JPH08321016A - 磁気抵抗効果膜 - Google Patents
磁気抵抗効果膜Info
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- JPH08321016A JPH08321016A JP7126593A JP12659395A JPH08321016A JP H08321016 A JPH08321016 A JP H08321016A JP 7126593 A JP7126593 A JP 7126593A JP 12659395 A JP12659395 A JP 12659395A JP H08321016 A JPH08321016 A JP H08321016A
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
- H01F10/3281—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn only by use of asymmetry of the magnetic film pair itself, i.e. so-called pseudospin valve [PSV] structure, e.g. NiFe/Cu/Co
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3286—Spin-exchange coupled multilayers having at least one layer with perpendicular magnetic anisotropy
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大きな磁気抵抗変化率を示すとともに、磁界
感度の高い磁気抵抗効果膜を得る。 【構成】 第１の強磁性体層１，１１の上に、非磁性導
電層２，１２を介して第２の強磁性体層３，１３を積層
した積層膜であり、第１の強磁性体層１，１１及び第２
の磁性体層３，１３の少なくともいずれか一方が垂直磁
気異方性を有することを特徴としている。
感度の高い磁気抵抗効果膜を得る。 【構成】 第１の強磁性体層１，１１の上に、非磁性導
電層２，１２を介して第２の強磁性体層３，１３を積層
した積層膜であり、第１の強磁性体層１，１１及び第２
の磁性体層３，１３の少なくともいずれか一方が垂直磁
気異方性を有することを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型ヘッド
（ＭＲヘッド）及び磁気センサ（ＭＲセンサ）などの磁
気抵抗効果素子（ＭＲ素子）に用いられる磁気抵抗効果
膜に関するものである。
（ＭＲヘッド）及び磁気センサ（ＭＲセンサ）などの磁
気抵抗効果素子（ＭＲ素子）に用いられる磁気抵抗効果
膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＭＲ素子は、磁場印加による磁性膜の電
気抵抗の変化を検出することにより、磁界強度及びその
変化を測定するための素子である。従って、磁気抵抗効
果素子においては、一般に磁気抵抗変化率が大きいこと
が要求される。従来、磁気抵抗効果素子に用いられる磁
性材料としては、Ｆｅ−Ｎｉ（パーマロイ）合金が一般
に用いられている。しかしながら、Ｆｅ−Ｎｉ合金は、
磁気抵抗変化率が２〜３％と非常に小さいため、ＭＲ素
子に用いられる磁性材料として十分な特性を示すもので
はなかった。
気抵抗の変化を検出することにより、磁界強度及びその
変化を測定するための素子である。従って、磁気抵抗効
果素子においては、一般に磁気抵抗変化率が大きいこと
が要求される。従来、磁気抵抗効果素子に用いられる磁
性材料としては、Ｆｅ−Ｎｉ（パーマロイ）合金が一般
に用いられている。しかしながら、Ｆｅ−Ｎｉ合金は、
磁気抵抗変化率が２〜３％と非常に小さいため、ＭＲ素
子に用いられる磁性材料として十分な特性を示すもので
はなかった。
【０００３】近年、巨大磁気抵抗変化を示す磁気抵抗効
果膜として、Ｃｏ層とＣｕ層とを交互に積層させた積層
磁性膜が提案されている（D. H. Mosca et al., J. Mag
n. Magn. Mater., 94 (1991) L1)。このような磁性膜に
おいては、非磁性体層であるＣｕ層を挟み磁性体層であ
るＣｏ層間に反強磁性結合が形成されており、磁気モー
メントの反平行状態と平行状態が存在し、大きな磁気抵
抗変化を示す。このような磁気抵抗効果膜は、一般に人
工格子型と呼ばれている。
果膜として、Ｃｏ層とＣｕ層とを交互に積層させた積層
磁性膜が提案されている（D. H. Mosca et al., J. Mag
n. Magn. Mater., 94 (1991) L1)。このような磁性膜に
おいては、非磁性体層であるＣｕ層を挟み磁性体層であ
るＣｏ層間に反強磁性結合が形成されており、磁気モー
メントの反平行状態と平行状態が存在し、大きな磁気抵
抗変化を示す。このような磁気抵抗効果膜は、一般に人
工格子型と呼ばれている。
【０００４】また、巨大磁気抵抗変化を示す他の磁気抵
抗効果膜として、非磁性体層を挟み、保磁力が異なる第
１の磁性体層と第２の磁性体層を設けた積層磁性膜が知
られている。このような積層膜の１つとして、非磁性体
層であるＣｕ層を挟み、第１の磁性体層であるＣｏ層
と、第２の磁性体層であるＭｎＦｅ／ＮｉＦｅ層を設け
た構造のものが知られている（B. Dieny et al., Phys.
Rev. B, 45 (1992) 806）。このような磁性膜において
は、ＭｎＦｅ層が反強磁性体であるため、ＮｉＦｅ層と
Ｃｏ層の磁化過程に差が生じ、磁場強度により磁気モー
メントが反平行となる領域が存在する。このため、大き
な磁気抵抗変化を示す。このような磁性膜は、一般にス
ピンバルブ型と呼ばれている。
抗効果膜として、非磁性体層を挟み、保磁力が異なる第
１の磁性体層と第２の磁性体層を設けた積層磁性膜が知
られている。このような積層膜の１つとして、非磁性体
層であるＣｕ層を挟み、第１の磁性体層であるＣｏ層
と、第２の磁性体層であるＭｎＦｅ／ＮｉＦｅ層を設け
た構造のものが知られている（B. Dieny et al., Phys.
Rev. B, 45 (1992) 806）。このような磁性膜において
は、ＭｎＦｅ層が反強磁性体であるため、ＮｉＦｅ層と
Ｃｏ層の磁化過程に差が生じ、磁場強度により磁気モー
メントが反平行となる領域が存在する。このため、大き
な磁気抵抗変化を示す。このような磁性膜は、一般にス
ピンバルブ型と呼ばれている。
【０００５】非磁性体層を挟み異なる保磁力の磁性体層
を設けたサンドイッチ型の他の磁性膜としては、Ｃｕ層
を挟み、Ｆｅ層とＣｏ層を設けた積層磁性膜が知られて
いる（A. Chaiken et al., Appl. Phys. Lett., 59 (19
91) 240)。このような積層磁性膜においては、磁性体層
の保磁力差により磁化過程において磁気モーメントが反
平行となる領域が存在し、大きな磁気抵抗変化を示す。
を設けたサンドイッチ型の他の磁性膜としては、Ｃｕ層
を挟み、Ｆｅ層とＣｏ層を設けた積層磁性膜が知られて
いる（A. Chaiken et al., Appl. Phys. Lett., 59 (19
91) 240)。このような積層磁性膜においては、磁性体層
の保磁力差により磁化過程において磁気モーメントが反
平行となる領域が存在し、大きな磁気抵抗変化を示す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭＲ素
子としての感度を高めるために、大きな磁気抵抗変化率
を示すとともに、磁界の変化に対する磁気抵抗変化率の
変化、すなわち磁界感度が高いことが要求される。
子としての感度を高めるために、大きな磁気抵抗変化率
を示すとともに、磁界の変化に対する磁気抵抗変化率の
変化、すなわち磁界感度が高いことが要求される。
【０００７】本発明の目的は、大きな磁気抵抗変化率を
示すとともに、磁界感度が高い磁気抵抗効果膜を提供す
ることにある。
示すとともに、磁界感度が高い磁気抵抗効果膜を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果膜
は、第１の強磁性体層の上に非磁性導電層を介して第２
の強磁性体層を積層した積層膜であり、第１の強磁性体
層及び第２の強磁性体層の少なくともいずれか一方が垂
直磁気異方性を有することを特徴としている。
は、第１の強磁性体層の上に非磁性導電層を介して第２
の強磁性体層を積層した積層膜であり、第１の強磁性体
層及び第２の強磁性体層の少なくともいずれか一方が垂
直磁気異方性を有することを特徴としている。
【０００９】本発明において、垂直磁気異方性を有する
とは、垂直磁気異方性定数Ｋ⊥が自発磁化（Ｉｓ）に対
し、Ｋ⊥＞２πＩｓ2 の関係を示すことをいう。このよ
うな垂直磁気異方性を有する強磁性体層としては、例え
ば、ＣｏＰｄ、ＣｏＰｔ、ＰｄＮｉなどの合金膜及びＣ
ｏ／Ｐｄ、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｎｉなどの積層膜を挙げ
ることができる。これらの合金膜及び積層膜の垂直磁気
異方性は、成膜条件等によりも異なるので、本発明にお
いては、垂直磁気異方性を示す成膜条件で成膜したもの
を用いる。
とは、垂直磁気異方性定数Ｋ⊥が自発磁化（Ｉｓ）に対
し、Ｋ⊥＞２πＩｓ2 の関係を示すことをいう。このよ
うな垂直磁気異方性を有する強磁性体層としては、例え
ば、ＣｏＰｄ、ＣｏＰｔ、ＰｄＮｉなどの合金膜及びＣ
ｏ／Ｐｄ、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｎｉなどの積層膜を挙げ
ることができる。これらの合金膜及び積層膜の垂直磁気
異方性は、成膜条件等によりも異なるので、本発明にお
いては、垂直磁気異方性を示す成膜条件で成膜したもの
を用いる。
【００１０】本発明において、第１の強磁性体層及び第
２の強磁性体層のいずれかに垂直磁気異方性を示さない
強磁性体を用いる場合、このような磁性体は、例えば、
Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、及びこれらの合金であるＮｉＦｅ、
ＮｉＣｏ及びＦｅＣｏなどの強磁性体から構成すること
ができる。またこれらの強磁性体層を複数積層させた積
層構造の強磁性体積層膜であってもよい。具体的には、
ＮｉＦｅ／Ｃｏ積層膜、及びＦｅ／Ｃｏ積層膜などが挙
げられる。
２の強磁性体層のいずれかに垂直磁気異方性を示さない
強磁性体を用いる場合、このような磁性体は、例えば、
Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、及びこれらの合金であるＮｉＦｅ、
ＮｉＣｏ及びＦｅＣｏなどの強磁性体から構成すること
ができる。またこれらの強磁性体層を複数積層させた積
層構造の強磁性体積層膜であってもよい。具体的には、
ＮｉＦｅ／Ｃｏ積層膜、及びＦｅ／Ｃｏ積層膜などが挙
げられる。
【００１１】本発明における非磁性導電層としては、高
い導電性を示す金属が好ましい。このようなものとして
は、例えば、Ａｕ、Ａｇのような貴金属、及びＣｕ、Ｐ
ｔ及びＰｄなどが挙げられる。感度及び価格の面からは
Ｃｕが特に好ましい。
い導電性を示す金属が好ましい。このようなものとして
は、例えば、Ａｕ、Ａｇのような貴金属、及びＣｕ、Ｐ
ｔ及びＰｄなどが挙げられる。感度及び価格の面からは
Ｃｕが特に好ましい。
【００１２】第１の強磁性体層及び第２の強磁性体層の
膜厚は、特に限定されるものではないが、一般に１０〜
２００Å程度が好ましい。また非磁性導電層の膜厚は、
特に限定されるものではないが、本発明おいては第１の
強磁性体層と第２の強磁性体が反強磁性的な結合をして
いることが好ましく、一般に１０〜５０Å程度の厚みが
適当である。
膜厚は、特に限定されるものではないが、一般に１０〜
２００Å程度が好ましい。また非磁性導電層の膜厚は、
特に限定されるものではないが、本発明おいては第１の
強磁性体層と第２の強磁性体が反強磁性的な結合をして
いることが好ましく、一般に１０〜５０Å程度の厚みが
適当である。
【００１３】また本発明の磁気抵抗効果膜は、多重積層
膜の構造としてもよい。すなわち、第１の強磁性体層／
非磁性導電層／第２の強磁性体層／非磁性導電層／第１
の強磁性体層／非磁性導電層…のように積層膜の構造が
複数回繰り返された積層構造であってもよい。
膜の構造としてもよい。すなわち、第１の強磁性体層／
非磁性導電層／第２の強磁性体層／非磁性導電層／第１
の強磁性体層／非磁性導電層…のように積層膜の構造が
複数回繰り返された積層構造であってもよい。
【００１４】また本発明の磁気抵抗効果膜は、一般に基
板の上に薄膜を形成し、薄膜を積層することにより製造
される。基板としては、一般にガラスや石英などの非磁
性基板が好ましい。
板の上に薄膜を形成し、薄膜を積層することにより製造
される。基板としては、一般にガラスや石英などの非磁
性基板が好ましい。
【００１５】
【作用】本発明に従う磁気抵抗効果膜においては、非磁
性導電層を介して積層される第１の強磁性体層及び第２
強磁性体層の少なくともいずれか一方が垂直磁気異方性
を有している。このため、外部磁界の変化に伴い、垂直
磁気異方性を有する強磁性体層の磁気モーメントの方向
が転移する際、大きな磁気抵抗変化率を示すとともに、
高い磁界感度を示す。特にこのような高い磁界感度は、
第１の強磁性体層と第２の強磁性体層の間に反強磁性的
な結合が存在する場合に、顕著なものとなる。
性導電層を介して積層される第１の強磁性体層及び第２
強磁性体層の少なくともいずれか一方が垂直磁気異方性
を有している。このため、外部磁界の変化に伴い、垂直
磁気異方性を有する強磁性体層の磁気モーメントの方向
が転移する際、大きな磁気抵抗変化率を示すとともに、
高い磁界感度を示す。特にこのような高い磁界感度は、
第１の強磁性体層と第２の強磁性体層の間に反強磁性的
な結合が存在する場合に、顕著なものとなる。
【００１６】
【実施例】本発明に従う磁気抵抗効果膜として、図１
（ａ）に示す積層膜（実施例１）、及び図１（ｂ）に示
す積層膜（実施例２）を作製した。実施例１の積層膜
は、図１（ａ）に示すように、第１の強磁性体層として
のＣｏＰｄ層１（Ｃｏ５０原子％，Ｐｄ５０原子％）の
上に、非磁性導電層としてのＣｕ層２を形成し、この上
に第２の強磁性体層としてのＣｏ層３を形成している。
図１（ａ）において矢印は磁気モーメントの方向を示し
ている。実施例１の積層膜は、「低磁場」において、Ｃ
ｏＰｄ層１が垂直磁気異方性を有している。このような
積層膜に、高い磁場が印加されると、図１（ａ）に「高
磁場」として示すように、ＣｏＰｄ層１の磁気モーメン
トの方向が転移する。このような磁気モーメント方向の
転移により、大きな磁気抵抗変化率を示すとともに、高
い磁界感度が得られる。
（ａ）に示す積層膜（実施例１）、及び図１（ｂ）に示
す積層膜（実施例２）を作製した。実施例１の積層膜
は、図１（ａ）に示すように、第１の強磁性体層として
のＣｏＰｄ層１（Ｃｏ５０原子％，Ｐｄ５０原子％）の
上に、非磁性導電層としてのＣｕ層２を形成し、この上
に第２の強磁性体層としてのＣｏ層３を形成している。
図１（ａ）において矢印は磁気モーメントの方向を示し
ている。実施例１の積層膜は、「低磁場」において、Ｃ
ｏＰｄ層１が垂直磁気異方性を有している。このような
積層膜に、高い磁場が印加されると、図１（ａ）に「高
磁場」として示すように、ＣｏＰｄ層１の磁気モーメン
トの方向が転移する。このような磁気モーメント方向の
転移により、大きな磁気抵抗変化率を示すとともに、高
い磁界感度が得られる。
【００１７】図２は、図１（ａ）に示す実施例１の積層
膜を形成する工程を示す断面図である。図２（ａ）を参
照して、ガラス基板１０の上に、ＣｏＰｄ層１（膜厚２
０Å）を、ＲＦスパッタリング法により形成する。次に
図２（ｂ）を参照して、ＣｏＰｄ層１の上に、Ｃｕ層２
（膜厚２０Å）を、ＲＦスパッタリング法により形成す
る。次に図２（ｃ）を参照して、Ｃｕ層２の上に、Ｃｏ
層３（膜厚２０Å）を、ＲＦスパッタリング法による形
成する。なおＣｏ層３を形成する際には、磁気モーメン
トの方向が揃うように磁場を印加して形成した。
膜を形成する工程を示す断面図である。図２（ａ）を参
照して、ガラス基板１０の上に、ＣｏＰｄ層１（膜厚２
０Å）を、ＲＦスパッタリング法により形成する。次に
図２（ｂ）を参照して、ＣｏＰｄ層１の上に、Ｃｕ層２
（膜厚２０Å）を、ＲＦスパッタリング法により形成す
る。次に図２（ｃ）を参照して、Ｃｕ層２の上に、Ｃｏ
層３（膜厚２０Å）を、ＲＦスパッタリング法による形
成する。なおＣｏ層３を形成する際には、磁気モーメン
トの方向が揃うように磁場を印加して形成した。
【００１８】以上のようにして、図１（ａ）に示す実施
例１の積層膜を形成することができる。次に実施例２の
積層膜について説明する。図１（ｂ）を参照して、第１
の強磁性体層としてのＣｏＰｄ層１１の上に、非磁性導
電層としてのＣｕ層１２を形成し、この上に第２の磁性
体層としてのＣｏＰｄ層１３を形成する。図１（ｂ）に
おいて矢印は磁気モーメントの方向を示している。図１
（ｂ）に示されるように、ＣｏＰｄ層１１とＣｏＰｄ層
１３はいずれも垂直磁気異方性を有しており、かつそれ
ぞれの磁気モーメントの方向は互いに反平行な状態とな
っている。
例１の積層膜を形成することができる。次に実施例２の
積層膜について説明する。図１（ｂ）を参照して、第１
の強磁性体層としてのＣｏＰｄ層１１の上に、非磁性導
電層としてのＣｕ層１２を形成し、この上に第２の磁性
体層としてのＣｏＰｄ層１３を形成する。図１（ｂ）に
おいて矢印は磁気モーメントの方向を示している。図１
（ｂ）に示されるように、ＣｏＰｄ層１１とＣｏＰｄ層
１３はいずれも垂直磁気異方性を有しており、かつそれ
ぞれの磁気モーメントの方向は互いに反平行な状態とな
っている。
【００１９】このような実施例２の積層膜に高い磁場が
印加されると、図１（ｂ）に「高磁場」として示すよう
に、それぞれの磁気モーメントが膜の面方向に平行にな
るように転移する。このような磁気モーメントの転移に
伴い、大きな磁気抵抗変化率を示すとともに、高い磁界
感度が得られる。
印加されると、図１（ｂ）に「高磁場」として示すよう
に、それぞれの磁気モーメントが膜の面方向に平行にな
るように転移する。このような磁気モーメントの転移に
伴い、大きな磁気抵抗変化率を示すとともに、高い磁界
感度が得られる。
【００２０】図１（ｂ）に示す実施例２の積層膜は、実
施例１と同様にしてガラス基板上に、ＲＦスパッタリン
グ法により、ＣｏＰｄ層１１（膜厚２０Å）、Ｃｕ層１
２（膜厚２０Å）、及びＣｏＰｄ層１３（膜厚２０Å）
を順次積層することにより形成した。
施例１と同様にしてガラス基板上に、ＲＦスパッタリン
グ法により、ＣｏＰｄ層１１（膜厚２０Å）、Ｃｕ層１
２（膜厚２０Å）、及びＣｏＰｄ層１３（膜厚２０Å）
を順次積層することにより形成した。
【００２１】次に、比較例について説明する。図１
（ｃ）を参照して、強磁性体層であるＣｏ層２１の上に
非磁性導電層であるＣｕ層２２を形成し、この上に強磁
性体層であるＣｏ層２３を形成した。いずれも膜厚が２
０Åとなるように、ＲＦスパッタリング法により形成し
た。なおＣｏ層２１及びＣｏ層２３の形成においては、
図１（ｃ）に示すように、Ｃｏ層２１の磁気モーメント
の方向と、Ｃｏ層２３の磁気モーメントの方向が互いに
反平行な状態となるように、それぞれ異なる方向に磁場
を印加した状態で形成した。
（ｃ）を参照して、強磁性体層であるＣｏ層２１の上に
非磁性導電層であるＣｕ層２２を形成し、この上に強磁
性体層であるＣｏ層２３を形成した。いずれも膜厚が２
０Åとなるように、ＲＦスパッタリング法により形成し
た。なおＣｏ層２１及びＣｏ層２３の形成においては、
図１（ｃ）に示すように、Ｃｏ層２１の磁気モーメント
の方向と、Ｃｏ層２３の磁気モーメントの方向が互いに
反平行な状態となるように、それぞれ異なる方向に磁場
を印加した状態で形成した。
【００２２】図１（ｃ）に示すこの比較例の積層膜にお
いては、Ｃｏ層２１とＣｏ層２３が反強磁性的な結合を
しており、高い磁場が印加された際、図１に「高磁場」
として示すように、Ｃｏ層２１の磁気モーメントの方向
がＣｏ層２３の磁気モーメントの方向と平行になるよう
に転移する。従って、このような転移に伴い大きな磁気
抵抗変化率を示す。
いては、Ｃｏ層２１とＣｏ層２３が反強磁性的な結合を
しており、高い磁場が印加された際、図１に「高磁場」
として示すように、Ｃｏ層２１の磁気モーメントの方向
がＣｏ層２３の磁気モーメントの方向と平行になるよう
に転移する。従って、このような転移に伴い大きな磁気
抵抗変化率を示す。
【００２３】図３は、実施例１及び２並びに比較例の積
層膜の磁場に対する磁気抵抗変化率（ＭＲ比）の変化を
示す図である。また、このようにして得られた磁気抵抗
変化率及び磁界感度を表１に示す。
層膜の磁場に対する磁気抵抗変化率（ＭＲ比）の変化を
示す図である。また、このようにして得られた磁気抵抗
変化率及び磁界感度を表１に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】図３及び表１から明らかなように、本発明
に従う実施例１及び実施例２は比較例の磁気抵抗変化率
とほぼ同程度の大きな磁気抵抗変化率を示すとともに、
比較例よりも高い磁界感度を示すことがわかる。
に従う実施例１及び実施例２は比較例の磁気抵抗変化率
とほぼ同程度の大きな磁気抵抗変化率を示すとともに、
比較例よりも高い磁界感度を示すことがわかる。
【００２６】従って、本発明に従う磁気抵抗効果膜を用
いることにより、ＭＲ素子等において高い磁界感度を得
ることができる。
いることにより、ＭＲ素子等において高い磁界感度を得
ることができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の磁気抵抗効果膜は、大きな磁気
抵抗変化率を示すとともに、高い磁界感度を示す。従っ
て、本発明の磁気抵抗効果膜をＭＲヘッドやＭＲセンサ
などのＭＲ素子に用いることにより、高い磁界感度を有
するＭＲ素子とすることができる。
抵抗変化率を示すとともに、高い磁界感度を示す。従っ
て、本発明の磁気抵抗効果膜をＭＲヘッドやＭＲセンサ
などのＭＲ素子に用いることにより、高い磁界感度を有
するＭＲ素子とすることができる。
【図１】（ａ）は本発明に従う実施例１の積層膜の構造
を示す概略断面図、（ｂ）は本発明に従う実施例２の積
層膜の構造を示す概略断面図、（ｃ）は比較例の積層膜
の構造を示す概略断面図。
を示す概略断面図、（ｂ）は本発明に従う実施例２の積
層膜の構造を示す概略断面図、（ｃ）は比較例の積層膜
の構造を示す概略断面図。
【図２】図１（ａ）に示す実施例１の積層膜を形成する
工程を示す断面図。
工程を示す断面図。
【図３】本発明に従う実施例１及び実施例２の磁場に対
する磁気抵抗変化率を示す図。
する磁気抵抗変化率を示す図。
１，１１…第１の強磁性体層 ２，１２…非磁性導電層 ３，１３…第２の強磁性体層
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の強磁性体層の上に非磁性導電層を
介して第２の強磁性体層を積層した積層膜であって、前
記第１の強磁性体層及び前記第２の強磁性体層の少なく
ともいずれか一方が垂直磁気異方性を有することを特徴
とする磁気抵抗効果膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7126593A JPH08321016A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 磁気抵抗効果膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7126593A JPH08321016A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 磁気抵抗効果膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321016A true JPH08321016A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14939029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7126593A Pending JPH08321016A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 磁気抵抗効果膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08321016A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0933782A2 (en) * | 1998-01-28 | 1999-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film element, memory element using the same, and method for recording and reproducing using the memory element |
| WO2003096351A3 (en) * | 2002-05-10 | 2005-03-17 | Koninkl Philips Electronics Nv | Memories and memory circuits |
| US7307302B2 (en) | 2003-07-09 | 2007-12-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-resistive effect element and magnetic memory |
| FR2907587A1 (fr) * | 2006-10-23 | 2008-04-25 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif magnetique a animation perpendiculaire et a couche intercalaire compensatrice d'interactions. |
-
1995
- 1995-05-25 JP JP7126593A patent/JPH08321016A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0933782A2 (en) * | 1998-01-28 | 1999-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film element, memory element using the same, and method for recording and reproducing using the memory element |
| EP0933782A3 (en) * | 1998-01-28 | 2000-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film element, memory element using the same, and method for recording and reproducing using the memory element |
| US6219275B1 (en) | 1998-01-28 | 2001-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film element, memory element using the same, and method for recording and reproducing using the memory element |
| US6654279B2 (en) | 1998-01-28 | 2003-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film element, memory element using the same, and method for recording and reproducing using the memory element |
| US6847545B2 (en) | 1998-01-28 | 2005-01-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film element, memory element using the same, and method for recording and reproducing using the memory element |
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| US7547934B2 (en) | 2003-07-09 | 2009-06-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-resistive effect element and magnetic memory |
| FR2907587A1 (fr) * | 2006-10-23 | 2008-04-25 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif magnetique a animation perpendiculaire et a couche intercalaire compensatrice d'interactions. |
| WO2008050045A2 (fr) * | 2006-10-23 | 2008-05-02 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif magnetique a aimantation perpendiculaire et a couche intercalaire compensatrice d'interactions |
| WO2008050045A3 (fr) * | 2006-10-23 | 2008-06-19 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif magnetique a aimantation perpendiculaire et a couche intercalaire compensatrice d'interactions |
| JP2010507907A (ja) * | 2006-10-23 | 2010-03-11 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 垂直磁化及び相互作用相殺中間層を備えた磁気デバイス |
| US7772659B2 (en) | 2006-10-23 | 2010-08-10 | Commissariat A L'energie Atomique | Magnetic device having perpendicular magnetization and interaction compensating interlayer |
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