JPH08320343A - 加速度センサおよびその製造方法 - Google Patents
加速度センサおよびその製造方法Info
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- JPH08320343A JPH08320343A JP15261695A JP15261695A JPH08320343A JP H08320343 A JPH08320343 A JP H08320343A JP 15261695 A JP15261695 A JP 15261695A JP 15261695 A JP15261695 A JP 15261695A JP H08320343 A JPH08320343 A JP H08320343A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 対向した電極間距離の加速度による変化を、
静電容量の変化として検出することによって加速度を測
定する容量型加速度センサにおいて、温度特性がよく、
Ｓ／Ｎ比が高く信頼性の高い加速度センサの提供を目的
とする。 【構成】 可動電極部２１と同材質の固定電極４２の周
囲に絶縁物の枠４３を配置した構造を持つストッパ４１
としたことにより、熱膨張率の異なる部分を縮小して加
速度センサの熱歪みが小さく抑えられ、感度温度特性が
向上する。さらに、ストッパ４１と接合する可動電極部
の枠部分２２は、固定電極４２との間に十分な厚さの絶
縁物があるため寄生容量が小さくなり、Ｓ／Ｎ比が向上
する。固定電極４２がストッパを兼ねているので、従来
のようにストッパに貫通穴を開けて配線する必要がなく
加工が容易である。ストッパ４１の構造の形成、ストッ
パ４１と可動部２との接着には静電接合法が用いられ、
堅牢で信頼性の高い構造物を製作することができる。
静電容量の変化として検出することによって加速度を測
定する容量型加速度センサにおいて、温度特性がよく、
Ｓ／Ｎ比が高く信頼性の高い加速度センサの提供を目的
とする。 【構成】 可動電極部２１と同材質の固定電極４２の周
囲に絶縁物の枠４３を配置した構造を持つストッパ４１
としたことにより、熱膨張率の異なる部分を縮小して加
速度センサの熱歪みが小さく抑えられ、感度温度特性が
向上する。さらに、ストッパ４１と接合する可動電極部
の枠部分２２は、固定電極４２との間に十分な厚さの絶
縁物があるため寄生容量が小さくなり、Ｓ／Ｎ比が向上
する。固定電極４２がストッパを兼ねているので、従来
のようにストッパに貫通穴を開けて配線する必要がなく
加工が容易である。ストッパ４１の構造の形成、ストッ
パ４１と可動部２との接着には静電接合法が用いられ、
堅牢で信頼性の高い構造物を製作することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、加速度センサに関し、
特に、対向した電極間距離の加速度による変化を、これ
らの電極により形成されるコンデンサの静電容量の変化
として検出することによって、加速度を測定する容量型
加速度センサの構造および製造方法に関するものであ
る。
特に、対向した電極間距離の加速度による変化を、これ
らの電極により形成されるコンデンサの静電容量の変化
として検出することによって、加速度を測定する容量型
加速度センサの構造および製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の容量型加速度センサは、固定電極
の電位を取り出すために、図４の従来例１や図５の従来
例２の構造が一般的であった（特願平４−１３０２７７
号参照）。
の電位を取り出すために、図４の従来例１や図５の従来
例２の構造が一般的であった（特願平４−１３０２７７
号参照）。
【０００３】従来例１はガラスのストッパ１の可動電極
２１に対向する面に導電性膜で固定電極１２を形成す
る。ガラスに貫通穴１３を開け、前記の穴を通じて、固
定電極１２とボンディングパッド間の配線をする。Ｓｉ
の可動電極部２とガラスのストッパ１は静電接合法で接
着される。図の４０はリード線である。
２１に対向する面に導電性膜で固定電極１２を形成す
る。ガラスに貫通穴１３を開け、前記の穴を通じて、固
定電極１２とボンディングパッド間の配線をする。Ｓｉ
の可動電極部２とガラスのストッパ１は静電接合法で接
着される。図の４０はリード線である。
【０００４】従来例２（図５）は、固定電極を兼ねたＳ
ｉストッパ１を、絶縁膜１４を介して可動電極部２に接
着する。絶縁膜１４にガラスを用いる場合は、ストッパ
を静電接合で接着し、固定電極１２と可動電極間２１の
間のギャップ３は絶縁膜１４の厚さで制御される。ま
た、絶縁膜１４に接着剤を用いる場合は、ギャップ３と
等しい直径を持つマイクロビーズを混入してギャップ３
を保持してストッパ１と可動電極部２を接着する。
ｉストッパ１を、絶縁膜１４を介して可動電極部２に接
着する。絶縁膜１４にガラスを用いる場合は、ストッパ
を静電接合で接着し、固定電極１２と可動電極間２１の
間のギャップ３は絶縁膜１４の厚さで制御される。ま
た、絶縁膜１４に接着剤を用いる場合は、ギャップ３と
等しい直径を持つマイクロビーズを混入してギャップ３
を保持してストッパ１と可動電極部２を接着する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来例１の容量型加速
度センサの構造では、ガラスのストッパとＳｉの可動電
極部の接着は静電接合法を用いるため、堅牢で信頼性が
高い半面、ガラスとＳｉの熱膨張率の違いから、加速度
センサの温度特性の低下を招いた。また、ストッパ全体
をガラスで構成することは、固定電極とボンディングパ
ッド間の配線用貫通穴の形成、固定電極と可動電極間の
ギャップの形成等、ガラスの精密な加工が難しく歩留ま
りが低いという問題があった。
度センサの構造では、ガラスのストッパとＳｉの可動電
極部の接着は静電接合法を用いるため、堅牢で信頼性が
高い半面、ガラスとＳｉの熱膨張率の違いから、加速度
センサの温度特性の低下を招いた。また、ストッパ全体
をガラスで構成することは、固定電極とボンディングパ
ッド間の配線用貫通穴の形成、固定電極と可動電極間の
ギャップの形成等、ガラスの精密な加工が難しく歩留ま
りが低いという問題があった。
【０００６】従来例２の容量型加速度センサの構造で
は、絶縁膜を介して接合した部分に発生する寄生容量が
Ｓ／Ｎ比を劣化させたり、センサ出力の温度依存性を大
きくするという問題があった。また、静電接合が可能な
絶縁物をギャップの厚さに形成することは困難であり、
膜を形成しても薄いためにリークが発生し、静電接合が
困難である。ギャップと等しい直径を持つマイクロビー
ズを混入した接着剤でギャップを保持しつつストッパと
可動電極部を接着する方法は、ダイシングに耐え得る接
着強度を持つ接着剤とＳｉとの熱膨張率が大きく違うた
めに、加速度センサの温度特性の低下を招いた。
は、絶縁膜を介して接合した部分に発生する寄生容量が
Ｓ／Ｎ比を劣化させたり、センサ出力の温度依存性を大
きくするという問題があった。また、静電接合が可能な
絶縁物をギャップの厚さに形成することは困難であり、
膜を形成しても薄いためにリークが発生し、静電接合が
困難である。ギャップと等しい直径を持つマイクロビー
ズを混入した接着剤でギャップを保持しつつストッパと
可動電極部を接着する方法は、ダイシングに耐え得る接
着強度を持つ接着剤とＳｉとの熱膨張率が大きく違うた
めに、加速度センサの温度特性の低下を招いた。
【０００７】本発明は温度特性がよく、Ｓ／Ｎ比が高く
信頼性の高い容量型加速度センサの提供を目的とする。
信頼性の高い容量型加速度センサの提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の容量型加速度セ
ンサは、導電性板の固定電極の周囲に絶縁物の枠を配置
したストッパを有し、この絶縁物の枠と可動電極の支持
枠を接着するように構成したことを特徴とする。
ンサは、導電性板の固定電極の周囲に絶縁物の枠を配置
したストッパを有し、この絶縁物の枠と可動電極の支持
枠を接着するように構成したことを特徴とする。
【０００９】さらに、本発明による加速度センサの製造
方法は、下記の工程を含むことを特徴とする。 １） 固定電極と絶縁物の枠を静電接合し、積層構造を
形成する工程。 ２） 前記積層構造を所定の厚さに切断する工程。 ３） 前記積層構造の切断面の一方を静電接合が可能な
程度に滑らかに加工する工程。 ４） 前記積層構造中の固定電極を電極間距離の深さだ
けエッチングする工程。 ５） 前記積層構造の滑らかに加工された面と可動電極
枠部分とを静電接合する工程。
方法は、下記の工程を含むことを特徴とする。 １） 固定電極と絶縁物の枠を静電接合し、積層構造を
形成する工程。 ２） 前記積層構造を所定の厚さに切断する工程。 ３） 前記積層構造の切断面の一方を静電接合が可能な
程度に滑らかに加工する工程。 ４） 前記積層構造中の固定電極を電極間距離の深さだ
けエッチングする工程。 ５） 前記積層構造の滑らかに加工された面と可動電極
枠部分とを静電接合する工程。
【００１０】
【作用】本発明は可動電極部と同材質の固定電極の周囲
に絶縁物の枠を配置したことにより、熱膨張率の異なる
部分を縮小して加速度センサの熱歪みが小さく抑えら
れ、感度温度特性が向上する。さらに、ストッパと接合
する可動電極部の枠部分は、固定電極との間に十分な厚
さの絶縁物があるため寄生容量が小さくなり、Ｓ／Ｎ比
が向上する。
に絶縁物の枠を配置したことにより、熱膨張率の異なる
部分を縮小して加速度センサの熱歪みが小さく抑えら
れ、感度温度特性が向上する。さらに、ストッパと接合
する可動電極部の枠部分は、固定電極との間に十分な厚
さの絶縁物があるため寄生容量が小さくなり、Ｓ／Ｎ比
が向上する。
【００１１】ストッパの構造の形成、ストッパと可動電
極部の接着には静電接合法が用いられ、堅牢で信頼性の
高い構造物を製作することができる。
極部の接着には静電接合法が用いられ、堅牢で信頼性の
高い構造物を製作することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は、本発明の容量型加速度センサの第１実施
例の断面斜視図である。可動部２には、ＳｉをＫＯＨ水
溶液やヒドラジン等でエッチングして薄膜部２３を形成
する。薄膜部２３の一端は支持部２２に、他の一端は可
動電極２１につながっている。ストッパ４１は、高濃度
の不純物を含み低抵抗としたＳｉの固定電極４２の周囲
に、パイレックスガラス（米国コーニング社の理化学用
ガラスの商品名）等のＮａを含んだガラス枠４３を接着
した構造である。固定電極４２の、可動電極２１に対向
する面にギャップ３が形成される。ストッパ４１と可動
部２は静電接合法で接着する。
する。図１は、本発明の容量型加速度センサの第１実施
例の断面斜視図である。可動部２には、ＳｉをＫＯＨ水
溶液やヒドラジン等でエッチングして薄膜部２３を形成
する。薄膜部２３の一端は支持部２２に、他の一端は可
動電極２１につながっている。ストッパ４１は、高濃度
の不純物を含み低抵抗としたＳｉの固定電極４２の周囲
に、パイレックスガラス（米国コーニング社の理化学用
ガラスの商品名）等のＮａを含んだガラス枠４３を接着
した構造である。固定電極４２の、可動電極２１に対向
する面にギャップ３が形成される。ストッパ４１と可動
部２は静電接合法で接着する。
【００１３】第１実施例の加速度センサに加速度が加わ
ると、一端を支持部２２に固定された薄膜部２３がたわ
み、固定電極４２と可動電極２１間のギャップ３が変化
する。これらの電極間の静電容量の変化から、加速度の
大きさを測定する。
ると、一端を支持部２２に固定された薄膜部２３がたわ
み、固定電極４２と可動電極２１間のギャップ３が変化
する。これらの電極間の静電容量の変化から、加速度の
大きさを測定する。
【００１４】図２は本発明の第２実施例を示す図であ
る。この実施例はストッパ４４の形状が第１実施例と少
し異なっており、その他は第１実施例と同様である。す
なわち、ストッパ４４は、高濃度の不純物を含み低抵抗
とした短形のＳｉの固定電極４５の対向する最低一組の
面に、ガラス枠４６を接着した構造であり、固定電極４
５の可動電極２１に対向する面は、ガラス枠４６の端よ
りギャップ３の深さだけほり込まれている。
る。この実施例はストッパ４４の形状が第１実施例と少
し異なっており、その他は第１実施例と同様である。す
なわち、ストッパ４４は、高濃度の不純物を含み低抵抗
とした短形のＳｉの固定電極４５の対向する最低一組の
面に、ガラス枠４６を接着した構造であり、固定電極４
５の可動電極２１に対向する面は、ガラス枠４６の端よ
りギャップ３の深さだけほり込まれている。
【００１５】次に第２実施例のストッパ４４の製造方法
について説明する。図３（ａ）に示すように、固定電極
４５の幅と等しい厚さを持つ低抵抗Ｓｉウエハ４の両面
に、ガラス枠４６と等しい幅を持つガラスウエハ５を静
電接合し、積層構造を形成する（第３図（ａ））。積層
構造をストッパ４４の厚さに研磨しろを加えた厚さに切
断し、ガラスウエハ５の切断面１５を静電接合が可能な
程度に平滑に研磨する（第５図（ｂ））。積層構造中の
固定電極４５となるＳｉ部分４を、ＳｉＯ2はエッチン
グされないがＳｉはエッチングされるヒドラジン等のエ
ッチング液を用いて、ギャップ３の深さ分エッチングす
る（第５図（ｃ））。ガラス枠４６の研磨された面と可
動電極枠部分２２とを静電接合する（第５図（ｄ））。
静電接合時のバイアス電圧を固定電極４５から印加する
場合、固定電極４５と可動電極２１が接触しリークする
ことを防止するため、固定電極４５および可動電極２１
の一方、あるいは両方の表面に、絶縁膜を成膜するか絶
縁物の小突起を形成するとよい。
について説明する。図３（ａ）に示すように、固定電極
４５の幅と等しい厚さを持つ低抵抗Ｓｉウエハ４の両面
に、ガラス枠４６と等しい幅を持つガラスウエハ５を静
電接合し、積層構造を形成する（第３図（ａ））。積層
構造をストッパ４４の厚さに研磨しろを加えた厚さに切
断し、ガラスウエハ５の切断面１５を静電接合が可能な
程度に平滑に研磨する（第５図（ｂ））。積層構造中の
固定電極４５となるＳｉ部分４を、ＳｉＯ2はエッチン
グされないがＳｉはエッチングされるヒドラジン等のエ
ッチング液を用いて、ギャップ３の深さ分エッチングす
る（第５図（ｃ））。ガラス枠４６の研磨された面と可
動電極枠部分２２とを静電接合する（第５図（ｄ））。
静電接合時のバイアス電圧を固定電極４５から印加する
場合、固定電極４５と可動電極２１が接触しリークする
ことを防止するため、固定電極４５および可動電極２１
の一方、あるいは両方の表面に、絶縁膜を成膜するか絶
縁物の小突起を形成するとよい。
【００１６】静電接合はガラスとアルミニウム箔を接合
できるので、固定電極４５と可動部２を構成する物質は
Ｓｉに限らず、導電性物質の表面にアルミニウム薄膜を
成膜した材料に置き換えることも可能である。
できるので、固定電極４５と可動部２を構成する物質は
Ｓｉに限らず、導電性物質の表面にアルミニウム薄膜を
成膜した材料に置き換えることも可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、可動電極部と同材
質の固定電極の周囲に絶縁物の枠を配置したことによ
り、熱膨張率の異なる部分を縮小して加速度センサの熱
歪みが小さく抑えられ、感度温度特性が向上する。さら
に、ストッパと接合する可動電極部の枠部分は、固定電
極との間に十分な厚さの絶縁物があるため寄生容量が小
さくなり、Ｓ／Ｎ比が向上する。固定電極がストッパを
兼ねているのでストッパに貫通穴を開けて配線する必要
がなく加工が容易である。
質の固定電極の周囲に絶縁物の枠を配置したことによ
り、熱膨張率の異なる部分を縮小して加速度センサの熱
歪みが小さく抑えられ、感度温度特性が向上する。さら
に、ストッパと接合する可動電極部の枠部分は、固定電
極との間に十分な厚さの絶縁物があるため寄生容量が小
さくなり、Ｓ／Ｎ比が向上する。固定電極がストッパを
兼ねているのでストッパに貫通穴を開けて配線する必要
がなく加工が容易である。
【００１８】ストッパの構造の形成、ストッパと可動電
極部の接着には静電接合法が用いられ、堅牢で信頼性の
高い構造物を製作することができる。
極部の接着には静電接合法が用いられ、堅牢で信頼性の
高い構造物を製作することができる。
【図１】本発明の第１実施例の断面斜視図である。
【図２】本発明の第２実施例の断面斜視図である。
【図３】本発明の第２実施例の製造工程説明図である。
【図４】加速度センサの従来例１の断面図である。
【図５】加速度センサの従来例２の断面図である。
１ ストッパ ２ 可動部 ３ ギャップ ４ Ｓｉウエハ ５ ガラスウエハ １１ ストッパ絶縁枠 １２ 固定電極 １３ 容量取りだしスルーホール １４ 絶縁物接着層 １５ 研磨面 ２１ 可動電極 ２２ 可動部支持枠 ２３ 可動部薄膜部 ４０ リード線 ４１ ストッパ ４２ 固定電極 ４３ ガラス枠 ４４ ストッパ ４５ 固定電極 ４６ ガラス枠
Claims (3)
- 【請求項１】 間隙をはさんで対向する可動電極と固定
電極から構成され、これらの電極間隙の加速度による変
化を静電容量の変化として検出することによって加速度
を測定する容量型加速度センサにおいて、前記固定電極
の周囲あるいは一部に絶縁物の枠が配置され、この絶縁
物の枠と前記可動電極の支持枠が接着された構造を有す
ることを特徴とする加速度センサ。 - 【請求項２】 前記固定電極が矩形であって、その対向
する一組の面に前記絶縁物の枠が接着された請求項１に
記載の加速度センサ。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の加速度センサ
の製造方法において、少なくとも、 １） 固定電極と絶縁物を静電接合して積層構造を形成
する工程、 ２） 前記積層構造を所定の厚さに切断する工程、 ３） 前記積層構造の切断面の少なくとも一方を静電接
合が可能な程度に滑らかに加工する工程、 ４） 前記積層構造中の固定電極をエッチングする工
程、 ５） 前記積層構造の滑らかに加工された面と可動電極
支持枠部分とを静電接合する工程、 を含むことを特徴とする加速度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7152616A JP2713241B2 (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 加速度センサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7152616A JP2713241B2 (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 加速度センサおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08320343A true JPH08320343A (ja) | 1996-12-03 |
| JP2713241B2 JP2713241B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=15544278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7152616A Expired - Fee Related JP2713241B2 (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 加速度センサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2713241B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005530159A (ja) * | 2002-06-17 | 2005-10-06 | ヴェーテーイー テクノロジーズ オサケユキチュア | モノリシックシリコン加速度センサー |
| WO2006127813A2 (en) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Northrop Grumman Corporation | Methods for signal to noise improvement in bulk mems accelerometer chips and other mems devices |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04148833A (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-21 | Wako:Kk | 力・加速度・磁気の検出装置 |
| JPH04337431A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-25 | Kazuhiro Okada | 多次元方向に関する力・加速度・磁気の検出装置 |
-
1995
- 1995-05-25 JP JP7152616A patent/JP2713241B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04148833A (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-21 | Wako:Kk | 力・加速度・磁気の検出装置 |
| JPH04337431A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-25 | Kazuhiro Okada | 多次元方向に関する力・加速度・磁気の検出装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005530159A (ja) * | 2002-06-17 | 2005-10-06 | ヴェーテーイー テクノロジーズ オサケユキチュア | モノリシックシリコン加速度センサー |
| WO2006127813A2 (en) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Northrop Grumman Corporation | Methods for signal to noise improvement in bulk mems accelerometer chips and other mems devices |
| WO2006127813A3 (en) * | 2005-05-25 | 2007-01-18 | Northrop Grumman Corp | Methods for signal to noise improvement in bulk mems accelerometer chips and other mems devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2713241B2 (ja) | 1998-02-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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