JPH0831999A - ダイオ−ドの放熱装置および該装置の実装方法 - Google Patents
ダイオ−ドの放熱装置および該装置の実装方法Info
- Publication number
- JPH0831999A JPH0831999A JP18788494A JP18788494A JPH0831999A JP H0831999 A JPH0831999 A JP H0831999A JP 18788494 A JP18788494 A JP 18788494A JP 18788494 A JP18788494 A JP 18788494A JP H0831999 A JPH0831999 A JP H0831999A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- electrode
- bonding
- conductor layer
- soldering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】
【目的】 部品点数を削減するとともに、製造工程を簡
単かつ減少することにより、作業効率を向上させること
を目的としている。 【構成】 ダイオ−ド1に接続される2つの電極2を、
少なくともその断面形状が略L字型でダイオ−ド1と接
着する接着面3および電流路となる脚部4を有する構造
の電極を兼ねた放熱板とするとともに、ダイオ−ド1と
該電極2の接着面3の接着処理を高温の半田付け5で、
該電極の脚部4と絶縁金属基板7上の導体層6との接着
処理を低温の半田付け9で行うものである。
単かつ減少することにより、作業効率を向上させること
を目的としている。 【構成】 ダイオ−ド1に接続される2つの電極2を、
少なくともその断面形状が略L字型でダイオ−ド1と接
着する接着面3および電流路となる脚部4を有する構造
の電極を兼ねた放熱板とするとともに、ダイオ−ド1と
該電極2の接着面3の接着処理を高温の半田付け5で、
該電極の脚部4と絶縁金属基板7上の導体層6との接着
処理を低温の半田付け9で行うものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイオ−ドの放熱装置
および該装置の実装方法に関する。
および該装置の実装方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、パワ−用ダイオ−ド、例えば、プ
レ−ナ−型のダイオ−ド等においては、図3に示すよう
にダイオ−ド31のp型領域32の外表面に第1の電極
34を、同じくn型領域33の外表面に第2の電極35
をそれぞれ設け、前記第1の電極34にワイヤボンディ
ングにより導線36を接続していた。このようなタイプ
のダイオ−ドにおいて、前記第1の電極34から第2の
電極35に対して流れる電流値は、前記第1の電極34
と導線36とのボンボンディング部分に流れる電流I1
が大きく、これから離れた同電極部分に流れる電流I2
はその間の抵抗分Rの影響により小さくなる。このた
め、前記ダイオ−ドの電流I1 が流れる電流路付近に熱
集中が起こり、素子が破壊する恐れがあり、これを防止
するには前記電極であるAL膜を厚くすれば前記抵抗分
Rは減少するが、膜を厚くすると製造時間が長くなると
いう問題があった。
レ−ナ−型のダイオ−ド等においては、図3に示すよう
にダイオ−ド31のp型領域32の外表面に第1の電極
34を、同じくn型領域33の外表面に第2の電極35
をそれぞれ設け、前記第1の電極34にワイヤボンディ
ングにより導線36を接続していた。このようなタイプ
のダイオ−ドにおいて、前記第1の電極34から第2の
電極35に対して流れる電流値は、前記第1の電極34
と導線36とのボンボンディング部分に流れる電流I1
が大きく、これから離れた同電極部分に流れる電流I2
はその間の抵抗分Rの影響により小さくなる。このた
め、前記ダイオ−ドの電流I1 が流れる電流路付近に熱
集中が起こり、素子が破壊する恐れがあり、これを防止
するには前記電極であるAL膜を厚くすれば前記抵抗分
Rは減少するが、膜を厚くすると製造時間が長くなると
いう問題があった。
【0003】そこで、前記問題を改善するため、図4の
ように、前記前記第1の電極におけるワイヤボンディン
グによる導線の接続箇所を複数にする方法もあるが、こ
の方法は同じ製造装置を用いて処理できるという利点が
あるものの、この方法においてもそれぞれの前記ボンボ
ンディング部分において熱集中がおこるという問題があ
った。前記熱集中による問題を解決するため、図5に示
すように前記図3に図示のダイオ−ド31の第2の電極
35にCu 等の金属からなる放熱板(ヒ−トシンク)3
6を高温(融点約300°C)の半田付け40により接
着し、更に、これをAl 等の絶縁金属基板39上に設け
られた導体層37に低温(融点約180°C)の半田付
け41により接着した実装構造にすることにより、放熱
していた。そして、パワ−用トランジスタチップも前記
ダイオ−ドと同様に該チップを放熱板(ヒ−トシンク)
を半田付けにより接着し、更に絶縁金属基板上に設けら
れた導体層に低温(融点約180°C)の半田付けによ
り接着していた。
ように、前記前記第1の電極におけるワイヤボンディン
グによる導線の接続箇所を複数にする方法もあるが、こ
の方法は同じ製造装置を用いて処理できるという利点が
あるものの、この方法においてもそれぞれの前記ボンボ
ンディング部分において熱集中がおこるという問題があ
った。前記熱集中による問題を解決するため、図5に示
すように前記図3に図示のダイオ−ド31の第2の電極
35にCu 等の金属からなる放熱板(ヒ−トシンク)3
6を高温(融点約300°C)の半田付け40により接
着し、更に、これをAl 等の絶縁金属基板39上に設け
られた導体層37に低温(融点約180°C)の半田付
け41により接着した実装構造にすることにより、放熱
していた。そして、パワ−用トランジスタチップも前記
ダイオ−ドと同様に該チップを放熱板(ヒ−トシンク)
を半田付けにより接着し、更に絶縁金属基板上に設けら
れた導体層に低温(融点約180°C)の半田付けによ
り接着していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前記放熱板を用いたパ
ワ−用ダイオ−ドにおいては、放熱板という部品が増え
るとともに、該ダイオ−ドの第一電極と導線とのワイヤ
ボンディングによる接着処理、ダイオ−ドと放熱板との
高温の半田付けによる接着処理、および放熱板と絶縁金
属基板との低温の半田付けによる接着処理という3つの
接着処理工程が必要なため、製造工程が多く、作業効率
が悪いという問題があった。
ワ−用ダイオ−ドにおいては、放熱板という部品が増え
るとともに、該ダイオ−ドの第一電極と導線とのワイヤ
ボンディングによる接着処理、ダイオ−ドと放熱板との
高温の半田付けによる接着処理、および放熱板と絶縁金
属基板との低温の半田付けによる接着処理という3つの
接着処理工程が必要なため、製造工程が多く、作業効率
が悪いという問題があった。
【0005】本発明は、部品点数を削減するとともに、
製造工程を簡単かつ減少することにより、作業効率を向
上させることを目的としている。
製造工程を簡単かつ減少することにより、作業効率を向
上させることを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
のもので、本発明は、ダイオ−ドに接続される2つの電
極を、少なくともダイオ−ドと接着する接着面および脚
部を有する構造の電極を兼ねた放熱板とするとともに、
ダイオ−ドと該電極とを高温の半田付けで、該電極の脚
部と金属基板上の導体層とを低温の半田付けで接着した
ダイオ−ドの放熱装置である。
のもので、本発明は、ダイオ−ドに接続される2つの電
極を、少なくともダイオ−ドと接着する接着面および脚
部を有する構造の電極を兼ねた放熱板とするとともに、
ダイオ−ドと該電極とを高温の半田付けで、該電極の脚
部と金属基板上の導体層とを低温の半田付けで接着した
ダイオ−ドの放熱装置である。
【0007】更に、本発明は、ダイオ−ドに接続される
2つの電極を、少なくともダイオ−ドと接着する接着面
および脚部を有する構造の電極を兼ねた放熱板とすると
ともに、ダイオ−ドと該電極の接着面の接着処理を高温
の半田付けで、該電極の脚部と金属基板上の導体層との
接着処理を低温の半田付けで行うことを特徴とするダイ
オ−ドの放熱装置の実装方法である。
2つの電極を、少なくともダイオ−ドと接着する接着面
および脚部を有する構造の電極を兼ねた放熱板とすると
ともに、ダイオ−ドと該電極の接着面の接着処理を高温
の半田付けで、該電極の脚部と金属基板上の導体層との
接着処理を低温の半田付けで行うことを特徴とするダイ
オ−ドの放熱装置の実装方法である。
【0008】更に、本発明は、ダイオ−ドに接続される
2つの電極を、少なくともその断面形状が略L字型でダ
イオ−ドと接着する接着面および電流路となる脚部を有
する構造の電極を兼ねた放熱板とするとともに、ダイオ
−ドと該電極とを高温の半田付けで、該電極の脚部と金
属基板上の導体層とを低温の半田付けで接着したダイオ
−ドの放熱装置である。
2つの電極を、少なくともその断面形状が略L字型でダ
イオ−ドと接着する接着面および電流路となる脚部を有
する構造の電極を兼ねた放熱板とするとともに、ダイオ
−ドと該電極とを高温の半田付けで、該電極の脚部と金
属基板上の導体層とを低温の半田付けで接着したダイオ
−ドの放熱装置である。
【0009】更に、本発明は、ダイオ−ドに接続される
2つの電極を、少なくともその断面形状が略L字型でダ
イオ−ドと接着する接着面および電流路となる脚部を有
する構造の電極を兼ねた放熱板とするとともに、ダイオ
−ドと該電極の接着面の接着処理を高温の半田付けで、
該電極の脚部と金属基板上の導体層との接着処理を低温
の半田付けで行うことを特徴とするダイオ−ドの放熱装
置の実装方法である。
2つの電極を、少なくともその断面形状が略L字型でダ
イオ−ドと接着する接着面および電流路となる脚部を有
する構造の電極を兼ねた放熱板とするとともに、ダイオ
−ドと該電極の接着面の接着処理を高温の半田付けで、
該電極の脚部と金属基板上の導体層との接着処理を低温
の半田付けで行うことを特徴とするダイオ−ドの放熱装
置の実装方法である。
【0010】
【作用】本発明によれば、ダイオ−ドに接続される2つ
の電極を、少なくともダイオ−ドと接着する接着面およ
び電流路となる脚部を有する構造の電極兼放熱板とする
とともに、ダイオ−ドと該電極の接着面との接着処理を
高温の半田付けで、該電極の脚部と金属基板上の導体層
との接着処理を低温の半田付けで行うため、部品点数が
削減するとともに、製造工程が簡単かつ減少し、作業効
率が向上する。
の電極を、少なくともダイオ−ドと接着する接着面およ
び電流路となる脚部を有する構造の電極兼放熱板とする
とともに、ダイオ−ドと該電極の接着面との接着処理を
高温の半田付けで、該電極の脚部と金属基板上の導体層
との接着処理を低温の半田付けで行うため、部品点数が
削減するとともに、製造工程が簡単かつ減少し、作業効
率が向上する。
【0011】
【実施例】以下、本発明のー実施例について、図面に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【0012】図1は本発明の一実施例によるダイオ−ド
の放熱装置であり、ダイオ−ド1に接続される2つの電
極2を、少なくともダイオ−ド1と接着する接着面3お
よび電流路となる脚部4を有する構造の電極兼放熱板と
するとともに、ダイオ−ド1と該電極の接着面3の接着
処理を高温(融点約300°C)の半田付け5で、該電
極2の脚部4と絶縁金属基板7上の導体層6との接着処
理を低温(融点約180°C)の半田付け9で行うこと
により、実装が行われる。
の放熱装置であり、ダイオ−ド1に接続される2つの電
極2を、少なくともダイオ−ド1と接着する接着面3お
よび電流路となる脚部4を有する構造の電極兼放熱板と
するとともに、ダイオ−ド1と該電極の接着面3の接着
処理を高温(融点約300°C)の半田付け5で、該電
極2の脚部4と絶縁金属基板7上の導体層6との接着処
理を低温(融点約180°C)の半田付け9で行うこと
により、実装が行われる。
【0013】ダイオ−ドに用いられる2つの放熱板はそ
れの電極をも兼ねており、該ダイオ−ドと放熱板との接
着を高温の半田付け5で行った後、前記ダイオ−ドおよ
び2つの放熱板からなる構成部品を単位部品として扱
い、該単位部品と絶縁金属基板(の表面に設けられた導
体層)との接着を低温の半田付け9で行うことを特徴と
する。
れの電極をも兼ねており、該ダイオ−ドと放熱板との接
着を高温の半田付け5で行った後、前記ダイオ−ドおよ
び2つの放熱板からなる構成部品を単位部品として扱
い、該単位部品と絶縁金属基板(の表面に設けられた導
体層)との接着を低温の半田付け9で行うことを特徴と
する。
【0014】図2(イ)に示すように、前記実装を行う
に当たり、予め、ダイオ−ド1および2つの電極(兼放
熱板)2を用意しておく。前記電極2は放熱板の機能を
も兼ね備えており、図2(イ)に示すように、少なくと
もダイオ−ド1と接する接着面3および絶縁金属基板7
の表面に設けられた導体層6と接着する脚部4とを有す
る構造体であり、図2(ロ)に示すように、該ダイオ−
ド1と電極2との接着を高温の半田付け5により接着処
理し、単位構成部品として製造しておく。その後、該単
位部品と絶縁金属基板7の表面に設けられた導体層6と
の接着を低温の半田付け9で行う。
に当たり、予め、ダイオ−ド1および2つの電極(兼放
熱板)2を用意しておく。前記電極2は放熱板の機能を
も兼ね備えており、図2(イ)に示すように、少なくと
もダイオ−ド1と接する接着面3および絶縁金属基板7
の表面に設けられた導体層6と接着する脚部4とを有す
る構造体であり、図2(ロ)に示すように、該ダイオ−
ド1と電極2との接着を高温の半田付け5により接着処
理し、単位構成部品として製造しておく。その後、該単
位部品と絶縁金属基板7の表面に設けられた導体層6と
の接着を低温の半田付け9で行う。
【0015】なお、前記絶縁金属基板7に実装される他
の半導体部品、例えば、トランジスタチップ10(図1
においてはこれの電極は省略)は、これと放熱板11と
の接着は高温の半田付け5で、該放熱板11と絶縁金属
基板7の表面に設けられた導体層6との接着を低温の半
田付け9で行っているので、前記ダイオ−ド1を前記絶
縁金属基板7に実装する場合は、前記他の半導体部品に
おける低温の半田付け9の接着処理工程時に、前記既に
高温で半田付けされたダイオ−ドの単位部品を前記絶縁
金属基板7上の導体層6に半田付けする処理も一緒に低
温の半田付け処理により行うことができる。
の半導体部品、例えば、トランジスタチップ10(図1
においてはこれの電極は省略)は、これと放熱板11と
の接着は高温の半田付け5で、該放熱板11と絶縁金属
基板7の表面に設けられた導体層6との接着を低温の半
田付け9で行っているので、前記ダイオ−ド1を前記絶
縁金属基板7に実装する場合は、前記他の半導体部品に
おける低温の半田付け9の接着処理工程時に、前記既に
高温で半田付けされたダイオ−ドの単位部品を前記絶縁
金属基板7上の導体層6に半田付けする処理も一緒に低
温の半田付け処理により行うことができる。
【0016】
【発明の効果】ダイオ−ドに用いられる2つの放熱板
は、それの電極をも兼ねているので部品の数が減少し、
その結果、従来のようにワイヤーボンディングが不必要
になり、サージ電流の局部集中や熱集中によるチップの
破壊を防止するとともに、装置の小型化および実装作業
工程削減を行うことができる。更に、該ダイオ−ドと放
熱板との接着を高温の半田付けで行った後、前記ダイオ
−ドおよび2つの放熱板からなる構成部品を単位部品と
して扱い、該単位部品と絶縁金属基板(の表面に設けら
れた導体層)との接着を高温の半田付けで行うことによ
り、前記単位部品を絶縁金属基板の表面に設けられた導
体層に、単に低温の半田付けで接着するだけの作業です
むとともに、他の単位部品、例えば、パワー用トランジ
スタ等を絶縁金属基板上に低温の半田付けで行うことが
できるため、実装作業の作業効率を向上することができ
る。
は、それの電極をも兼ねているので部品の数が減少し、
その結果、従来のようにワイヤーボンディングが不必要
になり、サージ電流の局部集中や熱集中によるチップの
破壊を防止するとともに、装置の小型化および実装作業
工程削減を行うことができる。更に、該ダイオ−ドと放
熱板との接着を高温の半田付けで行った後、前記ダイオ
−ドおよび2つの放熱板からなる構成部品を単位部品と
して扱い、該単位部品と絶縁金属基板(の表面に設けら
れた導体層)との接着を高温の半田付けで行うことによ
り、前記単位部品を絶縁金属基板の表面に設けられた導
体層に、単に低温の半田付けで接着するだけの作業です
むとともに、他の単位部品、例えば、パワー用トランジ
スタ等を絶縁金属基板上に低温の半田付けで行うことが
できるため、実装作業の作業効率を向上することができ
る。
【図1】本発明のダイオ−ドおよびその他の半導体部品
を絶縁金属基板に実装した状態を示す図である。
を絶縁金属基板に実装した状態を示す図である。
【図2】図(イ)は本発明の実装前のダイオ−ドおよび
電極(兼放熱板)をを示す図である。図(ロ)は本発明
の実装前のダイオ−ドおよび電極(兼放熱板)を半田付
けした単位部品を示す図である。
電極(兼放熱板)をを示す図である。図(ロ)は本発明
の実装前のダイオ−ドおよび電極(兼放熱板)を半田付
けした単位部品を示す図である。
【図3】従来のダイオ−ドの電極のワイヤ−ボンディン
グ部近傍における電流(による熱集中)の状態を示す図
である。
グ部近傍における電流(による熱集中)の状態を示す図
である。
【図4】従来のダイオ−ドにおける熱集中を解決するた
めの方法である電極のワイヤ−ボンディングを複数箇所
行った状態を示す図である。
めの方法である電極のワイヤ−ボンディングを複数箇所
行った状態を示す図である。
【図5】従来のダイオ−ドにおける熱集中を解決するた
めの方法である放熱板を用いた方法を示す図である。
めの方法である放熱板を用いた方法を示す図である。
1 ダイオ−ド 2 電極(兼放熱板) 3 接着面 4 脚部 5 高温半田 6 導体層 7 絶縁金属基板 8 絶縁樹脂層 9 低温半田 10 トランジスタチップ 11 放熱板
Claims (4)
- 【請求項1】 ダイオ−ドに接続される2つの電極を、
少なくともダイオ−ドと接着する接着面および脚部を有
する構造の電極を兼ねた放熱板とするとともに、ダイオ
−ドと該電極とを高温の半田付けで、該電極の脚部と金
属基板上の導体層とを低温の半田付けで接着したことを
特徴とするダイオ−ドの放熱装置。 - 【請求項2】 ダイオ−ドに接続される2つの電極を、
少なくともダイオ−ドと接着する接着面および脚部を有
する構造の電極を兼ねた放熱板とするとともに、ダイオ
−ドと該電極の接着面の接着処理を高温の半田付けで、
該電極の脚部と金属基板上の導体層との接着処理を低温
の半田付けで行うことを特徴とするダイオ−ドの放熱装
置の実装方法。 - 【請求項3】 ダイオ−ドに接続される2つの電極を、
少なくともその断面形状が略L字型でダイオ−ドと接着
する接着面および電流路となる脚部を有する構造の電極
を兼ねた放熱板とするとともに、ダイオ−ドと該電極と
を高温の半田付けで、該電極の脚部と金属基板上の導体
層とを低温の半田付けで接着したことを特徴とするダイ
オ−ドの放熱装置。 - 【請求項4】 ダイオ−ドに接続される2つの電極を、
少なくともその断面形状が略L字型でダイオ−ドと接着
する接着面および電流路となる脚部を有する構造の電極
を兼ねた放熱板とするとともに、ダイオ−ドと該電極の
接着面の接着処理を高温の半田付けで、該電極の脚部と
金属基板上の導体層との接着処理を低温の半田付けで行
うことを特徴とするダイオ−ドの放熱装置の実装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18788494A JPH0831999A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | ダイオ−ドの放熱装置および該装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18788494A JPH0831999A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | ダイオ−ドの放熱装置および該装置の実装方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0831999A true JPH0831999A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=16213891
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18788494A Pending JPH0831999A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | ダイオ−ドの放熱装置および該装置の実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0831999A (ja) |
-
1994
- 1994-07-19 JP JP18788494A patent/JPH0831999A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5572678B2 (ja) | クラッド型ベースプレートを含む半導体装置 | |
TWI588919B (zh) | 半導體封裝結構及其製造方法 | |
TWI450373B (zh) | 雙側冷卻整合功率裝置封裝及模組,以及製造方法 | |
JP6520437B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20060192253A1 (en) | Semiconductor device, electrode member and electrode member fabrication method | |
TWI446493B (zh) | 包括堆疊晶粒及散熱件結構之半導體晶粒封裝體 | |
US7842545B2 (en) | Semiconductor package having insulated metal substrate and method of fabricating the same | |
JP2982126B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007234690A (ja) | パワー半導体モジュール | |
US20140110833A1 (en) | Power module package | |
JP7014298B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20170194296A1 (en) | Semiconductor module | |
JP4967277B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007005368A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005116702A (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP3841007B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2004221381A (ja) | 半導体装置 | |
KR20220007878A (ko) | 양면 냉각을 갖는 전자 디바이스 | |
JPH08274228A (ja) | 半導体搭載基板、電力用半導体装置及び電子回路装置 | |
JP2018116960A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JPH0831999A (ja) | ダイオ−ドの放熱装置および該装置の実装方法 | |
JP5418654B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3644161B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
WO2023203688A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US20230028808A1 (en) | Semiconductor device |