JPH0832199A - Ｉｃチップの回路基板への実装構造と実装方法 - Google Patents
Ｉｃチップの回路基板への実装構造と実装方法Info
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- JPH0832199A JPH0832199A JP6166573A JP16657394A JPH0832199A JP H0832199 A JPH0832199 A JP H0832199A JP 6166573 A JP6166573 A JP 6166573A JP 16657394 A JP16657394 A JP 16657394A JP H0832199 A JPH0832199 A JP H0832199A
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
- H01L2224/9212—Sequential connecting processes
- H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
- H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バンプを備えたＩＣチップの回路基板への実
装方法に関し、実装後のＩＣチップをそれや回路基板の
実装域を損なうことなく取り外せるように回路基板に実
装して生産性の向上を図ることを目的とする。 【構成】 バンプを備えたＩＣチップと、ＩＣチップ実
装面保護膜上の少なくともチップ接続電極を除く領域
に、加熱もしくは溶媒の付加で、溶融または溶解し得る
剥離膜が形成された回路基板とで構成され、上記ＩＣチ
ップを、上記剥離膜を介して該回路基板に実装する。
装方法に関し、実装後のＩＣチップをそれや回路基板の
実装域を損なうことなく取り外せるように回路基板に実
装して生産性の向上を図ることを目的とする。 【構成】 バンプを備えたＩＣチップと、ＩＣチップ実
装面保護膜上の少なくともチップ接続電極を除く領域
に、加熱もしくは溶媒の付加で、溶融または溶解し得る
剥離膜が形成された回路基板とで構成され、上記ＩＣチ
ップを、上記剥離膜を介して該回路基板に実装する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバンプを備えたＩＣチッ
プの回路基板への実装方法に係り、特に実装後のＩＣチ
ップをそれや回路基板の実装域を損なうことなく取り外
せるように回路基板に実装して生産性の向上を図ったＩ
Ｃチップの実装方法に関する。
プの回路基板への実装方法に係り、特に実装後のＩＣチ
ップをそれや回路基板の実装域を損なうことなく取り外
せるように回路基板に実装して生産性の向上を図ったＩ
Ｃチップの実装方法に関する。
【０００２】近年の各種電子装置の分野では、遣り取り
する情報量の増大や装置小型化要求等に対応させるた
め、バンプが形成されているベアチップ（以下ＩＣチッ
プとする）を通常のＢＩＴ方式 (Bump Interconnection
Technology ) で直接回路基板に実装する技術が実用化
されている。
する情報量の増大や装置小型化要求等に対応させるた
め、バンプが形成されているベアチップ（以下ＩＣチッ
プとする）を通常のＢＩＴ方式 (Bump Interconnection
Technology ) で直接回路基板に実装する技術が実用化
されている。
【０００３】この場合、回路変更や不良発見等の理由で
実装後のＩＣチップを交換したり取り外すことがある
が、その作業時に該ＩＣチップや回路基板を損なうこと
が多いと共に工数がかかることから、その対応が強く望
まれている。
実装後のＩＣチップを交換したり取り外すことがある
が、その作業時に該ＩＣチップや回路基板を損なうこと
が多いと共に工数がかかることから、その対応が強く望
まれている。
【０００４】
【従来の技術】図４は従来のＩＣチップ実装方法の概略
を工程的に説明する図であり、(4-1)は実装前の状態を
(4-2) は接合時の状態をそれぞれ示し、また(4-3) は実
装後の状態を示したものである。
を工程的に説明する図であり、(4-1)は実装前の状態を
(4-2) は接合時の状態をそれぞれ示し、また(4-3) は実
装後の状態を示したものである。
【０００５】なお、図では回路基板がセラミック多層回
路基板（以下文中では単に基板とする）であり、またＩ
Ｃチップが４個のバンプ電極を備えたものである場合を
例としている。
路基板（以下文中では単に基板とする）であり、またＩ
Ｃチップが４個のバンプ電極を備えたものである場合を
例としている。
【０００６】ＩＣチップの基板への実装方法を示した図
４の(4-1) で、ＩＣチップ１には基板との接続部となる
４個のバンプ接続電極1aが形成されており、また一部を
断面して拡大視した基板２の片面（図では上面）にはそ
の表面に該面を保護するための熱硬化性ポリイミド樹脂
等からなる保護膜2aがチップ接続用電極2bの領域を除く
全面に例えば通常のスクリーンマスク技術によってパタ
ーニング形成されている。
４の(4-1) で、ＩＣチップ１には基板との接続部となる
４個のバンプ接続電極1aが形成されており、また一部を
断面して拡大視した基板２の片面（図では上面）にはそ
の表面に該面を保護するための熱硬化性ポリイミド樹脂
等からなる保護膜2aがチップ接続用電極2bの領域を除く
全面に例えば通常のスクリーンマスク技術によってパタ
ーニング形成されている。
【０００７】なお該基板表面の破線Ａで囲まれた領域
は、上記ＩＣチップ１の実装域Ｂを示している。そこ
で、該基板２の露出する上記チップ接続用電極2bの領域
に例えば一般的なクリームはんだや導電ペーストの如き
粘液状接続材を通常のスクリーンマスク技術等で層形成
し硬化させてはんだ層を形成した後、該ＩＣチップ１を
その接続電極1aと上記デバイス接続用電極2bとを対面さ
せた状態で矢印Ｃのように該基板２に搭載し、しかる後
に図示されない加熱チャンバ等で該はんだ層を加熱溶融
せしめて (4-2)に示す如く上記ＩＣチップ１を該基板２
に接合する。
は、上記ＩＣチップ１の実装域Ｂを示している。そこ
で、該基板２の露出する上記チップ接続用電極2bの領域
に例えば一般的なクリームはんだや導電ペーストの如き
粘液状接続材を通常のスクリーンマスク技術等で層形成
し硬化させてはんだ層を形成した後、該ＩＣチップ１を
その接続電極1aと上記デバイス接続用電極2bとを対面さ
せた状態で矢印Ｃのように該基板２に搭載し、しかる後
に図示されない加熱チャンバ等で該はんだ層を加熱溶融
せしめて (4-2)に示す如く上記ＩＣチップ１を該基板２
に接合する。
【０００８】なおこの状態では、ＩＣチップ１と基板表
面との間に僅かな空間域Ｄが存在する。次いで、封止剤
としての熱硬化性エポキシ樹脂21の該空間域Ｄへの注入
で該ＩＣチップ１をその実装域Ｂを越える封止域Ｂ′で
封止することで、ＩＣチップ１の該基板２への実装を実
現することができる。
面との間に僅かな空間域Ｄが存在する。次いで、封止剤
としての熱硬化性エポキシ樹脂21の該空間域Ｄへの注入
で該ＩＣチップ１をその実装域Ｂを越える封止域Ｂ′で
封止することで、ＩＣチップ１の該基板２への実装を実
現することができる。
【０００９】かかるＩＣチップの実装方法では特別な技
術を必要としないので、安価且つ容易に実装し得るメリ
ットがある。
術を必要としないので、安価且つ容易に実装し得るメリ
ットがある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】一方、実装済の該ＩＣ
チップ１を回路変更や不良交換・調査等の理由で該基板
２から取り外すには、図示破線Ｂで示す線域の近傍を機
械的に切断したり封止用の熱硬化性樹脂を溶剤で溶融せ
しめるようにしている。
チップ１を回路変更や不良交換・調査等の理由で該基板
２から取り外すには、図示破線Ｂで示す線域の近傍を機
械的に切断したり封止用の熱硬化性樹脂を溶剤で溶融せ
しめるようにしている。
【００１１】しかし、前者の場合にはＩＣチップ１に振
動や衝撃が加わるため取り外した後のＩＣチップを不良
解析等の特性チェック用や取替用に再使用することに難
点があると共に基板上に残存する熱硬化性樹脂の除去に
多くの工数がかかると言う問題があり、また後者の場合
には例えば発煙硝酸の如き強腐食性溶液を使用しなけれ
ばならないのでＩＣチップと共に基板自体も損なわれる
ことになり、いずれも生産性の向上を期待することがで
きないと言う問題があった。
動や衝撃が加わるため取り外した後のＩＣチップを不良
解析等の特性チェック用や取替用に再使用することに難
点があると共に基板上に残存する熱硬化性樹脂の除去に
多くの工数がかかると言う問題があり、また後者の場合
には例えば発煙硝酸の如き強腐食性溶液を使用しなけれ
ばならないのでＩＣチップと共に基板自体も損なわれる
ことになり、いずれも生産性の向上を期待することがで
きないと言う問題があった。
【００１２】更に最近では、ＩＣとしての集積度向上に
伴う発熱量増大やパターン微細化に対処するため、上述
した封止剤としての熱硬化性樹脂に例えば窒化アルミニ
ウム(AlN),アルミナ(Al2O3),シリカ(SiO2), 窒化珪素(S
i3O4) 等の微粒を混入させて樹脂としての熱伝導率向上
による放熱容易化と熱膨張率低下によるクラック抑制と
を図る技術が実用化されているが、かかる熱硬化性樹脂
ではその硬度が上がるために上述したようなＩＣチップ
取外し作業が従来以上に困難になりつつあると言う問題
があった。
伴う発熱量増大やパターン微細化に対処するため、上述
した封止剤としての熱硬化性樹脂に例えば窒化アルミニ
ウム(AlN),アルミナ(Al2O3),シリカ(SiO2), 窒化珪素(S
i3O4) 等の微粒を混入させて樹脂としての熱伝導率向上
による放熱容易化と熱膨張率低下によるクラック抑制と
を図る技術が実用化されているが、かかる熱硬化性樹脂
ではその硬度が上がるために上述したようなＩＣチップ
取外し作業が従来以上に困難になりつつあると言う問題
があった。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題は、バンプを備
えたＩＣチップと、ＩＣチップ実装面保護膜上の少なく
ともチップ接続電極を除く領域に、加熱もしくは溶媒の
付加で、溶融または溶解し得る剥離膜が形成された回路
基板とで構成され、上記ＩＣチップが、上記剥離膜を介
して該回路基板に実装されてなるＩＣチップの回路基板
への実装構造によって解決される。
えたＩＣチップと、ＩＣチップ実装面保護膜上の少なく
ともチップ接続電極を除く領域に、加熱もしくは溶媒の
付加で、溶融または溶解し得る剥離膜が形成された回路
基板とで構成され、上記ＩＣチップが、上記剥離膜を介
して該回路基板に実装されてなるＩＣチップの回路基板
への実装構造によって解決される。
【００１４】また、回路基板のＩＣチップ実装面保護膜
上の少なくともチップ接続電極を除く領域に、加熱もし
くは溶媒の付加で溶融または溶解し得る剥離膜を形成し
た後、バンプを備えた上記ＩＣチップを、該剥離膜を介
して回路基板に実装するＩＣチップの回路基板への実装
方法によって解決される。
上の少なくともチップ接続電極を除く領域に、加熱もし
くは溶媒の付加で溶融または溶解し得る剥離膜を形成し
た後、バンプを備えた上記ＩＣチップを、該剥離膜を介
して回路基板に実装するＩＣチップの回路基板への実装
方法によって解決される。
【００１５】
【作用】熱的にまたは化学的に溶融または溶解し得ると
共に基板の保護膜に被着し易い材料からなる剥離膜を該
基板のＩＣチップとの封止領域に形成してからＩＣチッ
プを実装すると、上記の溶融または溶解手段を採ること
で該剥離膜を溶融または溶解させられるので該ＩＣチッ
プを基板から容易に取り外すことができる。
共に基板の保護膜に被着し易い材料からなる剥離膜を該
基板のＩＣチップとの封止領域に形成してからＩＣチッ
プを実装すると、上記の溶融または溶解手段を採ること
で該剥離膜を溶融または溶解させられるので該ＩＣチッ
プを基板から容易に取り外すことができる。
【００１６】そこで本発明では、例えば熱可塑性ポリイ
ミド樹脂の如く熱的に溶融し得ると共に基板の保護膜に
被着し易い材料からなるフィルム等の剥離膜や、例えば
環状オレフィン樹脂の如く基板の保護膜に被着し易く且
つＩＣチップや該保護膜に作用しない例えばキシレンの
如き芳香族系溶媒で溶解し得る材料からなるフィルム状
の剥離膜を、基板のＩＣチップとの封止領域に形成し、
しかる後に上記ＩＣチップを実装するようにしている。
ミド樹脂の如く熱的に溶融し得ると共に基板の保護膜に
被着し易い材料からなるフィルム等の剥離膜や、例えば
環状オレフィン樹脂の如く基板の保護膜に被着し易く且
つＩＣチップや該保護膜に作用しない例えばキシレンの
如き芳香族系溶媒で溶解し得る材料からなるフィルム状
の剥離膜を、基板のＩＣチップとの封止領域に形成し、
しかる後に上記ＩＣチップを実装するようにしている。
【００１７】このことは、該ＩＣチップを取り外す際に
前述した機械的手段に伴うＩＣチップの振動や衝撃をな
くすことができると共に、基板への損傷も抑制し得るこ
とを示している。
前述した機械的手段に伴うＩＣチップの振動や衝撃をな
くすことができると共に、基板への損傷も抑制し得るこ
とを示している。
【００１８】従って、ＩＣチップ実装後の回路変更や不
良交換・調査等に伴う該ＩＣチップの基板からの取外し
作業を該ＩＣチップや基板を損なうことなく容易に実現
することができて、更なる生産性向上を期待することが
できる。
良交換・調査等に伴う該ＩＣチップの基板からの取外し
作業を該ＩＣチップや基板を損なうことなく容易に実現
することができて、更なる生産性向上を期待することが
できる。
【００１９】
【実施例】図４を矢示Ｅ方向から見た図１は本発明にな
るＩＣチップの実装方法を該チップの取外し方法を含め
て説明する工程図であり、(1-1) は基板を示し、(1-2)
は剥離膜被覆状態を(1-3) は該剥離膜形成状態をそれぞ
れ示し、(1-4) はＩＣチップの実装状態を示したもの、
また(1-5) はＩＣチップの取外し方法を示した図であ
る。
るＩＣチップの実装方法を該チップの取外し方法を含め
て説明する工程図であり、(1-1) は基板を示し、(1-2)
は剥離膜被覆状態を(1-3) は該剥離膜形成状態をそれぞ
れ示し、(1-4) はＩＣチップの実装状態を示したもの、
また(1-5) はＩＣチップの取外し方法を示した図であ
る。
【００２０】また図２は本発明になる他の実装方法を図
１同様に示した工程図、図３は本発明になる第３の実装
方法を図１同様に示した工程図である。なお図ではいず
れも図４と同じ基板とＩＣチップとの組合せに適用させ
た場合を例とし、図４と同じ部材や部位及び図１乃至図
３における同じ部材や部位については同一の記号を付す
と共に重複する説明についてはそれを省略する。
１同様に示した工程図、図３は本発明になる第３の実装
方法を図１同様に示した工程図である。なお図ではいず
れも図４と同じ基板とＩＣチップとの組合せに適用させ
た場合を例とし、図４と同じ部材や部位及び図１乃至図
３における同じ部材や部位については同一の記号を付す
と共に重複する説明についてはそれを省略する。
【００２１】図１の(1-1) で基板２上面のチップ接続電
極2bを除く領域には、例えば熱硬化性ポリイミド樹脂か
らなる厚さ５μm 位の保護膜2aがパターニング形成され
ている。
極2bを除く領域には、例えば熱硬化性ポリイミド樹脂か
らなる厚さ５μm 位の保護膜2aがパターニング形成され
ている。
【００２２】そこで該保護膜2aの全表面に、ガラス転移
点が 160℃近傍の熱可塑性ポリイミド樹脂からなる厚さ
１５μm 程度のポリイミドフィルム31′を剥離膜素材と
して熱圧着手段で添着して(1-2) に示す状態とする。
点が 160℃近傍の熱可塑性ポリイミド樹脂からなる厚さ
１５μm 程度のポリイミドフィルム31′を剥離膜素材と
して熱圧着手段で添着して(1-2) に示す状態とする。
【００２３】なおこの場合の該熱圧着手段は、例えば温
度 240℃程度に加熱した状態で通常のプレス技術等によ
って５ＭPa位の圧力で押圧することで容易に実現するこ
とができる。
度 240℃程度に加熱した状態で通常のプレス技術等によ
って５ＭPa位の圧力で押圧することで容易に実現するこ
とができる。
【００２４】次いで、例えば通常の光リソグラフィ技術
等によって該基板２の各チップ接続電極2bと図４の封止
域Ｂ′をその周囲で僅かに越える領域Ｂ″とを露出せし
めると、チップ接続電極2bと上記領域Ｂ″とを除く全表
面が熱可塑性ポリイミド樹脂からなる剥離膜31で覆われ
た基板３を(1-3) に示すように得ることができる。
等によって該基板２の各チップ接続電極2bと図４の封止
域Ｂ′をその周囲で僅かに越える領域Ｂ″とを露出せし
めると、チップ接続電極2bと上記領域Ｂ″とを除く全表
面が熱可塑性ポリイミド樹脂からなる剥離膜31で覆われ
た基板３を(1-3) に示すように得ることができる。
【００２５】そこで、露出するチップ接続用電極2bに図
４同様にはんだ層を形成した後その表面所定位置に図４
で説明したＩＣチップ１を接合し更に熱硬化性エポキシ
樹脂21を注入し、例えば 230℃・１分程度加熱して硬化
せしめることで、(1-4) で示すように該ＩＣチップ１を
基板３に実装することができる。
４同様にはんだ層を形成した後その表面所定位置に図４
で説明したＩＣチップ１を接合し更に熱硬化性エポキシ
樹脂21を注入し、例えば 230℃・１分程度加熱して硬化
せしめることで、(1-4) で示すように該ＩＣチップ１を
基板３に実装することができる。
【００２６】なおこの場合の実装方法では、上記基板３
の剥離膜31を上述したように封止域Ｂ′を越える領域
Ｂ″に形成しているため該剥離膜31が封止域Ｂ′の周囲
に露出した状態にあり、封止用の熱硬化性エポキシ樹脂
21と基板２の保護膜2aとは直接接触することがない。
の剥離膜31を上述したように封止域Ｂ′を越える領域
Ｂ″に形成しているため該剥離膜31が封止域Ｂ′の周囲
に露出した状態にあり、封止用の熱硬化性エポキシ樹脂
21と基板２の保護膜2aとは直接接触することがない。
【００２７】一方、(1-4) で示すように基板３に実装さ
れた該ＩＣチップ１を該基板３と共に上記剥離膜31のガ
ラス転移点以上の温度（例えば約 250℃）で加熱すると
上記剥離膜31がその露出域から軟化し始めるので、上記
実装域Ｂ内の全部の剥離膜31が溶融した状態で該ＩＣチ
ップ１を図示されない治具等で挟んで機械的にこじると
溶融した上記剥離膜31の領域で該ＩＣチップ１が剥離す
るので、実装された該ＩＣチップ１を熱硬化性エポキシ
樹脂21と共に該基板３から容易に取り外すことができ
る。
れた該ＩＣチップ１を該基板３と共に上記剥離膜31のガ
ラス転移点以上の温度（例えば約 250℃）で加熱すると
上記剥離膜31がその露出域から軟化し始めるので、上記
実装域Ｂ内の全部の剥離膜31が溶融した状態で該ＩＣチ
ップ１を図示されない治具等で挟んで機械的にこじると
溶融した上記剥離膜31の領域で該ＩＣチップ１が剥離す
るので、実装された該ＩＣチップ１を熱硬化性エポキシ
樹脂21と共に該基板３から容易に取り外すことができ
る。
【００２８】この場合には、ＩＣチップ１に大きい振動
や衝撃を与えることなくまた基板３に損傷を与えること
なく該ＩＣチップ１が取り外せるので、取り外した後の
ＩＣチップを特性チェック用や取替用に再使用できると
共に基板としての再利用も可能になって生産性向上を期
待することができる。
や衝撃を与えることなくまた基板３に損傷を与えること
なく該ＩＣチップ１が取り外せるので、取り外した後の
ＩＣチップを特性チェック用や取替用に再使用できると
共に基板としての再利用も可能になって生産性向上を期
待することができる。
【００２９】なお上述した熱可塑性ポリイミド樹脂の代
わりに、熱可塑性エポキシ樹脂を使用しても同等の効果
が得られることを実験的に確認している。他の実装方法
を示した図２で、(2-1) は基板を示し、(2-2) は剥離膜
被覆状態を(2-3) は該剥離膜形成状態をそれぞれ示し、
(2-4) はＩＣチップの実装状態を示したもの、また(2-
5) はＩＣチップの取外し方法を示した図である。
わりに、熱可塑性エポキシ樹脂を使用しても同等の効果
が得られることを実験的に確認している。他の実装方法
を示した図２で、(2-1) は基板を示し、(2-2) は剥離膜
被覆状態を(2-3) は該剥離膜形成状態をそれぞれ示し、
(2-4) はＩＣチップの実装状態を示したもの、また(2-
5) はＩＣチップの取外し方法を示した図である。
【００３０】図の(2-1) は図１の(1-1) 同様に基板２を
示したものである。そこで該保護膜2aの全表面に、例え
ば液状で化学式
示したものである。そこで該保護膜2aの全表面に、例え
ば液状で化学式
【００３１】
【化１】 但しＲはアルキル基を持つ環状オレフィン樹脂を通常の
スピンコート技術で膜状化せしめた環状オレフィン樹脂
層41′を剥離膜素材として形成して(2-2) で示す状態に
する。
スピンコート技術で膜状化せしめた環状オレフィン樹脂
層41′を剥離膜素材として形成して(2-2) で示す状態に
する。
【００３２】次いで、例えばフォトリゾグラフィ技術や
エキシマリーザ照射技術等によって該基板２の各チップ
接続電極2bと図１で説明した封止域Ｂ′を越える領域
Ｂ″とが露出するようにパターニングし更に約300 ℃・
１時間程度の加熱で硬化させて、(2-3) に示す如く厚さ
10 μm 位の環状オレフィン樹脂からなる剥離膜41で被
覆された基板４を形成する。
エキシマリーザ照射技術等によって該基板２の各チップ
接続電極2bと図１で説明した封止域Ｂ′を越える領域
Ｂ″とが露出するようにパターニングし更に約300 ℃・
１時間程度の加熱で硬化させて、(2-3) に示す如く厚さ
10 μm 位の環状オレフィン樹脂からなる剥離膜41で被
覆された基板４を形成する。
【００３３】なおこの場合の該剥離膜41は、ＩＣチップ
１や図４で説明した基板２の保護膜2aに作用しない芳香
属系溶媒（例えばキシレン“ C6H4CH3CH3”）には容易
に溶解すると共に、該保護膜2aに対する接合力が図４に
おける保護膜2aと熱硬化性エポキシ樹脂21との間の接合
力よりも小さい性質を備えているものである。
１や図４で説明した基板２の保護膜2aに作用しない芳香
属系溶媒（例えばキシレン“ C6H4CH3CH3”）には容易
に溶解すると共に、該保護膜2aに対する接合力が図４に
おける保護膜2aと熱硬化性エポキシ樹脂21との間の接合
力よりも小さい性質を備えているものである。
【００３４】次いで、図４同様に露出するチップ接続用
電極2bにはんだ層を形成した後その表面所定位置に図４
で説明したＩＣチップ１を接合し更にエポキシ樹脂21の
注入で該ＩＣチップ１の周囲を封止することで、(2-4)
で示すように該ＩＣチップ１を基板４に実装することが
できる。
電極2bにはんだ層を形成した後その表面所定位置に図４
で説明したＩＣチップ１を接合し更にエポキシ樹脂21の
注入で該ＩＣチップ１の周囲を封止することで、(2-4)
で示すように該ＩＣチップ１を基板４に実装することが
できる。
【００３５】なおこの場合の実装方法でも、剥離膜41の
周囲が封止域Ｂ′から露出していることは図１と同様で
ある。一方、該基板４に実装されたＩＣチップ１を該基
板４と共に例えば(2-5) に示すようにキシレン液42に浸
漬すると、上記剥離膜41がその露出する部分から溶融し
始めるので、例えば 60 秒程度該キシレン液42に浸すこ
とで、図１同様に該ＩＣチップ１を熱硬化性エポキシ樹
脂21と共に該基板４から容易に取り外すことができる。
周囲が封止域Ｂ′から露出していることは図１と同様で
ある。一方、該基板４に実装されたＩＣチップ１を該基
板４と共に例えば(2-5) に示すようにキシレン液42に浸
漬すると、上記剥離膜41がその露出する部分から溶融し
始めるので、例えば 60 秒程度該キシレン液42に浸すこ
とで、図１同様に該ＩＣチップ１を熱硬化性エポキシ樹
脂21と共に該基板４から容易に取り外すことができる。
【００３６】そしてこの場合にも、図１同様に取り外し
た後のＩＣチップを特性チェック用や取替用に使用でき
ると共に基板も再利用できるので、生産性向上を期待す
ることができる。
た後のＩＣチップを特性チェック用や取替用に使用でき
ると共に基板も再利用できるので、生産性向上を期待す
ることができる。
【００３７】なお上述した環状オレフィン樹脂を、化学
式
式
【００３８】
【化２】 を持つ芳香族系溶媒“Ｎ−メチル２−ピロリドン（ＮＭ
Ｐ）”で容易に溶解し得ると共に該環状オレフィン樹脂
と同様の工程で剥離膜として形成できるポリエーテルサ
ルホン（ＰＥＳ）化学式
Ｐ）”で容易に溶解し得ると共に該環状オレフィン樹脂
と同様の工程で剥離膜として形成できるポリエーテルサ
ルホン（ＰＥＳ）化学式
【００３９】
【化３】 に代えても同等の効果が得られることを実験的に確認し
ている。図３は実装後のＩＣチップと基板との間の接合
力を図１及び図２で説明した実装方法による場合よりも
向上させるために、各剥離膜31,41 の形成域をそれぞれ
の封止域Ｂ′を越えない領域に設定したものである。
ている。図３は実装後のＩＣチップと基板との間の接合
力を図１及び図２で説明した実装方法による場合よりも
向上させるために、各剥離膜31,41 の形成域をそれぞれ
の封止域Ｂ′を越えない領域に設定したものである。
【００４０】すなわちオレフィン樹脂からなる剥離膜を
形成する図２の場合を例とする図３で、(3-1) は図２の
(2-3) と同じ時点での剥離膜の形成状態を示し、(3-2)
はＩＣチップの実装状態を表わし、また(3-3) はＩＣチ
ップを取外したときの状態を示した図である。
形成する図２の場合を例とする図３で、(3-1) は図２の
(2-3) と同じ時点での剥離膜の形成状態を示し、(3-2)
はＩＣチップの実装状態を表わし、また(3-3) はＩＣチ
ップを取外したときの状態を示した図である。
【００４１】すなわち図の(3-1) で基板５は、図２の(2
-3) におけるオレフィン樹脂からなる剥離膜41を、基板
２の各チップ接続電極2bと図１の封止域Ｂ′を越えない
領域を除く他の領域とが露出するように形成した剥離膜
51に代えたものである。
-3) におけるオレフィン樹脂からなる剥離膜41を、基板
２の各チップ接続電極2bと図１の封止域Ｂ′を越えない
領域を除く他の領域とが露出するように形成した剥離膜
51に代えたものである。
【００４２】そこで図４で説明したように、露出するチ
ップ接続用電極2bにはんだ層を形成した後その表面所定
位置にＩＣチップ１を接合し更に該チップ１の周囲への
熱硬化性エポキシ樹脂21の注入で封止することで、(3-
2) で示すように該ＩＣチップ１を基板５に実装するこ
とができる。
ップ接続用電極2bにはんだ層を形成した後その表面所定
位置にＩＣチップ１を接合し更に該チップ１の周囲への
熱硬化性エポキシ樹脂21の注入で封止することで、(3-
2) で示すように該ＩＣチップ１を基板５に実装するこ
とができる。
【００４３】この場合には、剥離膜51が封止域Ｂ′の内
側に位置するので該剥離膜51の周辺でのみ上記エポキシ
樹脂21と基板の保護膜2aとが直接接合することになって
両者間の接合力を図２で説明した基板４を使用するとき
よりも大きくできるが、上記エポキシ樹脂21と保護膜2a
との接合面積が図４で説明した基板２を使用する場合よ
りも狭いので結果的に図４の場合よりも両者間の接合力
を小さくすることができる。
側に位置するので該剥離膜51の周辺でのみ上記エポキシ
樹脂21と基板の保護膜2aとが直接接合することになって
両者間の接合力を図２で説明した基板４を使用するとき
よりも大きくできるが、上記エポキシ樹脂21と保護膜2a
との接合面積が図４で説明した基板２を使用する場合よ
りも狭いので結果的に図４の場合よりも両者間の接合力
を小さくすることができる。
【００４４】従ってこの場合には、図２で説明したキシ
レン液42を使用することなく、図示されない治具等で該
ＩＣチップ１を挟んで機械的に除去するだけで該ＩＣチ
ップ１を熱硬化性エポキシ樹脂21と共に基板５から容易
に取り外すことができる。
レン液42を使用することなく、図示されない治具等で該
ＩＣチップ１を挟んで機械的に除去するだけで該ＩＣチ
ップ１を熱硬化性エポキシ樹脂21と共に基板５から容易
に取り外すことができる。
【００４５】なお、該取外し時に基板側に残留する剥離
膜51′は図２で説明したキシレン液42で容易に除去でき
るので、図１同様に取り外した後のＩＣチップを特性チ
ェック用や取替用に使用できると共に基板５も再利用で
きて、生産性向上が期待できるメリットがある。
膜51′は図２で説明したキシレン液42で容易に除去でき
るので、図１同様に取り外した後のＩＣチップを特性チ
ェック用や取替用に使用できると共に基板５も再利用で
きて、生産性向上が期待できるメリットがある。
【００４６】
【発明の効果】上述の如く本発明により、実装後のＩＣ
チップを該チップ自身や基板を損なうことなく基板から
取り外すことで生産性向上を図ったＩＣチップの実装方
法を提供することができる。
チップを該チップ自身や基板を損なうことなく基板から
取り外すことで生産性向上を図ったＩＣチップの実装方
法を提供することができる。
【００４７】なお本発明の説明では回路基板がセラミッ
ク多層配線基板である場合を例としているが、表面の少
なくともチップ接続用電極を除く領域が保護膜で被覆さ
れていれば如何なる回路基板にも適用し得ることは明ら
かである。
ク多層配線基板である場合を例としているが、表面の少
なくともチップ接続用電極を除く領域が保護膜で被覆さ
れていれば如何なる回路基板にも適用し得ることは明ら
かである。
【図１】 本発明になるＩＣチップの実装方法を該チッ
プの取外し方法を含めて説明する工程図。
プの取外し方法を含めて説明する工程図。
【図２】 本発明になる他の実装方法を図１同様に示し
た工程図。
た工程図。
【図３】 本発明になる第３の実装方法を図１同様に示
した工程図。
した工程図。
【図４】 従来のＩＣチップ実装方法の概略を工程的に
説明する図。
説明する図。
１ ＩＣチップ 2,3,4 セラミック多層回路基板（回路基板） 2a 保護膜 2b ＩＣチッ
プ接続電極 21 封止剤（熱硬化性エポキシ樹脂） 31, 31′,41, 41 ′,51, 51 ′ 剥離膜 42 芳香族系溶媒（キシレン）
プ接続電極 21 封止剤（熱硬化性エポキシ樹脂） 31, 31′,41, 41 ′,51, 51 ′ 剥離膜 42 芳香族系溶媒（キシレン）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大和田 保 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 横内 貴志男 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 バンプを備えたＩＣチップと、 ＩＣチップ実装面保護膜上の少なくともチップ接続電極
を除く領域に、加熱もしくは溶媒の付加で、溶融または
溶解し得る剥離膜が形成された回路基板とで構成され、 上記ＩＣチップが、上記剥離膜を介して該回路基板に実
装されてなることを特徴としたＩＣチップの回路基板へ
の実装構造。 - 【請求項２】 前記加熱で溶融し得る剥離膜が、熱可塑
性ポリイミド樹脂または熱可塑性エポキシ樹脂からなる
ことを特徴とした請求項１記載のＩＣチップの回路基板
への実装構造。 - 【請求項３】 前記溶媒が芳香族系溶媒であり、また該
溶媒の付加で溶解し得る前記剥離膜が環状オレフィン樹
脂またはポリエーテルサルホンからなることを特徴とし
た請求項１記載のＩＣチップの回路基板への実装構造。 - 【請求項４】 回路基板のＩＣチップ実装面保護膜上の
少なくともチップ接続電極を除く領域に、加熱もしくは
溶媒の付加で溶融または溶解し得る剥離膜を形成した
後、 バンプを備えた上記ＩＣチップを、該剥離膜を介して回
路基板に実装することを特徴としたＩＣチップの回路基
板への実装方法。 - 【請求項５】 前記加熱で溶融し得る剥離膜を、熱可塑
性ポリイミド樹脂または熱可塑性エポキシ樹脂で形成す
ることを特徴とした請求項４記載のＩＣチップの回路基
板への実装方法。 - 【請求項６】 前記溶媒を芳香族系溶媒とし、また該溶
媒の付加で溶解し得る剥離膜を環状オレフィン樹脂また
はポリエーテルサルホンで形成することを特徴とした請
求項４記載のＩＣチップの回路基板への実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6166573A JPH0832199A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | Ｉｃチップの回路基板への実装構造と実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6166573A JPH0832199A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | Ｉｃチップの回路基板への実装構造と実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0832199A true JPH0832199A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15833775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6166573A Pending JPH0832199A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | Ｉｃチップの回路基板への実装構造と実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0832199A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270496A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Hitachi Ltd | 電子装置、情報処理装置、半導体装置並びに半導体チップの実装方法 |
| JP2006253558A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板、電子部品の実装構造および電子部品の実装方法 |
| CN110783172A (zh) * | 2019-09-09 | 2020-02-11 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于分离堆叠封装结构中多个裸片的混合溶剂和方法 |
-
1994
- 1994-07-19 JP JP6166573A patent/JPH0832199A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270496A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Hitachi Ltd | 電子装置、情報処理装置、半導体装置並びに半導体チップの実装方法 |
| JP2006253558A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板、電子部品の実装構造および電子部品の実装方法 |
| JP4667086B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2011-04-06 | 日東電工株式会社 | 電子部品の実装構造および電子部品の実装方法 |
| CN110783172A (zh) * | 2019-09-09 | 2020-02-11 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于分离堆叠封装结构中多个裸片的混合溶剂和方法 |
| CN110783172B (zh) * | 2019-09-09 | 2022-06-14 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于分离堆叠封装结构中多个裸片的混合溶剂和方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031216 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040216 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040220 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20040312 |