JP3768565B2 - Dram制御装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、DRAMのセルフリフレッシュモードを使ってバックアップするDRAM制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、DRAMをバックアップする手法としては、主電源が切断された時DRAMをセルフリフレッシュ・モードにするのが、もっとも一般的である。しかしながら、DRAMをセルフリフレッシュ・モードにするには、通常のアクセス時のRAS /CAS シーケンスとは異なるシーケンスが要求される。しかも、通常のアクセスのシーケンスからセルフリフレッシュ・シーケンスヘは、DRAMが要求する各種タイミング条件を満たすように移行しなければならない。主電源が低下したときに、アクセスのシーケンスを突然中断してしまうことは許されない。
【0003】
更に、バックアップ電源が供給されていた状態から主電源に切り替わった場合はセルフリフレッシュ・モードからの復帰シーケンスを実行し、バックアップ電源の供給がない状態から主電源が投入された場合はイニシャル・シーケンスとして所定期間RAS /CAS を非アクティブにしなければならない場合もある。
【0004】
従来は、主電源で動作し通常のアクセス用のRAS /CAS シーケンスを出力する第1のロジック制御部と、バックアップ電源でも動作するセルフリフレッシュ用のRAS /CAS シーケンスを出力する第2のロジック制御部とを備え、2つのロジック制御部が出力するRAS /CAS をセレクタで切り代えてDRAMに与えていた。主電源の電圧の低下を検出すると、CPUのバス制御信号から各バスアクセスサイクルの切れ目を検出し、このタイミングで前記セレクタのRAS /CAS 出力信号を、前記第1のロジック制御部の出力から、第2のロジック制御部の出力に切り替えると共に、CPUをリセットしていた。主電源の投入時には、CPUのプログラム制御により、前記セレクタを、主電源停止時とは逆に、第2のロジック制御部からの出力から、前記第1のロジック制御部の出力に切り替えていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来例では、バックアップ電源で、第2のロジック制御部にも電力を供給する必要があり、電力消費量が多くなる。また、第2のロジック制御部は、バックアップ電源で動作させるため、ゲートアレイなどの集積回路の一部に取り込むことができず、ディスクリート部品で構成せざるをえない。このため部品点数が増え、基板面積が大きくなるという欠点があった。
【0006】
そこで本発明は、従来必要とした第2のロジック制御部を不要とし、ゲートアレイなどの集積回路に制御回路を取り込むことを可能とすると共に、ソフトウェアによる制御を必要としないDRAM制御装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、請求項1に記載のDRAM制御装置は、(1)主電源の電圧が第1の閾値以下の期間、および電圧が第1の閾値以下の電圧から閾値を越えた電圧に変化してから第1の所定の時間が経過するまでの期間に、第1のリセット信号をアクティブにし、他の期間に第1のリセット信号を非アクティブにする第1の電圧監視手段と、(2)監視電圧が第2の閾値以下の期間、および監視電圧が第2の閾値以下の電圧から閾値を越えた電圧に変化してから第2の所定の時間が経過するまでの期間に、第2のリセット信号をアクティブにし、他の期間に第2のリセット信号を非アクティブにする第2の電圧監視手段と、(3)主電源が投入されている時に充電され、主電源が投入されていないときに放電し、電力を供給できるか否か示す電力信号を充電容量に応じて出力する予備電源と、(4)主電源が投入されているときに主電源から電力が供給され、主電源が投入されていないときに予備電源から電力が供給されるDRAMと、(5)主電源により駆動されるDRAM制御手段であって、第1のリセット信号がアクティブになると、DRAMをバックアップ状態に遷移させるDRAM制御信号を出力し、その後に監視電圧を前記第2の閾値以下に変化させる手段と、第1のリセット信号がアクティブでなくなると、監視電圧を前記第2の閾値を越える電圧に変化させ、電力信号に応じて、DRAMをバックアップ状態から復帰させる復帰制御を行うか、スタンバイ状態から起動させる起動制御を行うかを決定する手段とを有するDRAM制御手段と、(6)主電源により駆動され、第2のリセット信号によりリセットされるCPUとを備えたことを特徴とする。
【0008】
請求項2に記載のDRAM制御装置は、前記DRAM制御手段が、前記第1のリセット信号がアクティブになると、前記CPUが前記DRAMをアクセスしないバス・タイミングで前記DRAMをバックアップ状態に遷移させることを特徴とする。
【0009】
請求項3に記載のDRAM制御装置は、前記第1の所定の時間が前記第2の所定の時間よりも短いことを特徴とする。
【0010】
請求項4に記載のDRAM制御装置は、前記第1のリセット信号が前記CPUのバス・ホールド要求入力に入力されていることを特徴とする。
【0011】
請求項5に記載のDRAM制御装置は、予備電源は、電力を供給できるか否か示す電力信号を充電容量に応じて出力する出力手段を有し、DRAM制御手段は、第1のリセット信号がアクティブとなったときに、電力信号に応じて、DRAMをバックアップ状態とするかスタンバイ状態とするかを決定することを特徴とする。
【0013】
請求項1に記載のDRAM制御装置において、主電源の電圧が第1の閾値以下の期間、および主電源の電圧が第1の閾値以下の電圧から閾値を越えた電圧に変化してから第1の所定の時間が経過するまでの期間に、第1のリセット信号がアクティブになり、他の期間に第1のリセット信号が非アクティブになる。監視電圧が第2の閾値以下の期間、および監視電圧が第2の閾値以下の電圧から閾値を越えた電圧に変化してから第2の所定の時間が経過するまでの期間に、第2のリセット信号がアクティブになり、他の期間に第2のリセット信号が非アクティブになる。
【0014】
DRAMには、主電源が投入されているときに主電源から電力が供給され、主電源が投入されていないときに予備電源から電力が供給される。この予備電源は主電源が投入されている時に充電され、主電源が投入されていないときに放電され、電力を供給できるか否か示す電力信号を充電容量に応じて出力する。DRAM制御手段は主電源により駆動され、第1のリセット信号がアクティブになると、DRAMをバックアップ状態に遷移させるDRAM制御信号を出力し、その後に監視電圧を第2の閾値以下に変化させる。また第1のリセット信号がアクティブでなくなると、監視電圧を第2の閾値を越える電圧に変化させ、DRAMをバックアップ状態から復帰させるDRAM制御信号を出力する。さらに、第1のリセット信号が非アクティブとなったときに、電力信号に応じて、DRAMをバックアップ状態から復帰させる復帰制御を行うかスタンバイ状態から起動させる起動制御を行うかを決定する。CPUは主電源により駆動され、第2のリセット信号によりリセットされるので、監視電圧が第2の閾値以下の場合に、CPUの動作は強制的に停止される。
【0015】
請求項2に記載のDRAM制御装置では、第1のリセット信号がアクティブになると、CPUがDRAMをアクセスしないバス・タイミングでDRAMをバックアップ状態に遷移させる。
【0016】
請求項3に記載のDRAM制御装置では、第1の所定の時間が第2の所定の時間よりも短いので、主電源の電圧が第1の閾値以下の電圧から閾値を越えた電圧に変化してから第1のリセット信号が非アクティブになる時間の方が、監視電圧が第2の閾値以下の電圧から閾値を越えた電圧に変化してから第2のリセット信号が非アクティブになる時間より短い。
【0017】
請求項4に記載のDRAM制御装置では、第1のリセット信号がCPUのバス・ホールド要求入力に入力されている。このため、電源の電圧が第1の閾値以下の場合に、CPUにホールド要求が発行される。
【0018】
請求項5に記載のDRAM制御装置では、予備電源が、電力を供給できるか否か示す電力信号を充電容量に応じて出力する。DRAM制御手段は、第1のリセット信号がアクティブとなったときに、電力信号に応じてDRAMをバックアップ状態とするかスタンバイ状態とするかを決定する。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
【0021】
(実施例1)
図1は、本発明を説明するDRAMバックアップ回路のブロック図である。図1においてVccは主電源、VDBはバックアップ電源である。主電源Vccが供給されているときは、バックアップ電源VDBにはFET6を介してVccから電力が供給される。
【0022】
図1において、1は第1の電圧監視IC、2は第2の電圧監視ICである。電圧監視ICは、一般的に非常に低い電源電圧での動作が保証されている。更に、本発明で用いる電圧監視ICは、以下の動作特性を持つ。
【0023】
(1)監視電圧Vref が、第1の閾値以下から第1の閾値以上に上昇すると、所定時間の遅延後にリセット出力信号をHighレベルにする。
【0024】
(2)監視電圧Vref が、第2の閾値以上から、第2の閾値以下に下降すると、リセット出力信号をLow レベルにする。
【0025】
このような特性を持つICとしては、例えば、富士通製MB3771などがある。RST* はリセット出力信号である。監視電圧入力Vref の電圧が閾値以下の期間、及び監視電圧入力Vref の電圧が閾値を越えた後の所定の期間、電圧監視ICはリセット出力信号RST* をLow レベルに保持する。
【0026】
第1の電圧監視ICは主電源の電圧を監視する。第1の電圧監視ICのリセット出力は、システムのリセットとしては用いず、DRAM制御ロジック回路に対するセルフリフレッシュ・モードへの移行を要求する信号として用いる。第2の電圧監視ICは、主電源の電圧ではなく、DRAM制御ロジック回路が出力するロジック出力の電圧を監視する。第2の電圧監視ICのリセット出力は、本システムのリセット信号として用いる。第2の電圧監視ICの閾値は、監視対象がロジック信号なので、低めに設定する。
【0027】
3はOR論理ゲートでありVDB電源で駆動される。4はNOR論理ゲートでありVDB電源で駆動される。
【0028】
5はバックアップ電源を供給する予備電源制御部である。予備電源制御部5は充電可能な2次電池を内蔵する。Vccが供給されているときにVccから2次電池へ充電電流が供給される。Vccが供給されていないときは、2次電池からの放電により、VDBにバックアップ電源を出力する。ALRMは2次電池の充電状態を表示するオープンコレクタ出力であり、Lでバックアップが可能であることを示し、Hで充電量が不足していることを現す。
【0029】
7は本システムを制御するCPUである。CPU7において、HLDREQ* は、CPUに対し外部バスの解放を要求する入力信号。RST* はCPUのリセット入力信号。CKはCPUの駆動クロック出力。RD* は外部メモリーの読みだしタイミングを制御する出力信号。WR* は外部メモリーへの書込みタイミングを制御する出力信号。ASTBは、アドレスとデータを時分割出力するA/Dバスから、アドレス値をラッチするタイミングを与える出力信号。A23〜16は、24ビットのアドレス値の内の最上位8ビット出力信号。AD15〜0は、アドレス値の下位16ビットと、16ビットデータとを時分割に入出力するシステムデータバスである。
【0030】
8は、CPU7からアクセスアドレスおよびタイミングを入力し、DRAM10、11のアクセスに必要な信号を出力するDRAM制御部である。DRAM制御部8において、ALRMは、予備電源制御部5が出力するバックアップの可否状態を現す入力信号である。RST0* は第1の電圧監視IC1が出力するリセット信号入力であり、Lで低電圧、Hで正常電圧を示す。RST0* がHの期間中、ALRMをラッチし、値を参照することで、セルフリフレッシュから復帰するかスタンバイするかを判断する。
【0031】
HRST* は、第2の電圧監視IC2の出力するリセット信号入力であり、Lでシステム・リセット中、Hでシステム動作中を示す。CKは、駆動クロック入力であり、このクロックに同期してDRAM制御信号が作成され出力される。RD* よびWR* は出力信号であり、DRAMの入力信号OE* およびWE* となる。ASTBは、アドレスとデータとが時分割多重して出力されるAD15〜0から、アドレス値をラッチするタイミング入力である。A23〜16は、24ビットのアドレスの内の最上位8ビットの入力信号。AD15〜0は、アドレス値の下位I6ビットを出力し、更に16ビットのデータを入出力するシステムデータバスである。
【0032】
OFF* は、第2の電圧監視IC2のVref 入力端子に接続する論理出力である。この出力をLとすることにより、第2の電圧監視ICは電源電圧が低下したと認識し、本システムのリセット信号reset 1を出力する。RAS 1* はDRAM1に対するRAS 出力信号。RAS 0* はDRAM0に対するRAS 出力信号。CASH* は、DRAM1、0の16ビットデータの上位8バイトに対するCAS 出力信号。CASL* は、DRAM1、0の16ビットデータの下位8バイトに対するCAS 出力信号。OE* は、DRAMの読みだし信号。WE* はDRAMに対する書き込み信号。AX10〜0は、DRAM1、0のロウアドレスおよびコラムアドレスを時分割多重して出力するDRAMアドレス出力である。
【0033】
9は、バックアップ電源VDBで駆動する74HC157相当の2to1セレクタである。SELは入力1A〜4Aと1B〜4Bのどちらを出力するかを選択する制御入力である。SELがLow の場合は1A〜4Aが、Highの場合は1B〜4Bが選択される。1A〜4Aにはバックアップ電源供給部から出力される充電容量表示信号ALARM が入力されている。1B〜4BにはDRAM制御ロジックから出力されるRAS /CAS 信号が入力されている。ここでSELには2つの電圧監視ICのOR出力が入力されているので、2つの電圧監視ICのリセット出力が共にLow レベルのときにのみ、ALARM 信号がDRAMに供給される。
【0034】
1Y〜4Yはセレクタ9により選択された出力信号であり、RAS /CAS 信号としてDRAMに供給される。ALARMは主電源でプルアップされ、バックアップ電源が供給可能なときはLow レベルとなり不可能な時はHighレベルとなる。セレクタ9はバックアップ電源で駆動されている。
【0035】
10および11は、バックアップ電源Vdbで駆動するワード構成のDRAMである。RAS*は、ロウアドレス・ストローブ入力、CASH* は上位バイト側のコラムアドレス・ストローブ入力、CASL* は下位バイト側のコラムアドレス・ストローブ入力である。OE* はデータ読み出しを制御する入力信号。WE* はデータ書き込みを制御する入力信号。AX10〜0はアクセス・アドレス入力信号、D15〜0は、16ビットのデータ入出力である。以上の構成において、ORゲート3、NORゲート4、セレクタ9、DRAM10、11は、バックアップ電源Vdbで駆動される。
【0036】
図2は、バックアップ電源Vdbを供給中に主電源Vccが立ち上がった場合の、各部の動作を示したタイミングチャートである。このとき、DRAMはセルフ・リフレッシュ・モードから、通常アクセスモードに移行する。初期状態ではセレクタ9のSEL信号はLow レベルなので、選択出力1Y〜4Yには1A〜4Aとして入力するLow レベルのALRM信号が出力される。すなわち、DRAM10、11に対するRAS 、CAS 信号のレベルは、Low に保持される。
【0037】
時刻(2a)で、主電源Vccが上昇して第1の電圧監視IC1の閾値を越える。上昇途中は通常の論理回路の動作が保証されない。保証されない出力値を図2では「X」と表記する。DRAM制御部8のRAS 1/0* およびCASH/L*は、論理動作が可能な電源電圧になるとALRM信号と同一のレベルを出力する。ここではLow レベルを出力する。
【0038】
時刻(2a)からTd1時間経過した時刻(2b)で、reset 0信号がHighに変化する。これによりセレクタ9は、予備電源制御部5から出力されるALRM信号から、DRAM制御部8から出力されるRAS 1/0* 、CASH/L*信号に出力を切り代える。両信号ともにLow レベルなので、DRAMはセルフ・リフレッシュ・モードを継続する。
【0039】
信号OFF* もLow レベルからHighレベルに変化し、第2の電圧監視IC2は遅延時間Td2の計測を開始する。OFF* 信号は論理回路から生成されるので、Vccの立ち上がりでは不定状態になる。しかしながらTd1≪Td2とすることで、不定状態の期間にOFF* の出力電圧レベルが第2の電圧監視ICの閾値を越えても、reset 1はLow レベルを安定して保持することができる。NORゲート4の出力がLになるとPチャネルFET6は低インピーダンス状態となり、Vdb電源ラインには主電源Vccから電力が供給される。
【0040】
時刻(2b)からTd2時間遅れた時刻(2c)で、第2の電圧監視IC2のリセット出力reset 1がLからHに変化する。この信号はCPUのリセット入力に接続されているので、この時点からCPUが動作を開始する。reset 1はDRAM制御部8にも入力されている。reset 1がHighへ変化することにより、セルフリフレッシュモードからの復帰シーケンスを開始する。
【0041】
DRAM制御部8は、CPUのクロックに同期して時刻(2d)で、RAS 1/0* をLow レベルからHighレベルに変化させる。この信号は、セレクタ9を経由してDRAM10、11に伝わる。DRAM制御部8は、2dに続いて、今度はCASH/L*をLow レベルからHighに変化させる。この信号も、セレクタ9を経由して、DRAM10、11に伝わる。これにより、DRAM10、11はセルフ・リフレッシュ・モードから復帰し、通常のアクセスが可能になる。
【0042】
図3は、バックアップ電源Vdbの供給が停止している時に主電源Vccが立ち上がった場合の、各部の動作を示すタイミングチャートである。予備電源制御部5が出力するオープンコレクタ・タイプのALRM信号は、主電源Vccが投入されると、プルアップ抵抗12によりHighとなる(3a)。この結果、NORゲート4の出力はLow レベルとなるため、Pch一FET6は低インピーダンス状態となり、VdbにはVccから電源が供給される。また、DRAM制御部8はALRM入力のHighをラッチし、これに従って、RAS 1/0* 及びCASH/L*出力をHとする。
【0043】
時刻(3a)からTd1時間経過した時刻(3b)で、第1の電圧監視IC1のリセット出力reset 0がHighに変化する。この変化に対応して、DRAM制御部8はOFF* 出力をHにする。これにより、第2の電圧監視IC2は、遅延時間Td2の計時を開始する。ORゲート3の出力SELもHighに変化するので、セレクタ9の出力1Y〜4Yは、ALRM信号から、DRAM制御部8からのRAS CAS 信号に切り替わる。但し両者ともHighなので、出力信号は変化しない。
【0044】
時刻(3b)からTd2時間経過した時刻(3c)で、第2の電圧監視IC2のリセット出力reset 1がHighに変化する。これによりCPUはリセット状態が解除されて処理を開始する。
【0045】
時刻(3d)、(3e)では、CPUの駆動クロックCKに同期して、RAS およびCAS を制御する。時刻(3a)でラッチしたALRM入力がスタンバイからの起動を示すHighなので、RAS 1/0* およびCASH/L*はHighを保持する。これ以降、DRAM制御部8はCPU7のアクセスに応じて、DRAM10、11をアクセスする為のDRAM制御信号を出力する。
【0046】
図4は、主電源Vccが遮断され、バックアップ電源VDBによりDRAMがバックアップされる場合の動作を現すタイミングチャートである。この場合、主電源Vccの低下を検出し、DRAMをセルフリフレッシュ・モードに移行させる。
【0047】
時刻(4a)で、第1の電圧監視IC1は主電源Vccの電圧低下を検出し、信号reset 0をLow レベルにする。このLow レベル信号がDRAM制御部8に入力されると、予備電源制御部5からのALRM信号がバックアップ電源の供給可能を示すLow レベルなので、DRAM制御部8はCPU7のバスアクセス・シーケンスを監視して、セルフリフレッシュ・モードに移行できるタイミングを検出する。この移行タイミング検出を行わないと、DRAMに対するRAS 、CAS 信号にDRAMの記憶データを破壊してしまう不正な短パルスを出力してしまう可能性がある。
【0048】
時刻(4b)でCPU7のバス・アクセス・サイクルの中から、DRAMをアクセスしないタイミングを検出すると、セルフリフレッシュ・モードへの移行シーケンスを開始する。これ以後にCPU7がDRAMアクセスのバスサイクルを実行しても、無視する。DRAM制御部8は、このタイミングで、まず、CASH/L*の出力をLow レベルに固定する。
【0049】
時刻(4c)では、DRAM制御部8はRAS 1/0* をLow レベルに固定する。これによりDRAMはセルフリフレッシュモードとなる。時刻(4d)では、DRAM制御部8は、第2の電圧監視IC2の監視対象であるVref 入力となるOFF* 出力をLow レベルとする。この結果時刻(4e)で、第2の電圧監視IC2のリセット出力reset 1がLow レベルに変化する。この変化により、セレクタ9の出力はDRAM制御部8からの入力から、予備電源制御部5からのALRM信号に切り替わる。但しいずれもLow レベルなので、DRAMはセルフリフレッシュ・モードを維持する。また、CPU7,DRAM制御部8のリセットとして作用する。
【0050】
図5は、主電源Vccが遮断されバックアップ電源Vdbも供給されない場合の、DLAM制御回路の動作を現すタイミングチャートである。この場合、主電源Vccの低下を検出しても、DRAMをセルフリフレッシュ・モードへ移行させない。時刻(5a)で、第1の電圧監視IC1は主電源Vccの電圧低下を検出し、信号reset 0をLow レベルにする。このLレベル信号がDRAM制御部8に入力されるが、予備電源制御部5からのALRM信号がバックアップ電源の供給不可能を示すHighにあることから、DRAM制御部8は、セルフリフレッシュ・モードには移行しない。
【0051】
時刻(5b)でバックアップ電源Vdbが供給されていないので、時刻(4b)とは異なり、CASH/L*をHighに固定する。時刻(5c)ではバックアップ電源Vdbが供給されないので、時刻(4c)とは異なり、RAS 1/0* をHighに固定する。時刻(5d)では、時刻(4c)と同様にOFF* 出力をLow レベルに変化させ、第2の電圧監視ICからリセット信号を出力させる。時刻(5d)により、第2の電圧監視IC2のリセット出力reset 1がLow レベルに変化する。これにより、セレクタ9の出力はDRAM制御部8からの入力から、予備電源制御部5からのALRM信号に切り替わる。但しいずれもHighなので、DRAMはスタンバイ・モードを継続する。
【0052】
〔他の実施例〕
実施例1では、主電源の電圧が低下しreset 0がLow レベルとなって、図4又は図5に示したパワーオフシーケンスを実行している期間に、CPUからDRAMへのアクセスを無視する。このためCPUは誤ったデータを読みとる。この結果、CPUは正常な動作を行えない。特にDRAMのアクセスがスタックからのポップ動作だった場合には暴走する。reset1がLow レベルになるとCPU7はリセット状態となるので暴走は停止するが、この間に他のメモリーの内容が書き換えられる危険がある。
【0053】
この危険を回避するため、第1の電圧監視ICのリセット出力をCPUに対するバス・ホールド要求信号として与える。これによりDRAMのセルフリフレッシュ・モードへの移行とほぼ同時にCPUが停止するので、アクセス不能となったDRAMから不定なデータを読み込んで誤った動作を行うことを防止することができる。なお、第1および第2の電圧監視ICは必ずしもICである必要はなく、ディスクリート部品で横成することもできる。
【0054】
以上の説明から明らかなように、主電源の供給が停止されると第1の電圧監視ICが主電源の電圧の低下を検出し、DRAM制御ロジックにセルフリフレッシュ・モードへの移行を要求する。DRAM制御ロジックは、CPUのバスアクセス・サイクルの中からDRAMをアクセスしていないタイミングを検出し、RAS CAS をセルフリフレッシュ・モードとなるシーケンスで出力する。
【0055】
次にDRAM制御ロジックは、第2の電圧監視ICからリセット信号を出力させるべく、第2の電圧監視ICのVref 入力に接続されるデジタル出力信号をLow レベルに変化させる。この結果、第2の電圧監視ICはリセット信号を出力し、本システムはリセット状態となる。2つの電圧監視ICのリセット出力がLow となるので、セレクタはALRM信号を出力する。したがって、バックアップ電源が放電可能ならば、RAS /CAS 出力はLow レベルを維持する。
【0056】
主電源が投入されると、DRAM制御ロジックはALRM信号と同一のレベルをRAS /CAS 信号として出力する。第1の電圧監視ICが、主電源起動を検出し、リセット出力をHighレベルとすると、セレクタの出力対象が、ALRM信号からDRAM制御ロジックの出力するRAS /CAS 信号に変化する。また、DRAM制御ロジックは、第2の電圧監視ICのVref に対するデジタル出力信号をHighレベルとする。この結果、所定の時間経過後に、第2の電圧監視ICのリセット出力は解除され、本システムはリセット状態から動作状態になる。
【0057】
リセット出力は、DRAM制御ロジックにも入力され、セルフリフレッシュ・モードからの復帰シーケンスの起動トリガとなる。ALRM信号がLow レベルであれば、復帰シーケンスに従ってRAS /CAS が制御される。ALRM信号がHighレベルの場合、即ちDRAMがバックアップされていない場合は、RAS /CAS 共にHighレベルを出力する。これによりDRAMが要求するイニシャル・モードが満たされる。
【0058】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、DRAMバックアップの為のタイミング制御を、主電源の電圧で動作する論理回路で行うので、ほとんどの回路を集積化できる。また、セルフリフレッシュ・モードへの移行、通常モードへの復帰ともに、論理回路だけで実行するので、ソフトウェアの負担がなくなる。さらに、主電源低下時、システムのリセットを行う前に、DRAMだけをアクセス不能としてしまうと、リセットまでの間にCPUが暴走して、SRAMなど他の保存すべきデータを破壊してしまう可能性があるが、本発明では、第1の電圧監視ICの出力するリセット出力を、CPUに対するバス・ホールド要求とすることにより、CPUの暴走を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例としてのDRAMバックアップ回路のブロック図である。
【図2】バックアップ電源VDBの供給中に主電源Vccが立ち上がった場合の動作タイミングを示すタイミングチャートである。
【図3】バックアップ電源VDBの遮断中に、主電源Vccが立ち上がった場合の動作タイングを示すタイミングチャートである。
【図4】主電源Vccの遮断後、バックアップ電源VDBが供給される場合の動作タイミングを示すタイミングチャートである。
【図5】主電源Vccの遮断後、バックアップ電源VDBも供給されない場合の動作タイミングを示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
l 第lの電圧監視IC
2 第2の電圧監視IC
3 OR論理ゲート
4 NOR論理ゲート
5 予備電源制御部
6 FET素子
7 CPU
8 DRAM制御部
9 セレクタ
10 DRAM
11 DRAM
Claims (5)
- (1)主電源の電圧が第1の閾値以下の期間、および前記電圧が前記第1の閾値以下の電圧から当該閾値を越えた電圧に変化してから第1の所定の時間が経過するまでの期間に、第1のリセット信号をアクティブにし、他の期間に前記第1のリセット信号を非アクティブにする第1の電圧監視手段と、
(2)監視電圧が第2の閾値以下の期間、および前記監視電圧が前記第2の閾値以下の電圧から当該閾値を越えた電圧に変化してから第2の所定の時間が経過するまでの期間に、第2のリセット信号をアクティブにし、他の期間に前記第2のリセット信号を非アクティブにする第2の電圧監視手段と、
(3)主電源が投入されている時に充電され、前記主電源が投入されていないときに放電し、電力を供給できるか否か示す電力信号を充電容量に応じて出力する予備電源と、
(4)前記主電源が投入されているときに前記主電源から電力が供給され、前記主電源が投入されていないときに前記予備電源から電力が供給されるDRAMと、
(5)前記主電源により駆動されるDRAM制御手段であって、
前記第1のリセット信号がアクティブになると、前記DRAMをバックアップ状態に遷移させるDRAM制御信号を出力し、その後に前記監視電圧を前記第2の閾値以下に変化させる手段と、
前記第1のリセット信号がアクティブでなくなると、前記監視電圧を前記第2の閾値を越える電圧に変化させ、前記電力信号に応じて、前記DRAMをバックアップ状態から復帰させる復帰制御を行うか、スタンバイ状態から起動させる起動制御を行うかを決定する手段とを有するDRAM制御手段と、
(6)前記主電源により駆動され、前記第2のリセット信号によりリセットされるCPUと
を備えたことを特徴とするDRAM制御装置。 - 前記DRAM制御手段は、前記第1のリセット信号がアクティブになると、前記CPUが前記DRAMをアクセスしないバス・タイミングで前記DRAMをバックアップ状態に遷移させることを特徴とする請求項1に記載のDRAM制御装置。
- 前記第1の所定の時間が前記第2の所定の時間よりも短いことを特徴とする請求項1又は2に記載のDRAM制御装置。
- 前記第1のリセット信号が、前記CPUのバス・ホールド要求入力に入力されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のDRAM制御装置。
- 前記予備電源は、電力を供給できるか否か示す電力信号を充電容量に応じて出力する出力手段を有し、
前記DRAM制御手段は、前記第1のリセット信号がアクティブとなったときに、前記電力信号に応じて、前記DRAMをバックアップ状態とするかスタンバイ状態とするかを決定することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のDRAM制御装置。
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JPH0934806A JPH0934806A (ja) | 1997-02-07 |
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