JPH0831616A - バリスタとその製造方法 - Google Patents
バリスタとその製造方法Info
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- JPH0831616A JPH0831616A JP6167952A JP16795294A JPH0831616A JP H0831616 A JPH0831616 A JP H0831616A JP 6167952 A JP6167952 A JP 6167952A JP 16795294 A JP16795294 A JP 16795294A JP H0831616 A JPH0831616 A JP H0831616A
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- varistor element
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バリスタ素子表面に、耐湿性、耐メッキ性に
優れた高抵抗層を有するバリスタを提供することを目的
とするものである。 【構成】 バリスタ素子１の表面にＳｉＯ2を主成分と
する混合物１５を配し、焼成することにより、バリスタ
素子１の表面に、Ｚｎ−Ｓｉ−Ｏ系の物質からなる高抵
抗層４ａを形成するものである。
優れた高抵抗層を有するバリスタを提供することを目的
とするものである。 【構成】 バリスタ素子１の表面にＳｉＯ2を主成分と
する混合物１５を配し、焼成することにより、バリスタ
素子１の表面に、Ｚｎ−Ｓｉ−Ｏ系の物質からなる高抵
抗層４ａを形成するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバリスタとその製造方法
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、チップ部品は半田付け時に半
田により、Ａｇ外部電極が、侵されてしまうため、Ａｇ
外部電極の上にＮｉメッキ等を施し、この上からさら
に、半田付け性向上のため半田メッキを施している。し
かし、ＺｎＯバリスタは、半導体であるため電解メッキ
を行うと、セラミック素子表面もメッキされてしまうの
で、これを防ぐために、セラミック素子表面にＳｉ，
Ｂ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｃａ等からなるガラスをディップし
て、高抵抗層を形成していた。
田により、Ａｇ外部電極が、侵されてしまうため、Ａｇ
外部電極の上にＮｉメッキ等を施し、この上からさら
に、半田付け性向上のため半田メッキを施している。し
かし、ＺｎＯバリスタは、半導体であるため電解メッキ
を行うと、セラミック素子表面もメッキされてしまうの
で、これを防ぐために、セラミック素子表面にＳｉ，
Ｂ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｃａ等からなるガラスをディップし
て、高抵抗層を形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ガラスによる
高抵抗層は選択的にセラミック素子表面だけに形成する
ことができず、また均一な厚さにすることが困難であっ
た。このため、メッキをするときメッキ流れをおこして
ショートしたり、水分等がセラミック素子内部に浸入し
てバリスタ特性を劣化させたりするという問題点を有し
ていた。
高抵抗層は選択的にセラミック素子表面だけに形成する
ことができず、また均一な厚さにすることが困難であっ
た。このため、メッキをするときメッキ流れをおこして
ショートしたり、水分等がセラミック素子内部に浸入し
てバリスタ特性を劣化させたりするという問題点を有し
ていた。
【０００４】そこで本発明は、緻密で均一な厚みを有
し、選択的にセラミック素子表面に高抵抗層を形成し、
耐メッキ性、耐湿性に優れたバリスタを提供することを
目的とするものである。
し、選択的にセラミック素子表面に高抵抗層を形成し、
耐メッキ性、耐湿性に優れたバリスタを提供することを
目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明はバリスタ素子の表面に電極を形成し、次に
バリスタ素子の表面にＳｉＯ2を主成分とする混合物を
配し、その後焼成し、バリスタ素子表面の少なくとも電
極に覆われていない部分に主成分がＺｎ−Ｓｉ−Ｏ系の
物質である高抵抗層を形成するものである。
に、本発明はバリスタ素子の表面に電極を形成し、次に
バリスタ素子の表面にＳｉＯ2を主成分とする混合物を
配し、その後焼成し、バリスタ素子表面の少なくとも電
極に覆われていない部分に主成分がＺｎ−Ｓｉ−Ｏ系の
物質である高抵抗層を形成するものである。
【０００６】
【作用】この構成により、バリスタ素子表面のＺｎＯ成
分がＳｉＯ2と反応し、バリスタ素子表面に主成分がＺ
ｎ−Ｓｉ−Ｏ系の物質である高抵抗層が形成される。し
かし、バリスタ素子表面に設けられた電極とＳｉＯ2は
反応しないので選択的に電極形成部分を除く、バリスタ
素子表面に、高抵抗層が形成され、前記電極上にメッキ
することができる。また、この高抵抗層は、緻密で均一
な厚みを有するので、メッキ流れや余分な水分などが浸
入するのを防ぐことができるので、耐湿性、耐メッキ性
に優れたバリスタを得ることができる。
分がＳｉＯ2と反応し、バリスタ素子表面に主成分がＺ
ｎ−Ｓｉ−Ｏ系の物質である高抵抗層が形成される。し
かし、バリスタ素子表面に設けられた電極とＳｉＯ2は
反応しないので選択的に電極形成部分を除く、バリスタ
素子表面に、高抵抗層が形成され、前記電極上にメッキ
することができる。また、この高抵抗層は、緻密で均一
な厚みを有するので、メッキ流れや余分な水分などが浸
入するのを防ぐことができるので、耐湿性、耐メッキ性
に優れたバリスタを得ることができる。
【０００７】さらに、積層型のバリスタの場合、外部電
極とバリスタ素子の間にも、高抵抗層が形成されるの
で、内部電極の遊端と、対向する外部電極の距離を短く
することができる。すなわち、内部電極の面積を大きく
することができるので、サージ耐量の大きなバリスタを
得ることができる。
極とバリスタ素子の間にも、高抵抗層が形成されるの
で、内部電極の遊端と、対向する外部電極の距離を短く
することができる。すなわち、内部電極の面積を大きく
することができるので、サージ耐量の大きなバリスタを
得ることができる。
【０００８】なお外部電極のバリスタ素子側面に高抵抗
層が形成される理由は、現時点で明確になっていない
が、バリスタ素子の成分とＳｉＯ2とが反応して液相化
し、界面から液相化した高抵抗成分が素子内に浸入する
ためであると思われる。
層が形成される理由は、現時点で明確になっていない
が、バリスタ素子の成分とＳｉＯ2とが反応して液相化
し、界面から液相化した高抵抗成分が素子内に浸入する
ためであると思われる。
【０００９】
（実施例１）図１において、１はバリスタ素子で、その
内部にはＡｇ製の内部電極２が複数設けられている。こ
れらの内部電極２には、交互にバリスタ素子１の両端に
引き出され、その両端において、外部電極３と電気的に
接続されている。
内部にはＡｇ製の内部電極２が複数設けられている。こ
れらの内部電極２には、交互にバリスタ素子１の両端に
引き出され、その両端において、外部電極３と電気的に
接続されている。
【００１０】また、内部電極２間、及びその外側に積層
されたセラミックシート１ａは、ＺｎＯを主成分とし、
副成分としてＢｉ2Ｏ3，Ｃｏ2Ｏ3，ＭｎＯ2，Ｓｂ
2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3等を含んでいる。
されたセラミックシート１ａは、ＺｎＯを主成分とし、
副成分としてＢｉ2Ｏ3，Ｃｏ2Ｏ3，ＭｎＯ2，Ｓｂ
2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3等を含んでいる。
【００１１】図２は製造工程を示し、セラミックシート
１ａは図２において（５）で示すごとく原料の混合、粉
砕、スラリー化、シート成形により作製した。次にこの
セラミックシート１ａと、内部電極２とを積層（６）
し、それを切断（７）し、９３０℃で３０分間焼成
（８）後、シェーカーで１時間、セラミック素子１の表
面の面取（９）をした。
１ａは図２において（５）で示すごとく原料の混合、粉
砕、スラリー化、シート成形により作製した。次にこの
セラミックシート１ａと、内部電極２とを積層（６）
し、それを切断（７）し、９３０℃で３０分間焼成
（８）後、シェーカーで１時間、セラミック素子１の表
面の面取（９）をした。
【００１２】次に、セラミック素子１の両端面にＡｇ電
極ペーストを塗布（１０）し、７５０℃〜８５０℃でＡ
ｇ電極焼付（１１）し、その後、図３に示すごとくＳｉ
Ｏ2を主成分とする混合物１５にバリスタ素子１を埋没
させ、空気中あるいは酸素雰囲気中で７５０℃〜９５０
℃で５分〜１０時間、焼成した（図２の１２）。
極ペーストを塗布（１０）し、７５０℃〜８５０℃でＡ
ｇ電極焼付（１１）し、その後、図３に示すごとくＳｉ
Ｏ2を主成分とする混合物１５にバリスタ素子１を埋没
させ、空気中あるいは酸素雰囲気中で７５０℃〜９５０
℃で５分〜１０時間、焼成した（図２の１２）。
【００１３】この焼成により、バリスタ素子１の主成分
ＺｎＯと、ＳｉＯ2が反応して、主にＺｎ2ＳｉＯ4から
なる高抵抗層４ａが前記バリスタ素子１表面上に形成さ
れる。また、バリスタ素子１に副成分として、Ｂｉ2Ｏ3
を添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3がＳｉＯ2と反応して、主に
Ｚｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａと、この高抵抗層４
ａの上に、主にＢｉ4(ＳｉＯ4)3からなる高抵抗層４ｂ
とがバリスタ素子１の表面上に形成される。
ＺｎＯと、ＳｉＯ2が反応して、主にＺｎ2ＳｉＯ4から
なる高抵抗層４ａが前記バリスタ素子１表面上に形成さ
れる。また、バリスタ素子１に副成分として、Ｂｉ2Ｏ3
を添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3がＳｉＯ2と反応して、主に
Ｚｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａと、この高抵抗層４
ａの上に、主にＢｉ4(ＳｉＯ4)3からなる高抵抗層４ｂ
とがバリスタ素子１の表面上に形成される。
【００１４】また、バリスタ素子１の副成分としてＢ2
Ｏ3を添加した場合、Ｂ2Ｏ3がＳｉＯ 2と反応して、主に
Ｚｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａと、この上に、主に
Ｂ2(ＳｉＯ4)3からなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素子
１の表面上に形成される。
Ｏ3を添加した場合、Ｂ2Ｏ3がＳｉＯ 2と反応して、主に
Ｚｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａと、この上に、主に
Ｂ2(ＳｉＯ4)3からなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素子
１の表面上に形成される。
【００１５】さらに、バリスタ素子１に、副成分とし
て、Ｂｉ2Ｏ3とＢ2Ｏ3とを添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3とＢ
2Ｏ3とがＳｉＯ2と反応して、主にＺｎ2ＳｉＯ4からな
る高抵抗層４ａと、この上に、主にＢｉ4(ＳｉＯ4)3と
Ｂ2(ＳｉＯ4)3とからなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素
子１の表面上に形成される。これら反応により生じた物
質は、バリスタの特性への悪影響は生じず、バリスタと
して極めて特性の優れたものが得られる。ここで重要な
ことは、図３に示すごとく個々のバリスタ素子１を全て
ＳｉＯ2を主成分とする混合物１５に埋没させておくこ
とである。そのために、まずアルミナのるつぼ１６の中
に所定の厚さでＳｉＯ2を主成分とする混合物１５を敷
きつめ、その上に、バリスタ素子１を隣接するものと接
触しないように並べ、その状態でＳｉＯ2を主成分とす
る混合物１５を充分に覆いかぶせた。この状態で焼成を
行った後に、バリスタ素子１表面と、外部電極３表面の
ＳｉＯ 2を主成分とする混合物１５を取り除いた。この
除去は例えば容器内にＳｉＣの玉石と純水とバリスタ素
子１とを入れて撹拌したり、エアーガンで複数のバリス
タ素子１を容器内で揺動させたりして行った。その後、
外部電極３表面に２Ａ，３０minで電解Ｎｉメッキ、そ
の上に０．６Ａ，３０minで半田メッキ（図２の１４）
を行い、バリスタを得た。
て、Ｂｉ2Ｏ3とＢ2Ｏ3とを添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3とＢ
2Ｏ3とがＳｉＯ2と反応して、主にＺｎ2ＳｉＯ4からな
る高抵抗層４ａと、この上に、主にＢｉ4(ＳｉＯ4)3と
Ｂ2(ＳｉＯ4)3とからなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素
子１の表面上に形成される。これら反応により生じた物
質は、バリスタの特性への悪影響は生じず、バリスタと
して極めて特性の優れたものが得られる。ここで重要な
ことは、図３に示すごとく個々のバリスタ素子１を全て
ＳｉＯ2を主成分とする混合物１５に埋没させておくこ
とである。そのために、まずアルミナのるつぼ１６の中
に所定の厚さでＳｉＯ2を主成分とする混合物１５を敷
きつめ、その上に、バリスタ素子１を隣接するものと接
触しないように並べ、その状態でＳｉＯ2を主成分とす
る混合物１５を充分に覆いかぶせた。この状態で焼成を
行った後に、バリスタ素子１表面と、外部電極３表面の
ＳｉＯ 2を主成分とする混合物１５を取り除いた。この
除去は例えば容器内にＳｉＣの玉石と純水とバリスタ素
子１とを入れて撹拌したり、エアーガンで複数のバリス
タ素子１を容器内で揺動させたりして行った。その後、
外部電極３表面に２Ａ，３０minで電解Ｎｉメッキ、そ
の上に０．６Ａ，３０minで半田メッキ（図２の１４）
を行い、バリスタを得た。
【００１６】得られたバリスタの断面から、メッキの厚
みは、Ｎｉメッキが１．２μｍ、半田メッキは１．３μ
ｍであった。
みは、Ｎｉメッキが１．２μｍ、半田メッキは１．３μ
ｍであった。
【００１７】また、耐メッキ性を調べ（表１）に示し
た。
た。
【００１８】
【表１】
【００１９】（表１）に示すように、高抵抗層４ａ，４
ｂを有していないバリスタ素子１にメッキを行うと、外
部電極３の形成部分以外のバリスタ素子１の表面積の１
００％がメッキされてしまう。
ｂを有していないバリスタ素子１にメッキを行うと、外
部電極３の形成部分以外のバリスタ素子１の表面積の１
００％がメッキされてしまう。
【００２０】また、従来のように、バリスタ素子１の表
面にガラスによる高抵抗層を形成したものは、７〜８％
メッキされた。しかし、本実施例によるものは、バリス
タ素子１の外部電極３形成部分以外は全くメッキされな
かった。
面にガラスによる高抵抗層を形成したものは、７〜８％
メッキされた。しかし、本実施例によるものは、バリス
タ素子１の外部電極３形成部分以外は全くメッキされな
かった。
【００２１】また、本発明のバリスタは、メッキ時も、
メッキ液による、バリスタ素子１の腐食が起きないの
で、優れた特性を有するものである。
メッキ液による、バリスタ素子１の腐食が起きないの
で、優れた特性を有するものである。
【００２２】（実施例２）実施例１と同様にして、外部
電極３塗布（１０）後のバリスタ素子１を、図３に示す
ごとく、ＳｉＯ2を主成分とする混合物１５に、埋没さ
せ、この状態で、７５０〜９５０℃で５分〜１０時間焼
成した。その後、外部電極３上に、さらにＡｇ電極ペー
ストを塗布し、７５０〜８５０℃で１０〜６０分間Ａｇ
電極焼付を行い、次にメッキ（１４）を行ってバリスタ
を得た。
電極３塗布（１０）後のバリスタ素子１を、図３に示す
ごとく、ＳｉＯ2を主成分とする混合物１５に、埋没さ
せ、この状態で、７５０〜９５０℃で５分〜１０時間焼
成した。その後、外部電極３上に、さらにＡｇ電極ペー
ストを塗布し、７５０〜８５０℃で１０〜６０分間Ａｇ
電極焼付を行い、次にメッキ（１４）を行ってバリスタ
を得た。
【００２３】また、実施例２においてＳｉＯ2を主成分
とする混合物１５にバリスタ素子１を埋没させて反応さ
せた後、外部電極３上についたＳｉＯ2の反応物は実施
例１と同様に除去してから、さらに外部電極３の上にＡ
ｇを塗布して焼付てもよい。
とする混合物１５にバリスタ素子１を埋没させて反応さ
せた後、外部電極３上についたＳｉＯ2の反応物は実施
例１と同様に除去してから、さらに外部電極３の上にＡ
ｇを塗布して焼付てもよい。
【００２４】実施例１と同様に、実施例２においても、
バリスタ素子１の主成分ＺｎＯと、ＳｉＯ2が反応し
て、主にＺｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａが前記バリ
スタ素子１表面上に形成される。また、バリスタ素子１
に副成分として、Ｂｉ2Ｏ3が添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3が
ＳｉＯ2と反応して、主にＺｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗
層４ａと、この高抵抗層４ａの上に、主にＢｉ4(ＳｉＯ
4)3からなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素子１の表面上
に形成される。
バリスタ素子１の主成分ＺｎＯと、ＳｉＯ2が反応し
て、主にＺｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａが前記バリ
スタ素子１表面上に形成される。また、バリスタ素子１
に副成分として、Ｂｉ2Ｏ3が添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3が
ＳｉＯ2と反応して、主にＺｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗
層４ａと、この高抵抗層４ａの上に、主にＢｉ4(ＳｉＯ
4)3からなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素子１の表面上
に形成される。
【００２５】また、バリスタ素子１の副成分としてＢ2
Ｏ3を添加した場合、Ｂ2Ｏ3がＳｉＯ 2と反応して、主に
Ｚｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａと、この上に、主に
Ｂ2(ＳｉＯ4)3からなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素子
１の表面上に形成される。
Ｏ3を添加した場合、Ｂ2Ｏ3がＳｉＯ 2と反応して、主に
Ｚｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａと、この上に、主に
Ｂ2(ＳｉＯ4)3からなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素子
１の表面上に形成される。
【００２６】さらに、バリスタ素子１に、副成分とし
て、Ｂｉ2Ｏ3とＢ2Ｏ3とを添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3とＢ
2Ｏ3とがＳｉＯ2と反応して、主にＺｎ2ＳｉＯ4からな
る高抵抗層４ａと、この上に、主にＢｉ4(ＳｉＯ4)3と
Ｂ2(ＳｉＯ4)3とからなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素
子１の表面上に形成される。これら反応により生じた物
質は、バリスタの特性への悪影響は生じず、バリスタと
して、極めて優れた特性を有するものが得られる。
て、Ｂｉ2Ｏ3とＢ2Ｏ3とを添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3とＢ
2Ｏ3とがＳｉＯ2と反応して、主にＺｎ2ＳｉＯ4からな
る高抵抗層４ａと、この上に、主にＢｉ4(ＳｉＯ4)3と
Ｂ2(ＳｉＯ4)3とからなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素
子１の表面上に形成される。これら反応により生じた物
質は、バリスタの特性への悪影響は生じず、バリスタと
して、極めて優れた特性を有するものが得られる。
【００２７】（実施例３）実施例１と同様にして、面取
（９）後、図３に示すごとく、ＳｉＯ2を主成分とする
混合物１５にバリスタ素子１を埋没させ、この状態で７
５０℃〜９５０℃で５分〜１０時間、加熱する。加熱
後、外部電極３を塗布（１０）し、７５０℃〜８５０
℃、１０〜６０分でＡｇ電極焼付、メッキ（１４）を行
う。
（９）後、図３に示すごとく、ＳｉＯ2を主成分とする
混合物１５にバリスタ素子１を埋没させ、この状態で７
５０℃〜９５０℃で５分〜１０時間、加熱する。加熱
後、外部電極３を塗布（１０）し、７５０℃〜８５０
℃、１０〜６０分でＡｇ電極焼付、メッキ（１４）を行
う。
【００２８】実施例１と同様に、実施例３においても、
バリスタ素子１の主成分ＺｎＯと、ＳｉＯ2が反応し
て、主にＺｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａが前記バリ
スタ素子１表面上に形成される。また、バリスタ素子１
に副成分として、Ｂｉ2Ｏ3を添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3が
ＳｉＯ2と反応して、主にＺｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗
層４ａと、この高抵抗層４ａの上に、主にＢｉ4(ＳｉＯ
4)3からなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素子１の表面上
に形成される。
バリスタ素子１の主成分ＺｎＯと、ＳｉＯ2が反応し
て、主にＺｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａが前記バリ
スタ素子１表面上に形成される。また、バリスタ素子１
に副成分として、Ｂｉ2Ｏ3を添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3が
ＳｉＯ2と反応して、主にＺｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗
層４ａと、この高抵抗層４ａの上に、主にＢｉ4(ＳｉＯ
4)3からなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素子１の表面上
に形成される。
【００２９】また、バリスタ素子１の副成分としてＢ2
Ｏ3を添加した場合、Ｂ2Ｏ3がＳｉＯ 2と反応して、主に
Ｚｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａと、この上に、主に
Ｂ2(ＳｉＯ4)3からなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素子
１の表面上に形成される。
Ｏ3を添加した場合、Ｂ2Ｏ3がＳｉＯ 2と反応して、主に
Ｚｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａと、この上に、主に
Ｂ2(ＳｉＯ4)3からなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素子
１の表面上に形成される。
【００３０】さらに、バリスタ素子１に、副成分とし
て、Ｂｉ2Ｏ3とＢ2Ｏ3とを添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3とＢ
2Ｏ3とがＳｉＯ2と反応して、主にＺｎ2ＳｉＯ4からな
る高抵抗層４ａと、この上に、主にＢｉ4(ＳｉＯ4)3と
Ｂ2(ＳｉＯ4)3とからなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素
子１の表面上に形成される。これら反応により生じた物
質は、バリスタの特性への悪影響は生じず、バリスタと
して、極めて優れた特性を有するものが得られる。
て、Ｂｉ2Ｏ3とＢ2Ｏ3とを添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3とＢ
2Ｏ3とがＳｉＯ2と反応して、主にＺｎ2ＳｉＯ4からな
る高抵抗層４ａと、この上に、主にＢｉ4(ＳｉＯ4)3と
Ｂ2(ＳｉＯ4)3とからなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素
子１の表面上に形成される。これら反応により生じた物
質は、バリスタの特性への悪影響は生じず、バリスタと
して、極めて優れた特性を有するものが得られる。
【００３１】（実施例４）実施例１と同様にして、セラ
ミック素子１を得た後、(ＣＨ3Ｏ)4Ｓｉ，(Ｃ2Ｈ 5Ｏ)4
Ｓｉ，(Ｃ3Ｈ7Ｏ)4Ｓｉ，(Ｃ4Ｈ9Ｏ)4Ｓｉのうち少なく
とも１種類以上含む液体に、セラミック素子１を浸漬さ
せ、その後、空気中あるいは酸素雰囲気中で、７００〜
８５０℃で３０分間焼成して高抵抗層４ａ，４ｂを形成
した。このようにバリスタ素子１を上記液体に浸漬する
ことにより、この液体が、バリスタ素子１の表面に入り
込み、接触面積が広くなり、反応性が良くなると共に均
一な厚さの膜が得られる。
ミック素子１を得た後、(ＣＨ3Ｏ)4Ｓｉ，(Ｃ2Ｈ 5Ｏ)4
Ｓｉ，(Ｃ3Ｈ7Ｏ)4Ｓｉ，(Ｃ4Ｈ9Ｏ)4Ｓｉのうち少なく
とも１種類以上含む液体に、セラミック素子１を浸漬さ
せ、その後、空気中あるいは酸素雰囲気中で、７００〜
８５０℃で３０分間焼成して高抵抗層４ａ，４ｂを形成
した。このようにバリスタ素子１を上記液体に浸漬する
ことにより、この液体が、バリスタ素子１の表面に入り
込み、接触面積が広くなり、反応性が良くなると共に均
一な厚さの膜が得られる。
【００３２】本実施例においても、実施例１と同様にバ
リスタ素子１の主成分ＺｎＯと、ＳｉＯ2が反応して、
主にＺｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａが前記バリスタ
素子１表面上に形成される。また、バリスタ素子１に副
成分として、Ｂｉ2Ｏ3を添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3がＳｉ
Ｏ2と反応して、主にＺｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４
ａと、この高抵抗層４ａの上に、主にＢｉ4(ＳｉＯ4)3
からなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素子１の表面上に形
成される。
リスタ素子１の主成分ＺｎＯと、ＳｉＯ2が反応して、
主にＺｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａが前記バリスタ
素子１表面上に形成される。また、バリスタ素子１に副
成分として、Ｂｉ2Ｏ3を添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3がＳｉ
Ｏ2と反応して、主にＺｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４
ａと、この高抵抗層４ａの上に、主にＢｉ4(ＳｉＯ4)3
からなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素子１の表面上に形
成される。
【００３３】また、バリスタ素子１の副成分としてＢ2
Ｏ3を添加した場合、Ｂ2Ｏ3がＳｉＯ 2と反応して、主に
Ｚｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａと、この上に、主に
Ｂ2(ＳｉＯ4)3からなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素子
１の表面上に形成される。
Ｏ3を添加した場合、Ｂ2Ｏ3がＳｉＯ 2と反応して、主に
Ｚｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａと、この上に、主に
Ｂ2(ＳｉＯ4)3からなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素子
１の表面上に形成される。
【００３４】さらに、バリスタ素子１に、副成分とし
て、Ｂｉ2Ｏ3とＢ2Ｏ3とを添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3とＢ
2Ｏ3とがＳｉＯ2と反応して、主にＺｎ2ＳｉＯ4からな
る高抵抗層４ａと、この上に、主にＢｉ4(ＳｉＯ4)3と
Ｂ2(ＳｉＯ4)3とからなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素
子１の表面上に形成される。これら反応により生じた物
質は、バリスタの特性への悪影響は生じず、バリスタと
して、極めて優れた特性を有するものが得られる。
て、Ｂｉ2Ｏ3とＢ2Ｏ3とを添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3とＢ
2Ｏ3とがＳｉＯ2と反応して、主にＺｎ2ＳｉＯ4からな
る高抵抗層４ａと、この上に、主にＢｉ4(ＳｉＯ4)3と
Ｂ2(ＳｉＯ4)3とからなる高抵抗層４ｂとがバリスタ素
子１の表面上に形成される。これら反応により生じた物
質は、バリスタの特性への悪影響は生じず、バリスタと
して、極めて優れた特性を有するものが得られる。
【００３５】なお実施例１〜４においてＳｉＯ2を主成
分とする混合物１５にバリスタ素子１を埋没させる場
合、図４のように埋め込むだけでも高抵抗層は形成され
るが、反応性を考えた場合、図３のようにアルミナのる
つぼ１６中で反応させ、さらにおもしなどをして、圧力
をかけてＳｉＯ2を主成分とする混合物１５とバリスタ
素子１との密着性を上げた方がよい。また、ニッケル製
あるいは磁器製等のバリスタ素子１と反応しない材料で
できた容器内にニッケルあるいはジルコニア等のバリス
タ素子１と反応しない玉石と、バリスタ素子１とＳｉＯ
2を主成分とする混合物１５とを入れ、回転させながら
撹拌して反応を行うと、より均一に反応させることがで
きると思われる。
分とする混合物１５にバリスタ素子１を埋没させる場
合、図４のように埋め込むだけでも高抵抗層は形成され
るが、反応性を考えた場合、図３のようにアルミナのる
つぼ１６中で反応させ、さらにおもしなどをして、圧力
をかけてＳｉＯ2を主成分とする混合物１５とバリスタ
素子１との密着性を上げた方がよい。また、ニッケル製
あるいは磁器製等のバリスタ素子１と反応しない材料で
できた容器内にニッケルあるいはジルコニア等のバリス
タ素子１と反応しない玉石と、バリスタ素子１とＳｉＯ
2を主成分とする混合物１５とを入れ、回転させながら
撹拌して反応を行うと、より均一に反応させることがで
きると思われる。
【００３６】また、液体に浸漬したバリスタ素子を実施
例１〜３と同様に、混合物１５に埋没させて、高抵抗層
４ａ，４ｂを形成するとさらに均一な厚さを有する緻密
なものが形成できる。
例１〜３と同様に、混合物１５に埋没させて、高抵抗層
４ａ，４ｂを形成するとさらに均一な厚さを有する緻密
なものが形成できる。
【００３７】さらに、玉石は、バリスタ素子１よりも小
さいものを用いることが好ましい。また混合物１５はＳ
ｉＯ2を主成分とする粉体であるが、バリスタ素子１と
の反応性を良くするために、粒径を２μｍ以下にするこ
とが望ましい。そして、ＳｉＯ2以外に混合物１５に用
いる粉体として、マンガン、鉄、ニッケル、アンチモ
ン、アルミニウム、ジルコニア等の酸化物が望ましい。
さいものを用いることが好ましい。また混合物１５はＳ
ｉＯ2を主成分とする粉体であるが、バリスタ素子１と
の反応性を良くするために、粒径を２μｍ以下にするこ
とが望ましい。そして、ＳｉＯ2以外に混合物１５に用
いる粉体として、マンガン、鉄、ニッケル、アンチモ
ン、アルミニウム、ジルコニア等の酸化物が望ましい。
【００３８】この混合比や加熱温度、その時間を調整す
ることにより膜厚を制御できる。また、高抵抗層を形成
する際、１２００℃以下にすることが望ましい。という
のは１２００℃を越えるとＳｉがガラス化してしまい、
バリスタ素子１同士がひっついてしまうからである。
ることにより膜厚を制御できる。また、高抵抗層を形成
する際、１２００℃以下にすることが望ましい。という
のは１２００℃を越えるとＳｉがガラス化してしまい、
バリスタ素子１同士がひっついてしまうからである。
【００３９】そして昇温を一気に行うことにより、バリ
スタ素子１の成分が蒸発して、ポアになるのを防ぐこと
ができる。これに対して降温は、特に５００〜８００℃
の間は、５０℃／ｈで降温させることが望ましい。これ
により、バリスタ素子１の内部に酸素が十分に供給さ
れ、低電流領域でのバリスタ特性が向上する。
スタ素子１の成分が蒸発して、ポアになるのを防ぐこと
ができる。これに対して降温は、特に５００〜８００℃
の間は、５０℃／ｈで降温させることが望ましい。これ
により、バリスタ素子１の内部に酸素が十分に供給さ
れ、低電流領域でのバリスタ特性が向上する。
【００４０】また、本発明のバリスタと従来のバリスタ
の湿中負荷試験を行い、その結果を図５に示した。
の湿中負荷試験を行い、その結果を図５に示した。
【００４１】図５を見るとわかるように、従来のバリス
タは１００時間を過ぎると
タは１００時間を過ぎると
【００４２】
【外１】
【００４３】が大きく変化するが、本発明のバリスタ
は、ほとんど変化していない。このように、本発明のバ
リスタは従来のものと比較すると非常に耐湿性に優れて
いることがわかる。
は、ほとんど変化していない。このように、本発明のバ
リスタは従来のものと比較すると非常に耐湿性に優れて
いることがわかる。
【００４４】また、（表２）に、サージ耐量に対する必
要な無効層厚みを示している。
要な無効層厚みを示している。
【００４５】
【表２】
【００４６】（表２）によると、従来のバリスタは、も
れ電流を防ぐため、サージ耐量が５００Ａのバリスタで
は、無効層の厚みを有効層一層の厚みの２倍に、また２
００Ａのバリスタでは、無効層の厚みを有効層一層の厚
みと同じに最低限しなければならなかった。しかし、本
発明のバリスタは、サージ耐量が１０００Ａのバリスタ
でも、無効層の厚みを有効層一層の厚みの０．２倍にし
ても、外部電極３とバリスタ素子１の間に高抵抗層４
ａ，４ｂが介在しているので、もれ電流を防ぐことがで
きる。
れ電流を防ぐため、サージ耐量が５００Ａのバリスタで
は、無効層の厚みを有効層一層の厚みの２倍に、また２
００Ａのバリスタでは、無効層の厚みを有効層一層の厚
みと同じに最低限しなければならなかった。しかし、本
発明のバリスタは、サージ耐量が１０００Ａのバリスタ
でも、無効層の厚みを有効層一層の厚みの０．２倍にし
ても、外部電極３とバリスタ素子１の間に高抵抗層４
ａ，４ｂが介在しているので、もれ電流を防ぐことがで
きる。
【００４７】さらに、図１に示した積層型のバリスタの
場合、外部電極３とバリスタ素子１の間にも、高抵抗層
３ａが形成されるので、内部電極２の遊端２ａと、対向
する外部電極３の距離を短くすることができる。すなわ
ち、内部電極２の面積を大きくすることができるので、
サージ耐量の大きなバリスタを得ることができる。
場合、外部電極３とバリスタ素子１の間にも、高抵抗層
３ａが形成されるので、内部電極２の遊端２ａと、対向
する外部電極３の距離を短くすることができる。すなわ
ち、内部電極２の面積を大きくすることができるので、
サージ耐量の大きなバリスタを得ることができる。
【００４８】なお外部電極３の内面側にも高抵抗層３ａ
が形成される理由は現時点で十分判明していないが、バ
リスタ素子の成分とＳｉＯ2とが、反応して液相化し、
界面から液相化した高抵抗成分が素子内に浸入するため
であると思われる。
が形成される理由は現時点で十分判明していないが、バ
リスタ素子の成分とＳｉＯ2とが、反応して液相化し、
界面から液相化した高抵抗成分が素子内に浸入するため
であると思われる。
【００４９】
【発明の効果】以上のように、本発明はバリスタ素子表
面の電極に覆れていない部分に、主成分がＺｎ2ＳｉＯ4
の高抵抗層、あるいは下層がＺｎ2ＳｉＯ4を主成分とす
る高抵抗層、上層がＢｉ4(ＳｉＯ4)3を主成分とする高
抵抗層、あるいは下層がＺｎ2ＳｉＯ4を主成分とする高
抵抗層、上層がＢ2(ＳｉＯ4)3を主成分とする高抵抗
層、あるいは、下層がＺｎ2ＳｉＯ4を主成分とする高抵
抗層、上層が主にＢｉ4(ＳｉＯ4)3とＢ2(ＳｉＯ4)3から
なる高抵抗層を形成するものである。
面の電極に覆れていない部分に、主成分がＺｎ2ＳｉＯ4
の高抵抗層、あるいは下層がＺｎ2ＳｉＯ4を主成分とす
る高抵抗層、上層がＢｉ4(ＳｉＯ4)3を主成分とする高
抵抗層、あるいは下層がＺｎ2ＳｉＯ4を主成分とする高
抵抗層、上層がＢ2(ＳｉＯ4)3を主成分とする高抵抗
層、あるいは、下層がＺｎ2ＳｉＯ4を主成分とする高抵
抗層、上層が主にＢｉ4(ＳｉＯ4)3とＢ2(ＳｉＯ4)3から
なる高抵抗層を形成するものである。
【００５０】これらの高抵抗層は、緻密で均一な厚さを
有するので不要な水分などがバリスタ素子内に浸入し
て、バリスタ特性を劣化させることがない。また、メッ
キ時も、メッキ流れを起こしショート不良が発生するの
を防ぐことができる。さらに、無効層の厚みを従来より
も薄くすることができるので、小型化を図ることができ
る。このように、本発明の高抵抗層は耐薬品性、耐湿性
に優れているので、優れた特性を有するバリスタを得る
ことができる。
有するので不要な水分などがバリスタ素子内に浸入し
て、バリスタ特性を劣化させることがない。また、メッ
キ時も、メッキ流れを起こしショート不良が発生するの
を防ぐことができる。さらに、無効層の厚みを従来より
も薄くすることができるので、小型化を図ることができ
る。このように、本発明の高抵抗層は耐薬品性、耐湿性
に優れているので、優れた特性を有するバリスタを得る
ことができる。
【００５１】さらに、積層型のバリスタの場合、外部電
極とバリスタ素子の間にも、高抵抗層が形成されるの
で、内部電極の遊端と、対向する外部電極の距離を短く
することができる。すなわち、内部電極の面積を大きく
することができるので、サージ耐量の大きなバリスタを
得ることができる。
極とバリスタ素子の間にも、高抵抗層が形成されるの
で、内部電極の遊端と、対向する外部電極の距離を短く
することができる。すなわち、内部電極の面積を大きく
することができるので、サージ耐量の大きなバリスタを
得ることができる。
【図１】本発明の一実施例におけるバリスタの断面図
【図２】本発明の一実施例におけるバリスタの製造工程
図
図
【図３】本発明の一実施例における焼成工程の説明図
【図４】本発明の一実施例における焼成工程の説明図
【図５】本発明の一実施例におけるバリスタの耐湿性を
表す特性曲線図
表す特性曲線図
１ バリスタ素子 ２ 内部電極 ２ａ 遊端 ３ 外部電極 ３ａ 高抵抗層 ４ａ 高抵抗層 ４ｂ 高抵抗層
Claims (10)
- 【請求項１】 ＺｎＯを主成分とするバリスタ素子と、
前記バリスタ素子の表面に設けた電極と、前記バリスタ
素子表面の少なくとも前記電極に覆われていない部分に
設けた高抵抗層とを備え、前記高抵抗層はＺｎ−Ｓｉ−
Ｏ系の物質を主成分とするバリスタ。 - 【請求項２】 バリスタ素子と、前記バリスタ素子の表
面に設けた電極と、前記バリスタ素子表面の少なくとも
前記電極に覆われていない部分に設けた第１の高抵抗層
と、前記第１の高抵抗層の上に設けた第２の高抵抗層と
を備え、前記バリスタ素子はＺｎＯを主成分とし、副成
分として少なくともＢｉを含有し、前記第１の高抵抗層
はＺｎ−Ｓｉ−Ｏ系の物質を主成分とし、前記第２の高
抵抗層はＢｉ−Ｓｉ−Ｏ系の物質を主成分とするバリス
タ。 - 【請求項３】 バリスタ素子と、前記バリスタ素子の表
面に設けた電極と、前記バリスタ素子表面の少なくとも
前記電極に覆われていない部分に設けた第１の高抵抗層
と、前記第１の高抵抗層の上に設けた第２の高抵抗層と
を備え、前記バリスタ素子はＺｎＯを主成分とし、副成
分として少なくともＢを含有し、前記第１の高抵抗層は
Ｚｎ−Ｓｉ−Ｏ系の物質を主成分とし、前記第２の高抵
抗層はＢ−Ｓｉ−Ｏ系の物質を主成分とするバリスタ。 - 【請求項４】 バリスタ素子と、前記バリスタ素子の表
面に設けた電極と、前記バリスタ素子表面の少なくとも
前記電極に覆われていない部分に設けた第１の高抵抗層
と、前記第１の高抵抗層の上に設けた第２の高抵抗層と
を備え、前記バリスタ素子はＺｎＯを主成分とし、副成
分として少なくともＢｉ，Ｂを含有し、前記第１の高抵
抗層はＺｎ−Ｓｉ−Ｏ系の物質を主成分とし、前記第２
の高抵抗層はＢｉ−Ｓｉ−Ｏ系の物質と、Ｂ−Ｓｉ−Ｏ
系の物質とを主成分とするバリスタ。 - 【請求項５】 バリスタ素子と、前記バリスタ素子の内
部に設けた内部電極と、前記バリスタ素子の両端面に、
前記内部電極と電気的に接続するように設けた外部電極
と、前記バリスタ素子表面の少なくとも前記電極で覆わ
れていない部分に設けた高抵抗層とを備え、前記内部電
極の遊端に対向する前記外部電極の前記バリスタ素子側
面に高抵抗層を設けたバリスタ。 - 【請求項６】 ＺｎＯを主成分とする原材料を成形して
バリスタ素子を得、次に前記バリスタ素子表面に電極を
形成し、次に前記バリスタ素子の表面にＳｉＯ 2を主成
分とする混合物を配して焼成し、前記バリスタ素子の表
面に高抵抗層を形成するバリスタの製造方法。 - 【請求項７】 ＺｎＯを主成分とする原材料を成形して
バリスタ素子を得、次に前記バリスタ素子の表面に第１
の電極を形成し、次に前記バリスタ素子の表面にＳｉＯ
2を主成分とする混合物を配して焼成し、前記バリスタ
素子表面に高抵抗層を形成後、前記第１の電極上に第２
の電極を形成するバリスタの製造方法。 - 【請求項８】 ＺｎＯを主成分とする原材料を成形して
バリスタ素子を得、次に前記バリスタ素子の表面にＳｉ
Ｏ2を主成分とする混合物を配して焼成して前記素子表
面に高抵抗層を形成し、次に前記バリスタ素子の表面に
電極を形成するバリスタの製造方法。 - 【請求項９】 ＺｎＯを主成分とする原材料を成形して
バリスタ素子を得、次に前記バリスタ素子を、ケイ素化
合物を含む液体に浸漬し、その後、前記バリスタ素子を
焼成して、前記バリスタ素子の表面に高抵抗層を形成す
るバリスタの製造方法。 - 【請求項１０】 ケイ素化合物として、(ＣＨ3Ｏ)4Ｓ
ｉ，(Ｃ2Ｈ5Ｏ)4Ｓｉ，(Ｃ3Ｈ7Ｏ)4Ｓｉ，(Ｃ4Ｈ9Ｏ)4
Ｓｉのうち少なくとも一種類以上を用いる請求項９記載
のバリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16795294A JP3453857B2 (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | 積層型バリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16795294A JP3453857B2 (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | 積層型バリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831616A true JPH0831616A (ja) | 1996-02-02 |
| JP3453857B2 JP3453857B2 (ja) | 2003-10-06 |
Family
ID=15859095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16795294A Expired - Fee Related JP3453857B2 (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | 積層型バリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3453857B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7075405B2 (en) | 2002-12-17 | 2006-07-11 | Tdk Corporation | Multilayer chip varistor and method of manufacturing the same |
| US7277003B2 (en) | 2004-01-14 | 2007-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrostatic discharge protection component |
| US7283032B2 (en) | 2004-03-15 | 2007-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Static electricity countermeasure component |
| JP2010073759A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Tdk Corp | 積層型チップバリスタ及び電子部品 |
| US7741949B2 (en) | 2005-03-25 | 2010-06-22 | Panasonic Corporation | Varistor |
| US7864025B2 (en) | 2004-04-02 | 2011-01-04 | Panasonic Corporation | Component with countermeasure to static electricity |
| US7940155B2 (en) | 2005-04-01 | 2011-05-10 | Panasonic Corporation | Varistor and electronic component module using same |
| US8237048B2 (en) | 2005-03-04 | 2012-08-07 | Panasonic Corporation | Multilayer organic solar cell |
| CN102856027A (zh) * | 2012-09-07 | 2013-01-02 | 广州新莱福磁电有限公司 | 环形压敏电阻器及其制备方法 |
| JP2017195310A (ja) * | 2016-04-21 | 2017-10-26 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| US10541078B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-01-21 | Tdk Corporation | Electronic component |
| JP2020119935A (ja) * | 2019-01-21 | 2020-08-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 積層バリスタおよびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5221166B2 (ja) | 2008-02-20 | 2013-06-26 | スタンレー電気株式会社 | ＺｎＯ系半導体素子とその製造方法及び光半導体素子 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5654002A (en) * | 1979-10-08 | 1981-05-13 | Hitachi Ltd | Voltage nonlinear resistor |
| JPS62282410A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | 松下電器産業株式会社 | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 |
| JPH0348401A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-01 | Ngk Insulators Ltd | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
| JPH03173402A (ja) * | 1989-12-02 | 1991-07-26 | Murata Mfg Co Ltd | チップバリスタ |
| JPH0468502A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-04 | Murata Mfg Co Ltd | バリスタの製造方法 |
| JPH0547513A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-02-26 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型バリスタの製造方法 |
| JPH05251210A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-09-28 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性チップ型セラミック素子及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-07-20 JP JP16795294A patent/JP3453857B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5654002A (en) * | 1979-10-08 | 1981-05-13 | Hitachi Ltd | Voltage nonlinear resistor |
| JPS62282410A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | 松下電器産業株式会社 | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 |
| JPH0348401A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-01 | Ngk Insulators Ltd | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
| JPH03173402A (ja) * | 1989-12-02 | 1991-07-26 | Murata Mfg Co Ltd | チップバリスタ |
| JPH0468502A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-04 | Murata Mfg Co Ltd | バリスタの製造方法 |
| JPH0547513A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-02-26 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型バリスタの製造方法 |
| JPH05251210A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-09-28 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性チップ型セラミック素子及びその製造方法 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7075405B2 (en) | 2002-12-17 | 2006-07-11 | Tdk Corporation | Multilayer chip varistor and method of manufacturing the same |
| US7277003B2 (en) | 2004-01-14 | 2007-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrostatic discharge protection component |
| US7283032B2 (en) | 2004-03-15 | 2007-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Static electricity countermeasure component |
| US7864025B2 (en) | 2004-04-02 | 2011-01-04 | Panasonic Corporation | Component with countermeasure to static electricity |
| US8237048B2 (en) | 2005-03-04 | 2012-08-07 | Panasonic Corporation | Multilayer organic solar cell |
| US7741949B2 (en) | 2005-03-25 | 2010-06-22 | Panasonic Corporation | Varistor |
| US7940155B2 (en) | 2005-04-01 | 2011-05-10 | Panasonic Corporation | Varistor and electronic component module using same |
| JP2010073759A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Tdk Corp | 積層型チップバリスタ及び電子部品 |
| CN102856027A (zh) * | 2012-09-07 | 2013-01-02 | 广州新莱福磁电有限公司 | 环形压敏电阻器及其制备方法 |
| CN102856027B (zh) * | 2012-09-07 | 2016-03-02 | 广州新莱福磁电有限公司 | 环形压敏电阻器及其制备方法 |
| JP2017195310A (ja) * | 2016-04-21 | 2017-10-26 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| US10541078B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-01-21 | Tdk Corporation | Electronic component |
| US11482371B2 (en) | 2016-04-21 | 2022-10-25 | Tdk Corporation | Electronic component |
| JP2020119935A (ja) * | 2019-01-21 | 2020-08-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 積層バリスタおよびその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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