JPH08321088A - 光学ピックアップ - Google Patents
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- JPH08321088A JPH08321088A JP7150858A JP15085895A JPH08321088A JP H08321088 A JPH08321088 A JP H08321088A JP 7150858 A JP7150858 A JP 7150858A JP 15085895 A JP15085895 A JP 15085895A JP H08321088 A JPH08321088 A JP H08321088A
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1395—Beam splitters or combiners
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/1356—Double or multiple prisms, i.e. having two or more prisms in cooperation
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10543—Heads for reproducing using optical beam of radiation
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1362—Mirrors
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型に構成されると共に戻り光ビームの検出
が高精度で行なわれるようにした、光磁気記録媒体用の
光学ピックアップを提供すること。 【構成】 光ビームを出射するレーザ光源２１と、この
光源から出射された光ビームを光磁気記録媒体の信号記
録面上に合焦するように照射する対物レンズ２５と、こ
の光源から出射された光ビームと前記対物レンズを介し
た光磁気記録媒体Ｄの信号記録面からの戻り光ビームの
第一の偏光または第二の偏光を分離する収束光学系中に
配設されたビームスプリッタ２３と、前記ビームスプリ
ッタによって、分離された戻り光ビームを受光する光検
出器２８とを含んでおり、且つ前記ビームスプリッタに
よる第一の偏光成分またはこれと異なる第二の偏光成分
の分離率を８５％以上９５以下とした。
が高精度で行なわれるようにした、光磁気記録媒体用の
光学ピックアップを提供すること。 【構成】 光ビームを出射するレーザ光源２１と、この
光源から出射された光ビームを光磁気記録媒体の信号記
録面上に合焦するように照射する対物レンズ２５と、こ
の光源から出射された光ビームと前記対物レンズを介し
た光磁気記録媒体Ｄの信号記録面からの戻り光ビームの
第一の偏光または第二の偏光を分離する収束光学系中に
配設されたビームスプリッタ２３と、前記ビームスプリ
ッタによって、分離された戻り光ビームを受光する光検
出器２８とを含んでおり、且つ前記ビームスプリッタに
よる第一の偏光成分またはこれと異なる第二の偏光成分
の分離率を８５％以上９５以下とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学ピックアップ、特
に光磁気記録媒体等の光記録媒体に対して記録及び／ま
たは再生を行なうための光学ピックアップに関するもの
である。
に光磁気記録媒体等の光記録媒体に対して記録及び／ま
たは再生を行なうための光学ピックアップに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような光学ピックアップは、
図８に示すように構成されている。図８において、光学
ピックアップ１は、光源としての半導体レーザ素子２，
グレーティング３，コリメータレンズ４，ビームスプリ
ッタ５，対物レンズ６及びこのビームスプリッタ５によ
り分離された戻り光ビームの光路中に配設されたウォラ
ストンプリズム７，集光レンズ８，マルチレンズ９及び
光検出器１０とから構成されている。
図８に示すように構成されている。図８において、光学
ピックアップ１は、光源としての半導体レーザ素子２，
グレーティング３，コリメータレンズ４，ビームスプリ
ッタ５，対物レンズ６及びこのビームスプリッタ５によ
り分離された戻り光ビームの光路中に配設されたウォラ
ストンプリズム７，集光レンズ８，マルチレンズ９及び
光検出器１０とから構成されている。
【０００３】半導体レーザ素子２から出射されたＰ偏
光，即ち、ビームスプリッタ５に関して、入射光と、反
射光もしくは出射光と、により形成される面内で振動す
る偏光成分、を含むレーザ光ビームは、グレーティング
３により、例えば３本の光ビームに分離された後、コリ
メータレンズ４によって平行光に変換されて、ビームス
プリッタ５を透過する。その後、光ビームは、対物レン
ズ６を介して、光磁気ディスクＤの信号記録面上のある
一点に結像される。
光，即ち、ビームスプリッタ５に関して、入射光と、反
射光もしくは出射光と、により形成される面内で振動す
る偏光成分、を含むレーザ光ビームは、グレーティング
３により、例えば３本の光ビームに分離された後、コリ
メータレンズ４によって平行光に変換されて、ビームス
プリッタ５を透過する。その後、光ビームは、対物レン
ズ６を介して、光磁気ディスクＤの信号記録面上のある
一点に結像される。
【０００４】光磁気ディスクＤの信号記録面で反射され
ると共にカー効果によって偏光面が回転されてＳ偏光
（前記Ｐ偏光の偏光面と直交する面内で振動する偏光）
成分のＭＯ信号（光磁気信号）を含む戻り光ビームは、
再び対物レンズ６を介して、ビームスプリッタ５に入射
する。ここで、戻り光ビームは、ビームスプリッタ５の
ハーフミラー面５ａで反射されると共に、９０度折り曲
げられ、更にビームスプリッタ５の端面５ｂで全反射さ
れると共に、再び９０度折り曲げられる。そして、ビー
ムスプリッタ５から出射された光ビームに基づいて、ウ
ォラストンプリズム７は、複屈折により複数の光ビーム
を出射し、これらの光ビームは、集光レンズ８，マルチ
レンズ９によって、光検出器１０の各受光面上に集光さ
れることになる。これにより、光検出器１０の各受光面
からの検出信号に基づいて、光磁気ディスクＤの読取信
号（所謂ＭＯ再生信号）及びフォーカスエラー信号，ト
ラッキングエラー信号等の信号が生成される。
ると共にカー効果によって偏光面が回転されてＳ偏光
（前記Ｐ偏光の偏光面と直交する面内で振動する偏光）
成分のＭＯ信号（光磁気信号）を含む戻り光ビームは、
再び対物レンズ６を介して、ビームスプリッタ５に入射
する。ここで、戻り光ビームは、ビームスプリッタ５の
ハーフミラー面５ａで反射されると共に、９０度折り曲
げられ、更にビームスプリッタ５の端面５ｂで全反射さ
れると共に、再び９０度折り曲げられる。そして、ビー
ムスプリッタ５から出射された光ビームに基づいて、ウ
ォラストンプリズム７は、複屈折により複数の光ビーム
を出射し、これらの光ビームは、集光レンズ８，マルチ
レンズ９によって、光検出器１０の各受光面上に集光さ
れることになる。これにより、光検出器１０の各受光面
からの検出信号に基づいて、光磁気ディスクＤの読取信
号（所謂ＭＯ再生信号）及びフォーカスエラー信号，ト
ラッキングエラー信号等の信号が生成される。
【０００５】しかしながら、平行光学系中にビームスプ
リッタ５が挿入されるため、図８にて、半導体レーザ素
子２から対物レンズ６までの距離が比較的長くなってし
まい、光学ピックアップ１全体が大型になってしまうと
いう問題があった。
リッタ５が挿入されるため、図８にて、半導体レーザ素
子２から対物レンズ６までの距離が比較的長くなってし
まい、光学ピックアップ１全体が大型になってしまうと
いう問題があった。
【０００６】このため、図９に示すような構成の光学ピ
ックアップ１１も知られている。図９において、光学ピ
ックアップ１１は、光源としての半導体レーザ素子１
２，グレーティング１３，ビームスプリッタ１４，コリ
メータレンズ１５，対物レンズ１６及びこのビームスプ
リッタ１４により分離された戻り光ビームの光路中に配
設されたウォラストンプリズム１７，マルチレンズ１８
及び光検出器１９とから構成されている。
ックアップ１１も知られている。図９において、光学ピ
ックアップ１１は、光源としての半導体レーザ素子１
２，グレーティング１３，ビームスプリッタ１４，コリ
メータレンズ１５，対物レンズ１６及びこのビームスプ
リッタ１４により分離された戻り光ビームの光路中に配
設されたウォラストンプリズム１７，マルチレンズ１８
及び光検出器１９とから構成されている。
【０００７】半導体レーザ素子１２から出射されたＰ偏
光を含むレーザ光ビームは、グレーティング１３により
３本の光ビームに分離された後、ビームスプリッタ１４
を透過する。その後、光ビームは、コリメータレンズ１
４により平行光に変換された後、対物レンズ６を介し
て、光磁気ディスクＤの信号記録面上のある一点に結像
される。
光を含むレーザ光ビームは、グレーティング１３により
３本の光ビームに分離された後、ビームスプリッタ１４
を透過する。その後、光ビームは、コリメータレンズ１
４により平行光に変換された後、対物レンズ６を介し
て、光磁気ディスクＤの信号記録面上のある一点に結像
される。
【０００８】光磁気ディスクＤの信号記録面からのＳ偏
光成分を含む光ビーム即ち戻り光ビームは、再び対物レ
ンズ１６及びコリメータレンズ１５を介して、ビームス
プリッタ１４に入射する。ここで、戻り光ビームは、ビ
ームスプリッタ１４のハーフミラー面１４ａで反射され
ると共に、９０度折り曲げられる。そして、ビームスプ
リッタ１４から出射された光ビームに基づいて、ウォラ
ストンプリズム１７は、複屈折により複数の光ビームを
出射し、これらの光ビームは、マルチレンズ１８によっ
て、光検出器１９の各受光面上に集光されることにな
る。
光成分を含む光ビーム即ち戻り光ビームは、再び対物レ
ンズ１６及びコリメータレンズ１５を介して、ビームス
プリッタ１４に入射する。ここで、戻り光ビームは、ビ
ームスプリッタ１４のハーフミラー面１４ａで反射され
ると共に、９０度折り曲げられる。そして、ビームスプ
リッタ１４から出射された光ビームに基づいて、ウォラ
ストンプリズム１７は、複屈折により複数の光ビームを
出射し、これらの光ビームは、マルチレンズ１８によっ
て、光検出器１９の各受光面上に集光されることにな
る。
【０００９】この構成によれば、光学ピックアップ１１
は、図８の光学ピックアップ１に比較して、ビームスプ
リッタ１４がコリメータレンズ１５による平行光学系内
に挿入されていないので、平行光学系が比較的短くて済
むので、全体が小型に構成される。
は、図８の光学ピックアップ１に比較して、ビームスプ
リッタ１４がコリメータレンズ１５による平行光学系内
に挿入されていないので、平行光学系が比較的短くて済
むので、全体が小型に構成される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された光学ピックアップ１１においては、Ｐ偏
光の透過率Ｔｐ＝６５％，Ｐ偏光の反射率３３％，Ｓ偏
光の透過率Ｔｓ＝３３％，Ｓ偏光の反射率Ｒｓ＝６５％
という多層膜設計のものを使用していたので光検出器１
９に達するＭＯ再生信号としてのＳ偏光成分の信号レベ
ルが低くなってしまい、戻り光ビームの検出精度が低下
するため、ＭＯ再生信号の品質が低下してしまうという
問題があった。
うに構成された光学ピックアップ１１においては、Ｐ偏
光の透過率Ｔｐ＝６５％，Ｐ偏光の反射率３３％，Ｓ偏
光の透過率Ｔｓ＝３３％，Ｓ偏光の反射率Ｒｓ＝６５％
という多層膜設計のものを使用していたので光検出器１
９に達するＭＯ再生信号としてのＳ偏光成分の信号レベ
ルが低くなってしまい、戻り光ビームの検出精度が低下
するため、ＭＯ再生信号の品質が低下してしまうという
問題があった。
【００１１】本発明は、以上の点に鑑み、小型に構成さ
れると共に、戻り光ビームの検出が高精度で行われるよ
うにした、光磁気記録媒体用の光学ピックアップを提供
することを目的としている。
れると共に、戻り光ビームの検出が高精度で行われるよ
うにした、光磁気記録媒体用の光学ピックアップを提供
することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、光ビームを出射するレーザ光源と、この光源から
出射された光ビームを光磁気記録媒体の信号記録面上に
合焦するように照射する対物レンズと、この光源から出
射された光ビームと前記対物レンズを介した光磁気記録
媒体の信号記録面からの戻り光ビームの第一の偏光また
は第二の偏光を分離する収束光学系中に配設されたビー
ムスプリッタと、前記ビームスプリッタによって、分離
された戻り光ビームを受光する光検出器とを含んでお
り、且つ前記ビームスプリッタによる第一の偏光成分ま
たはこれと異なる第二の偏光成分の分離率が、８５％以
上９５以下である光学ピックアップにより、達成され
る。
れば、光ビームを出射するレーザ光源と、この光源から
出射された光ビームを光磁気記録媒体の信号記録面上に
合焦するように照射する対物レンズと、この光源から出
射された光ビームと前記対物レンズを介した光磁気記録
媒体の信号記録面からの戻り光ビームの第一の偏光また
は第二の偏光を分離する収束光学系中に配設されたビー
ムスプリッタと、前記ビームスプリッタによって、分離
された戻り光ビームを受光する光検出器とを含んでお
り、且つ前記ビームスプリッタによる第一の偏光成分ま
たはこれと異なる第二の偏光成分の分離率が、８５％以
上９５以下である光学ピックアップにより、達成され
る。
【００１３】
【作用】上記構成によれば、光磁気記録媒体の信号記録
面からの戻り光ビームは、ビームスプリッタにより第二
の偏光成分が反射され、または第一の偏光成分が透過さ
れることにより、第二の偏光または第一の偏光が分離さ
れた後、第一の偏光または第二の偏光が、光検出器に入
射される。これにより、光検出器にて、再生信号やサー
ボエラー信号が検出されることになる。この場合、第一
の偏光は例えばＰ偏光成分であり、第二の偏光はＳ偏光
成分であって、再生信号としてのＰ偏光またはＳ偏光に
混入するＳ偏光またはＰ偏光は、ビームスプリッタによ
り反射または透過されることより分離され、その分離率
が８５乃至９５％の範囲内にあるので、高品質の再生信
号が得られ、再生信号が、高精度で検出されることにな
る。
面からの戻り光ビームは、ビームスプリッタにより第二
の偏光成分が反射され、または第一の偏光成分が透過さ
れることにより、第二の偏光または第一の偏光が分離さ
れた後、第一の偏光または第二の偏光が、光検出器に入
射される。これにより、光検出器にて、再生信号やサー
ボエラー信号が検出されることになる。この場合、第一
の偏光は例えばＰ偏光成分であり、第二の偏光はＳ偏光
成分であって、再生信号としてのＰ偏光またはＳ偏光に
混入するＳ偏光またはＰ偏光は、ビームスプリッタによ
り反射または透過されることより分離され、その分離率
が８５乃至９５％の範囲内にあるので、高品質の再生信
号が得られ、再生信号が、高精度で検出されることにな
る。
【００１４】ここで、分離率、即ちＰ分離の場合のＳ偏
光成分の反射率またはＳ分離の場合のＰ偏光成分の透過
率が、８５％未満の場合には、再生信号の品質があまり
高くないことから、再生信号の精度が低くなってしま
う。また、分離率、即ちＰ分離の場合のＳ偏光成分の反
射率またはＳ分離の場合のＰ偏光成分の透過率が、９５
％を越える場合には、光磁気記録媒体の複屈折の影響に
よって、再生信号のノイズが増えることになり、再生信
号の品質が低下してしまう。
光成分の反射率またはＳ分離の場合のＰ偏光成分の透過
率が、８５％未満の場合には、再生信号の品質があまり
高くないことから、再生信号の精度が低くなってしま
う。また、分離率、即ちＰ分離の場合のＳ偏光成分の反
射率またはＳ分離の場合のＰ偏光成分の透過率が、９５
％を越える場合には、光磁気記録媒体の複屈折の影響に
よって、再生信号のノイズが増えることになり、再生信
号の品質が低下してしまう。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の好適な実施例を図１乃至図
７を参照しながら、詳細に説明する。尚、以下に述べる
実施例は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に
好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲
は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載
がない限り、これらの態様に限られるものではない。
７を参照しながら、詳細に説明する。尚、以下に述べる
実施例は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に
好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲
は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載
がない限り、これらの態様に限られるものではない。
【００１６】図１は、本発明による光学ピックアップの
第一の実施例を示している。図１において、光学ピック
アップ２０は、半導体レーザ素子２１，グレーティング
２２，ビームスプリッタ２３，コリメータレンズ２４，
対物レンズ２５と、このビームスプリッタ２３により分
離された戻り光ビームが入射するウォラストンプリズム
２６，マルチレンズ２７及び光検出器２８から構成され
ている。
第一の実施例を示している。図１において、光学ピック
アップ２０は、半導体レーザ素子２１，グレーティング
２２，ビームスプリッタ２３，コリメータレンズ２４，
対物レンズ２５と、このビームスプリッタ２３により分
離された戻り光ビームが入射するウォラストンプリズム
２６，マルチレンズ２７及び光検出器２８から構成され
ている。
【００１７】上記半導体レーザ素子２１は、半導体の再
結合発光を利用した発光素子であり、レーザ光源として
使用される。半導体レーザ素子２１から出射した光ビー
ムは、グレーティング２２に導かれる。
結合発光を利用した発光素子であり、レーザ光源として
使用される。半導体レーザ素子２１から出射した光ビー
ムは、グレーティング２２に導かれる。
【００１８】上記グレーティング２２は、入射光を回折
させるものであり、半導体レーザ素子２１から出射した
光ビームを回折させて、トラッキング方向に垂直な方向
に０次回折光及びプラスマイナス１次光の少なくとも３
本の光ビームに分離するために使用される。
させるものであり、半導体レーザ素子２１から出射した
光ビームを回折させて、トラッキング方向に垂直な方向
に０次回折光及びプラスマイナス１次光の少なくとも３
本の光ビームに分離するために使用される。
【００１９】ビームスプリッタ２３は、二つのガラスブ
ロックを貼り合わせることにより構成されており、その
貼り合わせ面がハーフミラー面２３ａとして作用するよ
うになっている。このハーフミラー面２３ａは、光軸に
対して４５度傾斜した状態で配設されており、半導体レ
ーザ素子２１からの光ビームと光磁気ディスクＤの信号
記録面からの戻り光を分離する。
ロックを貼り合わせることにより構成されており、その
貼り合わせ面がハーフミラー面２３ａとして作用するよ
うになっている。このハーフミラー面２３ａは、光軸に
対して４５度傾斜した状態で配設されており、半導体レ
ーザ素子２１からの光ビームと光磁気ディスクＤの信号
記録面からの戻り光を分離する。
【００２０】コリメータレンズ２４は、凸レンズであっ
て、半導体レーザ素子２１からの発散光である光ビーム
を、平行光に変換する。
て、半導体レーザ素子２１からの発散光である光ビーム
を、平行光に変換する。
【００２１】対物レンズ２５は、コリメータレンズ２４
からの平行光を、回転駆動される光磁気ディスクＤの信
号記録面の所望のトラック上に結像させる。
からの平行光を、回転駆動される光磁気ディスクＤの信
号記録面の所望のトラック上に結像させる。
【００２２】光磁気ディスクＤの信号記録面に照射され
た光ビームは、戻り光ビームとして、再び対物レンズ２
５，コリメータレンズ２４を介してビームスプリッタ２
３に導かれる。そして、ビームスプリッタ２３の反射面
２３ａで反射された戻り光ビームは、ウォラストンプリ
ズム２６及びマルチレンズ２７を介して、光検出器２８
の受光部に入射される。
た光ビームは、戻り光ビームとして、再び対物レンズ２
５，コリメータレンズ２４を介してビームスプリッタ２
３に導かれる。そして、ビームスプリッタ２３の反射面
２３ａで反射された戻り光ビームは、ウォラストンプリ
ズム２６及びマルチレンズ２７を介して、光検出器２８
の受光部に入射される。
【００２３】ウォラストンプリズム２６は、ビームスプ
リッタ２３で反射された戻り光ビームに基づいて、偏光
分離を行なうことにより、複数の光ビームを出射するも
のである。
リッタ２３で反射された戻り光ビームに基づいて、偏光
分離を行なうことにより、複数の光ビームを出射するも
のである。
【００２４】マルチレンズ２７は、凹レンズであって、
ウォラストンプリズム２６からの複数の光ビームをそれ
ぞれ光検出器の各受光部に集光させる。
ウォラストンプリズム２６からの複数の光ビームをそれ
ぞれ光検出器の各受光部に集光させる。
【００２５】光検出器２８は、ビームスプリッタ２３に
より分離され且つウォラストンプリズム２６により分割
された各光ビームを受光するための複数個の受光部を有
するように構成されている。
より分離され且つウォラストンプリズム２６により分割
された各光ビームを受光するための複数個の受光部を有
するように構成されている。
【００２６】以上の構成は、従来の光学ピックアップと
同様の構成であるが、本実施例による光学ピックアップ
２０においては、上記ビームスプリッタ２３は、その反
射面を構成する多層膜が、入射光のＳ偏光成分の反射率
Ｒｓが、８５％以上９５％以下の範囲内にあるように、
構成されている。この場合、Ｓ偏光成分の反射率Ｒｓ
が、８５％未満の場合には、再生信号のレベルが低くな
り品質があまり高くないことから、再生信号の精度が低
くなってしまい、図２に示すように、ブロックエラーレ
ートが比較的多くなる。また、Ｓ偏光成分の反射率Ｒｓ
が、９５％を越える場合には、光磁気ディスクＤの複屈
折の影響によって、再生信号のノイズが増えることにな
り、再生信号の品質が低下してしまうので、同様に図２
に示すように、ブロックエラーレートが多くなってしま
うことになる。
同様の構成であるが、本実施例による光学ピックアップ
２０においては、上記ビームスプリッタ２３は、その反
射面を構成する多層膜が、入射光のＳ偏光成分の反射率
Ｒｓが、８５％以上９５％以下の範囲内にあるように、
構成されている。この場合、Ｓ偏光成分の反射率Ｒｓ
が、８５％未満の場合には、再生信号のレベルが低くな
り品質があまり高くないことから、再生信号の精度が低
くなってしまい、図２に示すように、ブロックエラーレ
ートが比較的多くなる。また、Ｓ偏光成分の反射率Ｒｓ
が、９５％を越える場合には、光磁気ディスクＤの複屈
折の影響によって、再生信号のノイズが増えることにな
り、再生信号の品質が低下してしまうので、同様に図２
に示すように、ブロックエラーレートが多くなってしま
うことになる。
【００２７】このような特性を備えた多層膜は、例えば
一方のガラスブロック２３ｂの貼り合わせ面上に、順次
に、厚さ４９．１９ｎｍの酸化チタンＴｉＯ２，厚さ２
８７．５５ｎｍの酸化シリコンＳｉＯ２，厚さ４４．２
９ｎｍのシリコンＳｉそして厚さ４．００ｎｍのクロム
Ｃｒを積層することにより構成され、その上に他方のガ
ラスブロック２３ｃが貼着されている。このように構成
された多層膜は、入射角度４５度での入射光の波長に対
する反射率Ｒｓ，Ｒｐ及び位相変化δｐ−ｓが、図３に
示すようになり、また入射角度に対する反射率Ｒｓ，Ｒ
ｐ及び位相変化δｐ−ｓが、図４に示すようになる。こ
こで、図４のグラフにおいては、入射角度が４５度プラ
スマイナス７度の範囲の特性がしめされているが、この
入射角度は空気換算にてプラスマイナス１０．５度に相
当することになる。 従って、収束光学系における例え
ばプラスマイナス８度程度の範囲内における分光特性で
は、第一の偏光成分であるＰ偏光成分の透過率Ｔｐ＝６
５％，反射率Ｒｐ＝３０％となり、第二の偏光成分であ
るＳ偏光成分に対する透過率Ｔｓ＜１０％，反射率Ｒｓ
≧８５％となる。
一方のガラスブロック２３ｂの貼り合わせ面上に、順次
に、厚さ４９．１９ｎｍの酸化チタンＴｉＯ２，厚さ２
８７．５５ｎｍの酸化シリコンＳｉＯ２，厚さ４４．２
９ｎｍのシリコンＳｉそして厚さ４．００ｎｍのクロム
Ｃｒを積層することにより構成され、その上に他方のガ
ラスブロック２３ｃが貼着されている。このように構成
された多層膜は、入射角度４５度での入射光の波長に対
する反射率Ｒｓ，Ｒｐ及び位相変化δｐ−ｓが、図３に
示すようになり、また入射角度に対する反射率Ｒｓ，Ｒ
ｐ及び位相変化δｐ−ｓが、図４に示すようになる。こ
こで、図４のグラフにおいては、入射角度が４５度プラ
スマイナス７度の範囲の特性がしめされているが、この
入射角度は空気換算にてプラスマイナス１０．５度に相
当することになる。 従って、収束光学系における例え
ばプラスマイナス８度程度の範囲内における分光特性で
は、第一の偏光成分であるＰ偏光成分の透過率Ｔｐ＝６
５％，反射率Ｒｐ＝３０％となり、第二の偏光成分であ
るＳ偏光成分に対する透過率Ｔｓ＜１０％，反射率Ｒｓ
≧８５％となる。
【００２８】本実施例による光学ピックアップ２０は以
上のように構成されており、半導体レーザ素子２１から
出射されたＰ偏光のレーザ光ビームは、グレーティング
２２により３本の光ビームに分離された後、ビームスプ
リッタ２３を透過する。その後、光ビームは、コリメー
タレンズ２４により平行光に変化された後、対物レンズ
２５を介して、光磁気ディスクＤの信号記録面上のある
一点に結像される。
上のように構成されており、半導体レーザ素子２１から
出射されたＰ偏光のレーザ光ビームは、グレーティング
２２により３本の光ビームに分離された後、ビームスプ
リッタ２３を透過する。その後、光ビームは、コリメー
タレンズ２４により平行光に変化された後、対物レンズ
２５を介して、光磁気ディスクＤの信号記録面上のある
一点に結像される。
【００２９】光磁気ディスクＤの信号記録面で反射され
ると共にカー効果によって偏光面が回転されてＳ偏光成
分のＭＯ信号（光磁気信号）を含む戻り光ビームは、再
び対物レンズ２５，コリメータレンズ２４を介して、ビ
ームスプリッタ２３に入射する。ここで、戻り光ビーム
は、ビームスプリッタ２３のハーフミラー面２３ａに形
成された多層膜により、Ｐ偏光成分が透過されると共
に、Ｓ偏光成分が反射される。この際、ハーフミラー面
２３ａのＳ偏光成分に対する反射率Ｒｓは、
ると共にカー効果によって偏光面が回転されてＳ偏光成
分のＭＯ信号（光磁気信号）を含む戻り光ビームは、再
び対物レンズ２５，コリメータレンズ２４を介して、ビ
ームスプリッタ２３に入射する。ここで、戻り光ビーム
は、ビームスプリッタ２３のハーフミラー面２３ａに形
成された多層膜により、Ｐ偏光成分が透過されると共
に、Ｓ偏光成分が反射される。この際、ハーフミラー面
２３ａのＳ偏光成分に対する反射率Ｒｓは、
【数１】 であることから、ビームスプリッタ２３のハーフミラー
面２３ａで反射される戻り光ビームは、比較的高い信号
レベルになると共に、ＭＯ信号は、次式
面２３ａで反射される戻り光ビームは、比較的高い信号
レベルになると共に、ＭＯ信号は、次式
【数２】 で、エンハンスされることになる。
【００３０】そして、ビームスプリッタ２３のハーフミ
ラー面２３ａで反射されたＳ偏光成分は、ウォラストン
プリズム２６により、３つの光ビーム、即ちＰ偏光成
分，Ｓ偏光成分及びサーボ成分に偏光分離され、各光ビ
ームは、マルチレンズ２７により、フォーカシングエラ
ー成分の拡大作用を受けて、それぞれ光検出器２８の対
応する受光部に入射する。これにより、光検出器２８の
各受光部からの検出信号に基づいて、光磁気ディスクＤ
のＭＯ信号と、フォーカスエラー信号，トラッキングエ
ラー信号のサーボ信号が生成される。
ラー面２３ａで反射されたＳ偏光成分は、ウォラストン
プリズム２６により、３つの光ビーム、即ちＰ偏光成
分，Ｓ偏光成分及びサーボ成分に偏光分離され、各光ビ
ームは、マルチレンズ２７により、フォーカシングエラ
ー成分の拡大作用を受けて、それぞれ光検出器２８の対
応する受光部に入射する。これにより、光検出器２８の
各受光部からの検出信号に基づいて、光磁気ディスクＤ
のＭＯ信号と、フォーカスエラー信号，トラッキングエ
ラー信号のサーボ信号が生成される。
【００３１】この場合、ビームスプリッタ２３のハーフ
ミラー面２３ａの多層膜が前述のように構成されている
ことから、Ｓ偏光成分に対する反射率Ｒｓは、図１０に
て符号Ｂで示すように、Ａで示す従来のビームスプリッ
タのＳ偏光成分に対する反射率Ｒｓ（太線で示すもの）
が大きく変動しているのに比較して、ほとんど変動しな
くなり改善される。尚、Ｂとして示すものが三種類ある
のは波長が異なる光を用いた場合を示し、これらについ
ても入射角によってＲｓは大きく変動していない。
ミラー面２３ａの多層膜が前述のように構成されている
ことから、Ｓ偏光成分に対する反射率Ｒｓは、図１０に
て符号Ｂで示すように、Ａで示す従来のビームスプリッ
タのＳ偏光成分に対する反射率Ｒｓ（太線で示すもの）
が大きく変動しているのに比較して、ほとんど変動しな
くなり改善される。尚、Ｂとして示すものが三種類ある
のは波長が異なる光を用いた場合を示し、これらについ
ても入射角によってＲｓは大きく変動していない。
【００３２】また、Ｐ偏光成分に対する反射率Ｒｐは、
図１１にて符号Ａで示す従来のビームスプリッタのＰ偏
光成分に対する反射率Ｒｐに比較して、本実施例におけ
る反射率Ｒｐは、Ａで示されているように、入射角度に
対する反射率の変動，即ち、角度依存性が低減されてお
り、大きな変動は見られない。さらに、平行光学系は、
コリメータレンズ２４から対物レンズ２５の間だけであ
り、その間にはビームスプリッタ等の他の光学要素が配
設されていないので、全体が小型に構成されることにな
る。尚、Ｐ偏光成分に対する反射率Ｒｐについても、Ｂ
として示すものが三種類あるのは、波長が異なる光を用
いた場合を示し、これらについても入射角によって反射
率Ｒｐは大きく変動していない。
図１１にて符号Ａで示す従来のビームスプリッタのＰ偏
光成分に対する反射率Ｒｐに比較して、本実施例におけ
る反射率Ｒｐは、Ａで示されているように、入射角度に
対する反射率の変動，即ち、角度依存性が低減されてお
り、大きな変動は見られない。さらに、平行光学系は、
コリメータレンズ２４から対物レンズ２５の間だけであ
り、その間にはビームスプリッタ等の他の光学要素が配
設されていないので、全体が小型に構成されることにな
る。尚、Ｐ偏光成分に対する反射率Ｒｐについても、Ｂ
として示すものが三種類あるのは、波長が異なる光を用
いた場合を示し、これらについても入射角によって反射
率Ｒｐは大きく変動していない。
【００３３】上述したビームスプリッタ２３のハーフミ
ラー面２３ａの多層膜は、例えば図５に示す蒸着装置４
０によって形成される。図５において、蒸着装置４０
は、反応室４１と、反応室４１に接続された低真空排気
ポンプ４２及び高真空排気ポンプ４３と、反応室４１内
に配設される基板ホルダー４４と、反応室４１内の下部
に配設される蒸着材料用容器４５と、蒸着材料用容器４
５を閉鎖するためのシャッタ４６と、加熱用ヒータ４７
と、膜厚計４８とを含んでいる。
ラー面２３ａの多層膜は、例えば図５に示す蒸着装置４
０によって形成される。図５において、蒸着装置４０
は、反応室４１と、反応室４１に接続された低真空排気
ポンプ４２及び高真空排気ポンプ４３と、反応室４１内
に配設される基板ホルダー４４と、反応室４１内の下部
に配設される蒸着材料用容器４５と、蒸着材料用容器４
５を閉鎖するためのシャッタ４６と、加熱用ヒータ４７
と、膜厚計４８とを含んでいる。
【００３４】反応室４１は、外気に対して密閉可能に形
成されている。低真空排気ポンプ４２は、例えばロータ
リポンプ，メカニカルブースタポンプ等が使用される。
また、高真空排気ポンプ４３は、例えば油拡散ポンプ，
ターボ分子ポンプ，クライオポンプ等が使用される。こ
れにより、反応室４１は、低真空排気ポンプ４２及び高
真空排気ポンプ４３によって、所定の開始真空度まで真
空排気される。
成されている。低真空排気ポンプ４２は、例えばロータ
リポンプ，メカニカルブースタポンプ等が使用される。
また、高真空排気ポンプ４３は、例えば油拡散ポンプ，
ターボ分子ポンプ，クライオポンプ等が使用される。こ
れにより、反応室４１は、低真空排気ポンプ４２及び高
真空排気ポンプ４３によって、所定の開始真空度まで真
空排気される。
【００３５】基板ホルダー４４は、ドーム状の表面を有
していると共に、この表面上に複数個の基板（この場
合、ビームスプリッタ２３を構成するガラスブロック２
３ｂ）を装着するための装着部が設けられている。蒸着
材料用容器４５は、例えばモリブデン製るつぼ等が使用
され、粉末状，ペレット状または顆粒状の蒸着材料が投
入されると共に、例えば抵抗加熱法または電子ビーム法
によって加熱される。ここで、蒸着材料が例えば２００
０℃程度の高融点の場合には、電子ビーム法が使用され
る。シャッタ４６は、蒸着材料用容器４５を開閉するも
のであり、閉鎖することにより、蒸着材料用容器４５か
ら蒸着材料が反応室４４内に広がらないようにする。加
熱用ヒータ４７は、反応室４１内の上部に配設されてい
て、基板ホルダー４４に装着された基板を加熱するため
に使用される。膜厚計４８は、基板ホルダー４４上の基
板に形成された蒸着膜の膜厚を測定するためのものであ
り、例えば光学式膜厚計，水晶式膜厚計が使用される。
していると共に、この表面上に複数個の基板（この場
合、ビームスプリッタ２３を構成するガラスブロック２
３ｂ）を装着するための装着部が設けられている。蒸着
材料用容器４５は、例えばモリブデン製るつぼ等が使用
され、粉末状，ペレット状または顆粒状の蒸着材料が投
入されると共に、例えば抵抗加熱法または電子ビーム法
によって加熱される。ここで、蒸着材料が例えば２００
０℃程度の高融点の場合には、電子ビーム法が使用され
る。シャッタ４６は、蒸着材料用容器４５を開閉するも
のであり、閉鎖することにより、蒸着材料用容器４５か
ら蒸着材料が反応室４４内に広がらないようにする。加
熱用ヒータ４７は、反応室４１内の上部に配設されてい
て、基板ホルダー４４に装着された基板を加熱するため
に使用される。膜厚計４８は、基板ホルダー４４上の基
板に形成された蒸着膜の膜厚を測定するためのものであ
り、例えば光学式膜厚計，水晶式膜厚計が使用される。
【００３６】このように構成された蒸着装置４０によれ
ば、先づ多層膜を蒸着すべきビームスプリッタ２３のガ
ラスブロック２３ｂを洗浄して基板ホルダー４４の各装
着部に装着し、この基板ホルダー４４を反応室４１内に
設置する。その後、低真空排気ポンプ４２によって、反
応室４１内を低真空にし、さらに高真空排気ポンプ４３
によって、反応室４１内を所定の開始真空度まで真空排
気する。この状態から、蒸着材料用容器４５内の蒸着材
料を加熱し、蒸着材料が所望の蒸着速度となる温度にな
ったとき、シャッタ４５を開放する。これにより、基板
ホルダー４４に装着されたガラスブロックの表面に、蒸
着材料の薄膜が形成されることになる。そして、蒸着材
料の薄膜の膜厚が膜厚計４８によって観察され、薄膜が
所定の膜厚になったとき、シャッタ４５が閉鎖される。
最後に、加熱用ヒータ４７をオフし、また蒸着材料用容
器４５の加熱を中断する。そして、蒸着材料用容器４５
内の蒸着材料が冷却された後、反応室４１が大気開放さ
れ、基板ホルダー４４が反応室４１から取り出される。
かくして、ガラスブロック２３ｂ上への一つの薄膜の形
成が行なわれる。このような工程が繰り返されることに
より、上記ビームスプリッタ２３を構成するガラスブロ
ック２３ｂの表面に多層膜が形成されることになる。さ
らに、この多層膜の屈折率の安定化のために、上記ガラ
スブロック２３ｂは、アニール処理等の後処理を施され
てもよい。かくして、本実施例による光学特性を有する
ビームスプリッタが製造されることになる。
ば、先づ多層膜を蒸着すべきビームスプリッタ２３のガ
ラスブロック２３ｂを洗浄して基板ホルダー４４の各装
着部に装着し、この基板ホルダー４４を反応室４１内に
設置する。その後、低真空排気ポンプ４２によって、反
応室４１内を低真空にし、さらに高真空排気ポンプ４３
によって、反応室４１内を所定の開始真空度まで真空排
気する。この状態から、蒸着材料用容器４５内の蒸着材
料を加熱し、蒸着材料が所望の蒸着速度となる温度にな
ったとき、シャッタ４５を開放する。これにより、基板
ホルダー４４に装着されたガラスブロックの表面に、蒸
着材料の薄膜が形成されることになる。そして、蒸着材
料の薄膜の膜厚が膜厚計４８によって観察され、薄膜が
所定の膜厚になったとき、シャッタ４５が閉鎖される。
最後に、加熱用ヒータ４７をオフし、また蒸着材料用容
器４５の加熱を中断する。そして、蒸着材料用容器４５
内の蒸着材料が冷却された後、反応室４１が大気開放さ
れ、基板ホルダー４４が反応室４１から取り出される。
かくして、ガラスブロック２３ｂ上への一つの薄膜の形
成が行なわれる。このような工程が繰り返されることに
より、上記ビームスプリッタ２３を構成するガラスブロ
ック２３ｂの表面に多層膜が形成されることになる。さ
らに、この多層膜の屈折率の安定化のために、上記ガラ
スブロック２３ｂは、アニール処理等の後処理を施され
てもよい。かくして、本実施例による光学特性を有する
ビームスプリッタが製造されることになる。
【００３７】また、蒸着装置としては、図６に示すよう
な連続蒸着装置も使用される。図６において、連続蒸着
装置５０は、所定の真空度に真空排気された三つの反応
室、即ち基板ホルダー４４が挿入される供給室５１，真
空蒸着が行なわれる蒸着室５２，基板ホルダー４４が取
り出される取出し室５３を備えており、蒸着室５２は、
基板ホルダー４４の出し入れの度に、真空排気する必要
がないので、複数の基板ホルダー４４の連続的な蒸着処
理が短時間で行われることになる。 蒸着室５２は、図
５に示した蒸着装置４０とほぼ同様に構成されていると
共に、上方に膜厚計４８が設置されている。これによ
り、蒸着室５２内での基板ホルダー４４上に装着された
ガラスブロック２３ｂの表面の形成された薄膜の膜厚が
観察されるようになっている。
な連続蒸着装置も使用される。図６において、連続蒸着
装置５０は、所定の真空度に真空排気された三つの反応
室、即ち基板ホルダー４４が挿入される供給室５１，真
空蒸着が行なわれる蒸着室５２，基板ホルダー４４が取
り出される取出し室５３を備えており、蒸着室５２は、
基板ホルダー４４の出し入れの度に、真空排気する必要
がないので、複数の基板ホルダー４４の連続的な蒸着処
理が短時間で行われることになる。 蒸着室５２は、図
５に示した蒸着装置４０とほぼ同様に構成されていると
共に、上方に膜厚計４８が設置されている。これによ
り、蒸着室５２内での基板ホルダー４４上に装着された
ガラスブロック２３ｂの表面の形成された薄膜の膜厚が
観察されるようになっている。
【００３８】図７は、本発明による光学ピックアップの
第二の実施例を示している。図７において、光学ピック
アップ３０は、半導体レーザ素子３１，グレーティング
３２，ビームスプリッタ３３，コリメータレンズ３４，
対物レンズ３５と、このビームスプリッタ３３により分
離された戻り光ビームが入射するウォラストンプリズム
３６，マルチレンズ３７及び光検出器３８から構成され
ている。
第二の実施例を示している。図７において、光学ピック
アップ３０は、半導体レーザ素子３１，グレーティング
３２，ビームスプリッタ３３，コリメータレンズ３４，
対物レンズ３５と、このビームスプリッタ３３により分
離された戻り光ビームが入射するウォラストンプリズム
３６，マルチレンズ３７及び光検出器３８から構成され
ている。
【００３９】以上の構成は、図１に示した光学ピックア
ップ２０とほぼ同様の構成であるが、本実施例の光学ピ
ックアップ３０においては、半導体レーザ素子２１から
の光ビームが、ビームスプリッタ３３により反射されて
光磁気ディスクＤの信号記録面に集光されると共に、光
磁気ディスクＤからの戻り光ビームが、ビームスプリッ
タ３３を透過して光検出器３８に導かれるように、所謂
Ｓ分離型の光学ピックアップとして構成されている点で
異なる構成である。ここで、上記ビームスプリッタ３３
は、その反射面を構成する多層膜が、入射光のＰ偏光成
分の透過率Ｔｐが、８５％以上９５％以下の範囲内にあ
るように、構成されている。この場合、Ｐ偏光成分の透
過率Ｔｐが、８５％未満の場合には、再生信号のレベル
が低くなり品質があまり高くないことから、再生信号の
精度が低くなってしまい、またＰ偏光成分の透過率Ｔｐ
が、９５％を越える場合には、光磁気ディスクＤの複屈
折の影響によって、再生信号のノイズが増えることにな
り、再生信号の品質が低下してしまうので、図１の光学
ピックアップ１０の場合と同様に、ブロックエラーレー
トが多くなってしまうことになる。
ップ２０とほぼ同様の構成であるが、本実施例の光学ピ
ックアップ３０においては、半導体レーザ素子２１から
の光ビームが、ビームスプリッタ３３により反射されて
光磁気ディスクＤの信号記録面に集光されると共に、光
磁気ディスクＤからの戻り光ビームが、ビームスプリッ
タ３３を透過して光検出器３８に導かれるように、所謂
Ｓ分離型の光学ピックアップとして構成されている点で
異なる構成である。ここで、上記ビームスプリッタ３３
は、その反射面を構成する多層膜が、入射光のＰ偏光成
分の透過率Ｔｐが、８５％以上９５％以下の範囲内にあ
るように、構成されている。この場合、Ｐ偏光成分の透
過率Ｔｐが、８５％未満の場合には、再生信号のレベル
が低くなり品質があまり高くないことから、再生信号の
精度が低くなってしまい、またＰ偏光成分の透過率Ｔｐ
が、９５％を越える場合には、光磁気ディスクＤの複屈
折の影響によって、再生信号のノイズが増えることにな
り、再生信号の品質が低下してしまうので、図１の光学
ピックアップ１０の場合と同様に、ブロックエラーレー
トが多くなってしまうことになる。
【００４０】このような構成の光学ピックアップ３０に
よれば、半導体レーザ素子３１から出射されたＳ偏光の
レーザ光ビームは、グレーティング３３により３本の光
ビームに分離された後、ビームスプリッタ３３の反射面
３３ａで反射される。その後、光ビームは、コリメータ
レンズ３４により平行光に変換された後、対物レンズ３
５を介して、光磁気ディスクＤの信号記録面上のある一
点に結像される。
よれば、半導体レーザ素子３１から出射されたＳ偏光の
レーザ光ビームは、グレーティング３３により３本の光
ビームに分離された後、ビームスプリッタ３３の反射面
３３ａで反射される。その後、光ビームは、コリメータ
レンズ３４により平行光に変換された後、対物レンズ３
５を介して、光磁気ディスクＤの信号記録面上のある一
点に結像される。
【００４１】光磁気ディスクＤの信号記録面で反射され
ると共にカー効果によって偏光面が回転されてＰ偏光成
分のＭＯ信号を含む戻り光ビームは、再び対物レンズ３
５，コリメータレンズ３４を介して、ビームスプリッタ
３３に入射する。ここで、戻り光ビームは、ビームスプ
リッタ３３のハーフミラー面３３ａに形成された多層膜
により、Ｐ偏光成分が透過されると共に、Ｓ偏光成分が
反射される。この際、ハーフミラー面３３ａのＰ偏光成
分に対する透過率Ｔｐは、
ると共にカー効果によって偏光面が回転されてＰ偏光成
分のＭＯ信号を含む戻り光ビームは、再び対物レンズ３
５，コリメータレンズ３４を介して、ビームスプリッタ
３３に入射する。ここで、戻り光ビームは、ビームスプ
リッタ３３のハーフミラー面３３ａに形成された多層膜
により、Ｐ偏光成分が透過されると共に、Ｓ偏光成分が
反射される。この際、ハーフミラー面３３ａのＰ偏光成
分に対する透過率Ｔｐは、
【数３】 であることから、ビームスプリッタ３３のハーフミラー
面３３ａを透過する戻り光ビームは、比較的高い信号レ
ベルになる。
面３３ａを透過する戻り光ビームは、比較的高い信号レ
ベルになる。
【００４２】そして、ビームスプリッタ３３を透過した
Ｐ偏光成分は、ウォラストンプリズム３６により、３つ
の光ビーム、即ちＰ偏光成分，Ｓ偏光成分及びサーボ成
分に偏光分離され、各光ビームは、マルチレンズ３７に
よって、フォーカシングエラー成分の拡大作用を受け
て、それぞれ光検出器３８の対応する受光部に入射す
る。これにより、光検出器３８の各受光部からの検出信
号に基づいて、光磁気ディスクＤのＭＯ信号と、フォー
カスエラー信号，トラッキングエラー信号のサーボ信号
が生成される。
Ｐ偏光成分は、ウォラストンプリズム３６により、３つ
の光ビーム、即ちＰ偏光成分，Ｓ偏光成分及びサーボ成
分に偏光分離され、各光ビームは、マルチレンズ３７に
よって、フォーカシングエラー成分の拡大作用を受け
て、それぞれ光検出器３８の対応する受光部に入射す
る。これにより、光検出器３８の各受光部からの検出信
号に基づいて、光磁気ディスクＤのＭＯ信号と、フォー
カスエラー信号，トラッキングエラー信号のサーボ信号
が生成される。
【００４３】尚、上述した実施例においては、レーザ光
源として、半導体レーザ素子が使用されているが、他の
レーザ光源が使用されてもよく、またレーザ光源と受光
部（光検出器）を一体的に構成してもよい。また、ビー
ムスプリッタ２３，３３のハーフミラー面２３ａ，３３
ａを構成する多層膜は、真空蒸着によって形成されてい
るが、これに限らず、上記多層膜は、スパッタリング
法，イオンプレーティング法，イオンアシスト法等の他
の方法によっても形成される。
源として、半導体レーザ素子が使用されているが、他の
レーザ光源が使用されてもよく、またレーザ光源と受光
部（光検出器）を一体的に構成してもよい。また、ビー
ムスプリッタ２３，３３のハーフミラー面２３ａ，３３
ａを構成する多層膜は、真空蒸着によって形成されてい
るが、これに限らず、上記多層膜は、スパッタリング
法，イオンプレーティング法，イオンアシスト法等の他
の方法によっても形成される。
【００４４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、高
品質の再生信号が得られ、再生信号が高精度で検出され
ることになる。これにより、ノイズの少ない安定した再
生信号が得られることになると共に、平行光学系の比較
的短く構成されるので、光学ピックアップ全体が小型に
構成されることになる。
品質の再生信号が得られ、再生信号が高精度で検出され
ることになる。これにより、ノイズの少ない安定した再
生信号が得られることになると共に、平行光学系の比較
的短く構成されるので、光学ピックアップ全体が小型に
構成されることになる。
【図１】本発明による光学ピックアップの第一の実施例
の構成を示す概略側面図である。
の構成を示す概略側面図である。
【図２】図１の光学ピックアップにおけるビームスプリ
ッタのＳ偏光成分の反射率と再生信号におけるブロック
エラーレートとの関係を示すグラフである。
ッタのＳ偏光成分の反射率と再生信号におけるブロック
エラーレートとの関係を示すグラフである。
【図３】図１の光学ピックアップにおけるビームスプリ
ッタの構成例における入射光の波長に対する反射率及び
位相変化を示すグラフである。
ッタの構成例における入射光の波長に対する反射率及び
位相変化を示すグラフである。
【図４】図１の光学ピックアップにおけるビームスプリ
ッタの構成例における入射角に対する反射率及び位相変
化を示すグラフである。
ッタの構成例における入射角に対する反射率及び位相変
化を示すグラフである。
【図５】図１の光学ピックアップにおけるビームスプリ
ッタの製造装置の一構成例を示す概略図である。
ッタの製造装置の一構成例を示す概略図である。
【図６】図１の光学ピックアップにおけるビームスプリ
ッタの製造装置の他の構成例を示す概略図である。
ッタの製造装置の他の構成例を示す概略図である。
【図７】本発明による光学ピックアップの第二の実施例
の構成を示す概略側面図である。
の構成を示す概略側面図である。
【図８】従来の光学ピックアップの一例の構成を示す概
略側面図である。
略側面図である。
【図９】従来の光学ピックアップの他の例の構成を示す
概略側面図である。
概略側面図である。
【図１０】Ｓ偏光成分がビームスプリッタの多層膜にて
反射される反射率と、この多層膜に光が入る角度との関
係を示す図である。
反射される反射率と、この多層膜に光が入る角度との関
係を示す図である。
【図１１】Ｐ偏光成分がビームスプリッタの多層膜にて
反射される反射率と、この多層膜に光が入る角度との関
係を示す図である。
反射される反射率と、この多層膜に光が入る角度との関
係を示す図である。
２０ 光学ピックアップ ２１ レーザカプラ ２２ 第一のプリズムミラー ２３ グレーティング ２４ ビームスプリッタ ２５ 第二のプリズムミラー ２６ 対物レンズ ２７ 戻りプリズム ２７ａ 入射面 ２７ｂ 反射面 ２７ｃ 凹状出射面 ２８ 光検出器 ３０ 光学ピックアップ ４０ 光学ピックアップ ４１ 戻りプリズム ４２ 凹レンズ
Claims (3)
- 【請求項１】 光ビームを出射するレーザ光源と、 この光源から出射された光ビームを光磁気記録媒体の信
号記録面上に合焦するように照射する対物レンズと、 この光源から出射された光ビームと前記対物レンズを介
した光磁気記録媒体の信号記録面からの戻り光ビームの
第一の偏光または第二の偏光を分離する収束光学系中に
配設されたビームスプリッタと、 前記ビームスプリッタによって、分離された戻り光ビー
ムを受光する光検出器とを含んでおり、 且つ、前記ビームスプリッタによる第一の偏光成分また
はこれと異なる第二の偏光成分の分離率が、８５％以上
９５以下であることを特徴とする光学ピックアップ。 - 【請求項２】 前記ビームスプリッタが、前記第一の偏
光成分を透過させることにより、この偏光成分を分離す
るように構成されていて、且つ前記第二の偏光成分の反
射率Ｒｓが、８５％≦Ｒｓ≦９５％の範囲内にあること
を特徴とする請求項１に記載の光学ピックアップ。 - 【請求項３】 前記ビームスプリッタが、前記第二の偏
光成分を反射させることにより、この第二の偏光成分を
分離するように構成されていて、且つ前記第一の偏光成
分の透過率Ｔｐが、８５％≦Ｔｐ≦９５％の範囲内にあ
ることを特徴とする請求項１に記載の光学ピックアッ
プ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150858A JPH08321088A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 光学ピックアップ |
| US08/651,373 US5701287A (en) | 1995-05-25 | 1996-05-22 | Optical head with a plural layers coated beam splitter for light components separation |
| KR1019960017593A KR100417936B1 (ko) | 1995-05-25 | 1996-05-23 | 광학픽업장치 |
| CN96108957A CN1099102C (zh) | 1995-05-25 | 1996-05-25 | 光学头 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150858A JPH08321088A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 光学ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321088A true JPH08321088A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=15505919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7150858A Pending JPH08321088A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 光学ピックアップ |
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| JP (1) | JPH08321088A (ja) |
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| DE69426712T2 (de) * | 1993-06-02 | 2001-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optische Kopfvorrichtung und optisches Informationsgerät |
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| JP3541893B2 (ja) * | 1993-08-06 | 2004-07-14 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体再生装置 |
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- 1995-05-25 JP JP7150858A patent/JPH08321088A/ja active Pending
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- 1996-05-25 CN CN96108957A patent/CN1099102C/zh not_active Expired - Fee Related
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| US5701287A (en) | 1997-12-23 |
| CN1099102C (zh) | 2003-01-15 |
| CN1146042A (zh) | 1997-03-26 |
| KR960042579A (ko) | 1996-12-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031021 |
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