JPH08328010A

JPH08328010A - 液晶表示素子

Info

Publication number: JPH08328010A
Application number: JP7157066A
Authority: JP
Inventors: Tomio Tanaka; 富雄田中; Jun Ogura; 潤小倉; Tetsushi Yoshida; 哲志吉田
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 1995-05-31
Filing date: 1995-05-31
Publication date: 1996-12-13
Anticipated expiration: 2015-02-07
Also published as: JP3005936B2

Abstract

(57)【要約】【目的】安定した階調表示が可能な強誘電相を有する
液晶表示素子を提供することである。【構成】液晶表示素子は、画素電極３が形成された基
板１と、対向電極７が形成された基板２と、基板１と画
素電極３の上に形成された配向膜８と、配向膜と基板２
の間に配置された強誘電性又は反強誘電性の液晶１１
と、から構成される。配向膜８の表面には、異なる極性
で絶対値が等しい印加電圧に対する液晶分子のチルト角
を等しくするため、反対方向に１回ずつラビングを行
う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は強誘電相及び／又は反
強誘電相を有する強誘電性液晶（反強誘電性液晶を含
む）を用いた液晶表示素子に関し、特に、安定した階調
表示が可能な液晶表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】階調表示の可能な強誘電性液晶表示素子
として、カイラルスメクティック相の螺旋ピッチが表示
素子の基板間隔より小さい強誘電性液晶を用いることが
提案されている。この種の強誘電性液晶は、メモリ性を
有するものがＳＢＦ液晶と呼ばれ、非メモリ性のものが
ＤＨＦ液晶と呼ばれている（「LIQUID CRYSTALS」, 198
9, Vol.5, NO.4, の第1171頁ないし第1177頁参照）。

【０００３】ＤＨＦ液晶を用いる液晶表示素子は、ＤＨ
Ｆ液晶が螺旋構造をもった状態で一対の基板間に封入さ
れ、該一対の基板を一対の偏光板で挟んで形成されてい
る。ＤＨＦ液晶は、液晶層を挟んで対向する電極間に絶
対値が十分大きい値の電圧を印加した時、印加電圧の極
性に応じて、液晶分子の平均的な配向方向が第１の方向
となる第１の配向状態（第１の強誘電相）と液晶分子の
平均的な配向方向が第２の方向になる第２の配向状態
（第２の強誘電相）とのいずれかになり、印加電圧の絶
対値が前記第１の配向状態又は第２の配向状態となる電
圧より小さい場合、分子配列の螺旋の歪みにより、液晶
分子の平均的な配向方向が前記第１と第２の方向の間と
なる中間の配向状態になる。この中間の配向状態を用い
て中間調を表示することができる。

【０００４】また、ＳＢＦ液晶を用いる液晶表示素子で
は、第１の配向状態の液晶分子からなる領域と第２の配
向状態の液晶分子からなる領域の割合が印加電圧に応じ
て変化し、この割合の変化を用いて階調を表示する。

【０００５】一方、反強誘電性液晶は２つの強誘電相と
１つの反強誘電相を有し、液晶分子は３つの安定状態を
有すると共に前駆現象等により中間の配向状態にも配向
する。この中間配向状態を用いて階調を表示することが
できる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】強誘電相及び／又は反
強誘電相を有する液晶では、図１３（Ａ）及び（Ｂ）に
示す正極性の所定電圧を印加した時の液晶分子のスメク
ティック層の法線方向に対する角度（チルト角）θ
₁と、負極性の所定電圧を印加した時の液晶分子のチル
ト角θ₂は、方向が反対で値が等しいことが望ましい。
即ち、印加電圧−透過率特性が反対極性の電圧の印加に
対して等しいことが望ましい。しかし、実際には、極性
が反対の電圧を印加した場合の液晶分子のチルト角θ₁
とθ₂は、互いに異なってしまう。このため、液晶表示
素子の透過率が印加電圧の極性に応じて変化してしま
い、表示階調に応じてにムラが発生したり、表示が安定
しないという問題があった。

【０００７】この発明は、上記実状に鑑みてなされたも
ので、安定した階調表示が可能な強誘電相を有する液晶
表示素子を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第１の観点に係る液晶表示素子は、第１
の電極が形成された第１の基板と、前記第１の電極に対
向する対向電極が形成された第２の基板と、前記第１の
基板と第１の電極の上に形成され、第１の方向に第１の
配向処理が施され、前記第１の方向と反対の第２の方向
に第１の配向処理に重ねて第２の配向処理が施されてい
る配向膜と、前記配向膜と前記第２の基板間に配置さ
れ、スメクティック相の液晶と、を備えることを特徴と
する。

【０００９】また、この発明の第２の観点に係る液晶表
示素子は、第１の電極が形成された第１の基板と、前記
第１の電極に対向する第２の電極が形成された第２の基
板と、第１と第２の基板の間に配置され、スメクティッ
ク相の層構造をもち、前記第１の電極と第２の電極間に
印加された電圧に応じて、液晶分子が第１の方向にほぼ
配列した第１の配向状態と、液晶分子が第２の方向にぼ
ぼ配列した第２の配向状態と、液晶分子の平均的な配列
方向が前記第１の方向と前記第２の方向の間の任意の方
向となる中間の配向状態にそれぞれ配向する中間配向状
態を持った液晶と、前記第１の基板と第１の電極の上に
形成され、前記液晶の層の法線に対し右側にチルトする
液晶分子と左側にチルトする液晶分子に対し実質的に同
一の弾性係数を与え、異なった極性で同一値の電圧が前
記液晶に印加された時に、実質的に同一のチルト角を液
晶分子に与える配向膜と、前記第１と第２の基板を挟ん
で配置され、前記液晶の層の法線と実質的に平行な方向
に光学軸が設定された一方の偏光板と、前記一方の偏光
板の光学軸に直交又は平行に光学軸が設定された他方の
偏光板と、を備えることを特徴とする。

【００１０】

【作用】第１の観点にかかる液晶表示素子によれば、配
向膜に反対方向に複数回配向処理が施されている。この
処理により、印加電圧の極性が変化しても液晶分子のチ
ルト角が等しくなる。このため、正極性の印加電圧と負
極性の印加電圧により同一の表示特性を得ることが可能
となる。

【００１１】また、第２の観点にかかる液晶表示素子に
よれば、極性が異なって値が同一の電圧が印加された際
に、配向膜が液晶分子に実質的に同一のチルト角を与え
る。従って、印加電圧の極性が変化しても、印加電圧の
値が等しければ液晶分子のチルト角は等しくなる。この
ため、正極性の電圧と負極性の電圧により同一の表示特
性を得ることが可能となる。

【００１２】

【実施例】まず、この実施例の強誘電性液晶表示素子の
構成を説明する。図１は強誘電性液晶表示素子の断面
図、図２は強誘電性液晶表示素子の画素電極とアクティ
ブ素子を形成した透明基板の平面図である。この強誘電
性液晶表示素子は、アクティブマトリクス方式のもので
あり、図１に示すように、一対の透明基板（例えば、ガ
ラス基板）１、２間に液晶１１を封入して形成した液晶
セルと、該液晶セルを挟んで配置された一対の偏光板１
３，１４と、から構成される。

【００１３】図１において下側の透明基板（以下、下基
板）１には、図１、図２に示すように、ＩＴＯ等の透明
導電材料から構成された画素電極３と画素電極３にソー
スが接続された薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）４と
がマトリクス状に形成されている。

【００１４】図２に示すように、画素電極３の行間にゲ
ートライン５が配線され、画素電極３の列間にデータラ
イン（階調信号ライン）６が配線されている。各ＴＦＴ
４のゲート電極は対応するゲートライン５に接続され、
ドレイン電極は対応するデータライン６に接続されてい
る。ゲートライン５は、行ドライバ２１に接続され、デ
ータライン６は列ドライバ２２に接続される。行ドライ
バ２１は、後述するゲート電圧を印加して、ゲートライ
ン５をスキャンする。一方、列ドライバ２２は、画像デ
ータを受け、データライン６に画像データに対応するデ
ータ信号を印加する。

【００１５】図１において、上側の透明基板（以下、上
基板）２には、下基板１の各画素電極３と対向し、基準
電圧Ｖ０が印加されている対向電極７が形成されてい
る。下基板１と上基板２の電極形成面には、それぞれ配
向膜８、９が設けられている。配向膜８、９はポリイミ
ド等の有機高分子化合物から構成されている。配向膜８
の表面には、図３に破線で示す方向１１Ｄに配向処理が
施され、続いて、同一の面に、方向１１Ｄと反対の方向
１１Ｃにラビングが施されている。即ち、異なった方向
に二重に配向処理が施されている。

【００１６】配向膜と液晶分子との関係を弾性体モデル
で考えると、図１３（Ａ）に示すように液晶分子がスメ
クティック層の法線の右側にチルトする時の液晶分子の
弾性係数Ｋ1と図１３（Ｂ）に示すように液晶分子がス
メクティック層の法線の左側にチルトする時の液晶分子
の弾性係数Ｋ2は異なる。このため、絶対値が等しい電
圧を印加した場合でも、右チルトのチルト角θ₁と左チ
ルトのチルト角θ₂に差が生ずる。

【００１７】配向膜８は反対方向に１回ずつラビングさ
れている。このため、１回目のラビングによる右側チル
ト用の弾性係数Ｋ₁と２回目のラビングによる左側チル
ト用の弾性係数Ｋ₂’が平均化され、また、１回目のラ
ビングによる左側チルト用の弾性係数Ｋ₂と２回目のラ
ビングによる右側チルト用の弾性係数Ｋ₁’が平均化さ
れ、右チルトの弾性係数と左チルトの弾性係数が平均化
されてほぼ等しくなる。従って、正極性の所定電圧が印
加された時の液晶分子のチルト角θ₁と、負極性の所定
電圧が印加された時の液晶分子のチルト角θ₂とは等し
くなる。

【００１８】例えば、このような配向処理は、図４に示
すように、ラビング装置のラビングドラム３１に巻設し
たラビング布２１の下端を配向膜８に０．５５mm程度押
し込んでラビングドラムを５００ｒｐｍで回転させつつ
５mm／秒の速度で移動させて第１のラビング方向１１Ｄ
にラビングし、続いて、ラビング布の下端を配向膜８に
０．４５mm程度押し込んだ状態で、反対方向にラビング
ドラムを移動させて第２のラビング方向１１Ｃにラビン
グすることにより実現できる。

【００１９】なお、配向膜９には配向処理は施されてい
ない。また、配向膜９は保護膜等でもよい。あるいは、
対向電極７が直接液晶１１に接するようにしてもよい。

【００２０】下基板１と上基板２は、その外周縁部にお
いて枠状のシール材１０を介して接着されている。基板
１、２とシール材１０で囲まれた領域には液晶１１が封
入されている。液晶１１は、カイラルスメクティックＣ
相の螺旋ピッチが両基板１、２の間隔より小さく、か
つ、配向状態のメモリ性を有さない強誘電性液晶（ＤＨ
Ｆ液晶）である。液晶１１は、螺旋ピッチが、可視光帯
域の波長である７００nm〜４００nm以下（例えば、４０
０nm〜３００nm）であり、自発分極が大きく、コーンア
ングルが約２７°ないし４５゜の強誘電性液晶組成物か
らなる。液晶１１の層の厚さ、即ち、ギャップ長はギャ
ップ材１２により均一に保持されている。

【００２１】液晶１１は、カイラルスメクティックＣ相
が有する層構造の層の法線を配向膜８の配向処理の方向
１１Ｃにほぼ向けて均一な層構造を形成する。なお、層
構造の層の法線方向と配向処理の方向１１Ｃは必ずしも
一致しない。液晶１１は、その螺旋ピッチが基板間隔よ
り小さいため、螺旋構造をもった状態で基板１、２間に
封入されている。画素電極３と対向電極７との間に絶対
値が十分大きい電圧を印加したとき、液晶１１は印加電
圧の極性に応じて、液晶分子の配向方向がほぼ第１の配
向方向となる第１の配向状態と液晶分子の配向方向がほ
ぼ第２の配向方向となる第２の配向状態のいずれかの状
態に設定される。また、絶対値が液晶分子を第１又は第
２の配向状態に配向させる電圧より低い電圧を画素電極
３と対向電極７間に印加したとき、液晶１１の分子配列
の螺旋が歪み、液晶１１の平均的な配向方向が第１の配
向方向と第２の配向方向の間の方向となる中間配向状態
となる。

【００２２】液晶表示素子の上下には、一対の偏光板１
３、１４が配置されている。偏光板１３の透過軸１３Ａ
は上述の配向処理の方向１１Ｃにほぼ平行に設定され、
偏光板１４の透過軸１４Ａは透過軸１３Ａに直交するよ
うに設定されている。なお、図３において、符号１１
Ａ、１１Ｂは、液晶１１の第１と第２の配向状態におけ
る液晶分子の配向方向（ダイレクタの方向）を示す。

【００２３】図３に示すように偏光板１３、１４の透過
軸１３Ａ，１４Ａを設定した強誘電性液晶表示素子は、
液晶分子を第１又は第２の配向方向１１Ａ、１１Ｂに配
向させた第１又は第２の配向状態の時に透過率が最も高
く（表示が最も明るく）なり、液晶分子を前記スメクテ
ィック相の層の法線方向とほぼ平行な中間方向１１Ｃに
配向させた時に透過率が最も低く（表示が最も暗く）な
る。

【００２４】液晶１１のダイレクタは、印加電圧の極性
と電圧値（絶対値）に応じて、配向方向１１Ａと１１Ｂ
の間で連続的に変化する。このため、この強誘電性液晶
表示素子の透過率は連続的に変化可能である。

【００２５】次に、液晶１１の特性について説明する。
この実施例においては、周期が比較的長い（０．１Ｈｚ
程度）三角波電圧を印加した時に、その光学応答特性が
図５に示すように連続的に変化し、閾値のないものを使
用する。また、光学応答特性のヒステリシスは小さい方
が望ましい。

【００２６】次に、上記構成の液晶表示素子の駆動方法
を図６（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。図６（Ａ）
は、行ドライバ２１が第１行のＴＦＴ４に接続されたゲ
ートライン５に印加するゲート信号の波形を示し、図６
（Ｂ）は、列ドライバ２２がデータライン６に印加する
データ信号の波形を示す。なお、理解を容易にするた
め、第１行の画素用のデータ信号のみを示し、他の行用
のデータ信号は図示しない。

【００２７】図６（Ａ）、（Ｂ）において、ＴＦは１フ
レーム期間、ＴＳは第１行の画素の選択期間、ＴＯは非
選択期間を示す。各選択期間ＴＳは、例えば、約６０μ
秒である。この実施例においては、図６（Ｂ）に示すよ
うに、連続する２つのフレームＴＦodd（奇数番目のフ
レーム）とＴＦeven（偶数番目のフレーム）の選択期間
ＴＳに、表示階調に応じ、極性が反対で絶対値が同一の
電圧値ＶＤ、−ＶＤを有する駆動パルス（書き込みパル
ス）をデータライン６に印加する。即ち、１つの画像デ
ータ（階調信号）について、電圧の絶対値が等しく、極
性が正と負との２つの駆動パルスを２つのフレームＴＦ
oddとＴＦevenの選択期間ＴＳにそれぞれ１つずつ印加
する。

【００２８】この駆動方法では、書き込み電圧ＶＤの最
小値をＶ０とし、最大値Ｖmaxを透過率の飽和が起こる
電圧（図５では、Ｖsat）よりも若干低い値として、Ｖ
０乃至Ｖmaxの範囲で書き込み電圧ＶＤを制御する。

【００２９】上記のような波形のゲート信号とデータ信
号とを用いて上記強誘電性液晶表示素子を駆動すると、
各行の選択期間ＴＳに、駆動パルスの電圧（書き込み電
圧）ＶＤ又は−ＶＤがゲート信号によりオンしているＴ
ＦＴ４を介して画素電極３に印加される。ゲート信号が
オフし、非選択期間ＴＯになると、ＴＦＴ４がオフし、
書き込み電圧ＶＤ又は−ＶＤに応じた電圧が画素電極３
と対向電極７とその間の液晶１１とで形成される容量
（画素容量）に保持される。このため、非選択期間ＴＯ
の間、その画素の透過率が、画素容量の保持電圧に対応
する値、即ち、書き込み電圧ＶＤ又は−ＶＤに対応した
値に維持される。

【００３０】この実施例では、液晶１１として印加電圧
の変化に対する透過率が連続的に変化するものを使用
し、しかも、図３に示す光学配置を採用しているので、
書き込み電圧ＶＤ又は−ＶＤの絶対値に対する透過率が
一義的に定まり、書き込み電圧ＶＤ又は−ＶＤの絶対値
により透過率を制御して、階調表示を実現できる。

【００３１】しかも、配向膜８が反対方向に２回ラビン
グされている。このため、図１３（Ａ）に示すように書
き込み電圧ＶＤを印加した時の液晶分子のチルトθ
₁と、図１３（Ｂ）に示す書き込み電圧−ＶＤを印加し
た時の液晶分子のチルトθ₂とはほぼ等しくなる。従っ
て、印加電圧の極性により透過率が変動する事態を防止
することができ、極性に関わらず所望の表示階調を得る
ことができる。

【００３２】この実施例の液晶表示素子の動作確認のた
めの実験を行った。まず、この実施例の液晶表示素子を
図６の駆動方法により駆動し、電圧ＶＤを変化させた時
の液晶表示素子の透過率の変化を図７に示す。また、比
較例として、方向１１Ｃに１回配向処理が行われた配向
膜８を備える液晶表示素子の電圧と透過率の変化を図８
に示す。

【００３３】図７に示すように、この実施例の液晶表示
素子では、正極性の印加電圧ＶＤに対する透過率と負極
性の印加電圧−ＶＤに対する透過率とはほとんど差が生
じない。これに対し、図８に示す比較例の液晶表示素子
では、正極性の印加電圧ＶＤに対する透過率と負極性の
印加電圧−ＶＤに対する透過率との差が大きい。この実
験からも、この実施例により、配向膜と液晶分子の間の
弾性エネルギーの異方性が小さく、優れた特性の液晶表
示素子が得られることが確認された。

【００３４】なお、上記実施例では、液晶１１として強
誘電性液晶であるＤＨＦ液晶を使用したが、ＳＢＦ液晶
あるいは反強誘電性液晶（以下、ＡＦＬＣ）を使用して
もよい。ＡＦＬＣは、その螺旋ピッチが基板間隔より大
きいため、螺旋構造を消失した状態で基板１、２間に封
入され、一対の偏光板１３、１４の透過軸１３Ａ，１４
Ａは、図３に示すように配置される。この実施例のＡＦ
ＬＣとしては、図９〜図１２に示すように、印加電圧の
変化に対し連続的に透過率が変化し、明確な閾値を有し
ていないものを使用する。このような光学特性は、(1)
スメクティックＣA^*相の液晶が描く二重螺旋が印加電圧
に応じて歪むＡＦＬＣ、(2)液晶分子の長軸回りの回転
が電圧の印加により抑制されることにより、液晶分子が
電界と垂直方向に傾くＡＦＬＣ、(3)印加電圧に応じた
角度だけ液晶分子がコーンに沿って移動するＡＦＬＣ、
(4)２つの配向状態の一方の状態にある液晶分子が印加
電圧に応じて他方の配向状態に切り替わり、その割合が
印加電圧に応じて変化するＡＦＬＣを単独又は組み合わ
せて使用することにより得ることができる。

【００３５】なお、上記実施例においては、配向膜８に
２回配向処理（ラビング）を施したが、ラビングの回数
はより多くてもよい。但し、偶数回反対方向にラビング
することが望ましい。また、配向膜８のみに配向処理を
施したが、対向基板２側の配向膜９にも配向処理を施し
ても良い。この場合も配向膜９にも反対方向に複数回配
向処理を施すことが望ましい。

【００３６】例えば、上記実施例では、各表示データに
ついて正負２つの駆動パルスを液晶１１に印加したが、
１つの表示データに１つの駆動パルスを印加するように
してもよい。例えば、表示データがＩ１、Ｉ２、Ｉ３、
Ｉ４・・・・・・の場合に、印加電圧をＶＤ１、−ＶＤ２，Ｖ
Ｄ３、−ＶＤ４・・・・・・と印加するようにしてもよい。

【００３７】図３では、第１の方向１１Ａと第２の方向
１１Ｂの中間の方向１１Ｃに一方の偏光板１３の透過軸
１３Ａを一致させ、他方の偏光板１４の透過軸１４Ａを
透過軸１３Ａに直交させるようにしたが、他方の偏光板
１４の透過軸１４Ａを透過軸１３Ａに平行にしてもよ
い。また、第１の方向１１Ａと第２の方向１１Ｂの中間
の方向１１Ｃに一方の偏光板１３の吸収軸を一致させ、
他方の偏光板１４の吸収軸を一方の偏光板１３の吸収軸
に直交させるようにしてもよい。

【００３８】さらに、上記実施例では、アクティブマト
リクスタイプの液晶表示素子を例にこの発明を説明した
が、単純マトリクスタイプの液晶表示素子にも同様に適
用可能である。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、配向膜に複数回異なる方向に配向処理を施したの
で、正極性の所定電圧を印加した時の液晶分子のチルト
と負極性の所定電圧を印加した時の液晶分子のチルトは
ほぼ等しくなり、透過率もほぼ等しくなる。従って、所
望の階調を確実に表示して表示ムラを防止することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例の液晶表示素子の構造を示
す断面図である。

【図２】図１に示す液晶表示素子の下基板の構成を示す
平面図である。

【図３】上下偏光板の透過軸の方向と液晶分子の配向方
向を示す平面図である。

【図４】配向膜８をラビングする手法を説明する図であ
る。

【図５】印加電圧と透過率の関係を示すグラフである。

【図６】この発明の一実施例の強誘電性液晶表示素子の
駆動方法を説明するための波形図であり、（Ａ）はこの
発明の一実施例の強誘電性液晶表示素子の駆動方法によ
りゲートラインに供給されるゲート信号の波形を示す図
である。（Ｂ）は一実施例の強誘電性液晶表示素子の駆
動方法によりデータラインに供給されるデータ信号の一
例の波形を示す図である。

【図７】図６に示す駆動波形を用いてこの実施例の液晶
表示素子を駆動したときの透過率の変化を示すグラフで
ある。

【図８】図６に示す駆動波形を用いて比較例の液晶表示
素子を駆動したときの透過率の変化を示すグラフであ
る。

【図９】この発明の実施例で使用可能な反強誘電性液晶
の印加電圧と透過率の関係を示すグラフである。

【図１０】この発明の実施例で使用可能な反強誘電性液
晶の印加電圧と透過率の関係を示すグラフである。

【図１１】この発明の実施例で使用可能な反強誘電性液
晶の印加電圧と透過率の関係を示すグラフである。

【図１２】この発明の実施例で使用可能な反強誘電性液
晶の印加電圧と透過率の関係を示すグラフである。

【図１３】印加電圧と液晶分子の配向の関係を示す図で
あり、（Ａ）は正極性の電圧を印加したときの配向、
（Ｂ）は負極性の電圧を印加したときの配向を表す。

【符号の説明】

１・・・透明基板、２・・・透明基板、３・・・画素電極、４・・・
ＴＦＴ、５・・・ゲートライン、６・・・データライン、７・・
・対向電極、８・・・配向膜、９・・・配向膜、１０・・・シール
材、１１・・・液晶、１２・・・ギャップ材、１３・・・偏光
板、１４・・・偏光板、２１・・・行ドライバ、２２・・・列ド
ライバ、３１・・・ラビングドラム、３２・・・ラビング布

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の電極が形成された第１の基板と、前記第１の電極に対向する対向電極が形成された第２の
基板と、前記第１の基板と第１の電極の上に形成され、第１の方
向に第１の配向処理が施され、前記第１の方向と反対の
第２の方向に第１の配向処理に重ねて第２の配向処理が
施されている配向膜と、前記配向膜と前記第２の基板間に配置され、スメクティ
ック相の液晶と、を備えることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】第１の電極が形成された第１の基板と、前記第１の電極に対向する第２の電極が形成された第２
の基板と、第１と第２の基板の間に配置され、スメクティック相の
層構造をもち、前記第１の電極と第２の電極間に印加さ
れた電圧に応じて、液晶分子が第１の方向にほぼ配列し
た第１の配向状態と、液晶分子が第２の方向にぼぼ配列
した第２の配向状態と、液晶分子の平均的な配列方向が
前記第１の方向と前記第２の方向の間の任意の方向とな
る中間の配向状態にそれぞれ配向する中間配向状態を持
った液晶と、前記第１の基板と第１の電極の上に形成され、前記液晶
の層の法線に対し右側にチルトする液晶分子と左側にチ
ルトする液晶分子に対し実質的に同一の弾性係数を与
え、異なった極性で同一値の電圧が前記液晶に印加され
た時に、実質的に同一のチルト角を液晶分子に与える配
向膜と、前記第１と第２の基板を挟んで配置され、前記液晶の層
の法線と実質的に平行な方向に光学軸が設定された一方
の偏光板と、前記一方の偏光板の光学軸に直交又は平行
に光学軸が設定された他方の偏光板と、を備えることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項３】前記配向膜は、前記スメクティック相の層
の法線に実質的に平行な第１の方向に第１の配向処理が
施され、前記第１の方向と反対の第２の方向に第１の配
向処理に重ねて第２の配向処理が施されて形成されてい
る、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示
素子。
【請求項４】さらに、前記第２の電極と前記第２の基板
の上に形成された第２の配向膜を備える、ことを特徴と
する請求項１、２又は３に記載の液晶表示素子。