JPH08325715A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JPH08325715A JPH08325715A JP13533895A JP13533895A JPH08325715A JP H08325715 A JPH08325715 A JP H08325715A JP 13533895 A JP13533895 A JP 13533895A JP 13533895 A JP13533895 A JP 13533895A JP H08325715 A JPH08325715 A JP H08325715A
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- JP
- Japan
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- measuring means
- temperature
- electron gun
- electron beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高性能な磁気記録媒体を効率良く得ることが
出来る技術を提供することにある。 【構成】 容器内の材料にビームを照射し、該材料を蒸
発させ、支持体上に堆積させて薄膜を形成する成膜装置
であって、前記容器内の材料にビームを照射する照射手
段と、前記容器内の温度情報を計測する計測手段と、前
記計測手段からの信号を受けて前記ビームを基準位置に
照射するよう制御する制御手段とを具備する成膜装置。
出来る技術を提供することにある。 【構成】 容器内の材料にビームを照射し、該材料を蒸
発させ、支持体上に堆積させて薄膜を形成する成膜装置
であって、前記容器内の材料にビームを照射する照射手
段と、前記容器内の温度情報を計測する計測手段と、前
記計測手段からの信号を受けて前記ビームを基準位置に
照射するよう制御する制御手段とを具備する成膜装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気記録媒体の
製造装置などの成膜装置に関する。
製造装置などの成膜装置に関する。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
【０００３】すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を構成した磁気
記録媒体が提案されている。そして、この種の磁気記録
媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密度記録に
適したものである。特に、蒸着手段により磁性膜を構成
する手段は、スパッタリングによる場合よりも成膜速度
が速いことから好ましいものと言われている。
段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を構成した磁気
記録媒体が提案されている。そして、この種の磁気記録
媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密度記録に
適したものである。特に、蒸着手段により磁性膜を構成
する手段は、スパッタリングによる場合よりも成膜速度
が速いことから好ましいものと言われている。
【０００４】この蒸着手段による磁気記録媒体の製造装
置は、一般的には、図７のように構成されている。尚、
図７中、３１は冷却キャンロール、３２ａはポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム３３の供給側ロー
ル、３２ｂはＰＥＴフィルム３３の巻取側ロール、３４
は遮蔽板、３５はルツボ、３６は磁性合金、３７は真空
槽である。すなわち、真空槽３７内を所定の真空度に排
気した後、電子銃３８を作動させてルツボ３５内の磁性
合金３６を蒸発させ、ＰＥＴフィルム３３に磁性合金粒
子を堆積（蒸着）させることによって磁気記録媒体が製
造される。
置は、一般的には、図７のように構成されている。尚、
図７中、３１は冷却キャンロール、３２ａはポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム３３の供給側ロー
ル、３２ｂはＰＥＴフィルム３３の巻取側ロール、３４
は遮蔽板、３５はルツボ、３６は磁性合金、３７は真空
槽である。すなわち、真空槽３７内を所定の真空度に排
気した後、電子銃３８を作動させてルツボ３５内の磁性
合金３６を蒸発させ、ＰＥＴフィルム３３に磁性合金粒
子を堆積（蒸着）させることによって磁気記録媒体が製
造される。
【０００５】このような製造装置において蒸着作業を連
続して行うと、ルツボ３５内の磁性合金３６の減少や真
空槽３７内に付着した磁性合金３６により、真空槽３７
内の磁界が変化する。この為、磁性合金３６の目標位置
（基準位置あるいは初期設定位置）に電子ビームが照射
されなくなり、蒸着レートが低下したり、磁性合金の蒸
発位置がずれたりして安定した蒸着作業が行えず、ＰＥ
Ｔフィルム上に堆積する磁性膜に欠陥が引き起こされ、
高性能な磁気記録媒体が歩留り良く得られ難くなる。
続して行うと、ルツボ３５内の磁性合金３６の減少や真
空槽３７内に付着した磁性合金３６により、真空槽３７
内の磁界が変化する。この為、磁性合金３６の目標位置
（基準位置あるいは初期設定位置）に電子ビームが照射
されなくなり、蒸着レートが低下したり、磁性合金の蒸
発位置がずれたりして安定した蒸着作業が行えず、ＰＥ
Ｔフィルム上に堆積する磁性膜に欠陥が引き起こされ、
高性能な磁気記録媒体が歩留り良く得られ難くなる。
【０００６】例えば、電子ビームの照射位置が基準位置
から１ｃｍずれただけでも、これは予定した磁性膜の性
能から程遠いものであることが判って来た。
から１ｃｍずれただけでも、これは予定した磁性膜の性
能から程遠いものであることが判って来た。
【０００７】
【発明の開示】本発明の目的は、高性能な磁気記録媒体
を効率良く得ることが出来る技術を提供することにあ
る。この本発明の目的は、容器内の材料にビームを照射
し、該材料を蒸発させ、支持体上に堆積させて薄膜を形
成する成膜装置であって、前記容器内の材料にビームを
照射する照射手段と、前記容器内の温度情報を計測する
計測手段と、前記計測手段からの信号を受けて前記ビー
ムを基準位置に照射するよう制御する制御手段とを具備
することを特徴とする成膜装置によって達成される。
を効率良く得ることが出来る技術を提供することにあ
る。この本発明の目的は、容器内の材料にビームを照射
し、該材料を蒸発させ、支持体上に堆積させて薄膜を形
成する成膜装置であって、前記容器内の材料にビームを
照射する照射手段と、前記容器内の温度情報を計測する
計測手段と、前記計測手段からの信号を受けて前記ビー
ムを基準位置に照射するよう制御する制御手段とを具備
することを特徴とする成膜装置によって達成される。
【０００８】尚、この成膜装置において、基準位置に対
して対称な位置に計測手段を設けておき、一方の計測手
段による温度が他方の計測手段による温度より高いこと
が判明した場合、その程度に応じてビームを他方の計測
手段側に移動させるよう制御手段を構成することが出来
る。例えば、基準位置をＸ−Ｙ座標における原点とした
場合、（＋Ｘ1 ，０）の位置に第１の計測手段（例え
ば、熱電対）を、（−Ｘ1 ，０）の位置に第２の計測手
段（例えば、熱電対）を、（０，＋Ｙ1 ）の位置に第３
の計測手段（例えば、熱電対）を、（０，−Ｙ1 ）の位
置に第４の計測手段（例えば、熱電対）を設けておき、
（第１の計測手段による温度）−（第２の計測手段によ
る温度）を第１の減算回路によって求め、又、（第３の
計測手段による温度）−（第４の計測手段による温度）
を第２の減算回路によって求め、これによる温度差が零
の場合には、温度分布が原点を中心にして対称にあるこ
とからビームは原点に照射されていると考えることが出
来る。そして、第１の減算回路による温度差が＋の場合
には、温度分布が原点を中心にして＋Ｘ1 側の位置に寄
っていることから、ビームは原点より＋Ｘ1 側の位置に
寄っていると考えることが出来る。従って、その値に応
じてビームを−Ｘ側に移動させるよう制御手段を構成さ
せておけば良い。逆に、第１の減算回路による温度差が
−の場合には、温度分布が原点を中心にして−Ｘ1 側の
位置に寄っていることから、ビームは原点より−Ｘ1 側
の位置に寄っていると考えることが出来る。従って、そ
の値に応じてビームを＋Ｘ側に移動させるよう制御手段
を構成させておけば良い。同様に、第２の減算回路によ
る温度差が＋の場合には、温度分布が原点を中心にして
＋Ｙ1 側の位置に寄っていることから、ビームは原点よ
り＋Ｙ1 側の位置に寄っていると考えることが出来る。
従って、その値に応じてビームを−Ｙ側に移動させるよ
う制御手段を構成させておけば良い。逆に、第２の減算
回路による温度差が−の場合には、温度分布が原点を中
心にして−Ｙ1 側の位置に寄っていることから、ビーム
は原点より−Ｙ1側の位置に寄っていると考えることが
出来る。従って、その値に応じてビームを＋Ｙ側に移動
させるよう制御手段を構成させておけば良い。
して対称な位置に計測手段を設けておき、一方の計測手
段による温度が他方の計測手段による温度より高いこと
が判明した場合、その程度に応じてビームを他方の計測
手段側に移動させるよう制御手段を構成することが出来
る。例えば、基準位置をＸ−Ｙ座標における原点とした
場合、（＋Ｘ1 ，０）の位置に第１の計測手段（例え
ば、熱電対）を、（−Ｘ1 ，０）の位置に第２の計測手
段（例えば、熱電対）を、（０，＋Ｙ1 ）の位置に第３
の計測手段（例えば、熱電対）を、（０，−Ｙ1 ）の位
置に第４の計測手段（例えば、熱電対）を設けておき、
（第１の計測手段による温度）−（第２の計測手段によ
る温度）を第１の減算回路によって求め、又、（第３の
計測手段による温度）−（第４の計測手段による温度）
を第２の減算回路によって求め、これによる温度差が零
の場合には、温度分布が原点を中心にして対称にあるこ
とからビームは原点に照射されていると考えることが出
来る。そして、第１の減算回路による温度差が＋の場合
には、温度分布が原点を中心にして＋Ｘ1 側の位置に寄
っていることから、ビームは原点より＋Ｘ1 側の位置に
寄っていると考えることが出来る。従って、その値に応
じてビームを−Ｘ側に移動させるよう制御手段を構成さ
せておけば良い。逆に、第１の減算回路による温度差が
−の場合には、温度分布が原点を中心にして−Ｘ1 側の
位置に寄っていることから、ビームは原点より−Ｘ1 側
の位置に寄っていると考えることが出来る。従って、そ
の値に応じてビームを＋Ｘ側に移動させるよう制御手段
を構成させておけば良い。同様に、第２の減算回路によ
る温度差が＋の場合には、温度分布が原点を中心にして
＋Ｙ1 側の位置に寄っていることから、ビームは原点よ
り＋Ｙ1 側の位置に寄っていると考えることが出来る。
従って、その値に応じてビームを−Ｙ側に移動させるよ
う制御手段を構成させておけば良い。逆に、第２の減算
回路による温度差が−の場合には、温度分布が原点を中
心にして−Ｙ1 側の位置に寄っていることから、ビーム
は原点より−Ｙ1側の位置に寄っていると考えることが
出来る。従って、その値に応じてビームを＋Ｙ側に移動
させるよう制御手段を構成させておけば良い。
【０００９】温度分布が原点を中心にして同心円状であ
る場合には、上記のように計測手段を配置しておけば良
い。しかしながら、温度分布が同心円状ではなく、例え
ば楕円状に分布している場合には、楕円上の幾つかの対
称な点に計測手段を配置しておけば良い。例えば、ビー
ムをＸ軸方向において走査する場合などには、温度分布
はＸ軸方向において長軸を有する楕円状になる。従っ
て、（＋Ｘ1 ，０），（−Ｘ1 ，０），（０，＋
Ｙ1 ），（０，−Ｙ1 ），（＋Ｘ2 ，＋Ｙ2 ），（−Ｘ
2 ，＋Ｙ2 ），（−Ｘ2 ，−Ｙ2 ），（＋Ｘ2 ，−
Ｙ2 ）等の楕円上の対称な点に計測手段を配置しておけ
ば良い。その他の場合も同様に配置すれば良い。
る場合には、上記のように計測手段を配置しておけば良
い。しかしながら、温度分布が同心円状ではなく、例え
ば楕円状に分布している場合には、楕円上の幾つかの対
称な点に計測手段を配置しておけば良い。例えば、ビー
ムをＸ軸方向において走査する場合などには、温度分布
はＸ軸方向において長軸を有する楕円状になる。従っ
て、（＋Ｘ1 ，０），（−Ｘ1 ，０），（０，＋
Ｙ1 ），（０，−Ｙ1 ），（＋Ｘ2 ，＋Ｙ2 ），（−Ｘ
2 ，＋Ｙ2 ），（−Ｘ2 ，−Ｙ2 ），（＋Ｘ2 ，−
Ｙ2 ）等の楕円上の対称な点に計測手段を配置しておけ
ば良い。その他の場合も同様に配置すれば良い。
【００１０】又、この成膜装置において、基準位置に対
して対称な位置に計測手段を設けておかなくとも、計測
位置における基準温度が知られている場合には、計測手
段（例えば、熱電対）からの信号と基準信号（基準温
度）とを比較する比較手段とを設けておき、この比較手
段からの信号を受けてビームの照射位置が制御されるよ
う制御手段を構成することも出来る。
して対称な位置に計測手段を設けておかなくとも、計測
位置における基準温度が知られている場合には、計測手
段（例えば、熱電対）からの信号と基準信号（基準温
度）とを比較する比較手段とを設けておき、この比較手
段からの信号を受けてビームの照射位置が制御されるよ
う制御手段を構成することも出来る。
【００１１】本発明において、ビーム（電子ビーム）照
射位置の制御は、偏向コイルに流す電流を制御すること
により行える。すなわち、偏向コイルに流す電流を制御
することで、電子ビームを基準位置に照射することが出
来る。この制御信号に温度に関する情報が利用されるの
である。温度に関する情報は、常に、連続して供給する
ことも可能であるが、予めサンプリング時間を設定して
おき、このサンプリング時間毎に温度情報を取り出すよ
うにしても良い。
射位置の制御は、偏向コイルに流す電流を制御すること
により行える。すなわち、偏向コイルに流す電流を制御
することで、電子ビームを基準位置に照射することが出
来る。この制御信号に温度に関する情報が利用されるの
である。温度に関する情報は、常に、連続して供給する
ことも可能であるが、予めサンプリング時間を設定して
おき、このサンプリング時間毎に温度情報を取り出すよ
うにしても良い。
【００１２】温度を計測する計測手段としては各種のも
のが考えられるが、熱電対を代表的なものとして挙げる
ことが出来る。例えば、白金・ロジウム１３／白金を用
いた場合には１１００〜１７００℃の温度範囲において
±０．１％の精度で温度を計測できる。その他にも、白
金・ロジウム３０／白金・ロジウム６、タングステン・
レニウム３／タングステン・レニウム２５、イリジウム
・ロジウム４０／イリジウム、イリジウム・ロジウム５
０／イリジウム、ロジウム・イリジウム４０／イリジウ
ム、タングステン・レニウム５／タングステン・レニウ
ム２６、タングステン・レニウム３／タングステン・レ
ニウム２５等の熱電対を用いることも出来る。
のが考えられるが、熱電対を代表的なものとして挙げる
ことが出来る。例えば、白金・ロジウム１３／白金を用
いた場合には１１００〜１７００℃の温度範囲において
±０．１％の精度で温度を計測できる。その他にも、白
金・ロジウム３０／白金・ロジウム６、タングステン・
レニウム３／タングステン・レニウム２５、イリジウム
・ロジウム４０／イリジウム、イリジウム・ロジウム５
０／イリジウム、ロジウム・イリジウム４０／イリジウ
ム、タングステン・レニウム５／タングステン・レニウ
ム２６、タングステン・レニウム３／タングステン・レ
ニウム２５等の熱電対を用いることも出来る。
【００１３】そして、本発明によれば、電子ビームの照
射される位置が基準位置からずれた場合には、電子銃を
制御して電子ビームの照射位置が修正されるので、絶え
ず基準位置に電子ビームが照射されるようになる。この
為、金属材料の蒸発位置が移動したり、蒸着レートが低
下してしまうことはない。
射される位置が基準位置からずれた場合には、電子銃を
制御して電子ビームの照射位置が修正されるので、絶え
ず基準位置に電子ビームが照射されるようになる。この
為、金属材料の蒸発位置が移動したり、蒸着レートが低
下してしまうことはない。
【００１４】従って、金属材料の蒸発が安定して行わ
れ、支持体上に堆積する磁性膜に欠陥が引き起こされ難
く、高性能な磁気記録媒体が生産効率良く得られ、磁気
記録媒体が低コストで得られる。以下、実施例を挙げて
説明する。
れ、支持体上に堆積する磁性膜に欠陥が引き起こされ難
く、高性能な磁気記録媒体が生産効率良く得られ、磁気
記録媒体が低コストで得られる。以下、実施例を挙げて
説明する。
【００１５】
【実施例】図１〜図４は本発明になる成膜装置の第１実
施例を示す図であり、図１は磁気記録媒体の製造装置全
体の概略図、図２は要部のブロック図、図３は計測手段
設置位置を示す図、図４は温度分布を示すグラフであ
る。各図中、１は冷却キャンロール、２ａは非磁性の支
持体（ＰＥＴフィルム）３の供給側ロール、２ｂは支持
体３の巻取側ロール、４は金属Ｃｏ等の磁性材料５が充
填されているＭｇＯ製のルツボ、６は遮蔽板、７は酸化
性ガス（酸素）供給ノズル、８は出力が１６ｋＷの電子
銃、９は真空槽である。尚、このような斜め蒸着装置は
周知である。
施例を示す図であり、図１は磁気記録媒体の製造装置全
体の概略図、図２は要部のブロック図、図３は計測手段
設置位置を示す図、図４は温度分布を示すグラフであ
る。各図中、１は冷却キャンロール、２ａは非磁性の支
持体（ＰＥＴフィルム）３の供給側ロール、２ｂは支持
体３の巻取側ロール、４は金属Ｃｏ等の磁性材料５が充
填されているＭｇＯ製のルツボ、６は遮蔽板、７は酸化
性ガス（酸素）供給ノズル、８は出力が１６ｋＷの電子
銃、９は真空槽である。尚、このような斜め蒸着装置は
周知である。
【００１６】このような装置において、磁性膜の形成は
次のようにして行われる。先ず、支持体３は供給側ロー
ル２ａから冷却キャンロール１を経て巻取側ロール２ｂ
に所定の速度で巻き取られる。この時、真空槽９内を１
０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度、例えば２．１×１０-5Ｔｏ
ｒｒの真空度に排気した後、電子銃８からの電子ビーム
加熱によりルツボ４内の磁性材料５を溶融、蒸発させ、
冷却キャンロール１に添接されている支持体３面上に磁
性材料５の粒子を蒸着させる。尚、蒸着に際して、ノズ
ル７から酸素ガスが１２０ｓｃｃｍの割合で供給され
る。
次のようにして行われる。先ず、支持体３は供給側ロー
ル２ａから冷却キャンロール１を経て巻取側ロール２ｂ
に所定の速度で巻き取られる。この時、真空槽９内を１
０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度、例えば２．１×１０-5Ｔｏ
ｒｒの真空度に排気した後、電子銃８からの電子ビーム
加熱によりルツボ４内の磁性材料５を溶融、蒸発させ、
冷却キャンロール１に添接されている支持体３面上に磁
性材料５の粒子を蒸着させる。尚、蒸着に際して、ノズ
ル７から酸素ガスが１２０ｓｃｃｍの割合で供給され
る。
【００１７】１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄは、ルツ
ボ４の中心から等距離の位置にセットされた熱電対であ
る。尚、Ｘ−Ｙ座標系において、熱電対１０ａは（３５
ｍｍ，０）の位置に、熱電対１０ｂは（−３５ｍｍ，
０）の位置に、熱電対１０ｃは（０，３５ｍｍ）の位置
に、熱電対１０ｄは（０，−３５ｍｍ）の位置にセット
されている。
ボ４の中心から等距離の位置にセットされた熱電対であ
る。尚、Ｘ−Ｙ座標系において、熱電対１０ａは（３５
ｍｍ，０）の位置に、熱電対１０ｂは（−３５ｍｍ，
０）の位置に、熱電対１０ｃは（０，３５ｍｍ）の位置
に、熱電対１０ｄは（０，−３５ｍｍ）の位置にセット
されている。
【００１８】１１ａは第１の減算回路、１１ｂは第２の
減算回路であり、第１の減算回路１１ａは熱電対１０ａ
の温度Ｔ1 から熱電対１０ｂの温度Ｔ2 を引いた値（Ｔ
1 −Ｔ2 ）を求め、又、第２の減算回路１１ｂは熱電対
１０ｃの温度Ｔ3 から熱電対１０ｄの温度Ｔ4 を引いた
値（Ｔ3 −Ｔ4 ）を求めるものである。そして、Ｔ1 −
Ｔ2 やＴ3 −Ｔ4 の出力値が制御回路１２に入力され
る。Ｔ1−Ｔ2 やＴ3 −Ｔ4 が零の値が制御回路１２に
入力された場合には、制御回路１２は電子銃８のＸ−Ｙ
偏向コイル１３に流す電流をそのままに維持する。
減算回路であり、第１の減算回路１１ａは熱電対１０ａ
の温度Ｔ1 から熱電対１０ｂの温度Ｔ2 を引いた値（Ｔ
1 −Ｔ2 ）を求め、又、第２の減算回路１１ｂは熱電対
１０ｃの温度Ｔ3 から熱電対１０ｄの温度Ｔ4 を引いた
値（Ｔ3 −Ｔ4 ）を求めるものである。そして、Ｔ1 −
Ｔ2 やＴ3 −Ｔ4 の出力値が制御回路１２に入力され
る。Ｔ1−Ｔ2 やＴ3 −Ｔ4 が零の値が制御回路１２に
入力された場合には、制御回路１２は電子銃８のＸ−Ｙ
偏向コイル１３に流す電流をそのままに維持する。
【００１９】Ｔ1 −Ｔ2 がマイナスの値である場合に
は、図４に示すような温度分布と解されるから、電子銃
８からの電子ビームは原点からマイナス側の位置に振れ
ていると考えられる。従って、制御回路１２が電子銃８
のＸ−Ｙ偏向コイル１３に流す電流を制御し、電子銃８
からの電子ビームがプラス側に移るようにする。すなわ
ち、電子ビームがＸ＝０の位置に照射されるように制御
する。
は、図４に示すような温度分布と解されるから、電子銃
８からの電子ビームは原点からマイナス側の位置に振れ
ていると考えられる。従って、制御回路１２が電子銃８
のＸ−Ｙ偏向コイル１３に流す電流を制御し、電子銃８
からの電子ビームがプラス側に移るようにする。すなわ
ち、電子ビームがＸ＝０の位置に照射されるように制御
する。
【００２０】Ｔ1 −Ｔ2 がプラスの値である場合には、
電子銃８からの電子ビームは原点からプラス側の位置に
振れていると考えられる。従って、制御回路１２が電子
銃８のＸ−Ｙ偏向コイル１３に流す電流を制御し、電子
銃８からの電子ビームがマイナス側に移るようにする。
すなわち、電子ビームがＸ＝０の位置に照射されるよう
に制御する。
電子銃８からの電子ビームは原点からプラス側の位置に
振れていると考えられる。従って、制御回路１２が電子
銃８のＸ−Ｙ偏向コイル１３に流す電流を制御し、電子
銃８からの電子ビームがマイナス側に移るようにする。
すなわち、電子ビームがＸ＝０の位置に照射されるよう
に制御する。
【００２１】Ｔ3 −Ｔ4 がマイナスの値である場合に
は、電子銃８からの電子ビームは原点からマイナス側の
位置に振れていると考えられる。従って、制御回路１２
が電子銃８のＸ−Ｙ偏向コイル１３に流す電流を制御
し、電子銃８からの電子ビームがプラス側に移るように
する。すなわち、電子ビームがＹ＝０の位置に照射され
るように制御する。
は、電子銃８からの電子ビームは原点からマイナス側の
位置に振れていると考えられる。従って、制御回路１２
が電子銃８のＸ−Ｙ偏向コイル１３に流す電流を制御
し、電子銃８からの電子ビームがプラス側に移るように
する。すなわち、電子ビームがＹ＝０の位置に照射され
るように制御する。
【００２２】Ｔ3 −Ｔ4 がプラスの値である場合には、
電子銃８からの電子ビームは原点からプラス側の位置に
振れていると考えられる。従って、制御回路１２が電子
銃８のＸ−Ｙ偏向コイル１３に流す電流を制御し、電子
銃８からの電子ビームがマイナス側に移るようにする。
すなわち、電子ビームがＹ＝０の位置に照射されるよう
に制御する。
電子銃８からの電子ビームは原点からプラス側の位置に
振れていると考えられる。従って、制御回路１２が電子
銃８のＸ−Ｙ偏向コイル１３に流す電流を制御し、電子
銃８からの電子ビームがマイナス側に移るようにする。
すなわち、電子ビームがＹ＝０の位置に照射されるよう
に制御する。
【００２３】このようにして、電子銃８からの電子ビー
ムは常に原点に照射されるようになる。従って、支持体
３面上に形成される磁性膜は均一なものであり、バラツ
キが少なく、設計通りの高品質なものが歩留り良く得ら
れる。図５は、本発明になる成膜装置の第２実施例を示
す要部の概略図である。前記実施例は、電子銃８からの
電子ビームをＸ軸方向にもＹ軸方向にも走査しなかった
場合のものである。従って、温度分布は同心円状である
と考えられるから、４個の熱電対を円周上にセットすれ
ば良い。
ムは常に原点に照射されるようになる。従って、支持体
３面上に形成される磁性膜は均一なものであり、バラツ
キが少なく、設計通りの高品質なものが歩留り良く得ら
れる。図５は、本発明になる成膜装置の第２実施例を示
す要部の概略図である。前記実施例は、電子銃８からの
電子ビームをＸ軸方向にもＹ軸方向にも走査しなかった
場合のものである。従って、温度分布は同心円状である
と考えられるから、４個の熱電対を円周上にセットすれ
ば良い。
【００２４】これに対して、本実施例では、電子銃８か
らの電子ビームをＸ軸方向において走査した場合のもの
である。従って、温度分布はＸ軸方向に長軸を有する楕
円状であると考えられるから、例えば８個の熱電対を楕
円周上にセットするようにした。その熱電対のセット位
置を図５は示したものである。そして、基本的な技術思
想は第１実施例と同じであるから、詳細な説明は省略す
る。
らの電子ビームをＸ軸方向において走査した場合のもの
である。従って、温度分布はＸ軸方向に長軸を有する楕
円状であると考えられるから、例えば８個の熱電対を楕
円周上にセットするようにした。その熱電対のセット位
置を図５は示したものである。そして、基本的な技術思
想は第１実施例と同じであるから、詳細な説明は省略す
る。
【００２５】図６は、本発明になる成膜装置の第３実施
例を示す要部のブロック図である。第１実施例及び第２
実施例は、基準位置から対称な位置に温度計測手段をセ
ットし、これらの温度計測手段からの信号を減算回路で
減算し、その値を制御回路１２に入力してＸ−Ｙ偏向コ
イル１３に流す電流を制御するようにしたものである。
例を示す要部のブロック図である。第１実施例及び第２
実施例は、基準位置から対称な位置に温度計測手段をセ
ットし、これらの温度計測手段からの信号を減算回路で
減算し、その値を制御回路１２に入力してＸ−Ｙ偏向コ
イル１３に流す電流を制御するようにしたものである。
【００２６】これに対して、本実施例は、基準位置から
対称な位置に温度計測手段をセットしておかなくとも良
い実施例を示すものである。すなわち、所定の位置にセ
ットされた温度計測手段１５からの信号と記憶手段１６
に記憶させている基準信号とを比較回路１７で比較し、
この比較回路１７からの信号が制御回路１２に入力さ
れ、前記実施例と同様にしてＸ−Ｙ偏向コイル１３に流
す電流が制御される。これによって、電子銃８からの電
子ビームは常に原点に照射される。従って、支持体３面
上に形成される磁性膜は均一なものであり、バラツキが
少なく、設計通りの高品質なものが歩留り良く得られ
る。
対称な位置に温度計測手段をセットしておかなくとも良
い実施例を示すものである。すなわち、所定の位置にセ
ットされた温度計測手段１５からの信号と記憶手段１６
に記憶させている基準信号とを比較回路１７で比較し、
この比較回路１７からの信号が制御回路１２に入力さ
れ、前記実施例と同様にしてＸ−Ｙ偏向コイル１３に流
す電流が制御される。これによって、電子銃８からの電
子ビームは常に原点に照射される。従って、支持体３面
上に形成される磁性膜は均一なものであり、バラツキが
少なく、設計通りの高品質なものが歩留り良く得られ
る。
【００２７】上記の説明では、磁性膜の形成に用いられ
た場合であるが、バックコート膜を金属薄膜で形成する
場合にも用いることが出来る。又、その他のものにも用
いられる。
た場合であるが、バックコート膜を金属薄膜で形成する
場合にも用いることが出来る。又、その他のものにも用
いられる。
【００２８】
【効果】本発明によれば、ビームが常に所望の位置に制
御されているから、高品質な膜を成膜できる。
御されているから、高品質な膜を成膜できる。
【図１】磁気記録媒体の製造装置全体の概略図
【図２】要部のブロック図
【図３】計測手段設置位置を示す図
【図４】温度分布を示すグラフ
【図５】第２実施例の要部概略図
【図６】第３実施例の要部のブロック図
【図７】従来の磁気記録媒体の製造装置全体の概略図
１ 冷却キャンロール ３ 支持体 ４ ルツボ ５ 磁性材料 ６ 遮蔽板 ７ ノズル ８ 電子銃 ９ 真空槽 １０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ 熱電対 １１ａ，１１ｂ 減算回路 １２ 制御回路 １３ Ｘ−Ｙ偏向コイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 容器内の材料にビームを照射し、該材料
を蒸発させ、支持体上に堆積させて薄膜を形成する成膜
装置であって、 前記容器内の材料にビームを照射する照射手段と、 前記容器内の温度情報を計測する計測手段と、 前記計測手段からの信号を受けて前記ビームを基準位置
に照射するよう制御する制御手段とを具備することを特
徴とする成膜装置。 - 【請求項２】 基準位置に対して対称な位置に計測手段
が設けられてなり、一方の計測手段による温度が他方の
計測手段による温度より高いことが判明した場合、その
程度に応じてビームを他方の計測手段側に移動させるよ
う制御手段が構成されてなることを特徴とする請求項１
の成膜装置。 - 【請求項３】 計測手段からの信号と基準信号とを比較
する比較手段とを有し、この比較手段からの信号を受け
てビームの照射位置を制御するよう制御手段が構成され
てなることを特徴とする請求項１の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13533895A JPH08325715A (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13533895A JPH08325715A (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08325715A true JPH08325715A (ja) | 1996-12-10 |
Family
ID=15149442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13533895A Pending JPH08325715A (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08325715A (ja) |
-
1995
- 1995-06-01 JP JP13533895A patent/JPH08325715A/ja active Pending
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