JPH08325388A

JPH08325388A - 芳香族ポリエーテルスルホンのフイルム、その製造法およびその製造のための溶液組成物

Info

Publication number: JPH08325388A
Application number: JP7141711A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Nitta; 英昭新田; Takeshi Sasaki; 毅佐々木; Aritami Yonemura; 有民米村; Kaoru Iwata; 薫岩田; Hisashi Jo; 尚志城
Original assignee: Teijin Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1995-03-28
Filing date: 1995-06-08
Publication date: 1996-12-10
Anticipated expiration: 2019-07-28
Also published as: JP3547853B2

Abstract

(57)【要約】【目的】環境汚染あるいは腐食の恐れのない非ハロゲ
ン系溶媒である１，３―ジオキソランを主溶媒として用
いることにより、表面性、均質性、光学特性等に優れた
芳香族ポリエーテルスルホンの光学フイルムを提供す
る。【構成】可視光透過率、ヘイズ値、厚み及び厚み斑が
特定範囲にあり、フイルム面内で遅相軸方向の屈折率
（ｎ_s）と進相軸方向の屈折率（ｎ_f）の差（Δｎ）が
０．００１０以下であり、フイルム面に対して垂直方向
の屈折率（ｎ_z）のｎ_f に対する比（ｎ_z／ｎ_f）が０．９
９９７〜１．００００の範囲にある芳香族ポリエーテル
スルホンフイルムを１，３―ジオキソランを主体とする
溶媒からなるドープを用いてキャストする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、表示素子などの光学的
用途あるいは電気・電子機器用途に有用な芳香族ポリエ
ーテルスルホンフイルムおよびその製造に関する。更に
詳しくは、環境汚染を引き起こさない非ハロゲン系溶媒
である１，３―ジオキソランからなる溶液組成物（ドー
プ）を用いた、表面性、透明性および光学的均質性に優
れかつ残留溶媒の少ない芳香族ポリエーテルスルホンフ
イルムの溶液流延法（溶媒キャスティング法）およびそ
の方法によって得られたフイルムに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示装置が消費電力が少な
く、かつ画像品質に優れている点から注目を浴び実用化
が進められている。これらの液晶表示装置においては、
偏光板、保護層、位相差板および電極基板などに高分子
フイルムが使用されている。その内、高分子電極基板す
なわちプラスチック基板は、液晶表示装置の軽薄化のた
めに従来のガラス基板の代わりに用いられるもので、透
過する偏光を液晶層に正確に伝えるために極めて高い光
学等方性と均質性が求められる。さらに透明電極の製膜
や配向膜形成など加工時に加わる熱に耐えるだけの耐熱
性が求められる。そのために未延伸のポリカーボネート
フイルム、ポリアリレートフイルムなどが用いられ、耐
熱性の観点からは芳香族ポリエーテルスルホンからなる
フイルムも極めて優れた特性を示すことから有望視され
ている［高瀬純治、「電極基板フイルムの最近の開発動
向」、高分子学会高分子エレクトロニックス研究会要
旨集ｐ２０（１９９３年１１月１１日；於上智大
学）］。しかしながら、芳香族ポリエーテルスルホンは
芳香族基を分子内に含むために分極率が高く、従ってわ
ずかな分子配向によっても芳香族ポリエーテルスルホン
フイルムに光学異方性を生じる欠点を有している。かか
る観点から、分子配向を極力抑え、光学等方性に優れた
芳香族ポリエーテルスルホンフイルムを製膜する技術の
開発が重要な課題となっている。

【０００３】一方、位相差フイルムは、ＳＴＮ型液晶表
示素子やＴＮ型液晶表示素子において画像の視認性を向
上させるために用いられるものであり、液晶層を透過し
た楕円偏光を直線偏光に変換する役割を担っている。こ
れらの内、ＳＴＮ型液晶表示素子の位相差フイルムの素
材として主として一軸延伸したポリカーボネートフイル
ムやポリビニルアルコールフイルムが用いられている。
最近高連応答性液晶ディスプレーの画像視認性の向上の
要請から、高速液晶層と一致した位相差（リタデーショ
ン）の波長分散性を有する位相差フイルムが求められ、
芳香族ポリエーテルスルホンフイルムが有望視されてい
る［村山昭夫ら「単純マトリクスＳＴＮ―ＬＣＤの光学
設計」、高分子学会、第２回ポリマー材料フォーラム、
ｐ２６７（１９９３年１２月１，２日、於東京・国立教
育会館）］。先に述べたように、芳香族ポリエーテルス
ルホンは芳香族基を分子内に含むために分極率が高く、
フイルムを一軸延伸で分子配向することにより屈折率異
方性が得やすい。そのために位相差フイルムに要求され
る位相差をわずかな延伸で得られる点が有利であるが、
その反面、光学的に均質な配向フイルムを得ることが難
しい。かかる配向フイルムを得るためには、未延伸フイ
ルム（ベースフイルム）の段階で光学的に高度に等方性
を有するフイルムを用いる必要があり、したがって製膜
技術の開発が望まれる。

【０００４】ＳＴＮ型液晶表示素子の視認性を向上させ
るために、上で述べたようにフイルム面内における屈折
率異方性が必要である。しかし、視角によらず視認性を
向上させるためには、フイルム面に対して垂直方向の屈
折率（ｎ_z）を高めてやる必要がある［藤村保夫ら、
「ＳＴＮ−ＬＣＤ位相差フイルム」、電子材料１９９１
年２月、ｐ３７］。ところが、ポリカーボネートをはじ
め芳香族骨格構造からなるフイルムの場合は、いわゆる
面配向のためにｎ_z が面内の最小屈折率、すなわち進相
軸方向の屈折率（ｎ_f）に比べて著しく小さい。このよ
うな観点から、製膜に際しては、ｎ_z／ｎ_f値を１に近
づけることが望まれている。言い換えれば、フイルム面
に垂直方向の屈折率（ｎ_z）も含めた三次元光学等方性
のフイルムが望まれている。

【０００５】一般に芳香族ポリエーテルスルホンは溶融
押し出し方法、特にＴダイ法（フラットフイルムダイ）
により製膜される。Ｔダイ法はプラスチックの製膜方法
として広く用いられているが、高粘度の融液を押し出す
ために、高分子鎖が配向しやすくさらには膜内に応力歪
が残りやすいため、光学等方性や均質性が得難い。溶融
粘度を下げるには、プラスチックの分子量を下げる、あ
るいは製膜温度を上げることが必要であるが、分子量を
下げるとフイルムの力学特性が低下し、また製膜温度を
上げると熱劣化や着色を誘発しやすくなる。また、Ｔダ
イから押し出した融液を直接急速冷却するためにＴダイ
による筋、いわゆるダイラインが発生しやすく高度な表
面性を有するフイルムが得難い［高瀬純治、「電極基板
フイルムの最近の開発動向」、高分子学会高分子エレ
クトロニックス研究会要旨集ｐ２０（１９９３年１１月
１１日；於上智大学）］。液晶表示装置に用いられるフ
イルムに要求される表面性、光学均質性はかなり厳し
い。例えば、プラスチック基板に対しては、表面厚み斑
±５μｍ以下、位相差１０ｎｍ以下、光学配向±１０°
以下が要求され、位相差フイルム用ベースフイルムに対
しては、表面厚み斑２μｍ以下、位相差３０ｎｍ以下が
供給される。このような厳しい要求を溶融押し出し法に
より達成することは困難であるのが実状である。

【０００６】このような問題を回避するために溶液流延
法（キャスティング法）で製膜することが考えられる。
溶液流延法で液晶表示装置用フイルムのような１００μ
ｍ程度の厚膜を得るには高濃度の溶液（ドープ）が必要
であるが、芳香族ポリエーテルスルホンを高濃度に溶解
し、かつ比較的容易に乾燥ができ、製膜に適用可能な溶
媒は限定される［ＨｅｎｒｙＬｅｅ，Ｄｏｎａｌｄ
ＳｔｏｆｆｅｙａｎｄＫｒｉｓＮｅｖｉｌｌｅ，
ＮｅｗＬｉｎｅａｒＰｏｌｙｍｅｒｓ，ＭｃＧｒ
ａｗ−Ｈｉｌｌ，ｐ１０７］。たとえば、ジメチルアト
セアミド、ジメチルホルムアミドあるいはＮ―メチルピ
ロリドンなどの非プロトン系極性溶媒やアセトフェノ
ン、クロロベンゼン、シクロヘキサノンはこれらの溶媒
である。しかしながらこれらは高沸点であるために製膜
フイルム内の残留溶媒を容易に低下させることはでき
ず、製膜溶媒としては実用的でない。また、ジオキサン
やテトラヒドロフランなどの環状エーテル類にも或る種
の芳香族ポリエーテルスルホンは溶解する。しかし、ジ
オキサンは沸点はそれほど低くなく、しかも発ガン性の
ために実用的観点からは使いにくい。また、テトラヒド
ロフランは沸点や発ガン性の上からは問題はないが、高
い溶液粘度を得ることが出来ないため、均一製膜が困難
である。ジクロロメタンやクロロフォルムなどのハロゲ
ン系溶媒も良溶媒としてあげられるが、これらは環境汚
染への影響が問題視され、かつ発ガン性の疑いがあるた
めに使用禁止の動向にある。しかもこれらの溶媒は微量
でもフイルム内に残留すると、長期間の使用の過程で好
ましくない腐食性化合物のために微細な素子を用いる表
示装置や電気・電子機器分野への適用に制限がある。こ
れらの観点から非ハロゲン系溶媒からの製膜技術の開発
が期待されている。

【０００７】流延法によりポリスルホンフイルムを製造
する方法としては、下記特許公開公報に開示された方法
が知られている。

【０００８】特開昭６０―１３７６１７号公報には、芳
香族ポリエーテルスルホンを、２種以上のハロゲン系溶
媒の混合物と脂肪族アルコール及び／又は脂肪族エステ
ルとからなる混合溶剤に溶解し、支持体上に流延し、次
いで溶剤を除去する、芳香族ポリエーテルスルホンフイ
ルムの製造法が開示されている。

【０００９】特開昭６０―１３７６１８号公報には、ポ
リエーテルスルホン溶液を支持体上に流延して自己支持
性のフイルムになるまで乾燥し、支持体から剥離し、ポ
リエーテルスルホンのガラス転移温度±３０℃の温度範
囲で、５００ｇ／ｃｍ²以上の張力をかけることなく、
最終乾燥および熱処理する、ポリエーテルスルホンフイ
ルムの製造法が開示されている。ポリエーテルスルホン
の溶媒としては、Ｎ，Ｎ―ジメチルホルムアミドの如き
アミド系溶媒、ジクロルメタン、クロロホルムの如きハ
ロゲン系溶媒が開示されている。

【００１０】特開昭６０―１３７６１９号公報には、２
５℃における回転粘度が１０²〜２×１０⁶ｃｐの芳香
族ポリエーテルスルホン溶液をかき取り式の塗布器によ
り支持体上に流延した後、溶剤を除去する、芳香族ポリ
エーテルスルホンフイルムの製造法が開示されている。
ポリエーテルスルホンの溶媒としては、Ｎ，Ｎ―ジメチ
ルホルムアミドの如きアミド系溶媒、Ｎ―メチル―２―
ピロリドンの如き環状含窒素化合物、ジクロロメタンの
如き含塩素化合物、ｐ―クロロフェノールの如きフェノ
ール類が挙げられる。

【００１１】特開昭６０―１３８５１４号公報には、２
５℃における回転粘度が１０²〜２×１０⁶ｃｐである
ポリエーテルスルホン溶液を支持体上に流延し、自己支
持性のフイルム状になるまで乾燥し、支持体から剥離
し、残存溶媒が５重量％以下になるまで溶媒の沸点以上
の温度で最終乾燥および熱処理する、レターデーション
値が２０ｍμ以下、表面の中心線平均粗さが０．２μｍ
以下である液晶カバーフイルムを製造する方法が開示さ
れている。

【００１２】ポリエーテルスルホンの溶媒としては、前
出の特開昭６０―１３７６１７号公報に開示されている
ものと同じ溶媒が開示されている。

【００１３】特開昭６０―２２８１１３号公報には、２
５℃における回転粘度が５×１０³〜１０ｃｐの芳香族
ポリエーテルスルホン溶液を、隙間が０．１〜２ｍｍの
スリットから、吐出時の平均流速が０．１〜１０ｍ／ｍ
ｉｎで支持体上に流延し、次いで溶剤を除去する、芳香
族ポリエーテルスルホンフイルムの製造法が開示されて
いる。芳香族ポリエーテルスルホンの溶剤としては、前
出の特開昭６０―１３７６１９号公報に開示されている
ものと同じ溶媒が開示されている。

【００１４】特開昭６１―２０４２３４号公報には、ポ
リスルホンのメチレンクロライド溶液を支持体上に流延
し、残留揮発分が２０重量％以下になるまで乾燥し、形
成されたフイルムを支持体からはぎとる、光学等方性ポ
リスルホンフイルムの製造法が開示されている。

【００１５】特開平３―５８８２５号公報には、ポリエ
ーテルスルホン溶液から流延法によって製膜して得られ
た未延伸のフイルム又はシートを、残存溶剤量が２〜２
０重量％の範囲内にある状態で乾式延伸することによっ
て延伸フイルムを製造する方法を開示している。溶剤と
しては、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド
および１，１，２―トリクロロエチレンが開示されてい
る。

【００１６】特開平６―７９７３６号公報には、含水率
が０．２重量％以下のポリサルホン系樹脂溶液を流延、
乾燥することによって、ポリサルホン系樹脂フイルムを
製造する方法が開示されている。ポリサルホン系樹脂フ
イルムを溶解する溶媒としては、塩化メチレン、１，２
―ジクロロエタンおよびクロロベンゼンが開示されてい
る。

【００１７】特開平５―２３９２２９号公報には、溶液
キャスト法により金属基材上に設けたポリサルホンのフ
イルム又はシートを、残留溶媒量が２０重量％以下とな
るときに、金属基材から剥離する、ポリサルホンのフイ
ルム又はシートの製造法が開示されている。溶媒として
は、塩化メチレンの如きハロゲン化炭化水素系；ヘキサ
ン、ベンゼンの如き炭化水素；酢酸エチルの如きエステ
ル；メチルエチルケトンの如きケトン；クレゾール、イ
ソプロパノールの如きアルコール類；ＤＭＳＯの如きス
ルホキシド類；Ｎ―メチルピロリドンおよび水が開示さ
れている。

【００１８】特開平７―２４８５８号公報には、ポリサ
ルホン樹脂のアセトフェノン溶液あるいはＮ―メチルピ
ロリドン溶液から溶液流延法によりポリサルホン樹脂の
フイルムを製造する方法が開示されている。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、表面
性、透明性、光学的均一性に優れた残留溶媒の少ない芳
香族ポリエーテルスルホンの光学的等方性フイルムを提
供することにある。

【００２０】本発明の他の目的は、芳香族ポリエーテル
スルホンの光学的異方性一軸配向フイルムを提供するこ
とにある。

【００２１】本発明のさらに他の目的は、本発明の上記
フイルムの用途としての液晶ディスプレー用基板および
位相差板を提供することにある。

【００２２】本発明のさらに他の目的は、環境汚染ある
いは腐食の恐れのあるハロゲン系溶媒を用いないで、本
発明の光学的等方性フイルムを溶液キャスト製膜法によ
り与える製造方法を提供することにある。

【００２３】本発明のさらに他の目的は、芳香族ポリエ
ーテルスルホンの、フイルム製造のためのドープとして
有用な、溶液組成物を提供することにある。

【００２４】本発明のさらに他の目的は以下の説明から
明らかになろう。

【００２５】本発明の上記目的は、本発明によれば、第
１に、（Ａ）芳香族ポリエーテルスルホンからなり、
（Ｂ）５５０ｎｍの波長の可視光の透過率が８６〜９１
％の範囲にあり、（Ｃ）ヘイズ値が０．１〜１％の範囲
にあり、（Ｄ）フイルム面内で遅相軸方向の屈折率（ｎ
_s）と進相軸方向の屈折率（ｎ_f）の差（Δｎ）が０．０
０１０以下であり、（Ｅ）フイルム面に対して垂直方向
の屈折率（ｎ_z）のｎ_fに対する比（ｎ_z／ｎ _f）が０．
９９９７〜１．００００の範囲にあり、（Ｆ）厚みが３
０〜３００μｍの範囲にあり、そして（Ｇ）厚み斑が平
均膜厚の０．１〜１％の範囲にある、ことを特徴とす
る、芳香族ポリエーテルスルホンの光学等方性フイルム
によって達成される。

【００２６】本発明の上記光学等方性フイルムは、本発
明者らが初めて見い出した、（１）１，３―ジオキソラ
ンが芳香族ポリエーテルスルホンを高濃度に溶解し、
（２）特定の粘度のその溶液から、白濁を起こさずに透
明かつ光学等方性の平滑なフイルムを与える事実に基づ
いて、初めて提供されるものである。

【００２７】すなわち、本発明の上記光学等方性フイル
ムは、本発明によれば、（１）１，３―ジオキソランを
６０重量％以上で含有し且つ芳香族ポリエーテルスルホ
ンを溶解し得る溶媒１５〜４０重量部、および芳香族ポ
リエーテルスルホン１０重量部を含有してなる芳香族ポ
リエーテルスルホン溶液組成物を支持体上に流延し、そ
して（２）溶媒を含む流延フイルムを加熱して溶媒を蒸
発せしめることを特徴とする本発明方法によって製造す
ることができる。

【００２８】本発明方法の上記工程（１）において用い
られる芳香族ポリエーテルスルホンは、骨格に芳香族基
がスルホン基およびエーテル基により結合されているも
のを総称する。例えば、下記一般式（１１）〜（１
３）；

【００２９】

【化１】（―Ａｒ¹―ＳＯ₂―Ａｒ²―Ｏ―）（１１）（―Ａｒ³―Ｘ―Ａｒ⁴―Ｏ―Ａｒ⁵―ＳＯ₂―Ａｒ⁶―Ｏ―）（１２）（―Ａｒ⁷―ＳＯ₂―Ａｒ⁸―Ｏ―Ａｒ⁹―Ｏ―）（１３）［式（１１）中、Ａｒ¹、Ａｒ²は同一または異なる炭
素数６〜１２の芳香族炭化水素基である。式（１２）
中、Ａｒ³〜Ａｒ⁶は同一または異なる炭素数６〜１２
の芳香族炭化水素基であり、Ｘは炭素数１〜１５の二価
の炭素水素基である。式（１３）中、Ａｒ⁷〜Ａｒ⁹は
同一または異なる炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基で
ある。］からなる群より選ばれる少なくとも一種の繰り
返し単位からなる芳香族ポリエーテルスルホンが挙げら
れる。

【００３０】ここで、式（１１）において好適なＡ
ｒ¹、Ａｒ²としては炭素数６〜１２のアリーレン基で
あり、炭素数６〜１０のアリーレン基がより好適であ
る。具体的には、ｍ―フェニレン基、ｐ―フェニレン
基、ジメチル―ｐ―フェニレン基、テトラメチル―ｐ―
フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基などが挙
げられる。Ａｒ¹、Ａｒ²がともにｐ―フェニレン基で
ある場合が、製造面からも有利であり特に好適に用いら
れる。

【００３１】式（１２）において、好適なＡｒ³〜Ａｒ
⁶としては炭素数６〜１２のアリーレン基であり、炭素
数６〜１０のアリーレン基がより好適である。具体的に
は、ｍ―フェニレン基、ｐ―フェニレン基、ジメチル―
ｐ―フェニレン基、テトラメチル―ｐ―フェニレン基、
ナフチレン基、ビフェニレン基などが挙げられ、特に好
適なＡｒ³、Ａｒ⁶の例としてはいずれもｐ―フェニレ
ン基があげられる。また、Ｘは炭素数１〜１５の二価の
炭素水素基であり、炭素数１〜１５の二価の脂肪族炭化
水素基、脂肪族炭化水素基及びアラアルキレン基から選
ばれる。好適には炭素数１〜１０の二価の脂肪族炭化水
素基、脂環族炭化水素基、アラアルキレン基であり、よ
り好適には、炭素数１〜１０の二価の脂肪族炭素水素
基、脂環族炭化水素基、アラアルキレン基である。具体
的にはメチレン基、１，１―エチレン基、２，２―プロ
ピレン基、２，２―ブチレン基、４―メチル―２，２―
ペンチレン基などの脂肪族炭化水素基、１，１―シクロ
ヘキシレン基、３，３，５―トリメチル―１，１―シク
ロヘキシレン基などの脂環族炭化水素基、１―フェニル
―１，１―エチレン基、ジフェニルメチレン基などのア
ラアルキレン基が例示できる。これらの中で２，２―プ
ロピレン基がさらにより好適に用いられる。式（１２）
において、特に好ましくはＡｒ³〜Ａｒ⁶がいずれもｐ
―フェニレン基があり、かつＸが２，２―プロピレン基
である。

【００３２】さらに式（１３）において、好適なＡ
ｒ⁷、Ａｒ⁹としては炭素数６〜１２のアリーレン基で
あり、炭素数６〜１０のアリーレン基がより好適であ
る。具体的には、ｍ―フェニレン基、ｐ―フェニレン
基、ジメチル―ｐ―フェニレン基、テトラメチル―ｐ―
フェニレン基、ナフチレン基、４，４′―ビフェニレン
基などがあげられる。これらの中でＡｒ⁷、Ａｒ⁸はと
もにｐ―フェニレン基がさらに好適に用いられる。ま
た、好適なＡｒ⁹としては炭素数６〜１２のアリーレン
基であり、炭素数６〜１０のアリーレン基がより好適で
ある。具体的には、ｍ―フェニレン基、ｐ―フェニレン
基、ナフチレン基、４，４′―ビフェニレン基などがあ
げられる。これらの中でｐ―フェニレン基、４，４′―
ビフェニレン基がさらにより好適である。式（１３）に
おいて特に好ましくはＡｒ⁷、Ａｒ⁸、Ａｒ ⁹がいずれ
もｐ―フェニレン基である。

【００３３】本発明に用いられる芳香族ポリエーテルス
ルホンは、上記式（１１）〜（１３）で表される一種あ
るいは二種以上の繰り返し単位からなる、組成物または
共重合体も好適に使用できる。例えば共重合体の場合、
式（１１）の繰り返し単位および式（１２）の繰り返し
単位からなる芳香族ポリエーテルスルホン、式（１１）
の繰り返し単位および式（１３）の繰り返し単位からな
る芳香族ポリエーテルスルホンが好ましく用いられる。
その場合、式（１１）の繰り返し単位と式（１２）の繰
り返し単位、あるいは式（１１）の繰り返し単位と式
（１３）の繰り返し単位の割合、すなわち共重合組成比
（１１）／（１２）、（１１）／（１３）は得られる該
芳香族ポリエーテルスルホンの溶解性、耐熱性、製膜し
たフイルムの物性を鑑みて決定される。特に制限はない
が、式（１１）の繰り返し単位を０．１〜９９．９モル
％、好ましくは１〜９９モル％含有する芳香族ポリエー
テルスルホンが好ましい。

【００３４】以上述べた芳香族ポリエーテルスルホンの
中でも、人手のしやすさ、耐熱性および溶解性を勘案す
ると、次ぎのタイプの芳香族ポリエーテルスルホンが最
も好ましい。すなわち（ａ）Ａｒ¹およびＡｒ²が共に
ｐ―フェニレン基である式（１１）の繰り返し単位が７
０〜９０モル％であり、Ａｒ⁷〜Ａｒ⁹が全てｐ―フェ
ニレン基である式（１３）の繰り返し単位が３０〜１０
モル％である共重合体、（ｂ）Ａｒ³〜Ａｒ⁶が全てｐ
―フェニレン基であり、Ｘがイソプロピリデン基［（Ｃ
Ｈ₃）₂Ｃ＜］である式（１２）の繰り返し単位からな
る重合体、および（ｃ）Ａｒ³〜Ａｒ⁶の全てｐ―フェ
ニレン基であり、かつＸがイソプロピリデン基である式
（１２）の繰り返し単位が７０モル％以上であり、Ａｒ
¹、Ａｒ ²が全てｐ―フェニレン基である。式（１１）
の繰り返し単位が３０モル％である共重合体である。

【００３５】上記の芳香族ポリエーテルスルホンは公知
の方法で重合できる。例えばアルカリ金属炭酸塩の存在
下、非プロトン性極性溶媒中で水酸基およびハロゲン基
を末端に有するモノマーを重縮合することにより得るこ
とができる。

【００３６】本発明に於て用いられる芳香族ポリエーテ
ルスルホンの分子量は、その尺度であるηｓｐ／ｃで表
示すると０．１〜１０ｄｌ／ｇ、好ましくは０．３〜
５．０ｄｌ／ｇの範囲のものである。但しこれらの粘度
は０．５ｇ／ｄｌジオキソラン溶液中、３０℃で測定し
た値である。０．１ｄｌ／ｇより小さいと丈夫なフイル
ムが得られず、また１０ｄｌ／ｇを越えると該ポリマー
が得にくいばかりか溶解性が低下するために好ましくな
い。

【００３７】また、本発明方法の工程（１）において用
いられる溶媒の主成分は１，３―ジオキソランである。
この溶媒は溶解性が高く、比較的低沸点であり、かつ安
定な高濃度溶液を与える溶媒として好適に用いられる。
しかも非ハロゲン系溶媒であるために、ハロゲン系溶媒
で危ぐされる環境汚染や発ガン性の影響は少ない。ま
た、ハロゲン系溶媒では、例えば空気中の水分と反応し
て塩化水素で代表される腐食性ガスを発生してキャステ
ィング装置、特に心臓部とも言える鏡面仕上げを施した
金属キャストドラムやキャストベルト面を腐食する可能
性があり、さらにはハロゲン系溶媒からなる溶液組成物
を用いて製膜した場合、フイルム内に残留する微量のハ
ロゲンイオンが液晶表示装置の透明電極やＴＦＴ（Ｔｈ
ｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｅｒ）を劣化させる
可能性がある。本発明に用いる１，３―ジオキソランは
非ハロゲン系溶媒であるためにこのような心配がない。

【００３８】本発明において用いられる溶媒としては、
１，３―ジオキソランを６０重量％以上、好ましくは７
０重量％以上含有する溶媒であり、単一溶媒、すなわち
１００重量％の１，３―ジオキソランが好ましい。使用
する他の溶媒としては特に限定はなく、効果を勘案して
用いればよい。ここで言う効果とは、溶解性や安定性を
犠牲にしない範囲で溶媒を混合することによる、たとえ
ば溶液流延法により製膜したフイルムの表面性の改善
（レベリング効果）、蒸発速度や系の粘度調節、結晶化
抑制効果などである。これらの効果の度合により混合す
る溶媒の種類や添加量が決定される。また混合する溶媒
としては１種または２種以上用いることができる。好適
に用いられる溶媒としては１，４―ジオキサン、テトラ
ヒドロフランなどの環状エーテル、トルエン、キシレン
などの炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチ
ル、酢酸ブチルなどのエステル系溶媒、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、メトキシエチルアセテートなど
のエーテル系溶媒が挙げられる。

【００３９】本発明によれば、ドープの芳香族ポリエー
テルスルホンの濃度は、かかる芳香族ポリエーテルスル
ホン１０重量部に対して溶媒量が１５〜４０重量部、好
ましくは２０〜３５重量部である。溶媒量が４０重量部
を越えると溶液の安定性は問題ないが、芳香族ポリエー
テルスルホンの実効濃度が低いため好ましくないばかり
か、この溶液組成物を用いて溶液流延法で製膜した場合
溶液粘度が低いために外部擾乱が起きやすく表面平滑性
が得られないことがあり好ましくない。逆に溶媒量が１
５重量部未満では安定なドープが得にくい。これらの濃
度は主としてドープの安定性、溶液粘度を勘案して決定
される。

【００４０】また、上記目的以外に、後述する工程
（２）において、支持基板からフイルムを容易に剥離す
る目的、および工程（２）においてポリマー中に含まれ
る結晶性の環状オリゴマーの析出を促進する目的で、水
および／またはアルコールが好適に用いられる。本発明
に用いる芳香族ポリエーテルスルホンは、通常支持基板
として用いられる金属板に対する接着性が高い。そのた
め、キャスト後基板上で乾燥し、次いで基板から剥離し
て熱処理工程に移す過程で基板からフイルムが剥離しに
くくなる。もちろん、頻繁に基板面を洗浄すれば問題は
ないが、そのためには煩わしい余分な作業工程が加わる
ため好ましくない。水および／またはアルコールを少量
添加する一つの意味は基板洗浄の頻度を少なくすること
にある。もう一つの意味は、結晶析出にある。本発明に
用いられる芳香族ポリエーテルスルホンの中には、結晶
性の環状オリゴマーが少量含まれる。かかる環状オリゴ
マーとして下記の化合物が例示される（環状オリゴマー
Ａ）。

【００４１】

【化２】

【００４２】このような化合物は、ポリマーを溶解後に
ドープから徐々に析出してくる。もちろん、通常工業的
に採用されているように、ドープ貯蔵槽から製膜ヘッド
までの送液の途中で濾過して使用するために基本的には
問題はない。しかし、濾過後溶液が滞溜しやすい部分で
結晶が析出し、フイルムの透明性を損ねることが多い。
従って、溶液調製後にできるだけ速やかに大部分の結晶
を析出せしめ、濾過後できるだけ結晶析出速度を抑制す
ることが重要である。かかる目的に使用するアルコール
としては、メタノール、エタノール、イソプロパノー
ル、ターシャリブタノールなどの炭素数１〜６、より好
ましくは１〜４の鎖状あるいは分岐した脂肪族アルコー
ルが好ましい。それ以上の高級アルコールは、高沸点で
あるためにフイルム製膜後にも残留しやすいため好まし
くない。また使用する水やアルコールの添加量はそれほ
ど多くは必要としない。一般には、全溶媒量に対して好
ましくは１〜１０重量％、より好ましくは２〜８重量％
をさらに加える。添加量が１０重量％を越えると、ポリ
マーが析出するために好ましくなく、１重量％未満では
顕著な剥離効果や結晶析出効果が得られない。

【００４３】得られたドープ中に不純物等の不溶物、浮
遊物がある場合、あるいはドープにヘーズが認められる
場合には、濾過等の処理によってそれらを取り除くこと
が望ましい。かかる処理を実施しないと製膜したフイル
ムの光学特性を悪化させることがある。また調製したド
ープ自体の保存安定性も低下することがある。

【００４４】本発明方法において１，３―ジオキソラン
を主体とする溶媒に芳香族ポリエーテルスルホンを溶解
して得た溶液組成物（ドープ）を支持基板上に流延した
後、加熱して溶媒を蒸発させることによりフイルムを得
る。工業的連続製膜工程は一般に流延工程（１）、乾燥
工程（２）（前乾燥工程、後乾燥工程）の各工程からな
る。流延工程はドープを平滑に流延する工程であり、前
乾燥工程は流延したドープから大部分の溶媒を蒸発除去
する工程であり、後乾燥工程は残りの溶媒を除去する工
程である。

【００４５】流延工程（１）では、ドクターブレードに
よる方法、リバースロールコーターによる方法、ダイか
ら押し出す方法などが用いられる。工業的にはダイから
ドープをベルト状もしくはドラム状の支持基板に連続的
に押し出す方法が最も一般的である。用いる支持基板と
しては特に限定はないが、ガラス基板、ステンレスやフ
ェロタイプなどの金属基板、ポリエチレンテレフタレー
トなどのプラスチックフイルムなどが用いられる。しか
し、本発明の主眼となる高度に光学等方性に優れた均質
フイルムを工業的に得るには表面を鏡面仕上げした金属
基板が最も一般的に用いられる。

【００４６】一般にドープから透明かつ平滑なフイルム
を製膜するにあたり溶液粘度は極めて重要な因子であ
る。溶液粘度は樹脂の濃度、分子量および溶媒の種類に
依存するが、本発明の溶液組成物の粘度は、好ましくは
５００〜５０，０００ｃｐｓ、より好ましくは７００〜
３０，０００ｃｐｓである。５０，０００を越えると溶
液の流動性が下がるために平滑なフイルムが得られない
ことがあり好ましくない。また、５００未満では流動性
が高すぎ、通常キャストに用いるＴダイから溶液が均一
に吐出しにくくなったり、外部擾乱のために表面の乱れ
が生じ均質・平滑なフイルムが得られない。

【００４７】上記溶液組成物の流延時の温度は、一般に
１０〜６０℃、好ましくは１５〜４０℃の範囲で行われ
る。平滑性の優れたフイルムを得るためにはダイから押
し出された溶液が支持基板で流延・平滑化する必要があ
る。この際流延温度が高すぎると、平滑になる前に表面
の乾燥・固化が起きるため好ましくない。また、温度が
低すぎると、流延溶液が冷却されて粘度が上昇し、平滑
性が得られにくいばかりか結露するために好ましくな
い。

【００４８】流延工程から乾燥工程に移る前に、ある程
度の時間乾燥を抑制しドープの流動性を確保することに
よりフイルムの表面性を高度に平滑化（レベリング効
果）することが可能である。この際、たとえばジクロロ
メタンやクロロホルムなどのごとく低沸点揮発性溶媒で
は、常温でも著しく溶媒の蒸発がおきる。そのために、
蒸発に伴う擾乱が起きると同時に表面の乾燥がおきてい
わゆる柚肌現象がおきる。それに対して、本発明による
１，３―ジオキソランは適当な沸点および揮発性である
ためにそのような現象がおきにくく、高度に平滑性を要
求されるフイルム製膜には好ましい。

【００４９】前乾燥工程においては、できるだけ短時間
に支持基板上に流延されたドープから大部分の溶媒を蒸
発除去する必要がある。しかしながら、急激な蒸発が起
こると発泡による変形を受けるために、乾燥条件は慎重
に選択すべきである。本発明においては、使用する溶媒
の中で最も低い融点、好適にはその（減点−１０）℃を
上限とする範囲から乾燥を開始するのが望ましい。その
後、昇温をすることにより乾燥効率をあげるのが有利で
ある。この工程における最終段階での温度の上限は、１
２０℃、好ましくは１００℃が採用される。この工程で
は、残留溶媒が多い場合は２５重量％も含まれるため
に、それ以上高温にすると発泡が生じるために好ましく
ない。また、必要に応じて風を送ってもよい。その場
合、一般には風速２０ｍ／秒以下、好ましくは１５ｍ／
秒以下の範囲が用いられる。それを越えると風の擾乱の
ために平滑面が得られないために好ましくない。風速は
段階的ないしは連続的に増大させることができ、むしろ
好ましい。初期の段階では風の擾乱を避けるために無風
でもよい。一方、この段階ではフイルムは基板上にあ
り、この工程の最後に基板から剥離される。その際に残
留溶媒量が多いとフイルムが柔らかいために変形が起
き、また、残留溶媒が少ないと基板との密着性が高いた
めに応力歪が生じる。従って、残留溶媒量は、好適には
残留溶媒量５〜２５重量％、さらに好適には７〜２０重
量％の範囲が選択される。

【００５０】後乾燥工程においては、基板より剥離した
フイルムをさらに乾燥し、残留溶媒量を３重量％以下、
好ましくは１重量％以下、さらに好ましくは０．５重量
％以下にする必要がある。残留溶媒が多いと経時的に変
形が起こったり、後加工工程で熱が加わると寸法変化、
いわゆる熱収縮がおこる。特に液晶表示装置において光
学的に均質なフイルムが要求され、熱処理温度は厳密に
制御する必要がある。一般には、用いる芳香族ポリエー
テルスルホンのガラス転移温度をＴｇ（℃）とすると
き、（Ｔｇ−１２０℃）〜Ｔｇの範囲、好ましくは（Ｔ
ｇ−１００℃）〜（Ｔｇ−１０℃）の範囲が選ばれる。
Ｔｇを越えるとフイルムの熱変形が起こり好ましくな
く、（Ｔｇ−１２０℃）より低いと乾燥速度が著しく遅
くなるために好ましくない。一般に、熱変形は、残留溶
媒が少なくなるにつれておきにくくなる。従って、該範
囲内で初期に低温で、その後段階的ないしは連続的に昇
温する方法をとることが好ましい。

【００５１】次ぎに、本発明における一般に採用されて
いる製膜方法に照らし合わせて、後乾燥工程をさらに厳
密に制御する方法を記述する。一般に、工業的にはピン
テンター方式あるいはロール懸垂方式等でフイルムを搬
送しながら乾燥する方法がとられる。この場合、幅方向
に収縮可能な状態、すなわち無緊張状態で、乾燥するこ
とにより光学的等方性に優れたフイルムを得ることがで
きる。また、乾燥温度Ｔ（℃）は下記式（Ｉ）を満足す
る範囲で行うことが好ましい。参考例１（図１）で立証
するように芳香族ポリエーテルスルホンのガラス転移点
は残留溶媒量に大きく依存し、残留溶媒量の増加と共に
顕著に低下する。それに伴って、フイルムは変形しやす
くなる。このような観点から、この工程での乾燥温度は
特に厳密に制御することが望ましい。

【００５２】本発明においては、乾燥温度を、下記式
（Ｉ）

【００５３】

【数２】Ｔｇ′−５０＜Ｔ＜Ｔｇ′ …（Ｉ）を満足するようにＴｇ′に合わせて高くすることにより
実施されることが好ましい。

【００５４】ここで、Ｔｇ′（℃）は残留溶媒を含む芳
香族ポリエーテルスルホンフイルムのガラス転移温度で
あり、この温度は乾燥が進むにつれて減少する残留溶媒
の含有量の減少とともに上昇する。ここでＴは、乾燥雰
囲気温度である。さらに好ましくは、

【００５５】

【数３】Ｔｇ′−３０＜Ｔ＜Ｔｇ′ である。ここでいうＴｇ′は、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅ
ｎｔｉａｌＳｃａｎｎｉｎｇＣａｌｏｒｉｍｅｔｒ
ｙ）法により、密閉セル内に試料を封入し、昇温速度２
０℃／ｍｉｎで測定した時の立ち下がり温度と定義す
る。

【００５６】先にも述べた通り、Ｔｇ′は残留溶媒量に
依存する。後乾燥工程では、フイルムが搬送されて行く
過程で残留溶媒が減少して行き、それに伴ってＴｇ′は
上昇して行く。従って、この工程でフイルムの歪を生じ
させずに効率的に乾燥するためには、ＴをＴｇ′に合わ
せて昇温させる。温度Ｔが（Ｔｇ′−５０）℃未満では
効率的に乾燥することが出来なくなり好ましくない。逆
にＴｇ′を越えると歪が生じるために好ましくない。

【００５７】上記後乾燥工程においては、幅方向に収縮
可能な状態でフィルムの乾燥を行うことが望ましい。フ
ィルムの幅を一定に保ったままの緊張状態で乾燥する
と、溶媒の蒸発に伴う収縮が起こる際に、幅方向に好ま
しくない張力がかかる。その結果、分子鎖がいわゆる面
配向を起こす。そしてフィルム面に対して垂直方向の屈
折率（n_Z）が低下して光学等方性が悪くなる傾向にな
る。この面配向は、乾燥温度がＴｇ’より著しく高いと
分子鎖が動きやすくなるために起こりやすい。したがっ
て、後乾燥工程は、フィルムの幅方向にできるだけ力を
加えないで、しかも乾燥温度を厳密に制御して行うこと
が好ましい。

【００５８】本発明では、後乾燥工程において前乾燥工
程と同様に送風してもよい。

【００５９】前記乾燥工程での乾燥する手段としては、
熱風加熱、電気加熱、赤外線加熱等が用いられている。
それ以外に、マイクロ波加熱も用いられる。マイクロ波
加熱の原理は、被加熱体内に含まれる双極子をマイクロ
波により揺さぶることに基づく。したがって、マイクロ
波の吸収効率は双極子モーメントの大きさと分子がマイ
クロ波の周期に追随して運動するしやすさに依存する。
水はその両者を満足する典型的な物質であり、いわゆる
電子レンジとして実用化され、工業的にも水を含む製品
の乾燥に用いられている。しかしながら、一般の有機物
質には、必ずしも有効とは限らない。本発明者らは、
１，３―ジオキソランが分子内に陰性原子の酸素を二個
有し、かつ分子構造が非対称であるために、その二個の
酸素が関与する双極子が打ち消し合わないことに着目し
た。すなわち、大きい双極子モーメントが期待出来る点
に着目した。一方、芳香族ポリエーテルスルホンは、分
子内に大きい双極子モーメントを有するスルホン基を含
むことにも着目し、本発明における芳香族ポリエーテル
スルホンの１，３―ジオキソランドープからのフイルム
乾燥に適用した結果、驚くべきことにきわめて効率よく
乾燥でき、発泡や柚肌などのない均質なフイルムが得ら
れることを見い出した。本発明における乾燥工程の乾燥
手段にはこの発見に基づくマイクロ波加熱を包含され
る。

【００６０】すなわち本発明によれば、１，３―ジオキ
ソランを６０重量％以上含有し、芳香族ポリエーテルス
ルホンを溶解しうる溶媒１５〜９０重量部と、芳香族ポ
リエーテルスルホン１０重量部からなる芳香族ポリエー
テルスルホン溶液組成物を支持基板上に流延してフイル
ムを製造するに際し、該溶媒を蒸発・乾燥する工程の少
なくとも一部をマイクロ波加熱により行うことを特徴と
する芳香族ポリエーテルスルホンの製造法をも含むもの
である。

【００６１】先に述べたように、マイクロ波加熱は非加
熱体に含まれる双極子をマイクロ波により揺さぶること
によるもので、マイクロ波の吸収効率は、双極子モーメ
ントの大きさと分子がマイクロ波の周期に追随して運動
するしやすさに依存する。水はその両者を満足する典型
的な物質であるが、一般の有機物質には必ずしも有効と
は限らない。本発明において有効であるのは、１，３―
ジオキソランの場合、分子内に陰性原子である酸素原子
を二個有し、かつ分子構造が非対称であるためにその二
個の酸素原子が関与する双極子が打ち消し合わないこと
によるものである。ちなみに同じ環状エーテル系溶媒で
ある１，４―ジオキサンは二個の酸素原子を有するが、
その構造の対称性によるマイクロ波加熱には適さない。
また用いるポリマーが分子内にスルホン基という大きな
双極子モーメントを有する芳香族ポリエーテルスルホン
であることも有効に働いていると思われる。

【００６２】本発明において用いられるマイクロ波加熱
装置の周波数は理想的には、１，３―ジオキソランと芳
香族ポリエーテルスルホンの両者の分子が運動しやすい
周波数を選ぶのがよい。しかしながら、一般には電波法
による制約や、マイクロ波電子管の制約により、２，４
５０ＭＨｚの周波数の加熱装置が一般的である。但し、
他の通信などの妨害を与えなければ、９１５ＭＨｚも用
いることができる。本発明においては、かかる事情から
周波数２，４５０ＭＨｚおよび９１５ＭＨｚが好適に用
いられる。本発明においては、マイクロ波加熱は乾燥、
熱処理工程の全てに用いてもよいし、その一部に用いて
もよい。また、連続方式（コンベアオーブン方式）で乾
燥してもよいし、バッチ方式で乾燥してもよい。マイク
ロ波強度は、フイルムの発泡、柚肌、波打ちのなどを勘
案して選ばれる。

【００６３】本発明において、乾燥工程すなわち支持基
板上に流延されたドープから溶媒を蒸発除去するに際し
ては、通常空気雰囲気中で行われるが、不活性ガス雰囲
気中にて行うことが好ましい。

【００６４】上記不活性ガス雰囲気を構成する不活性ガ
スとしては、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス、
炭酸ガスなどの非酸化性、不燃ガスが挙げられる。その
内、経済性を考慮すると窒素ガス、炭酸ガスが好適に用
いられる。

【００６５】上記不活性ガスに含まれる酸素濃度は好ま
しくは１０容量％以下、より好ましくは８容量％以下、
さらに好ましくは５容量％以下である。酸素濃度が１０
容量％より高い場合には爆発の可能性が高くなり好まし
くない。酸素濃度は上記の条件を充足すればよく、技術
的下限はなく経済性を考慮して適宜決定される。

【００６６】また、上記不活性ガス雰囲気は、上記ドー
プ中に含まれる１，３―ジオキソランを主成分とする溶
媒の蒸気濃度が好ましくは３容量％以上、より好ましく
は５容量％以上含有することが、溶媒の回収効率を考慮
すると、また、フイルムの乾燥速度が速いことからも望
ましい。上限濃度は特に限定はないが、乾燥温度に於け
る飽和蒸気濃度の５０％が好ましい。それ以上では、乾
燥速度が低下するために好ましくない。

【００６７】このような濃度の溶媒蒸気を含む不活性ガ
スを、冷却した凝縮器に導き不活性ガス雰囲気中で該溶
媒の回収を行うことにより酸化されやすい１，３―ジオ
キソランを、過酸化物の生成を抑え、安定に回収するこ
とが出来る。

【００６８】本発明の実施に当たっては、通常の乾燥機
の空気導入部に流量調整装置を取り付けた窒素などの不
活性ガス源を連結し、排気口に冷却凝縮装置を接続する
ことにより高濃度雰囲気から溶剤を回収することが可能
である。このような装置については既に技術的に整備さ
れている（特公昭５５―３６３８９号公報および特公昭
５９―２１６５６号公報）。

【００６９】また、前乾燥工程で大部分の溶媒が除去さ
れるために、後乾燥工程は、必ずしも不活性ガス雰囲気
中で行う必要はなく、空気中で行ってもよい。但し、後
乾燥工程は、たとえ不活性ガス雰囲気中で行っても、雰
囲気内の溶媒濃度は低い方がよいことは自明である。こ
の工程は前記の後乾燥工程に準じて行えばよい。

【００７０】以上述べたように不活性ガス雰囲気中での
乾燥では、爆発限界の懸念がないために、溶媒を高濃度
含む雰囲気で乾燥でき、単なる凝縮法により溶媒が回収
出来る。それに対して空気雰囲気中では、爆発限界以下
の低濃度溶媒雰囲気で乾燥をしなければならず、吸着法
やガス吸収法などの方法しか適用できないために溶媒の
回収、生成の点からも不利は免れ得ない。また、不活性
雰囲気での乾燥では、溶媒の空気酸化が起こらないため
に過酸化物の生成が抑えられて有利である。また、通常
溶媒蒸気の濃度は低い程乾燥が効率的に進行すると信じ
られていたが、驚くべきことに本発明に於ける高濃度の
雰囲気でも乾燥が円滑に進行し、後乾燥工程まで含めた
トータルの乾燥まで含めると空気中で低溶媒濃度雰囲気
の場合に劣らない速度で乾燥できることが分かった。

【００７１】かくして、本発明によれば、上記した如
く、（Ａ）芳香族ポリエーテルスルホンからなり、
（Ｂ）５５０ｎｍの波長の可視光の透過率が８６〜９１
％の範囲にあり、（Ｃ）ヘイズ値が０．１〜１％の範囲
にあり、（Ｄ）フイルム面内で遅相軸方向の屈折率（ｎ
_s）と進相軸方向の屈折率（ｎ_f）の差（Δｎ）が０．０
０１０以下であり、（Ｅ）フイルム面に対して垂直方向
の屈折率（ｎ_z）のｎ_fに対する比（ｎ_z／ｎ _f）が０．
９９９７〜１．００００の範囲にあり、（Ｆ）厚みが３
０〜３００μｍの範囲にあり、そして（Ｇ）厚み斑が平
均膜厚の０．１〜１％の範囲にある、ことを特徴とす
る、芳香族ポリエーテルスルホンの光学等方性フイルム
が提案される。

【００７２】本発明において用いられる光学等方性フイ
ルムは、用途の上から透明性が高く、かつ光学的に高度
に均一でなければならない。５５０ｎｍの波長の可視光
の透過率は８６〜９１％、好ましくは８７〜９０％の範
囲が用いられる。それ未満では、光損失が大きく好まし
くない。また、それを越える範囲では、吸収に基づく透
過率の低下を避けるためにフイルム膜厚を下げざるを得
ない。そのために、実用に耐える力学強度が得られない
ために好ましくない。ヘイズ値は０．１〜１％、好まし
くは０．１５〜０．７％の範囲が用いられる。一般に、
それを越えると散乱のため画像のコントラストが低下す
るため好ましくない。また、散乱の中でもフイルム内部
の散乱体に基づくヘイズは、膜厚を下げることにより抑
制することはできる。しかしながら、膜厚を下げ過ぎる
と上にも述べたように実用に耐える力学強度が得られな
いために好ましくない。

【００７３】本発明における光学等方性フイルムは、液
晶ディスプレー用の基板材料として用いる場合は、偏光
板を濾過した偏光あるいは液晶層を透過した偏光を正確
に伝える役割を果たすために、それ自体光学的に均質で
なければならない。光学的に均質という意味は複屈折の
バラツキが極めて小さいことに対応する。すなわち、本
発明における光学等方性フイルムは、フイルム面内の遅
相軸方向の屈折率（ｎ _s）と進相軸方向の屈折率（ｎ_f）
の差（Δｎ）が０．００１０以下であり、より好ましく
は０．０００８以下である。Δｎが０．００１０を超え
る場合には偏光の歪みが生じ液晶ディスプレー用基板と
して好ましくない。

【００７４】本発明における、フイルム面に垂直方向の
屈折率（ｎ_z）の進相軸方向の屈折率（ｎ_f）の比（ｎ_z
／ｎ_f）は、０．９９９７〜１．００００の範囲であ
り、好ましくは０．９９９８〜１．００００の範囲であ
る。ｎ_z／ｎ_fが０．９９９７未満では、視認性の視野
角特性の改善効果が著しく低下するために好ましくない
し、それ以上は実現不可能か極めて困難であるために好
ましくない。

【００７５】これは、換言すれば、下記式

【００７６】

【数４】ｑ＝１−ｎ_z／ｎ_f ［ここで、ｎ_zはフイルム面に対して垂直方向の屈折率
であり、ｎ_fは進相軸方向の屈折率である。］で示され
る垂直方向の屈折率異方性パラメータ（ｑ）が３×１０
^-4 以下であり、好ましくは２×１０^-4以下である。ｑ
が３×１０^-4 を越えると、視認性の視野角特性の改善
効果が著しく低下するために好ましい。

【００７７】本発明における光学等方性フイルムの平均
厚みは、３０〜３００μｍ、好ましくは、５０〜２００
μｍの範囲である。特に液晶ディスプレー用として５０
〜２００μｍの平均厚みが好んで用いられる。これより
厚いと残留溶媒を除去することが困難であり、またこれ
より薄いと厚み斑を抑制することが困難である。また、
厚み斑は、光学特性に著しい影響を及ぼす。この場合の
厚み斑は、表面の荒れに基づく細かい凹凸に対応し、こ
こではフイルムの任意の場所を１ｃｍ走引した場合の最
高の山頂と最低の谷底との差と定義する。測定法は特に
限定しないが、一般には触針法が用いられる。本発明に
於ける光学等方性フイルムの厚み斑は、平均膜厚の０．
１〜１％であり、多くの場合０．２〜０．８％である。

【００７８】本発明によれば、上記の如き光学等方性フ
イルムを一軸延伸することができる。

【００７９】一軸延伸には、縦一軸延伸法、テンター横
一軸延伸法、ロール延伸法などが用いられる。延伸温度
は、使用するフイルムのＴｇに依存し、一般には（Ｔｇ
−５０℃）〜（Ｔｇ＋３０℃）、好ましくは（Ｔｇ−３
０℃）〜（Ｔｇ＋２０℃）の範囲が用いられる。それを
越えるとポリマー鎖の配向緩和が起こり、延伸効果が著
しく減じるため好ましくない。それ未満では、ポリマー
の分子運動が凍結されているために均一配向が困難にな
り好ましくない。延伸倍率は、フイルムのリタデーショ
ンの大きさに応じて適宜選択される。一般には、未延伸
フイルムの長さの１．０５〜２．０倍、好ましくは１．
１〜１．５倍のは範囲が用いられる。それを越えると、
位相差（リタデーション(Retardation) ）Ｒｅ＝Δｎ・
ｄ、Δｎは複屈折率、ｄは膜厚）が大きくなり過ぎて好
ましくなく、それ未満では逆に小さ過ぎて好ましくな
い。

【００８０】かくして、本発明によれば、さらに、
（Ａ）芳香族ポリエーテルスルホンからなり、（Ｂ）５
５０ｎｍの波長の可視光の透過率が８６〜９１％の範囲
にあり、（Ｃ）ヘイズ値が０．１〜１％の範囲にあり、
（Ｄ）フイルム面内で遅相軸方向の屈折率（ｎ_s）と進
相軸方向の屈折率（ｎ_f）との差（Δｎ）が０．００１
３〜０．０２３０の範囲にあり、（Ｆ）厚みが３０〜３
００μｍの範囲にあり、そして（Ｇ）厚み斑が、平均膜
厚の０．１〜１％の範囲にある、ことを特徴とする、芳
香族ポリエーテルスルホンの光学異方性一軸配向フイル
ムが同様に提供される。

【００８１】本発明の光学異方性一軸配向フイルムは、
液晶ディスプレー用の位相差フイルムとして好適に用い
られる。その意味からは、上記光学等方性フイルムと同
様の透過率およびヘイズ値が用いられる。すなわち、透
過率は８６〜９１％、好ましくは８７〜９０％の範囲が
用いられ、ヘイズ値は０．１〜１％、好ましくは０．１
５〜０．７％の範囲が用いられる。一方、フイルム面内
で遅相軸方向の屈折率（ｎ_s）とフイルム面内で延伸軸
と直交する方向の屈折率（ｎ_f）の差（Δｎ）が０．０
０１３〜０．０２３０、好ましくは０．００１５〜０．
０２００の範囲が用いられる。それ以上でも、以下でも
所望の位相差効果が得られなくなるので好ましくない。

【００８２】本発明の光学異方性一軸延伸のフイルムの
平均厚みは３０〜３００μｍであり、好ましくは５０〜
２００μｍである。これより厚いと厚みむらをより制す
ることが困難である。一軸延伸フイルムの厚みむらは平
均膜厚の０．１〜１であり、多くの場合０．２〜０．８
である。

【００８３】本発明の光学異方性一軸延伸フイルムは液
晶ディスプレー用位相差フイルムとして好適に用いられ
る。

【００８４】このようなフイルムは、複屈折率は大きく
なければならないが、他方、複屈折のばらつきが小さく
なければらない。そのためには、未延伸フイルムの段階
で光学的均質性が極めて高いフイルムが必要である。か
かる観点から、Δｎが０．００１０以下、好ましくは
０．０００８以下の本発明の上記光学等方性フイルムが
有利に用いられる。

【００８５】また、本発明において用いられる波長５９
０ｎｍにおける位相差（Ｒｅ）は４００〜７００ｎｍ、
好ましくは４２０〜６５０の範囲にあり、かつ位相差斑
（ΔＲｅ）が位相差の０．０１〜２％、好ましくは０．
０２〜１．５％の範囲が用いられる。位相差が上記範囲
を逸脱すると液晶ディスプレーの位相差効果が得られな
くなるので好ましくない。また、位相差斑が上記範囲を
越えると、画像に斑が発生するために好ましくない。こ
れ未満では制御困難であるために好ましくない。但し、
ΔＲｅは１０ｃｍ×１０ｃｍ角のフイルム内５カ所で測
定したＲｅのバラツキと定義する。

【００８６】

【発明の効果】本発明によれば、環境汚染あるいは腐食
の恐れのない非ハロゲン系溶媒である１，３―ジオキソ
ランを主溶媒として用いることにより、表面性、光学特
性、均質性に優れかつ残留溶媒の少ない芳香族ポリエー
テルスルホンの光学等方性フイルムを流延法により得る
ことができる。該フイルムは未延伸のままで、あるいは
延伸することにより、液晶表示素子等に用いられる光学
用フイルム、特に位相差フイルム、プラスチック基板に
有用である。

【００８７】

【実施例】以下に、実施例により本発明を詳述する。但
し、本発明はこれに限定されるものでない。実施例で行
った測定項目は以下の方法で測定した。

【００８８】溶液粘度：東京計器（株）製Ｂ型粘度計Ｂ
Ｈ型を使用。３０℃で測定。ガラス転移温度：ＴＡＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓＤＳ
Ｃ２９２０Ｄｉ−ｆｆｅｒｅｎｔｉａｌＳｃａｎ
ｎｉｎｇＣａｌｏｒｉｍｅｔｅｒを用いて測定した。

【００８９】熱収縮率：長さ２０ｃｍのフイルムを所定
温度、所定時間熱処理した前後の寸法変化で求めた。膜厚：アンリツ（株）製触針式膜厚計を使用した。透過率：島津製作所（株）製紫外可視分光器（ＵＶ―２
４０）を使用した。ヘイズ値：ＮＩＰＰＯＮＤＥＮＳＨＯＫＵＫＯＧＹ
Ｏ（株）製自動デジタルヘイズメーターＵＤＨ−２０Ｄ
を使用した。位相差：自動複屈折計ＫＯＢＵＲＡ−２１ＡＤＨ（ＫＳ
システムズ（株）製）を使用した。残留溶媒の定量：窒素雰囲気中で２００℃で１夜加熱
し、その前後の重量測定により求めた。過酸化物の定量：過酸化物の定量は滴定法によった。

【００９０】［実施例１］１，３―ジオキソラン２３．
３重量部に対して前記式（１１）中のＡｒ¹、Ａｒ²と
もにｐ―フェニレン基である繰り返し単位が７８モル
％、前記式（１３）中のＡｒ⁷、Ａｒ⁸およびＡｒ⁹が
全てｐ―フェニレン基である繰り返し単位が２２モル％
からなる芳香族ポリエーテルスルホン［η_sp／ｃ＝０．
３３ｄＬ／ｇ（０．５ｇ／Ｌジオキソラン中、３０
℃）］１０重量部を５０℃で攪拌しながら徐々に添加・
溶解して、透明で粘ちょうなドープを得た。このドープ
の３０℃における溶液粘度は、２．８×１０³ｃｐｓで
あった。この溶液は、室温下密閉状態で１週間放置して
も変化は認められなかった。

【００９１】得られたドープを５μｍの孔径のフイルタ
ーを用いて瀘過後、ドクターブレードを用いて十分に洗
浄したフェロタイプ基板上に流延した。引続き、６５℃
で１５分、９０℃で１０分間加熱乾燥し、フイルムを基
板から剥離した。剥離フイルムを１２０℃で２０分、１
５０℃で３０分、２００℃で１２０分間熱処理をして９
８μｍの透明フイルムを得た。得られたフイルムは発
泡、柚肌、波打ちは認められず均一であった。また、残
留溶媒は、０．３重量％であった。得られたフイルムの
厚み斑は０．４３μｍであり極めて均質であった。５５
０ｎｍの波長での可視光透過率は８８．０％であり、ヘ
イズ値は０．５％であり透明性は極めて高かった。得ら
れたフイルムのナトリウムＤ線での平均屈折率は１．６
５００であり、遅相軸方向の屈折率（ｎ_s）と進相軸方
向の屈折率（ｎ_f）の差は０．０００１以下であり光学
等方性もきわめて高かった。波長５９０ｎｍにおける位
相差を求めたところ１０ｎｍ以下でありフイルム内のバ
ラツキも小さかった。また遅相軸のバラツキも±１０°
以下であり光学的にも均質であった。ＤＳＣにより測定
したガラス転移点は、２１３℃であり耐熱性もきわめて
高かった。また、得られたフイルムは弾性率２３８ｋｇ
／ｍｍ²、破断強度８．６ｋｇ／ｍｍ²、破断伸度１５
％を示し、きわめて丈夫であった。また、１００℃／３
０分および１５０℃／３０分の条件で測定した熱収縮率
は、共に０．０３％でありきわめて寸法安定性は高かっ
た。

【００９２】得られたフイルムを１９５℃で延伸倍率
１．１倍に一軸延伸した。延伸フイルムの膜厚は９５μ
ｍであり、膜厚班は０．４８μｍであった。また、位相
差（Ｒｅ）は、５２０ｎｍであり、位相差斑は８ｎｍで
あった。また、Δｎ値は０．００５５ｎｍであった。５
５０ｎｍの波長での位相差（Ｒｅ）に対する４５０ｎｍ
の波長で位相差（Ｒｅ）の比は、１．１４であり位相差
の波長依存性ＰＣ（１．０８）に比べて高く、高速対応
の位相差フイルムとして有効であることが判明した。

【００９３】［比較例１］実施例１において１，３―ジ
オキソランの代わりに、１，４―ジオキサンあるいはテ
トラヒドロフランを用いたが、均一溶液は得られなかっ
た。

【００９４】［実施例２］実施例１における１，３―ジ
オキソラン２３．３重量部の代わりに、１，３―ジオキ
ソラン３０重量部を用いて実施例１と同様の方法でドー
プを調製した。このドープの３０℃における溶液粘度は
１．４×１０³ｃｐｓであった。

【００９５】実施例１と同様にドクターブレード法で製
膜したところ厚み８６μｍのフイルムが得られた。得ら
れたフイルムは発泡、柚肌、波打ち現象がなく均一であ
った。残留溶媒量は０．３重量％でありきわめて少量で
あった。また、可視光透過率は８５％であり、ヘイズ値
は０．６％であり光学的に透明であった。波長５９０ｎ
ｍにおける位相差を求めたところ１０ｎｍ以下であり、
またフイルム内でのバラツキも少なかった。また、遅相
軸のバラツキも±１０°以下であり、光学的にも均質で
あった。ＤＳＣにより測定したガラス転移点は、２１０
℃であり、耐熱性も高かった。

【００９６】［比較例２］実施例１における１，３―ジ
オキソラン２３．３重量部の代わりに１，３―ジオキソ
ラン５７重量部を用いて実施例１と同様の方法でドープ
を調製した。このドープは、安定であった。得られたド
ープの溶液粘度は１００ｃｐｓ以下でありきわめて低粘
度であった。得られたドープを用いて、実施例１同様に
ドクタープレード法で製膜したところ、熱さ約２２μｍ
の劣悪なフイルムを得た。このフイルムには柚肌状の凹
凸が全面にわたって観察され、使用に耐えなかった。

【００９７】実施例１における１，３―ジオキソラン２
３．３重量部の代わりに１，３―ジオキソラン１３重量
部を用いて実施例１と同様の方法でドープを調製した。
このドープの３０℃における溶液粘度は１．４×１０³
ｃｐｓであった。

【００９８】［比較例３］実施例１における１，３―ジ
オキソラン２３．３重量部の代わりに１，３―ジオキソ
ラン１３重量部を用いて実施例１と同様の方法でドープ
を調製を試みた。しかしながら、不溶分が大量に残っ
た。また、不溶分を含むドープを室温で、２４時間放置
したところ全体がゲル状になり流動性が失われた。調製
直後のドープを用いて実施例１と同様の方法で製膜を試
みたが、透明で均一なフイルムを得ることが出来なかっ
た。

【００９９】［実施例３］１，３―ジオキソラン３０重
量部に対して前記式（１２）中のＡｒ³〜Ａｒ⁶がいず
れもｐ―フェニレン基であり、Ｘが２，２―プロピレン
基［―Ｃ（ＣＨ₃）₂―］である繰り返し単位からなる
芳香族ポリエーテルスルホン［η_sp／ｃ＝０．５ｄＬ／
ｇ（０．５ｇ／Ｌジオキソラン中、３０℃）］１０重量
部を５０℃で攪拌しながら溶解して、透明で粘ちょうな
ドープを得た。このドープの３０℃における溶液粘度
は、３．２×１０³ｃｐｓであった。この溶液を４日間
室温で熟成すると環状オリゴマーＡの白色結晶が析出し
た。この結晶を５μｍの孔径のフィルターを用いて濾別
後、ドープをドクターブレードを用いて十分に洗浄した
フェロタイプ基板上に流延した。引続き、６５℃で１０
分、９０℃で１０分間加熱乾燥し、フイルムを基板から
剥離した。剥離フイルムをさらに１２０℃で２０分、１
５０℃で１０分、１８０℃で１２０分間熱処理をして１
０３μｍの透明フイルムを得た。得られたフイルムは発
泡、柚肌、波打ちが認められず均一であった。また、残
留溶媒は、０．３重量％であった。得られたフイルムの
厚み斑は０．３９μｍであり極めて均質であった。５５
０ｎｍの波長での可視光透過率は８９．１％であり、ヘ
イズ値は０．３％であり透明性は極めて高かった。得ら
れたフイルムのナトリウムＤ線での平均屈折率は１．６
３３４であり、遅相軸方向の屈折率（ｎ_s）と進相軸方
向の屈折率（ｎ_f）の差は０．０００１以下であり光学
等方性もきわめて高かった。また、フイルム面に対して
垂直方向の屈折率（ｎ_z）の進相軸方向の屈折率（ｎ_f）
に対する比（ｎ_z／ｎ_f）は、０．９９９９であり垂直方
向を含めた三次元光学等方性もきわめて高かった（前記
パラメータｑ＝１×１０^-4）。波長５９０ｎｍにおける
位相差を求めたところ１０ｎｍ以下でありフイルム内の
バラツキも小さかった。また遅相軸のバラツキも±１０
°以下であり光学的にも均質であった。ＤＳＣにより測
定したガラス転移点は、１８９℃であり耐熱性もきわめ
て高かった。また、得られたフイルムは弾性率２２５ｋ
ｇ／ｍｍ²、破断強度７．０ｋｇ／ｍｍ²、破断伸度３
７％を示し、きわめて丈夫であった。また、１００℃／
３０分および１５０℃／３０分の条件で測定した熱収縮
率は、共に０．０２％でありきわめて寸法安定性は高か
った。

【０１００】得られたフイルムを１９１℃で延伸倍率
１．１倍に一軸延伸した。延伸フイルムの膜厚は１００
μｍであり、膜厚班は０．４５μｍであった。また、位
相差（Ｒｅ）は、５８０ｎｍであり、位相差斑は８ｎｍ
であった。また、Δｎ値は０．００５８ｎｍであった。
５５０ｎｍの波長での位相差（Ｒｅ）に対する４５０ｎ
ｍの波長で位相差（Ｒｅ）の比は、１．１４であり位相
差の波長依存性ＰＣ（１．０８）に比べて高く、高速対
応の位相差フイルムとして有効であることが判明した。

【０１０１】［比較例４］塩化メチレン３１．７重量部
に対し、前記式（１２）中のＡｒ³〜Ａｒ⁶がいずれも
ｐ―フェニレン基であり、Ｘが２，２―プロピレン基で
ある繰り返し単位から主としてなる芳香族ポリエーテル
スルホン［η_sp／ｃ＝０．５ｄＬ／ｇ（０．５ｇ／ｄＬ
ジオキソラン中、３０℃）、ガラス転移点＝１９３℃］
１０重量部を２５℃で攪拌しながら溶解して、透明で粘
ちょうなドープを得た。このドープの３０℃における溶
液粘度は、４．６×１０³ｃｐｓであった。この溶液を
４日間室温で熟成すると１，３―ジオキソランを溶媒と
して用いた場合と同様に環状オリゴマーＡの白色結晶が
析出した。この結晶を孔径５μｍのフィルターを用いて
濾別後、ドープをドクターブレードを用いて十分に洗浄
したフェロタイプ基板上に流延した。引き続き、３５℃
で１０分、７５℃で１０分間加熱乾燥しフイルムを基板
から剥離した。剥離後のフイルムの乾燥温度は実施例３
と全く同様に１２０℃で２０分、１５０℃で１０分、１
８０℃で１２０分間熱処理をして膜厚９９μｍの透明フ
イルムを得た。得られたフイルムの表面性、透明性、厚
み斑は実施例３と同様に良好であった。しかしながら屈
折率を測定したところ、遅相軸方向の屈折率（ｎ_s）と
進相軸方向の屈折率（ｎ_f）の差は０．０００１以下で
ありフイルム面内の光学等方性は極めて高かったが、フ
イルム面に対して垂直方向の屈折率（ｎ_z）のｎ_fに対す
る比（ｎ_z／ｎ_f）は、０．９９９６であり、厚み方向の
光学等方性が劣っていた（前記パラメータｑ＝４×１０
^-4）。

【０１０２】［実施例４］１，３―ジオキソラン２７重
量部に対して前記式（１２）中のＡｒ³〜Ａｒ⁶がいず
れもｐ―フェニレン基であり、Ｘが２，２―プロピレン
基［―Ｃ（ＣＨ₃）₂―］である繰り返し単位からなる
芳香族ポリエーテルスルホン［η_sp／ｃ＝０．４１ｄＬ
／ｇ（０．５ｇ／Ｌジオキソラン中、３０℃）］１０重
量部を５０℃で攪拌しながら溶解して、透明で粘ちょう
なドープを得た。このドープの３０℃における溶液粘度
は、２．３×１０³ｃｐｓであった。この溶液を４日間
室温で熟成すると環状オリゴマーＡの白色結晶が析出し
た。この結晶を５μｍの孔径のフィルターを用いて濾別
した。実施例３と同様にドクターブレード法で製膜した
ところ厚み９３μｍのフイルムが得られた。得られたフ
イルムは発泡、柚肌、波打ち現象がなく均一であった。
残留溶媒は０．３重量％でありきわめて少量であった。
また、可視光透過率は８９．３％、ヘイズ値は０．４％
であり光学的に透明であった。波長５９０ｎｍにおける
位相差を求めたところ１０ｎｍ以下であり、またフイル
ム内でのバラツキも少なかった。また、遅相軸のバラツ
キも±１０°以下であり、光学的にも均質であった。Ｄ
ＳＣにより測定したガラス転移点は、１８９℃であり、
耐熱性も高かった。また、１００℃／３０分および１５
０℃／３０分の条件で測定した熱収縮率は、共に０．０
２％でありきわめて寸法安定性は高かった。

【０１０３】［実施例５］実施例４における１，３―ジ
オキソラン２７重量部に代えて１，３―ジオキソラン４
０重量部を用いて、実施例４と同様の方法で溶液を調製
した。得られたドープの溶液粘度は８．０×１０²ｃｐ
ｓであった。この溶液を濾過して、実施例３に準拠して
５３μｍのフイルムを作製した。得られたフイルムは、
発泡、柚肌、波うち現象は全く認められなかった。この
フイルムの厚み斑は０．３８μｍであり均一であった。
可視光透過率は８９．４％、ヘイズ値は０．２％であり
光学的に透明であった。波長５９０ｎｍにおける位相差
を求めたところ１０ｎｍ以下であり、またフイルム内で
バラツキも少なかった。

【０１０４】［比較例５］実施例５の１，３―ジオキソ
ラン４０重量部に代えてテトラヒドロフラン４０重量部
を用いて、実施例５と同様の方法で溶液を調製した。得
られたドープの溶液粘度は３．２×１０²ｃｐｓであ
り、きわめて溶液粘度は低かった。得られたドープを濾
過後、実施例５と同様の方法で製膜した。得られたフイ
ルムには一面に柚肌が認められ、使用に耐えるフイルム
ではなかった。また、低粘度であるために、得られたフ
イルムの膜厚は厚い部分でも３５μｍと薄く、膜厚斑は
３．５μｍもあった。

【０１０５】［実施例６］１，４―ジオキサン、テトラ
ヒドロフランまたはシクロヘキサノンを１０重量％含有
する１，３―ジオキソラン３５重量部に対して前記式
（１１）中のＡｒ¹〜Ａｒ²ともにｐ―フェニレン基で
ある繰り返し単位が７８モル％、前記式（１３）中のＡ
ｒ⁷、Ａｒ⁸およびＡｒ⁹が全てｐ―フェニレン基であ
る繰り返し単位が２２モル％からなる芳香族ポリエーテ
ルスルホン［η_sp／ｃ＝０．３０ｄＬ／ｇ（０．５ｇ／
Ｌジオキソラン中、３０℃）］１０重量部を５０℃で攪
拌しながら溶解して、透明で粘ちょうなドープを得た。
このドープを用いて、実施例１と同様な方法でフイルム
を作製し、それぞれ約６０μｍのフイルムを得た。得ら
れたフイルムは、いずれも発泡、柚肌、波打ち現象がな
く光学的に均一であった。１，４―ジオキサン、テトラ
ヒドロフランおよびシクロヘキサノンを併用したドープ
から得られたフイルムの透過率はそれぞれ、８７．９、
８８．０および８８．０％であり、ヘイズ値はそれぞ
れ、０．４、０．４および０．４％であり透明性もきわ
めて高かった。

【０１０６】［実施例７〜１０］実施例１および３に用
いた芳香族ポリエーテルスルホンを用いて、基板からの
剥離テストを行った。基板には新しいフェロタイプを十
分に洗浄・乾燥したものを用いた。実施例１に使用した
ポリマーの場合は、１，３―ジオキソランに所定量の溶
媒をさらに加えて、ポリマーを溶解した。そして得られ
たドープを実施例１に準じて濾過して、基板上にキャス
トして６５℃で１５分、９０℃で１０分乾燥して基板か
ら剥離した。同一基板を用いてこの操作を繰り返し、剥
離可能な回数の上限を剥離回数とした。実施例３に使用
したポリマーの場合は、６５℃で１０分、９０℃で１０
分加熱乾燥して、基板から剥離した。結果を表１に示
す。表１から明らかなように、１，３―ジオキソランに
適正量の水、エタノールおよびイソプロパノールを添加
すると基板からの剥離性がきわめて良好であった。

【０１０７】

【表１】

【０１０８】ＰＥＳ：実施例１に用いた芳香族ポリエーテルスルホンＰＳＦ：実施例３に用いた芳香族ポリエーテルスルホン

【０１０９】［実施例１１］実施例３で得た１，３―ジ
オキソランのドープ（Ａ）と実施例１０で得た３重量％
の水を含む１，３―ジオキソランのドープ（Ｂ）を調製
した。溶解直後のドープを１ｃｍのセルに入れて測定し
たヘイズ値は、いずれも０．１％であった。このドープ
を４日間、室温に放置したところ白色沈殿が析出した。
これを孔径０．５μｍのフイルターを用いて濾過した結
果、ヘイズ値はいずれも０．１％であった。しかしなが
ら、さらに濾液を２日間、室温に放置した結果、ドープ
（Ａ）から出発した濾液のヘイズ値は３４％であったの
に対して、ドープ（Ｂ）から出発した濾液のヘイズ値は
０．１％であり変化が認められなかった。

【０１１０】［参考例１］実施例１および３で用いたド
ープを用いて、乾燥条件を変えることにより残留溶媒の
異なる膜厚約１００μｍのフイルムを作製した。これら
のフイルムのガラス転移点（Ｔｇ′）を図１に示す。図
１の曲線ＡおよびＢはそれぞれ実施例１および３のドー
プからの曲線に対応する。図から明らかなごとくＴｇ′
は残留溶媒が増すに従って著しく低下した。

【０１１１】［実施例１２］実施例３において用いたド
ープ組成を用いて連続製膜を行った。

【０１１２】キャスティング装置は、ダイからベルトへ
押出、ベルトが４段階に区分された乾燥炉に接続されて
いる方式を採用した。また、熱処理炉（後乾燥炉）はベ
ルトから剥離したフイルムが６段階に区分された炉を採
用した。この装置を用いて、キャストした後、前乾燥炉
の温度を段階的に、４０℃（無風）、６５℃（風速１ｍ
／秒）、９０℃（風速５ｍ／秒）に昇温し、最後に４０
℃にして冷却した。そして、残留溶媒量を１０重量％の
自立性フイルムにした。この段階でベルトからフイルム
を剥離して後乾燥炉に送った。後乾燥炉では幅方向に収
縮可能な状態で、温度を残留溶媒量に応じて７５℃（残
留溶媒量１０重量％、Ｔｇ′＝８５℃）、１１５℃（残
留溶媒量５重量％、Ｔｇ′＝１２０℃）、１５０℃（残
留溶媒量２重量％、Ｔｇ′＝１６０℃）、１６５℃（残
留溶媒量１．５重量％、Ｔｇ′＝１７０℃）、１７０℃
（残留溶媒量１重量％、Ｔｇ′＝１８０℃）、１８０℃
（残留溶媒量０．５重量％、Ｔｇ′＝１８５℃）に段階
的に昇温して乾燥フイルムを得た。かくして得られたフ
イルムの残留溶媒量は、０．３重量％であった。厚みは
１００μｍであり、厚み斑は０．２５μｍでありきわめ
て均質であった。また、５５０ｎｍの波長での可視光透
過率は８９．２％であり、ヘイズ値は０．２％であり透
明性は極めて高かった。得られたフイルムのナトリウム
Ｄ線での平均屈折率は１．６３３４であり、遅相軸方向
の屈折率（ｎ_s）と進相軸方向の屈折率（ｎ_f）の差は
０．０００１以下であり光学等方性も極めて高かった。
波長５９０ｎｍにおける位相差を求めたところ１０ｎｍ
以下でありフイルム内のバラツキも小さかった。

【０１１３】［実施例１３］実施例１において用いたド
ープ組成を用いて連続製膜を行った。

【０１１４】キャスティグ装置は、実施例１２に示した
方式を用いた。この装置を用いて、キャストした後、前
乾燥炉の温度を段階的に、４０℃（無風）、６５℃（風
速２ｍ／秒）、９０℃（風速５ｍ／秒）に昇温し、最後
に４０℃にして冷却した。そして、残留溶媒量を１２重
量％の自立性フイルムにした。この段階でベルトからフ
イルムを剥離して後乾燥炉に送った。後乾燥炉の温度を
残留溶媒量に応じて８５℃（残留溶媒量１２重量％、Ｔ
ｇ′＝９０℃）、１１０℃（残留溶媒量７重量％、Ｔ
ｇ′＝１２０℃）、１５５℃（残留溶媒量３重量％、Ｔ
ｇ′＝１６０℃）、１７５℃（残留溶媒量１．５重量
％、Ｔｇ′＝１８０℃）、１９０℃（残留溶媒量１重量
％、Ｔｇ′＝２００℃）、２００℃（残留溶媒量０．５
重量％、Ｔｇ′＝２１０℃）に昇温して乾燥フイルムを
得た。かくして得られたフイルムの残留溶媒量は、０．
３重量％であった。厚みは１０３μｍであり、厚み斑は
０．４２μｍでありきわめて均質であった。また、５５
０ｎｍの波長での可視光透過率は８８．２％であり、ヘ
イズ値は０．３％であり透明性は極めて高かった。得ら
れたフイルムのナトリウムＤ線での平均屈折率は１．６
５００であり、遅相軸方向の屈折率（ｎ_s）と進相軸方
向の屈折率（ｎ_f）の差は０．０００１以下であり光学
等方性も極めて高かった。また、フイルム面に対して垂
直方向の屈折率（ｎ _z）の進相軸方向の屈折率（ｎ_f）に
対する比（ｎ_z／ｎ_f）は、０．９９９９であり垂直方向
を含めた三次元光学等方性もきわめて高かった（前記パ
ラメータｑ＝１×１０^-4）。波長５９０ｎｍにおける位
相差を求めたところ１０ｎｍ以下でありフイルム内のバ
ラツキも小さかった。

【０１１５】［実施例１４］実施例１で用いた芳香族ポ
リエーテルスルホンの１，３―ジオキソラン溶液を用い
て、ドクターブレード法により十分に洗浄したフェロタ
イプ基板上にキャストした。引続き、１，３―ジオキソ
ランを１２容量％含有する窒素ガス雰囲気で、６５℃で
１５分して９０℃で１０分加熱乾燥し、フイルムを基板
から剥離した。しかる後、剥離フイルムを空気中１２０
℃で２０分、１５０℃で３０分、２００℃で１２０分間
熱処理をして９９μｍの透明フイルムを得た。得られた
フイルムは発泡、柚肌、波打ちが認められず均一であっ
た。また、残留溶媒量は０．２重量％であり、低溶媒濃
度空気雰囲気で同様の条件で行った実施例１のフイルム
の残留溶媒量に殆ど遜色がなかった。得られたフイルム
の５５０ｎｍ波長での可視光透過率は８８．１％であ
り、ヘイズ値は０．４％であり極めて透明性は高かっ
た。

【０１１６】また、窒素ガス雰囲気の乾燥炉内の１，３
―ジオキソランを排気口から取り出し−７０℃でトラッ
プして、その中に含まれる過酸化物量を定量した。その
結果、使用した１，３―ジオキソラン中の過酸化物量は
１００ｐｐｍであったのに対して、回収１，３―ジオキ
ソラン中の過酸化物量は１０９ｐｐｍであり、製膜中に
殆ど過酸化物が生成していないことが明らかになった。

【０１１７】［実施例１５］実施例３の方法で調製した
ドープを、ガラス基板上にキャストし、２，４５０ＭＨ
ｚ、マイクロ波加熱装置内で１００Ｗで３分、２００Ｗ
で７分、３００Ｗで３分、５００Ｗで１０分間乾燥し
た。得られたフイルムを剥離後さらに、１２０℃で２０
分、１５０℃で１０分、さらに１８０℃で６０分間熱処
理することにより、残留溶媒が０．５重量％であるフイ
ルムを短時間で効率的に得ることができた。５５０ｎｍ
の波長での可視光透過率は８９．２％であり、ヘイズ値
は０．５％であり透明性は極めて高かった。波長５９０
ｎｍにおける位相差を求めたところ１０ｎｍ以下であり
フイルム内のバラツキも小さかった。また遅相軸のバラ
ツキも±１０°以下であり光学的にも均質であった。Ｄ
ＳＣにより測定したガラス転移点は、１８８℃であり耐
熱性もきわめて高かった。また、得られたフイルムは弾
性率２１８ｋｇ／ｍｍ²、破断強度７．１ｋｇ／ｍ
ｍ²、破断伸度３５％を示し、きわめて丈夫であった。
また、１００℃／３０分および１５０℃／３０分の条件
で測定した熱収縮率は、共に０．０４％でありきわめて
寸法安定性は高かった。

【０１１８】［実施例１６］実施例５において用いた芳
香族ポリエーテルスルホン１０重量部を３重量％のメタ
ノールを含む１，３―ジオキソラン２４．５重量部に溶
解してドープを得た。このドープの溶液粘度は３．３×
１０³ｃｐｓであった。このドープをガラス基板上にキ
ャストし、６５℃で１５分、９０℃で１０分加熱乾燥
し、フイルムを基板から剥離した。得られたフイルム
２，４５０ＭＨｚ、５００Ｗのマイクロ波加熱装置内で
６０分間乾燥した。得られたフイルムは、発泡、柚肌、
波打ちなどが認められず、きわめた均一であった。そし
て、残留溶媒量は６重量％であった。このフイルムを剥
離後さらに、１８０℃で１２０分間加熱処理した。得ら
れたフイルムの残留溶媒は０．４重量％であった。５５
０ｎｍの波長でのヘイズ値は０．４％であり透明性は極
めて高かった。波長５９０ｎｍにおける位相差を求めた
ところ１０ｎｍ以下でありフイルム内のバラツキも小さ
かった。また遅相軸のバラツキも±１０°以下であり光
学的にも均質であった。ＤＳＣにより測定したガラス転
移点は、１９２℃であり耐熱性も極めて高かった。

【０１１９】［実施例１７］１，３―ジオキソラン３０
重量部に対して前記式（１１）中のＡｒ¹およびＡｒ²
が共にｐ―フェニレン基である繰り返し単位が２４モル
％、前記式（１２）中のＡｒ³〜Ａｒ⁶がいずれもｐ―
フェニレン基であり、Ｘが２，２―プロピレン基［―Ｃ
（ＣＨ₃）₂―］である繰り返し単位７６モル％からな
る芳香族ポリエーテルスルホン［η_sp／ｃ＝０．４２ｄ
Ｌ／ｇ（０．５ｇ／Ｌジオキソラン中、３０℃）］１０
重量部を５０℃で攪拌しながら溶解して、透明で粘ちょ
うなドープを得た。このドープの溶液粘度は３０℃で
１．３×１０³ｃｐｓであった。得られたドープを５μ
ｍの孔径のフィルターを用いて濾別後、実施例１と同様
にドクターブレード法でキャストし、６５℃で３０分、
９０℃で１０分乾燥してから基板から剥離し、引続き１
２０℃で１５分、１５０℃で３０分、２００℃で６０分
乾燥したところ厚み９３μｍの透明フイルムが得られ
た。

【０１２０】得られたフイルムは発泡、柚肌、波打ち現
象がなく均一であった。残留溶媒は０．４重量％であり
微量であった。得られたフイルムの厚み斑は０．３８μ
ｍでありきわめて均質であった。また、可視光透過率は
８７．３％、ヘイズ値は０．６％であり光学的に透明で
あった。波長５９０ｎｍにおける位相差を求めたところ
１０ｎｍ以下であり、またフイルム内のばらつきも小さ
かった。ＤＳＣにより測定したガラス転移点は、１９３
℃であり、耐熱性も高かった。また、１００℃／３０分
および１５０℃／３０分の条件で測定した熱収縮率は、
共に０．０２％でありきわめて寸法安定性は高かった。

【０１２１】［実施例１８］エタノールを３重量％含む
１，３―ジオキソランとエタノールの混合溶媒２５重量
部に対して、前記式（１１）中のＡｒ¹、Ａｒ²がとも
にｐ―フェニレン基である繰り返し単位が２４モル％、
前記式（１２）中のＡｒ³、Ａｒ⁶がいずれもｐ―フェ
ニレン基であり、Ｘが２，２―プロピレン基である繰り
返し単位が７６モル％からなる芳香族ポリエーテルスル
ホン［η_sp／ｃ＝０．４２ｄＬ／ｇ（０．５ｇ／ｄＬジ
オキソラン中、３０℃）、ガラス転移点＝１９６℃］１
０重量部を５０℃で攪拌しながら溶解して、透明で粘ち
ょうなドープを得た。このドープの３０℃における溶液
粘度は、３．２×１０³ｃｐｓであった。このドープを
密閉容器中５０℃で一晩放置すると環状オリゴマーの析
出によりドープが白濁した。結晶を孔径５μｍのフイル
ターを用いて濾別後、ドープをガラス基板上に流延し、
６５℃で１０分、９０℃で１０分加熱乾燥し、フイルム
を基板から剥離した。この時点で残留溶媒量は１５．１
重量％であった。引き続き２，４５０ＭＨｚ、５００Ｗ
のマイクロ波加熱装置内で６０分間乾燥した。

【０１２２】得られたフイルムは、発泡、柚子肌、波打
ちなどは認められず、極めて均質で表面性が高かった。
そして残留溶媒量は６重量％になっていた。このフイル
ムをさらに、１８０℃で１２０分間熱処理をした。得ら
れたフイルムの厚みは１００±１．３μｍである均質な
フイルムであった。残留溶媒量は０．３重量％と微量で
あった。５５０ｎｍの波長での光線透過率は８８．７
％、ヘイズ値は０．４％であり透明性は極めて高かっ
た。波長５９０ｎｍにおける位相差を求めたところ１０
ｎｍ以下でありフイルム内のバラツキも小さかった。ま
た遅相軸のバラツキも±１０°以下であり光学的にも均
質であった。ＤＳＣにより測定したガラス転移点は、１
９２℃であり耐熱性も極めて高かった。

【０１２３】［比較例６］１，４―ジオキサン４０重量
部に対して、実施例３で用いた芳香族ポリエーテルスル
ホン１０重量部を５０℃で攪拌しながら溶解して、透明
で粘ちょうなドープを得た。このドープの３０℃におけ
る溶液粘度はで３．１×１０³ｃｐｓであった。このド
ープを密閉容器中、５０℃で一晩放置すると実施例３と
同様に環状オリゴマーの析出によりドープが白濁した。
この結晶を孔径５μｍのフイルターを用いて濾別後、ド
ープをドクターブレードを用いてガラス基板上に流延し
た。引き続き２，４５０ＭＨｚのマイクロ波加熱装置内
で実施例１５と同様に１００Ｗで３分、２００Ｗで７
分、３００Ｗで３分、５００Ｗで１０分間乾燥したが、
乾燥が不充分で残留溶媒量が多く、自立性のあるフイル
ムは得られなかった。

【０１２４】［実施例１９］実施例３で用いたドープ組
成を用いて連続製膜を行った。

【０１２５】コンマコータ型装置を用いて、ポリエステ
ルフイルム基板上にキャストした。キャスト溶液を載せ
たポリエステルフイルム基板は３段階に区分された前乾
燥炉に接続されている方式を採用した。また、後乾燥炉
は基板から剥離したフイルムが６段階に区分された炉を
採用した。そして、前乾燥炉は窒素雰囲気にした。この
装置を用いて、キャストした後、前乾燥炉（窒素雰囲
気）の温度を段階的に、４０℃（無風）、８０℃（風速
１ｍ／秒）、９０℃（風速５ｍ／秒）に昇温して乾燥し
た。その際、前乾燥炉の入口から１、２及び３番目の区
分の窒素雰囲気中に含まれる１，３−ジオキソランの濃
度はそれぞれ１２．３容量％、１２．８容量％および
８．８容量％であった。そして、残留溶媒量が１０．４
重量％の自立性フイルムを得た。この段階で基板からフ
イルムを剥離して後乾燥炉（空気雰囲気）に送った。後
乾燥炉は幅方向に収縮な状態で、温度を残留溶媒量に応
じて７５℃（残留溶媒量１０．４重量％、Ｔｇ′＝８０
℃）、１１７℃（残留溶媒量５重量％、Ｔｇ′＝１２２
℃）、１５０℃（残留溶媒量２．１重量％、Ｔｇ′＝１
５８℃）、１６０℃（残留溶媒量１．６重量％、Ｔｇ′
＝１６３℃）、１６９℃（残留溶媒量１．１重量％、Ｔ
ｇ′＝１７０℃）、１８０℃（残留溶媒量０．５重量
％、Ｔｇ′＝１８３℃）に段階的に昇温して乾燥フイル
ムを得た。かくして得られたフイルムの残留溶媒量は、
０．３重量％であった。厚みは１０２μｍであり、厚み
斑は０．２３μｍであり極めて均質であった。また、５
５０ｎｍの波長での可視光透過率は８９．１％であり、
ヘイズ値は０．２％であり透明性は極めて高かった。得
られたフイルムのナトリウムＤ線での平均屈折率は１．
６３３３であり、遅相軸方向の屈折率（ｎ_s）と進相軸
方向の屈折率（ｎ_f）の差は０．０００１以下であり光
学等方性も極めて高かった。波長５９０ｎｍにおける位
相差を求めたところ１０ｎｍ以下でありフイルム内のバ
ラツキも小さかった。

【０１２６】［実施例２０］実施例１で用いたドープ組
成を用いて連続製膜を行った。

【０１２７】キャスティング装置は、実施例１９におい
て用いた方式を用いた。この装置を用いて、キャストし
た後、前乾燥炉の温度を段階的に、４０℃（無風）、６
５℃（風速２ｍ／秒）、９０℃（風速３ｍ／秒）に昇温
して乾燥した。その際、入口から１、２及び３番目の区
分の窒素雰囲気中の１，３−ジオキソランの濃度はそれ
ぞれ１２．５容量％、１３．８容量％および９．６容量
％であった。そして、残留溶媒量が１０．４重量％の自
立性フイルムを得た。この段階でベルトからフイルムを
剥離して後乾燥炉に送った。後乾燥の温度を残留溶媒量
に応じて８０℃（残留溶媒量１１重量％、Ｔｇ′＝９３
℃）、１１５℃（残留溶媒量８重量％、Ｔｇ′＝１１８
℃）、１６０℃（残留溶媒量２．８重量％、Ｔｇ′＝１
６７℃）、１７５℃（残留溶媒量１．５重量％、Ｔｇ′
＝１８８℃）、１９０℃（残留溶媒量１重量％、Ｔｇ′
＝２００℃）、２０３℃（残留溶媒量０．５重量％、Ｔ
ｇ′＝２１０℃）に昇温して乾燥フイルムを得た。かく
して得られたフイルムの残留溶媒量は、０．３重量％で
あった。厚みは９５μｍであり、厚み斑は０．４μｍで
あり極めて均質であった。また、５５０ｎｍの波長での
可視光透過率は８８．１％であり、ヘイズ値は０．４％
であり透明性は極めて高かった。得られたフイルムのナ
トリウムＤ線での平均屈折率は１．６４９９であり、遅
相軸方向の屈折率（ｎ_s）と進相軸方向の屈折率（ｎ_f）
の差は０．０００１以下であり光学等方性も極めて高か
った。また、フイルム面に対して垂直方向の屈折率（ｎ
_z）の進相軸方向の屈折率（ｎ_f）に対する比（ｎ_z／
ｎ_f）は、０．９９９９であり垂直方向を含めた三次元
光学等方性もきわめて高かった（前記パラメータｑ＝１
×１０⁻⁴）。波長５９０ｎｍにおける位相差を求めた
ところ１０ｎｍ以下であった。

【０１２８】［実施例２１］水を２重量％含む１，３−
ジオキソランと水の混合溶媒３０重量部に対して、実施
例３で用いた芳香族ポリエーテルスルホン１０重量部を
５０℃で撹拌しながら溶解して、透明で粘ちょうなドー
プを得た。このドープの３０℃における溶液粘度は３．
５×１０³ｃｐｓであった。このドープを密閉容器中、
５０℃で一晩放置すると環状オリゴマーの析出によりド
ープが白濁した。この結晶を孔径５μｍのフィルターを
用いて濾別後、実施例１２に示した装置を用いて連続製
膜試験を行った。

【０１２９】ドープをベルト上にキャストした後、前乾
燥炉の温度を段階的に、４５℃（無風）、６５℃（風速
１ｍ／秒）、９０℃（風速５ｍ／秒）に昇温し、最後に
４０℃にして冷却した。そして残留溶媒量が１２重量％
の自立性のあるフィルムにした。この段階でベルトから
フィルムを剥離して後乾燥炉に送った。後乾燥炉では幅
方向に収縮可能な状態で、温度を残留溶媒量、従ってＴ
ｇ’に応じて７０℃（残留溶媒量１２重量％、Ｔｇ’＝
７３℃）、１１０℃（残留溶媒量６重量％、Ｔｇ’＝１
１５℃）、１４５℃（残留溶媒量２．５重量％、Ｔｇ’
＝１５０℃）、１６５℃（残留溶媒量１．５重量％、Ｔ
ｇ’＝１７０℃）、１７５℃（残留溶媒量１重量％、Ｔ
ｇ’＝１８０℃）、１８３℃（残留溶媒量０．５重量
％、Ｔｇ’＝１８５℃）に段階的に昇温して乾燥フィル
ムを得た。かくして得られたフィルムは剥離傷、剥離筋
は認められず、表面性に優れたものであった。厚みは１
００μｍであり、厚み斑は０．２２μｍであり極めて均
質であった。フィルム中の残留溶媒量は０．３重量％と
極めて微量であり、添加した水もほとんど残っていなか
った。このフィルムのガラス転移点は１８５℃であっ
た。また５５０ｎｍの波長における光線透過率は８９．
２％、ヘイズ値は０．３％であり光学的に透明であっ
た。波長５９０ｎｍにおける位相差は１０ｎｍ以下であ
り、またフィルム内でのバラツキも少なかった。また遅
相軸（フィルム面内で屈折率が最大となる方向）のバラ
ツキも±１０°以下であり光学的にも均質なフィルムで
あった。この連続製膜試験は１６時間連続して行った
が、その間ベルトからのフィルムの剥離性は良好なまま
であった。

【図面の簡単な説明】

【図１】参考例１（実施例１および３で用いたドープ）
より製造したフイルムのガラス転移点（Ｔｇ′）と残留
溶媒量との関係を示す曲線。

【符号の説明】

Ａ実施例１のドープを使用した場合。Ｂ実施例３のドープを使用した場合。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｂ２９Ｌ 7:00 (72)発明者岩田薫東京都日野市旭が丘４丁目３番２号帝人株式会社東京研究センター内 (72)発明者城尚志東京都日野市旭が丘４丁目３番２号帝人株式会社東京研究センター内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）芳香族ポリエーテルスルホンから
なり、（Ｂ）５５０ｎｍの波長の可視光の透過率が８６
〜９１％の範囲にあり、（Ｃ）ヘイズ値が０．１〜１％
の範囲にあり、（Ｄ）フイルム面内で遅相軸方向の屈折
率（ｎ_s）と進相軸方向の屈折率（ｎ_f）の差（Δｎ）が
０．００１０以下であり、（Ｅ）フイルム面に対して垂
直方向の屈折率（ｎ_z）のｎ_f に対する比（ｎ_z／ｎ _f）
が０．９９９７〜１．００００の範囲にあり、（Ｆ）厚
みが３０〜３００μｍの範囲にあり、そして（Ｇ）厚み
斑が平均膜厚の０．１〜１％の範囲にある、ことを特徴
とする、芳香族ポリエーテルスルホンの光学等方性フイ
ルム。
【請求項２】請求項１記載の光学等方性フイルムから
なる液晶ディスプレー用基板。
【請求項３】（Ａ）芳香族ポリエーテルスルホンから
なり、（Ｂ）５５０ｎｍの波長の可視光の透過率が８６
〜９１％の範囲にあり、（Ｃ）ヘイズ値が０．１〜１％
の範囲にあり、（Ｄ）フイルム面内で遅相軸方向の屈折
率（ｎ_s）と進相軸方向の屈折率（ｎ_f）の差（Δｎ）
が０．００１３〜０．０２３０の範囲にあり、（Ｆ）厚
みが３０〜３００μｍの範囲にあり、そして（Ｇ）厚み
斑が平均膜厚の０．１〜１％の範囲にある、ことを特徴
とする、芳香族ポリエーテルスルホンの光学異方性一軸
配向フイルム。
【請求項４】請求項３記載の光学異方性一軸配向フイ
ルムからなる液晶ディスプレー用位相差板。
【請求項５】波長５９０ｎｍにおける位相差（Ｒｅ）
が４００〜７００ｎｍの範囲にあり、かつ位相差斑が位
相差の０．０１〜２％の範囲にある請求項３記載の光学
異方性一軸配向フイルム。
【請求項６】１，３―ジオキソランを６０重量％以上
で含有しかつ芳香族ポリエーテルスルホンを溶解し得る
溶媒１５〜４０重量部、および芳香族ポリエステルスル
ホン１０重量部を含有してなる芳香族ポリエーテルスル
ホン溶液組成物。
【請求項７】上記溶媒が１，３―ジオキソランを６０
重量％以上と１，３―ジオキソランと相溶性の有機溶媒
４０重量％以下からなる、請求項６記載の溶液組成物。
【請求項８】溶液キャスト法によりフイルムを製造す
るためのドープである請求項６記載の溶液組成物。
【請求項９】（１）請求項６記載の芳香族ポリエーテ
ルスルホン溶液組成物を支持体上に流延し、そして（２）溶媒を含む流延フイルムを加熱して溶媒を蒸発せ
しめることを特徴とする芳香族ポリエーテルスルホンの
光学等方性フイルムの製造法。
【請求項１０】上記工程（２）を、（ｉ）溶媒の含有
量が５〜２５重量％になるまで溶媒を蒸発せしめて自立
性のある前乾燥フイルムを形成する前乾燥工程と、（i
i）支持体から剥離したのち、前記前乾燥フイルムを幅
方向に収縮可能な状態で、連続的にまた段階的に昇温せ
しめて乾燥する後乾燥工程、ここで乾燥温度（Ｔ℃）は
下記式（Ｉ）【数１】Ｔｇ′−５０＜Ｔ＜Ｔｇ′ …（Ｉ）［ここで、Ｔｇ′（℃）は残留溶媒を含む芳香族ポリエ
ーテルスルホンフイルムのガラス転移温度であり、この
温度は乾燥が進むにつれて減少する残留溶媒の含有量の
減少とともに上昇する。］を満足するようにＴｇ′に合
わせて高くする、とで実施する請求項９記載の方法。
【請求項１１】上記芳香族ポリエーテルスルホン溶液
組成物が水および炭素数１〜６の直鎖状または分岐鎖状
の脂肪族アルコールよりなる群から選ばれる少なくとも
１つを、該組成物中の溶媒に対し、１〜１０重量％でさ
らに含有する請求項１０記載の方法。
【請求項１２】上記工程（ｉ）を不活性ガス雰囲気中
で実施し、そして上記工程（ii）を不活性ガスあるいは
空気中で実施する請求項９〜１１のいずれかに記載の方
法。
【請求項１３】工程（ｉ）の不活性ガス雰囲気が１，
３―ジオキソランを３容量％以上含有する請求項１２記
載の方法。
【請求項１４】工程（ｉ）または工程（ii）の不活性
ガス雰囲気が酸素を１０容量％以下で含む窒素ガスを主
成分とする請求項１２または１３記載の方法。
【請求項１５】上記工程（２）の乾燥の少なくとも一
部をマイクロ波加熱により行なう請求項９〜１４のいず
れかに記載の方法。
【請求項１６】上記工程（２）における工程（ｉ）の
乾燥の少なくとも一部をマイクロ波加熱により行なう請
求項１０〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】請求項１記載の芳香族ポリエーテルス
ルホンの光学等方性フイルムを一軸延伸することを特徴
とする芳香族ポリエーテルスルホンの光学異方性一軸配
向フイルムの製造法。