JPH0831430B2 - タングステンプラグ製造方法 - Google Patents
タングステンプラグ製造方法Info
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- JPH0831430B2 JPH0831430B2 JP5295673A JP29567393A JPH0831430B2 JP H0831430 B2 JPH0831430 B2 JP H0831430B2 JP 5295673 A JP5295673 A JP 5295673A JP 29567393 A JP29567393 A JP 29567393A JP H0831430 B2 JPH0831430 B2 JP H0831430B2
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子のコンクタト
ホールにタングステンプラグ等の金属プラグを製造する
方法に関し、特に、深さが異なるコンタクトホールに選
択的にタングステンプラグを形成して後工程の金属ステ
ップカバレーヘジ（ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）を向
上させることができ、又コンクタト抵抗を低減させるこ
とができるタングステンプラグ製造方法に関するもので
ある。
ホールにタングステンプラグ等の金属プラグを製造する
方法に関し、特に、深さが異なるコンタクトホールに選
択的にタングステンプラグを形成して後工程の金属ステ
ップカバレーヘジ（ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）を向
上させることができ、又コンクタト抵抗を低減させるこ
とができるタングステンプラグ製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造工程には、接続部を形
成するため基板上の絶縁層にコンタクトホールを形成
し、前記コンタクトホール内に適切な金属、例えばタン
グステンを埋め込み基板と上部の金属層の間を導電させ
る段階が含まれる。このような接続部を形成する際の問
題としては、第一に、コンクタトホール内に形成される
プラグとのその上部の金属層の間の抵抗が増加されるこ
とであり、第二に、コンタクトホールの深さが相違する
場合に２回以上の工程でプラグを形成する際、コンタク
トホール内で成長される、例えばタングステンプラグの
高さを適切に調節できないと言う問題点が発生すること
になる。
成するため基板上の絶縁層にコンタクトホールを形成
し、前記コンタクトホール内に適切な金属、例えばタン
グステンを埋め込み基板と上部の金属層の間を導電させ
る段階が含まれる。このような接続部を形成する際の問
題としては、第一に、コンクタトホール内に形成される
プラグとのその上部の金属層の間の抵抗が増加されるこ
とであり、第二に、コンタクトホールの深さが相違する
場合に２回以上の工程でプラグを形成する際、コンタク
トホール内で成長される、例えばタングステンプラグの
高さを適切に調節できないと言う問題点が発生すること
になる。
【０００３】このような問題点を解決するために、先行
技術ではタングステンプラグのコンタクト抵抗を低減さ
せながらタングステンプラグを形成する方法、成長した
タングステンプラグの上面を平滑化処理して配線の信頼
性を向上させる方法、あるいは、コンタクトホールの上
部開口部周縁部をテーパ加工して最上部に形成する金属
層のステップカバレージを向上させる方法等が提案され
ていた。
技術ではタングステンプラグのコンタクト抵抗を低減さ
せながらタングステンプラグを形成する方法、成長した
タングステンプラグの上面を平滑化処理して配線の信頼
性を向上させる方法、あるいは、コンタクトホールの上
部開口部周縁部をテーパ加工して最上部に形成する金属
層のステップカバレージを向上させる方法等が提案され
ていた。
【０００４】しかし、このような先行技術においてはタ
ングステンプラグを異なる工程により形成する際に、そ
の高さの調節に困難性があることをが認識されておら
ず、したがって、これに対する解決方案の提示もされて
いなかった。また、このような課題と共にコンタクト抵
抗を低減せしめる方法も提示されていなかった。
ングステンプラグを異なる工程により形成する際に、そ
の高さの調節に困難性があることをが認識されておら
ず、したがって、これに対する解決方案の提示もされて
いなかった。また、このような課題と共にコンタクト抵
抗を低減せしめる方法も提示されていなかった。
【０００５】このような従来技術での問題点を添付され
た図５内至図６を参照し詳しく説明する。
た図５内至図６を参照し詳しく説明する。
【０００６】図５は、シリコン基板１とフィールド酸化
膜２の上部に第１絶縁層３が形成され、フィールド酸化
膜２上部の所定部分に導電配線４が形成され、その上
に、さらに全体的に第２絶縁層５が形成された構造にお
いて、シリコン基板１が露出されたコンタクトホール７
が形成されており、前記導電配線４が露出されるコンタ
クトホール７が点線で示された状態を表した断面図であ
る。シリコン基板１が露出されている深い第１コンタク
トホール７は、先ずコンタクトマスク用感光膜パターン
６を第２絶縁層５上に形成し、露出された第２絶縁層５
とその下部の第１絶縁層３をエッチングして形成する。
図６は、前記第１感光膜パターン６を除去した後、第１
コンタクトホール７に第１タングステンプラグ８をその
上面が第２絶縁層５の表面よりも低く位置するよう所定
肉厚に形成した断面図である。前記第１タングステンプ
ラグ８が満たされないことにより残った第１コンタクト
ホールの深さは、後に形成する第２コンタクトホールの
深さと近似するようにすべきである。
膜２の上部に第１絶縁層３が形成され、フィールド酸化
膜２上部の所定部分に導電配線４が形成され、その上
に、さらに全体的に第２絶縁層５が形成された構造にお
いて、シリコン基板１が露出されたコンタクトホール７
が形成されており、前記導電配線４が露出されるコンタ
クトホール７が点線で示された状態を表した断面図であ
る。シリコン基板１が露出されている深い第１コンタク
トホール７は、先ずコンタクトマスク用感光膜パターン
６を第２絶縁層５上に形成し、露出された第２絶縁層５
とその下部の第１絶縁層３をエッチングして形成する。
図６は、前記第１感光膜パターン６を除去した後、第１
コンタクトホール７に第１タングステンプラグ８をその
上面が第２絶縁層５の表面よりも低く位置するよう所定
肉厚に形成した断面図である。前記第１タングステンプ
ラグ８が満たされないことにより残った第１コンタクト
ホールの深さは、後に形成する第２コンタクトホールの
深さと近似するようにすべきである。
【０００７】図７は、図６に示された工程が完了した
後、コンタクトマスク用第２感光膜パターン９を形成
し、露出された第２絶縁層５をエッチングして導電配線
４が露出される第２コンタクトホール１０を形成した状
態を示した断面図である。
後、コンタクトマスク用第２感光膜パターン９を形成
し、露出された第２絶縁層５をエッチングして導電配線
４が露出される第２コンタクトホール１０を形成した状
態を示した断面図である。
【０００８】図８は、前記第２感光膜パターン９を除去
した後、第２タングステンブラグ１１を第１コンタクト
ホール７と第２コンタクトホール１０に形成した後、全
構造の上部に金属層１２を形成した状態を示した断面図
である。
した後、第２タングステンブラグ１１を第１コンタクト
ホール７と第２コンタクトホール１０に形成した後、全
構造の上部に金属層１２を形成した状態を示した断面図
である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記の従来技術は、第
１コンタクトホール７にその深さの半分程度の肉厚にタ
ングステンプラグ８を成長させた後、さらにその上部に
第２タングステンプラグ１１を成長させるため、第１タ
ングステンプラグ８の肉厚は第２コンタクトホール１０
の深さを考えて決定すべきてるある。即ち、第１タング
ステンプラグ８の上面が導電配線４の上面と同じ高さに
形成することができない場合には、第２タングステンプ
ラグ１１の肉厚は一定に形成されるので金属層１２の層
覆い状態が悪くなる。又コンタクトマスク用第２感光膜
バターンを形成する工程の際、第１タングステンプラグ
８の上部表面が汚染されるので第１コンタクトホール７
内の第１タングステンプラグ８と第２タングステンプラ
グ１１の間にコンタクト抵抗が増加される問題が発生す
る。
１コンタクトホール７にその深さの半分程度の肉厚にタ
ングステンプラグ８を成長させた後、さらにその上部に
第２タングステンプラグ１１を成長させるため、第１タ
ングステンプラグ８の肉厚は第２コンタクトホール１０
の深さを考えて決定すべきてるある。即ち、第１タング
ステンプラグ８の上面が導電配線４の上面と同じ高さに
形成することができない場合には、第２タングステンプ
ラグ１１の肉厚は一定に形成されるので金属層１２の層
覆い状態が悪くなる。又コンタクトマスク用第２感光膜
バターンを形成する工程の際、第１タングステンプラグ
８の上部表面が汚染されるので第１コンタクトホール７
内の第１タングステンプラグ８と第２タングステンプラ
グ１１の間にコンタクト抵抗が増加される問題が発生す
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明は前
記の従来技術の問題店を解決するため、第１コンタクト
ホールに第１タングステンプラグを形成する工程で前記
タングステンプラグが第１コンタクトホールを完全に埋
め込むよう第１タングステンプラグを形成し、前記第１
タングステンプラグ上部表面を化学的に処理して第２タ
ングステンプラグを形成する工程で、第１コンタクトホ
ールに位置する第１タングステンプラグ上にこれ以上タ
ングステンが成長しないようにして、各々のコンタクト
ホールに個別的にタングステンプラグを製造する方法を
提供することにその目的がある。
記の従来技術の問題店を解決するため、第１コンタクト
ホールに第１タングステンプラグを形成する工程で前記
タングステンプラグが第１コンタクトホールを完全に埋
め込むよう第１タングステンプラグを形成し、前記第１
タングステンプラグ上部表面を化学的に処理して第２タ
ングステンプラグを形成する工程で、第１コンタクトホ
ールに位置する第１タングステンプラグ上にこれ以上タ
ングステンが成長しないようにして、各々のコンタクト
ホールに個別的にタングステンプラグを製造する方法を
提供することにその目的がある。
【００１１】
【作用】前記構成によれば、本発明は深さが異るコンタ
クトホールにタングステンプラグを完全に埋め込み、層
覆いが良好な金属層を形成することができる。
クトホールにタングステンプラグを完全に埋め込み、層
覆いが良好な金属層を形成することができる。
【００１２】また、第１および第２タングステンプラグ
のいずれも、それぞれが連続した１回の成長工程で形成
されるので、途中に抵抗を増大させる要因となる不連続
な界面が存在しない。さらに、第１タングステンプラグ
の上面が化学処理されているので、その面が後工程で汚
染されにくい。
のいずれも、それぞれが連続した１回の成長工程で形成
されるので、途中に抵抗を増大させる要因となる不連続
な界面が存在しない。さらに、第１タングステンプラグ
の上面が化学処理されているので、その面が後工程で汚
染されにくい。
【００１３】
【実施例】以下、添付された図１内至図４を参照して本
発明の適切な実施例を詳細に説明する。
発明の適切な実施例を詳細に説明する。
【００１４】図１は、前記図５と同様な図面であり、シ
リコン基板１にフィールド酸化膜２、第１絶縁層３、導
電配線４、第２絶縁層５及びコンタクトマスク用第１感
光膜パターン６を形成した後、エッチング工程でシリコ
ン基板１が露出された第１コンタクトホール７を形成し
た状態を表す断面図である。
リコン基板１にフィールド酸化膜２、第１絶縁層３、導
電配線４、第２絶縁層５及びコンタクトマスク用第１感
光膜パターン６を形成した後、エッチング工程でシリコ
ン基板１が露出された第１コンタクトホール７を形成し
た状態を表す断面図である。
【００１５】この状態から、前記第１感光膜パターン６
を除去し、第１コンタクトホール７に選択金属堆積反応
器を用いて第１タングステンプラグ８Ａを形成する。こ
の第１タングステンプラグ８Ａの形成は、既知の化学的
気相成長法（ＣＶＤ法）により行うことができる。たと
えば、Ａｒガスおよび水素ガスをキャリアガスとして用
い、ＷＦ6 をバブリングにより反応器に導入し、還元ま
たは置換反応を利用してタングステン（Ｗ）を第１コン
タクトホール７内に成長させることができる。このと
き、成長条件を適切に設定することにより、第２絶縁層
５上にタングステンを成長させないようにすることがで
きる。この例での反応は次式で表される。 ＷＦ6 ＋３Ｈ2 →Ｗ＋６ＦＨ …（１） ＷＦ6 ＋３Ｓｉ→２Ｗ＋３ＳｉＦ4 …（２） その後、第１タングステンプラグ８Ａの表面をプラズマ
反応器でＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ／ＨＦ／Ａｒを用いて化学処
理を３０秒程実施した。
を除去し、第１コンタクトホール７に選択金属堆積反応
器を用いて第１タングステンプラグ８Ａを形成する。こ
の第１タングステンプラグ８Ａの形成は、既知の化学的
気相成長法（ＣＶＤ法）により行うことができる。たと
えば、Ａｒガスおよび水素ガスをキャリアガスとして用
い、ＷＦ6 をバブリングにより反応器に導入し、還元ま
たは置換反応を利用してタングステン（Ｗ）を第１コン
タクトホール７内に成長させることができる。このと
き、成長条件を適切に設定することにより、第２絶縁層
５上にタングステンを成長させないようにすることがで
きる。この例での反応は次式で表される。 ＷＦ6 ＋３Ｈ2 →Ｗ＋６ＦＨ …（１） ＷＦ6 ＋３Ｓｉ→２Ｗ＋３ＳｉＦ4 …（２） その後、第１タングステンプラグ８Ａの表面をプラズマ
反応器でＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ／ＨＦ／Ａｒを用いて化学処
理を３０秒程実施した。
【００１６】図２は、このときの状態を示す断面図であ
る。これにより第１コンタクトホール７を完全に埋め込
むよう形成された第１タングステンプラグ８Ａは、その
上面が一部浸食され、図面に概略的に示したようにその
上面は凸凹が形成された状態として第２絶縁層５の上部
表面より僅かに低く位置するようになる。
る。これにより第１コンタクトホール７を完全に埋め込
むよう形成された第１タングステンプラグ８Ａは、その
上面が一部浸食され、図面に概略的に示したようにその
上面は凸凹が形成された状態として第２絶縁層５の上部
表面より僅かに低く位置するようになる。
【００１７】次に、第２感光膜パターン９の形成後、第
２絶縁層５をエッチングして導電配線４が露出される第
２コンタクトホール１０を形成する。図３はこのときの
状態を示す断面図である。
２絶縁層５をエッチングして導電配線４が露出される第
２コンタクトホール１０を形成する。図３はこのときの
状態を示す断面図である。
【００１８】その後、前記第２感光膜パターン９を除去
し、第２コンタクトホール１０に選択金属堆積反応器を
用いて第２タングステンプラグ１１を形成する。ここで
のタングステンの選択成長も、第１タングステンプラグ
８Ａの成長と同一の方法を用いることができる。ただ
し、そのときの置換反応は、たとえば導電配線４にアル
ミニウム（Ａｌ）を用いているとすると、上記（２）式
の反応の代わりに、 ＷＦ6 ＋２Ａｌ→Ｗ＋２ＡｌＦ3 …（３） という反応となる。このようにして得られた全体構造の
上部に金属層１２、例えばアルミニウムでなる金属層を
形成することにより第１タングステンプラグ８Ａと第２
タングステンプラグ１１を介してシリコン基板１と導電
配線４を各々コンタクトさせることがでいる。図４はこ
のときの状態を示す断面図である。
し、第２コンタクトホール１０に選択金属堆積反応器を
用いて第２タングステンプラグ１１を形成する。ここで
のタングステンの選択成長も、第１タングステンプラグ
８Ａの成長と同一の方法を用いることができる。ただ
し、そのときの置換反応は、たとえば導電配線４にアル
ミニウム（Ａｌ）を用いているとすると、上記（２）式
の反応の代わりに、 ＷＦ6 ＋２Ａｌ→Ｗ＋２ＡｌＦ3 …（３） という反応となる。このようにして得られた全体構造の
上部に金属層１２、例えばアルミニウムでなる金属層を
形成することにより第１タングステンプラグ８Ａと第２
タングステンプラグ１１を介してシリコン基板１と導電
配線４を各々コンタクトさせることがでいる。図４はこ
のときの状態を示す断面図である。
【００１９】前述したように、第２タングステンプラグ
１１を形成する際、第１タングステンプラグ８Ａの上面
には化学処理によりそれ以上タングステンが成長しない
ようになる。したがって、第１タングステンプラグ８Ａ
の高さは第２タングステンプラグ１１の形成過程中にも
同じ高さを保つことができる。本実施例におけるこのよ
うな効果は、第１タングステンプラグの形成後その上面
を適切にはＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ／ＨＦ／Ａｒで化学処理す
ることにより、第２タングステンプラグを形成する際の
第１タングステンプラグ上部のタングテステン成長潜伏
期（incubationtime) が長くなり、タングステンプラグ
が成長されなくなるために得られる。このときの化学処
理を行う際のプラズマ反応器における最適な処理条件の
一例を以下に示す。 圧力：５０〜５００ｍＴｏｒｒ 温度：常温 電力：３０〜２５０Ｗ 流量比：ＢＣｌ3 ガス…２〜５ｓｃｃｍ Ｃｌ2 ガス…２〜５ｓｃｃｍ ＨＦガス…５〜２０ｓｃｃｍ Ａｒガス…５０〜３００ｓｃｃｍ 処理時間：１０〜３０ｓｅｃ
１１を形成する際、第１タングステンプラグ８Ａの上面
には化学処理によりそれ以上タングステンが成長しない
ようになる。したがって、第１タングステンプラグ８Ａ
の高さは第２タングステンプラグ１１の形成過程中にも
同じ高さを保つことができる。本実施例におけるこのよ
うな効果は、第１タングステンプラグの形成後その上面
を適切にはＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ／ＨＦ／Ａｒで化学処理す
ることにより、第２タングステンプラグを形成する際の
第１タングステンプラグ上部のタングテステン成長潜伏
期（incubationtime) が長くなり、タングステンプラグ
が成長されなくなるために得られる。このときの化学処
理を行う際のプラズマ反応器における最適な処理条件の
一例を以下に示す。 圧力：５０〜５００ｍＴｏｒｒ 温度：常温 電力：３０〜２５０Ｗ 流量比：ＢＣｌ3 ガス…２〜５ｓｃｃｍ Ｃｌ2 ガス…２〜５ｓｃｃｍ ＨＦガス…５〜２０ｓｃｃｍ Ａｒガス…５０〜３００ｓｃｃｍ 処理時間：１０〜３０ｓｅｃ
【００２０】なお、本実施例ではプラグ材料としてタン
グステンを用いているが、これに代えて他の金属、例え
ば、選択金属堆積方法により成長させることができるア
ルミニウム又はアルミニウム合金を用いることもでき
る。
グステンを用いているが、これに代えて他の金属、例え
ば、選択金属堆積方法により成長させることができるア
ルミニウム又はアルミニウム合金を用いることもでき
る。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、第１コンタクトホール
内に第１タングステンを成長させた後に、その上面を化
学処理するので、第２タングステンプラグの成長の際
に、その高さが変化しない。そのため、第２タングステ
ンプラグの成長高さを考えて第１タングステンプラグの
高さを決定すべきである先行技術に比べ工程速度を速や
かにすることができ、また全てのコンタクトホールに埋
め込まれるタングステンプラグの高さを正確に制御する
ことができるようになり、半導体素子の上面に形成され
る金属層の層覆い状態を良好にすることができる。さら
に、第１タングステンプラグ８Ａの上面を化学処理する
ことにより後続する工程で発生してしまう可能性のある
前記第１タングステンプラグ上面の汚染を防ぐことがで
きるようになり、第１タングステンプラグとその上部に
積層されるようになる金属層の間の抵抗を最小限にする
ことがてきる。また、第１および第２プラグのいずれ
も、途中に不連続なコンタクト部がないので、その点か
らも抵抗を低くすることができる。上記のような特性に
より、本発明にしたがえば、金属層の層覆いが大変優れ
コンタクト抵抗を低減させることができる超高集積素子
を提供することができる。
内に第１タングステンを成長させた後に、その上面を化
学処理するので、第２タングステンプラグの成長の際
に、その高さが変化しない。そのため、第２タングステ
ンプラグの成長高さを考えて第１タングステンプラグの
高さを決定すべきである先行技術に比べ工程速度を速や
かにすることができ、また全てのコンタクトホールに埋
め込まれるタングステンプラグの高さを正確に制御する
ことができるようになり、半導体素子の上面に形成され
る金属層の層覆い状態を良好にすることができる。さら
に、第１タングステンプラグ８Ａの上面を化学処理する
ことにより後続する工程で発生してしまう可能性のある
前記第１タングステンプラグ上面の汚染を防ぐことがで
きるようになり、第１タングステンプラグとその上部に
積層されるようになる金属層の間の抵抗を最小限にする
ことがてきる。また、第１および第２プラグのいずれ
も、途中に不連続なコンタクト部がないので、その点か
らも抵抗を低くすることができる。上記のような特性に
より、本発明にしたがえば、金属層の層覆いが大変優れ
コンタクト抵抗を低減させることができる超高集積素子
を提供することができる。
【図１】本発明の適切な実施例にしたがって、深さが異
るコンタクトホールに各々のタングステンプラグを完全
に埋め込む方法の第１の段階を示した断面図。
るコンタクトホールに各々のタングステンプラグを完全
に埋め込む方法の第１の段階を示した断面図。
【図２】その第２の段階を示した断面図。
【図３】その第３の段階を示した断面図。
【図４】その最終段階を示した断面図。
【図５】従来技術にしたがって、深さが異るコンタクト
ホールに、各々のタングステンプラグを完全に埋め込む
方法の第１の段階を示した断面図。
ホールに、各々のタングステンプラグを完全に埋め込む
方法の第１の段階を示した断面図。
【図６】その第２の段階を示した断面図。
【図７】その第３の段階を示した断面図。
【図８】その最終段階を示した断面図。
１…シリコン基板、２…フィールド酸化膜、３…第１絶
縁層、４…導電配線、５…第２絶縁層、６…第１感光膜
パターン、７…第１コンタクトホール、８，８Ａ…タン
グステンブラグ、９…第２感光膜パターン、１０…第２
コンタクトホール、１１…金属層、１２…金属層。
縁層、４…導電配線、５…第２絶縁層、６…第１感光膜
パターン、７…第１コンタクトホール、８，８Ａ…タン
グステンブラグ、９…第２感光膜パターン、１０…第２
コンタクトホール、１１…金属層、１２…金属層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 深さが異なるコンタクトホールに、タン
グステンプラグを完全に埋め込み、層覆いが良好な金属
層を形成してコンクタト抵抗を低減させるための方法に
おいて、 深さが大きい第１コンクタトホールを第１感光膜パター
ンを用いて第１絶縁層及び第２絶縁層をエッチングして
先ず形成し、タングステンを選択的に金属堆積反応器を
用いて第１コンタクトホールが完全に埋めこまれるよう
に成長させる、第１タングスデンプラグを形成する段階
と、 前記第１タングステンプラグの上部表面をプラズマ反応
器にて化学処理し、後続するタングステンプラグ形成の
際、第１タングステンプラグの上部にはタングステンが
成長されないようにする段階と、 第２感光膜パターンを用いて第２絶縁層を導電配線が露
出されるようにエッチングし、深さが小さい第２コンク
タクトホールを形成した後、第２コンタクトホールに選
択的金属堆積反応器を用いて第１タングステンプラグ上
にはタングステンがさらに成長されない状態で第２コン
タクトホール内にタングステンを完全に埋め込み、第２
タングステンプラグを形成する段階と、 で構成されることを特徴とするタングステンプラグ製造
方法。 - 【請求項２】 第１項において、 前記プラズマ反応器で化学処理する段階が、ＢＣｌ3 ／
Ｃｌ2 ／ＨＦ／Ａｒガスを用いて実施されることを特徴
とするタングステンプラグ製造方法。 - 【請求項３】 第１項において、 前記第１及び第２プラグが、アルミニウム又はアルミニ
ウム合金プラグに形成されることを特徴とするタングス
テンプラグ製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR92-22796 | 1992-11-30 | ||
| KR1019920022796A KR950011984B1 (ko) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 텅스텐 플러그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326053A JPH06326053A (ja) | 1994-11-25 |
| JPH0831430B2 true JPH0831430B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=19344266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5295673A Expired - Fee Related JPH0831430B2 (ja) | 1992-11-30 | 1993-11-25 | タングステンプラグ製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831430B2 (ja) |
| KR (1) | KR950011984B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100375230B1 (ko) * | 2000-12-20 | 2003-03-08 | 삼성전자주식회사 | 매끄러운 텅스텐 표면을 갖는 반도체 장치의 배선 제조방법 |
| KR100470390B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2005-02-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 에스램소자 제조시 다마신을 이용한 국부배선 스페이스최소화방법 |
-
1992
- 1992-11-30 KR KR1019920022796A patent/KR950011984B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-11-25 JP JP5295673A patent/JPH0831430B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06326053A (ja) | 1994-11-25 |
| KR950011984B1 (ko) | 1995-10-13 |
| KR940012503A (ko) | 1994-06-23 |
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