JPH08321014A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JPH08321014A JPH08321014A JP12482995A JP12482995A JPH08321014A JP H08321014 A JPH08321014 A JP H08321014A JP 12482995 A JP12482995 A JP 12482995A JP 12482995 A JP12482995 A JP 12482995A JP H08321014 A JPH08321014 A JP H08321014A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 下部，上部磁性層の特別な形状最適化を図る
ことなく、簡易な構成で極めて高い再生出力を有するＭ
Ｒヘッドを提供する。 【構成】 下部磁性層２及び上部磁性層３の双方の透磁
率をＭＲ素子１における有効感磁部の透磁率以下とす
る。
ことなく、簡易な構成で極めて高い再生出力を有するＭ
Ｒヘッドを提供する。 【構成】 下部磁性層２及び上部磁性層３の双方の透磁
率をＭＲ素子１における有効感磁部の透磁率以下とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体からの記
録磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果を有する
磁性層が設けられてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関
する。
録磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果を有する
磁性層が設けられてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置における小型
大容量化が進行する中で、特にノート型パーソナルコン
ピュータに代表されるような可搬型コンピュータへの適
用が考慮される用途では、例えば２．５インチ程度の小
型ハードディスク装置に対する要求が高まっている。
大容量化が進行する中で、特にノート型パーソナルコン
ピュータに代表されるような可搬型コンピュータへの適
用が考慮される用途では、例えば２．５インチ程度の小
型ハードディスク装置に対する要求が高まっている。
【０００３】このような小型ハードディスクでは、ディ
スク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出力が
媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、再生
出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。
スク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出力が
媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、再生
出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。
【０００４】これに対して、磁界によって抵抗率が変化
する磁気抵抗効果を有する磁性層（以下、単にＭＲ素子
と称する。）の抵抗変化を再生出力電圧として検出する
磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、単にＭＲヘッドと称
する。）は、その再生出力が媒体速度に依存せず、低媒
体速度でも高再生出力が得られるという特徴を有するた
め、小型ハードディスクにおいて大容量化を実現する磁
気ヘッドとして注目されている。
する磁気抵抗効果を有する磁性層（以下、単にＭＲ素子
と称する。）の抵抗変化を再生出力電圧として検出する
磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、単にＭＲヘッドと称
する。）は、その再生出力が媒体速度に依存せず、低媒
体速度でも高再生出力が得られるという特徴を有するた
め、小型ハードディスクにおいて大容量化を実現する磁
気ヘッドとして注目されている。
【０００５】このＭＲヘッドは、遷移金属に見られる磁
化の向きとその内部を流れる電流の向きのなす角によっ
て電気抵抗値が変化する、いわゆる磁気抵抗効果現象を
利用した再生用磁気ヘッドである。すなわち、磁気記録
媒体からの漏洩磁束を上記ＭＲ素子が受けると、その磁
束により上記ＭＲ素子の磁化の向きが反転し、上記ＭＲ
素子内部に流れる電流の向きに対して磁性量に応じた角
度をもつようになる。それ故に上記ＭＲ素子の電気抵抗
値が変化し、この変化量に応じた電圧変化が電流が流れ
ているＭＲ素子の両端の電極に現れる。したがって、こ
の電圧変化を電圧信号として磁気記録信号を読みだせる
ことになる。
化の向きとその内部を流れる電流の向きのなす角によっ
て電気抵抗値が変化する、いわゆる磁気抵抗効果現象を
利用した再生用磁気ヘッドである。すなわち、磁気記録
媒体からの漏洩磁束を上記ＭＲ素子が受けると、その磁
束により上記ＭＲ素子の磁化の向きが反転し、上記ＭＲ
素子内部に流れる電流の向きに対して磁性量に応じた角
度をもつようになる。それ故に上記ＭＲ素子の電気抵抗
値が変化し、この変化量に応じた電圧変化が電流が流れ
ているＭＲ素子の両端の電極に現れる。したがって、こ
の電圧変化を電圧信号として磁気記録信号を読みだせる
ことになる。
【０００６】上記ＭＲヘッドは、基板上に薄膜技術によ
り上記ＭＲ素子や電極膜、絶縁層等を成膜し、フォトリ
ソ技術によってこれらを所定形状にエッチングすること
により形成され、再生時のギャップ長を規定して不要な
磁束の上記ＭＲ素子への浸入を防止するために、シール
ド材となる下部磁性層及び上部磁性層を上下に配したシ
ールド構造を採用している。
り上記ＭＲ素子や電極膜、絶縁層等を成膜し、フォトリ
ソ技術によってこれらを所定形状にエッチングすること
により形成され、再生時のギャップ長を規定して不要な
磁束の上記ＭＲ素子への浸入を防止するために、シール
ド材となる下部磁性層及び上部磁性層を上下に配したシ
ールド構造を採用している。
【０００７】具体的に、例えば、センス電流がトラック
幅方向と直交する方向に流れる、いわゆる縦型のＭＲヘ
ッドは、軟磁性膜である下部磁性層上にＡｌ2 Ｏ3 或は
ＳｉＯ2 を材料とする絶縁層が積層され、この絶縁層上
に、ＭＲ素子が、その長手方向が磁気記録媒体との対向
面（磁気記録媒体走行面）と垂直になるように配され、
且つその一方の端面が磁気記録媒体走行面に露出するか
たちに形成されている。さらに、ＭＲ素子の両端部上
に、このＭＲ素子にセンス電流を提供するための前端電
極及び後端電極が設けられ、上記ＭＲ素子上にＡｌ2 Ｏ
3 或はＳｉＯ2 を材料とする絶縁層が形成されている。
この絶縁層上には上記ＭＲ素子と対向してバイアス導体
が配されて、さらにこの上に絶縁層が形成され、上記絶
縁層上に軟磁性膜である上部磁性層が積層されて上記Ｍ
Ｒヘッドが構成されている。
幅方向と直交する方向に流れる、いわゆる縦型のＭＲヘ
ッドは、軟磁性膜である下部磁性層上にＡｌ2 Ｏ3 或は
ＳｉＯ2 を材料とする絶縁層が積層され、この絶縁層上
に、ＭＲ素子が、その長手方向が磁気記録媒体との対向
面（磁気記録媒体走行面）と垂直になるように配され、
且つその一方の端面が磁気記録媒体走行面に露出するか
たちに形成されている。さらに、ＭＲ素子の両端部上
に、このＭＲ素子にセンス電流を提供するための前端電
極及び後端電極が設けられ、上記ＭＲ素子上にＡｌ2 Ｏ
3 或はＳｉＯ2 を材料とする絶縁層が形成されている。
この絶縁層上には上記ＭＲ素子と対向してバイアス導体
が配されて、さらにこの上に絶縁層が形成され、上記絶
縁層上に軟磁性膜である上部磁性層が積層されて上記Ｍ
Ｒヘッドが構成されている。
【０００８】ここで、上記ＭＲヘッドにおいて、上記Ｍ
Ｒ素子の機能について説明する。このＭＲ素子の電気抵
抗Ｒは、当該ＭＲ素子に入力される磁束強度（磁束量）
に応じて変化する。すなわち、ＭＲ素子の電気抵抗Ｒの
外部磁界依存性がＭＲ特性として図３に示すＭＲ曲線で
表される。
Ｒ素子の機能について説明する。このＭＲ素子の電気抵
抗Ｒは、当該ＭＲ素子に入力される磁束強度（磁束量）
に応じて変化する。すなわち、ＭＲ素子の電気抵抗Ｒの
外部磁界依存性がＭＲ特性として図３に示すＭＲ曲線で
表される。
【０００９】上記ＭＲ素子を駆動させる際には、先ず、
外部磁界に対する線形性に優れ且つ最も電気抵抗Ｒの変
化の大きい箇所まで予めＭＲ素子にバイアス磁界Ｈｂを
加えておく。この箇所を動作点Ａとする。このとき磁気
記録媒体からの信号磁界ΔＨｓが入力すると、それが抵
抗変化ΔＲｓに変換されることになる。すなわち、ＭＲ
素子に所定のセンス電流Ｉｓを流しておけば、オームの
法則ΔＶｓ＝ΔＲｓ×Ｉｓに基づいて、この抵抗変化Δ
Ｒｓを出力電圧ΔＶｓとして取り出せるわけである。
外部磁界に対する線形性に優れ且つ最も電気抵抗Ｒの変
化の大きい箇所まで予めＭＲ素子にバイアス磁界Ｈｂを
加えておく。この箇所を動作点Ａとする。このとき磁気
記録媒体からの信号磁界ΔＨｓが入力すると、それが抵
抗変化ΔＲｓに変換されることになる。すなわち、ＭＲ
素子に所定のセンス電流Ｉｓを流しておけば、オームの
法則ΔＶｓ＝ΔＲｓ×Ｉｓに基づいて、この抵抗変化Δ
Ｒｓを出力電圧ΔＶｓとして取り出せるわけである。
【００１０】上記ＭＲヘッドは、上記ＭＲ素子を上部磁
性層及び下部磁性層で挟む構造としているため、分解能
が向上し、これら上部，下部磁性層のないものと比較し
て、再生出力のＳ／Ｎ及び記録密度を向上させることが
できる。
性層及び下部磁性層で挟む構造としているため、分解能
が向上し、これら上部，下部磁性層のないものと比較し
て、再生出力のＳ／Ｎ及び記録密度を向上させることが
できる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】近時では、ハードディ
スク等の更なる高記録密度化が進行し、それに伴って短
波長領域における再生出力の向上が要求されている。
スク等の更なる高記録密度化が進行し、それに伴って短
波長領域における再生出力の向上が要求されている。
【００１２】ところで、上記縦型のＭＲヘッドにおいて
は、ＭＲ素子の前端電極と後端電極とで挟持された領域
が有効感磁部となる。したがって、前端電極の存在によ
り磁気記録媒体走行面からこの有効感磁部までに距離
（以下、デプス長と記す。）が生じるため、若干の再生
出力低下が惹起される。
は、ＭＲ素子の前端電極と後端電極とで挟持された領域
が有効感磁部となる。したがって、前端電極の存在によ
り磁気記録媒体走行面からこの有効感磁部までに距離
（以下、デプス長と記す。）が生じるため、若干の再生
出力低下が惹起される。
【００１３】従来では、このデプス長による再生出力低
下を抑えるために、下部，上部磁性層の形状の最適化を
図ることによって対処している。このデプス長は、近時
ではいわゆるサブミクロンのオーダーとなっており、通
常の機械加工法にてデプス長を小値に制御することは困
難であり、同様に下部，上部磁性層の形状最適化にも限
界がある。
下を抑えるために、下部，上部磁性層の形状の最適化を
図ることによって対処している。このデプス長は、近時
ではいわゆるサブミクロンのオーダーとなっており、通
常の機械加工法にてデプス長を小値に制御することは困
難であり、同様に下部，上部磁性層の形状最適化にも限
界がある。
【００１４】本発明は、上述の課題に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、下部，上部磁性層
の特別な形状最適化を図ることなく、簡易な構成で極め
て高い再生出力を有するＭＲヘッドを提供することにあ
る。
のであり、その目的とするところは、下部，上部磁性層
の特別な形状最適化を図ることなく、簡易な構成で極め
て高い再生出力を有するＭＲヘッドを提供することにあ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の対象となるもの
は、磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果を有す
る磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）が設けられてなり、当
該ＭＲ素子の抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁
気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）であり、ＭＲ素
子がその長手方向が磁気記録媒体走行方向と略々直交す
るように配されるとともに、当該磁気抵抗効果素子の前
端部，後端部にそれぞれ前端電極，後端電極が配され、
磁気抵抗効果素子の前端電極と後端電極との間の領域が
有効感磁部とされてなるＭＲヘッドである。
は、磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果を有す
る磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）が設けられてなり、当
該ＭＲ素子の抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁
気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）であり、ＭＲ素
子がその長手方向が磁気記録媒体走行方向と略々直交す
るように配されるとともに、当該磁気抵抗効果素子の前
端部，後端部にそれぞれ前端電極，後端電極が配され、
磁気抵抗効果素子の前端電極と後端電極との間の領域が
有効感磁部とされてなるＭＲヘッドである。
【００１６】本発明のＭＲヘッドは、上部磁性層及び下
部磁性層が磁気抵抗効果素子を挟持するように配される
とともに、上部磁性層及び下部磁性層の少なくとも一方
の透磁率が上記有効感磁部の透磁率の５倍以下であるこ
とを特徴とするものである。
部磁性層が磁気抵抗効果素子を挟持するように配される
とともに、上部磁性層及び下部磁性層の少なくとも一方
の透磁率が上記有効感磁部の透磁率の５倍以下であるこ
とを特徴とするものである。
【００１７】この場合、さらに好ましくは、上部磁性層
及び下部磁性層の各透磁率を上記有効感磁部の透磁率以
下とすることが好適である。
及び下部磁性層の各透磁率を上記有効感磁部の透磁率以
下とすることが好適である。
【００１８】
【作用】本発明に係るＭＲヘッドにおいては、上部磁性
層及び下部磁性層の少なくとも一方の透磁率がＭＲ素子
における有効感磁部の透磁率の５倍以下であるため、上
部磁性層及び下部磁性層に吸収される磁束量が減少す
る。したがって、上部磁性層及び下部磁性層を設けたこ
とにより実現される高分解能が維持されるとともに、再
生時において上記有効感磁部に入る磁束量が相対的に増
大して再生出力が向上することになる。
層及び下部磁性層の少なくとも一方の透磁率がＭＲ素子
における有効感磁部の透磁率の５倍以下であるため、上
部磁性層及び下部磁性層に吸収される磁束量が減少す
る。したがって、上部磁性層及び下部磁性層を設けたこ
とにより実現される高分解能が維持されるとともに、再
生時において上記有効感磁部に入る磁束量が相対的に増
大して再生出力が向上することになる。
【００１９】なお、従来では、上部，下部磁性層の透磁
率はＭＲ素子における有効感磁部の透磁率の８倍程度で
あり、このＭＲ素子に対して５倍程度の透磁率をもつ上
部，下部磁性層を実現させることは容易であると考えら
れる。
率はＭＲ素子における有効感磁部の透磁率の８倍程度で
あり、このＭＲ素子に対して５倍程度の透磁率をもつ上
部，下部磁性層を実現させることは容易であると考えら
れる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明に係るＭＲヘッドの実施例を図
面を参照しながら詳細に説明する。
面を参照しながら詳細に説明する。
【００２１】この実施例に係るＭＲヘッドは、図１に示
すように、長手方向が磁気記録媒体走行面ａと直交する
ように形成された磁気抵抗効果を奏するＭＲ素子１が下
部磁性層２と上部磁性層３とで挟持された構造とされて
おり、いわゆる縦型の薄膜磁気ヘッドとして構成されて
いる。
すように、長手方向が磁気記録媒体走行面ａと直交する
ように形成された磁気抵抗効果を奏するＭＲ素子１が下
部磁性層２と上部磁性層３とで挟持された構造とされて
おり、いわゆる縦型の薄膜磁気ヘッドとして構成されて
いる。
【００２２】具体的には、Ｎｉ−Ｆｅ等よりなるシール
ド磁性膜である下部磁性層２が設けられ、この下部磁性
磁極２上に二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）等よりなる絶縁層１
１が積層されている。
ド磁性膜である下部磁性層２が設けられ、この下部磁性
磁極２上に二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）等よりなる絶縁層１
１が積層されている。
【００２３】さらに、上記絶縁層１１上にＭＲ素子１が
形成され、さらにこのＭＲ素子１上及びその近傍の所定
箇所にＳｉＯ2 等よりなる絶縁層１２が成膜されてい
る。この絶縁層１２内には、ＭＲ素子１と所定距離離間
されて当該ＭＲ素子にバイアス磁界を印加するためのバ
イアス導体１３が成膜されている。すなわち、このバイ
アス導体１３は絶縁層１２内に埋め込まれたかたちに成
膜されていることになる。すなわち、ＭＲヘッドにおい
ては、ＭＲ素子１を、その長手方向が磁気記録媒体との
対向面、即ち磁気記録媒体走行面ａと垂直になるように
配置し、その一方の端面を当該磁気記録媒体走行面ａに
露出させたかたちとされている。
形成され、さらにこのＭＲ素子１上及びその近傍の所定
箇所にＳｉＯ2 等よりなる絶縁層１２が成膜されてい
る。この絶縁層１２内には、ＭＲ素子１と所定距離離間
されて当該ＭＲ素子にバイアス磁界を印加するためのバ
イアス導体１３が成膜されている。すなわち、このバイ
アス導体１３は絶縁層１２内に埋め込まれたかたちに成
膜されていることになる。すなわち、ＭＲヘッドにおい
ては、ＭＲ素子１を、その長手方向が磁気記録媒体との
対向面、即ち磁気記録媒体走行面ａと垂直になるように
配置し、その一方の端面を当該磁気記録媒体走行面ａに
露出させたかたちとされている。
【００２４】ここで、ＭＲ素子１の磁気記録媒体走行面
ａ側の一端部と、この一端部から所定距離隔てた他端部
に、それぞれ導電膜による電極（前端電極１４ａ及び後
端電極１４ｂ）が形成されている。これら前端電極１４
ａ及び後端電極１４ｂは、ＭＲ素子１の長手方向に沿っ
て（即ち、上記磁気記録媒体走行面ａと直交する方向
に）センス電流を流す目的で形成される。すなわち、前
端電極１４ａ及び後端電極１４ｂによりＭＲ素子１が狭
持されたかたちとなっており、当該ＭＲ素子１のうち、
前端，後端電極１４ａ，１４ｂ間の領域ｄが磁気抵抗効
果を示す有効感磁部となる。このとき、磁気記録媒体走
行面ａから前端電極１４ａを介して当該有効感磁部に至
るまでの距離がデプス長となる。
ａ側の一端部と、この一端部から所定距離隔てた他端部
に、それぞれ導電膜による電極（前端電極１４ａ及び後
端電極１４ｂ）が形成されている。これら前端電極１４
ａ及び後端電極１４ｂは、ＭＲ素子１の長手方向に沿っ
て（即ち、上記磁気記録媒体走行面ａと直交する方向
に）センス電流を流す目的で形成される。すなわち、前
端電極１４ａ及び後端電極１４ｂによりＭＲ素子１が狭
持されたかたちとなっており、当該ＭＲ素子１のうち、
前端，後端電極１４ａ，１４ｂ間の領域ｄが磁気抵抗効
果を示す有効感磁部となる。このとき、磁気記録媒体走
行面ａから前端電極１４ａを介して当該有効感磁部に至
るまでの距離がデプス長となる。
【００２５】そして、絶縁層１２上にＭＲ素子１を挟み
込むようにＮｉ−Ｆｅ等の磁性膜による上部磁性層３が
積層されて上記ＭＲヘッドが構成されている。
込むようにＮｉ−Ｆｅ等の磁性膜による上部磁性層３が
積層されて上記ＭＲヘッドが構成されている。
【００２６】ここで特に、下部磁性層２及び上部磁性層
３の少なくとも一方の透磁率は、ＭＲ素子１における有
効感磁部の透磁率の５倍以下、本実施例では下部磁性層
２及び上部磁性層３の双方の透磁率がＭＲ素子１におけ
る有効感磁部の透磁率以下とされている。
３の少なくとも一方の透磁率は、ＭＲ素子１における有
効感磁部の透磁率の５倍以下、本実施例では下部磁性層
２及び上部磁性層３の双方の透磁率がＭＲ素子１におけ
る有効感磁部の透磁率以下とされている。
【００２７】この場合、下部磁性層２及び上部磁性層３
の少なくとも一方の透磁率が上記有効感磁部の透磁率の
５倍より小値となると、上部，下部磁性層３，２に吸収
される磁束量が増大して再生出力の低下を来すことにな
る。
の少なくとも一方の透磁率が上記有効感磁部の透磁率の
５倍より小値となると、上部，下部磁性層３，２に吸収
される磁束量が増大して再生出力の低下を来すことにな
る。
【００２８】なお、従来では、下部，上部磁性層２，３
の透磁率はＭＲ素子１における有効感磁部の透磁率の８
倍程度であり、このＭＲ素子１に対して５倍程度の透磁
率をもつ下部，上部磁性層２，３を実現させることは容
易であると考えられる。
の透磁率はＭＲ素子１における有効感磁部の透磁率の８
倍程度であり、このＭＲ素子１に対して５倍程度の透磁
率をもつ下部，上部磁性層２，３を実現させることは容
易であると考えられる。
【００２９】なお、バイアス導体１３の配置位置及びそ
のパターンは種々の構造を取り得るものであり、例えば
２層構造や渦巻構造とすることも可能である。また、こ
のような通電による誘導磁界を利用するに限らず、永久
磁石薄膜を設けることもできる。
のパターンは種々の構造を取り得るものであり、例えば
２層構造や渦巻構造とすることも可能である。また、こ
のような通電による誘導磁界を利用するに限らず、永久
磁石薄膜を設けることもできる。
【００３０】このように、本実施例のＭＲヘッドにおい
ては、下部磁性層２及び上部磁性層３の少なくとも一方
の透磁率がＭＲ素子における有効感磁部の透磁率の５倍
以下、具体的には、下部磁性層２及び上部磁性層３の双
方の透磁率がＭＲ素子１における有効感磁部の透磁率以
下であるため、下部磁性層２及び上部磁性層３に吸収さ
れる磁束量が減少する。したがって、下部磁性層２及び
上部磁性層３の特別な形状最適化を図ることなく、下部
磁性層２及び上部磁性層３を設けたことにより実現され
る高分解能が維持されるとともに、再生時においてＭＲ
素子１の有効感磁部に入る磁束量が相対的に増大して再
生出力が向上することになる。
ては、下部磁性層２及び上部磁性層３の少なくとも一方
の透磁率がＭＲ素子における有効感磁部の透磁率の５倍
以下、具体的には、下部磁性層２及び上部磁性層３の双
方の透磁率がＭＲ素子１における有効感磁部の透磁率以
下であるため、下部磁性層２及び上部磁性層３に吸収さ
れる磁束量が減少する。したがって、下部磁性層２及び
上部磁性層３の特別な形状最適化を図ることなく、下部
磁性層２及び上部磁性層３を設けたことにより実現され
る高分解能が維持されるとともに、再生時においてＭＲ
素子１の有効感磁部に入る磁束量が相対的に増大して再
生出力が向上することになる。
【００３１】ここで、１つの実験例について説明する、
この実験は、同一の透磁率を有する下部磁性層２及び上
部磁性層３の透磁率μ１とＭＲ素子１における有効感磁
部の透磁率μ２との比μ１／μ２を変化させた際の再生
出力をシミュレーションにより調べたものである。
この実験は、同一の透磁率を有する下部磁性層２及び上
部磁性層３の透磁率μ１とＭＲ素子１における有効感磁
部の透磁率μ２との比μ１／μ２を変化させた際の再生
出力をシミュレーションにより調べたものである。
【００３２】実験結果を図２に示す。ここで、再生出力
値は相対値として表示されている。この図２に示すよう
に、比μ１／μ２の値が減少する程、再生出力が向上す
ることが分かる。特に、比μ１／μ２の値が１以下とな
ると再生出力が顕著な向上を示した。
値は相対値として表示されている。この図２に示すよう
に、比μ１／μ２の値が減少する程、再生出力が向上す
ることが分かる。特に、比μ１／μ２の値が１以下とな
ると再生出力が顕著な向上を示した。
【００３３】
【発明の効果】本発明に係るＭＲヘッドにおいては、上
部磁性層及び下部磁性層の少なくとも一方の透磁率がＭ
Ｒ素子における有効感磁部の透磁率の５倍以下であるた
め、上部磁性層及び下部磁性層に吸収される磁束量が減
少する。したがって、上部磁性層及び下部磁性層を設け
たことにより実現される高分解能が維持されるととも
に、ＭＲ素子の有効感磁部に入る磁束量が相対的に増大
して再生出力が向上することになる。
部磁性層及び下部磁性層の少なくとも一方の透磁率がＭ
Ｒ素子における有効感磁部の透磁率の５倍以下であるた
め、上部磁性層及び下部磁性層に吸収される磁束量が減
少する。したがって、上部磁性層及び下部磁性層を設け
たことにより実現される高分解能が維持されるととも
に、ＭＲ素子の有効感磁部に入る磁束量が相対的に増大
して再生出力が向上することになる。
【００３４】したがって、上記ＭＲヘッドによれば、下
部，上部磁性層の特別な形状最適化を図ることなく、簡
易な構成で極めて高い再生出力を実現することが可能と
なる。
部，上部磁性層の特別な形状最適化を図ることなく、簡
易な構成で極めて高い再生出力を実現することが可能と
なる。
【図１】本実施例に係るＭＲヘッドを模式的に示す縦断
面図である。
面図である。
【図２】同一の透磁率を有する下部磁性層及び上部磁性
層の透磁率とＭＲ素子における有効感磁部の透磁率との
比と、再生出力との関係を示す特性図である。
層の透磁率とＭＲ素子における有効感磁部の透磁率との
比と、再生出力との関係を示す特性図である。
【図３】ＭＲヘッドのＭＲ特性を示す特性図である。
１ ＭＲ素子 ２ 下部磁性層 ３ 上部磁性層 １１，１２ 絶縁層 １３ バイアス導体 １４ａ 前端電極 １４ｂ 後端電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 拓二 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子がその長手方向が磁気
記録媒体走行方向と略々直交するように配されるととも
に、当該磁気抵抗効果素子の前端部，後端部にそれぞれ
前端電極，後端電極が配され、磁気抵抗効果素子の前端
電極と後端電極との間の領域が有効感磁部とされてなる
磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、 上部磁性層及び下部磁性層が磁気抵抗効果素子を挟持す
るように配されるとともに、上部磁性層及び下部磁性層
の少なくとも一方の透磁率が上記有効感磁部の透磁率の
５倍以下であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド。 - 【請求項２】 上部磁性層及び下部磁性層の各透磁率が
有効感磁部の透磁率以下であることを特徴とする請求項
１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12482995A JPH08321014A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12482995A JPH08321014A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321014A true JPH08321014A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14895136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12482995A Withdrawn JPH08321014A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08321014A (ja) |
-
1995
- 1995-05-24 JP JP12482995A patent/JPH08321014A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020806 |