(ステップS24でYES)、メモリの最終番地までブ
ランクチェックを行う(ステップS22,S25,S2
6)。切り換えた冗長回路がブランクエラーの場合は
(ステップS24でNO)、そのワンチップマイクロコ
ンピュータはブランク不良品となる。一方、ステップS
22のブランクチェックの結果、ブランクエラーでない
場合は(ステップS22でYES)、現在のアドレス値
に1を加え(ステップS25)、最終番地まで加算する
(ステップS26でYES)、そしてプログラムの読み
込みを開始する(ステップS27)。
【0012】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、メモ
リを内蔵したワンチップマイクロコンピュータ内に、メ
モリを検査するためのメモリテスト手段で記憶領域に不
具合のあるメモリを発見した場合に、冗長手段で再検査
を行える構成としたので、ブランクチェックで検出され
たメモリの不良品を救済することができ、不良品の低減
が図れるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例によるワンチップマイクロ
コンピュータの回路ブロック図である。
【図2】図1のワンチップマイクロコンピュータにおけ
る冗長回路制御部、冗長回路を詳細に示す回路ブロック
図である。
【図3】図1のワンチップマイクロコンピュータのメモ
リテストの処理を示すフローチャートである。
【図4】図1のワンチップマイクロコンピュータのメモ
リテスト時のタイミングチャートである。
【図5】従来のワンチップマイクロコンピュータの回路
ブロック図である。
【図6】図5のワンチップマイクロコンピュータのプロ
グラム処理を示すフローチャートである。
【図7】図5のワンチップマイクロコンピュータのタイ
ミングチャートである。
【符号の説明】
1 CPU 2 アドレスバス 3 データバス 4 リード・ライト信号線 5 メモリテスト信号線 6 冗長回路切り換え信号線 7 メモリテスト機能部 8 冗長回路制御部 9 冗長回路 10 メモリ部 11 メモリテスト端子 12 アドレス端子 13 データ端子 14 制御端子(TM1) 15 制御端子(TM2) 16 内部バス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G11C 29/00 303 G 6866−5L

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 中央処理装置と、EPROM等のメモリ
    とを備えるマイクロコンピュータにおいて、上記メモリ
    のそれぞれのアドレスが示す記憶領域に対して所定のデ
    ータが書込まれているか否かを判断し、所定のデータが
    書込まれていれば正常と判断して次のアドレスが示す記
    憶領域を検査し、上記データが書込まれていなければ異
    常と判断し、次の検査を中断して、この記憶領域のアド
    レスを保持しておくメモリテスト手段と、このメモリテ
    スト手段で異常と判断された時の上記アドレスが示す記
    憶領域に対して再検査を行い、正常であれば上記メモリ
    テスト手段による検査を続行させ、異常であれば上記メ
    モリを不良と判断する冗長手段とを備えることを特徴と
    するメモリテスト機能内蔵のマイクロコンピュータ。
JP5016761A 1993-01-06 1993-01-06 メモリテスト機能内蔵のマイクロコンピュータ Pending JPH06202961A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5016761A JPH06202961A (ja) 1993-01-06 1993-01-06 メモリテスト機能内蔵のマイクロコンピュータ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5016761A JPH06202961A (ja) 1993-01-06 1993-01-06 メモリテスト機能内蔵のマイクロコンピュータ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06202961A true JPH06202961A (ja) 1994-07-22

Family

ID=11925219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5016761A Pending JPH06202961A (ja) 1993-01-06 1993-01-06 メモリテスト機能内蔵のマイクロコンピュータ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06202961A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6335209B1 (en) * 1996-01-25 2002-01-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for testing semiconductor memory devices, and apparatus and system for testing semiconductor memory
JP2015141666A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 日本精機株式会社 不揮発メモリ検査方法およびその装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6335209B1 (en) * 1996-01-25 2002-01-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for testing semiconductor memory devices, and apparatus and system for testing semiconductor memory
US6518073B2 (en) 1996-01-25 2003-02-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for testing semiconductor memory devices, and apparatus and system for testing semiconductor memory devices
JP2015141666A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 日本精機株式会社 不揮発メモリ検査方法およびその装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0808487B1 (en) Apparatus and method for entering and executing test mode operations for memory
US5414825A (en) Method of programming a semiconductor memory device within a microcomputer address space
US6097644A (en) Redundant row topology circuit, and memory device and test system using same
US6259639B1 (en) Semiconductor integrated circuit device capable of repairing defective parts in a large-scale memory
JP2002366444A (ja) ランダムアクセスメモリ装置におけるソフトエラーを補正するシステム及び方法
US6353565B2 (en) Semiconductor device, semiconductor memory device and test-mode entry method
JP2001035192A (ja) メモリ搭載集積回路およびそのテスト方法
JP2001022650A (ja) 半導体不揮発性記憶装置
JPH06214891A (ja) データをマスクする回路と方法
JPH07220495A (ja) 半導体記憶装置
US7222271B2 (en) Method for repairing hardware faults in memory chips
KR100745005B1 (ko) 반도체 장치, 반도체 장치의 시험 방법 및 반도체 장치시험 시스템
US7464309B2 (en) Method and apparatus for testing semiconductor memory device and related testing methods
US9529681B2 (en) Microprocessor system for controlling or regulating at least partly safety-critical processes
JPH06202961A (ja) メモリテスト機能内蔵のマイクロコンピュータ
JP3866345B2 (ja) 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の試験方法
JP2005050442A (ja) 冗長メモリ回路
US7389445B2 (en) Circuit for detecting abnormal operation of memory and integrated circuit and method for detecting abnormal operation
JP2910692B2 (ja) ランダムアクセスメモリの試験の方法
JP2001067894A (ja) 半導体記憶装置
JPS63305444A (ja) 記憶装置
JP2993099B2 (ja) 二重化メモリ装置
JP4757196B2 (ja) メモリシステム、およびその試験方法
JPH07262794A (ja) 記憶装置
JPH07295895A (ja) 計算機のメモリ回路