JPH08311511A - 低Ｓｉ銑を製造する高炉操業方法 - Google Patents
低Ｓｉ銑を製造する高炉操業方法Info
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- JPH08311511A JPH08311511A JP5038396A JP5038396A JPH08311511A JP H08311511 A JPH08311511 A JP H08311511A JP 5038396 A JP5038396 A JP 5038396A JP 5038396 A JP5038396 A JP 5038396A JP H08311511 A JPH08311511 A JP H08311511A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高炉１において低Ｓｉ銑を製造するために高塩
基度原料２ａを炉周辺部に、低塩基度原料２ｂを炉中心
部に装入する技術をさらに改善する。 【解決手段】高炉装入物の塩基度分布を、炉の無次元半
径０．７±１より大きい無炉周辺部で高く、中心部で低
くし、かつコークス中心装入を実施して炉芯の通液性を
高く保ち、安定的に低Ｓｉ銑を製造する。
基度原料２ａを炉周辺部に、低塩基度原料２ｂを炉中心
部に装入する技術をさらに改善する。 【解決手段】高炉装入物の塩基度分布を、炉の無次元半
径０．７±１より大きい無炉周辺部で高く、中心部で低
くし、かつコークス中心装入を実施して炉芯の通液性を
高く保ち、安定的に低Ｓｉ銑を製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低Ｓｉ銑を製造す
る高炉操業方法に関する。
る高炉操業方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高炉において低Ｓｉ銑を製造する方法の
１つとして、高炉装入物堆積層の塩基度分布を、炉中心
部よりも炉周辺部寄りの方がより高い塩基度となるよう
に調節して操業を行う方法（特開昭５９−１５００３号
公報）がある。一般に高炉内でのＳｉ移行は、羽口前の
高温領域において、 ＳｉＯ2 ＋Ｃ → ＳｉＯ＋ＣＯ によりＳｉＯガスが発生し、さらに ＳｉＯ＋Ｃ → Ｓｉ＋ＣＯ により、溶銑中にＳｉが入ることが知られている。
１つとして、高炉装入物堆積層の塩基度分布を、炉中心
部よりも炉周辺部寄りの方がより高い塩基度となるよう
に調節して操業を行う方法（特開昭５９−１５００３号
公報）がある。一般に高炉内でのＳｉ移行は、羽口前の
高温領域において、 ＳｉＯ2 ＋Ｃ → ＳｉＯ＋ＣＯ によりＳｉＯガスが発生し、さらに ＳｉＯ＋Ｃ → Ｓｉ＋ＣＯ により、溶銑中にＳｉが入ることが知られている。
【０００３】前記の装入物の塩基度分布を炉中心部より
も炉周辺部寄りの方がより高い塩基度を持つように調節
する方法においては、羽口前の高温領域を通過する溶融
物の塩基度を高めてＳｉＯ2 の活量を低下させ、ＳｉＯ
ガスの発生を抑制することにより、Ｓｉの溶銑への移行
反応を抑制することがその主旨である。
も炉周辺部寄りの方がより高い塩基度を持つように調節
する方法においては、羽口前の高温領域を通過する溶融
物の塩基度を高めてＳｉＯ2 の活量を低下させ、ＳｉＯ
ガスの発生を抑制することにより、Ｓｉの溶銑への移行
反応を抑制することがその主旨である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記の方法で
は図２に示すように、高炉１内にコークス層３の上に堆
積させる原料（鉱石層２）は炉壁側に高塩基度原料２ａ
を、炉心側に低塩基度原料２ｂを装入する。炉芯５の通
液性の悪い不活性状態においては、融着帯４の中心部で
生成した溶融物７は炉芯５の表層を羽口６に向かって流
れるため、羽口前の高温域においては結局装入原料の平
均的な塩基度となってしまい低Ｓｉ化の効果が減少して
しまうという問題があった。
は図２に示すように、高炉１内にコークス層３の上に堆
積させる原料（鉱石層２）は炉壁側に高塩基度原料２ａ
を、炉心側に低塩基度原料２ｂを装入する。炉芯５の通
液性の悪い不活性状態においては、融着帯４の中心部で
生成した溶融物７は炉芯５の表層を羽口６に向かって流
れるため、羽口前の高温域においては結局装入原料の平
均的な塩基度となってしまい低Ｓｉ化の効果が減少して
しまうという問題があった。
【０００５】すなわち、高炉１の中心の通気、通液性が
低下する、いわゆる炉芯不活性化が起こると、図３に示
すようにＳｉ低下効果がなくなる。本発明は、前記問題
点を解決した低Ｓｉ銑の製造する技術を提供するのを目
的とする。
低下する、いわゆる炉芯不活性化が起こると、図３に示
すようにＳｉ低下効果がなくなる。本発明は、前記問題
点を解決した低Ｓｉ銑の製造する技術を提供するのを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は前記問題点を解
決するために、高炉内に堆積させる原料の塩基度ＣａＯ
／ＳｉＯ2 の半径方向分布を炉周辺部寄りの原料の塩基
度が炉中心部寄りの原料の塩基度より０．５以上高くな
るように装入原料および装入方法を調節し、かつ、高炉
中心部にコークスを装入し、中心部コークス層厚を大き
くすることを特徴とする低Ｓｉ銑を製造する高炉操業方
法を提供するものである。この場合に前記炉周辺部寄り
と中心部寄りとの境界を、無次元半径０．７±０．１と
することが好ましい。
決するために、高炉内に堆積させる原料の塩基度ＣａＯ
／ＳｉＯ2 の半径方向分布を炉周辺部寄りの原料の塩基
度が炉中心部寄りの原料の塩基度より０．５以上高くな
るように装入原料および装入方法を調節し、かつ、高炉
中心部にコークスを装入し、中心部コークス層厚を大き
くすることを特徴とする低Ｓｉ銑を製造する高炉操業方
法を提供するものである。この場合に前記炉周辺部寄り
と中心部寄りとの境界を、無次元半径０．７±０．１と
することが好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明では、図１に模式的に示す
ように装入物の塩基度分布を、炉中心部よりも周辺寄り
の方が高くなるように調整しつつ、かつ通常のコークス
層３に加えてコークス８を中心部に集中的に装入するこ
とにより、炉芯５を活性化し、通液性を高く保つように
したので、中心部の低塩基度溶融物７は炉芯５を流れ、
周辺部の高塩基度溶融物は周辺部の羽口前高温領域を流
れる。また羽口前の高温領域において溶融物中のＳｉＯ
2 活量が低下し、ＳｉＯガス発生量が抑制され、溶銑中
へのＳｉ移行量も減少する。以上の作用により結局出銑
Ｓｉが低下する。
ように装入物の塩基度分布を、炉中心部よりも周辺寄り
の方が高くなるように調整しつつ、かつ通常のコークス
層３に加えてコークス８を中心部に集中的に装入するこ
とにより、炉芯５を活性化し、通液性を高く保つように
したので、中心部の低塩基度溶融物７は炉芯５を流れ、
周辺部の高塩基度溶融物は周辺部の羽口前高温領域を流
れる。また羽口前の高温領域において溶融物中のＳｉＯ
2 活量が低下し、ＳｉＯガス発生量が抑制され、溶銑中
へのＳｉ移行量も減少する。以上の作用により結局出銑
Ｓｉが低下する。
【０００８】無次元半径０．７±１としたのは、０．７
±０．１よりも炉周辺側はレースウェイの高温領域が存
在する領域であるため、０．７±０．１を境界として塩
基度レベルを分けると本発明の効果が大きくなるからで
ある。高炉のレースウェイ深度は、送風量、羽口径、コ
ークス粒度によって変化するが、これまでの測定例では
壁から１．０〜２．５ｍ程度であった。図６に、塩基度
差０．８、中心装入コークス２ｔ／ｃｈのときの［Ｓ
ｉ］と境界位置との関係を示す。０．７±０．１をはず
れると［Ｓｉ］が急激に高くなる。またＣａＯ／ＳｉＯ
2 塩基度差を０．５以上としたのは図５に示すように、
塩基度差が０．５以上で、ＳｉＯ2 の活量ａsio2が約２
倍の差がつき、目的とするＳｉ低下の効果が得られるか
らである。
±０．１よりも炉周辺側はレースウェイの高温領域が存
在する領域であるため、０．７±０．１を境界として塩
基度レベルを分けると本発明の効果が大きくなるからで
ある。高炉のレースウェイ深度は、送風量、羽口径、コ
ークス粒度によって変化するが、これまでの測定例では
壁から１．０〜２．５ｍ程度であった。図６に、塩基度
差０．８、中心装入コークス２ｔ／ｃｈのときの［Ｓ
ｉ］と境界位置との関係を示す。０．７±０．１をはず
れると［Ｓｉ］が急激に高くなる。またＣａＯ／ＳｉＯ
2 塩基度差を０．５以上としたのは図５に示すように、
塩基度差が０．５以上で、ＳｉＯ2 の活量ａsio2が約２
倍の差がつき、目的とするＳｉ低下の効果が得られるか
らである。
【０００９】半径方向の塩基度分布の調整は、具体的に
は、 （イ）高塩基度に調整した焼結鉱、ペレット （ロ）ドロマイト、転炉滓、連鋳スラグ等のＣａＯ濃度
の高い副原料 等の高塩基度原料を周辺部に装入し、 （ａ）低塩基度に調整した焼結鉱、ペレット （ｂ）生鉱石 （ｃ）硅石等のＳｉＯ2 濃度の高い副原料 等の低塩基度原料を中心部に装入すればよい。また上記
塩基度の異なる原料を所望の位置に装入するには、ベル
レス装入装置を有する高炉又はベル・ムーバブルアーマ
の装入装置を有する高炉において、鉱石の装入バッチを
塩基度を変更した２バッチ以上に分割し、低塩基度の原
料がより中心に、高塩基度の原料がより周辺に堆積する
ようにベルレス装入シュートの角度又はムーバブルアー
マの位置等を調節して装入すればよい。ベルレス高炉に
おいて鉱石を多バッチにする時間的余裕又は炉頂バンカ
の数が不足しているか、又はシーケンス上多バッチ化が
できない場合は、貯鉱槽からの切出順序を高塩基度原料
から低塩基度原料へ順次切出すことによって、高塩基度
原料が先に炉内に装入されるように調節し、炉周辺部か
ら順次原料を装入してもよい。またはこの逆を行っても
よい。
は、 （イ）高塩基度に調整した焼結鉱、ペレット （ロ）ドロマイト、転炉滓、連鋳スラグ等のＣａＯ濃度
の高い副原料 等の高塩基度原料を周辺部に装入し、 （ａ）低塩基度に調整した焼結鉱、ペレット （ｂ）生鉱石 （ｃ）硅石等のＳｉＯ2 濃度の高い副原料 等の低塩基度原料を中心部に装入すればよい。また上記
塩基度の異なる原料を所望の位置に装入するには、ベル
レス装入装置を有する高炉又はベル・ムーバブルアーマ
の装入装置を有する高炉において、鉱石の装入バッチを
塩基度を変更した２バッチ以上に分割し、低塩基度の原
料がより中心に、高塩基度の原料がより周辺に堆積する
ようにベルレス装入シュートの角度又はムーバブルアー
マの位置等を調節して装入すればよい。ベルレス高炉に
おいて鉱石を多バッチにする時間的余裕又は炉頂バンカ
の数が不足しているか、又はシーケンス上多バッチ化が
できない場合は、貯鉱槽からの切出順序を高塩基度原料
から低塩基度原料へ順次切出すことによって、高塩基度
原料が先に炉内に装入されるように調節し、炉周辺部か
ら順次原料を装入してもよい。またはこの逆を行っても
よい。
【００１０】コークスを中心部に装入するには、ベル高
炉においては専用の中心装入シュートを用いるのが一般
的である。ベルレス高炉においては装入シュートを垂直
又は垂直に近い状態でコークスを装入する方法を用いれ
ばよい。
炉においては専用の中心装入シュートを用いるのが一般
的である。ベルレス高炉においては装入シュートを垂直
又は垂直に近い状態でコークスを装入する方法を用いれ
ばよい。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。表１
に本発明の実施例及び比較例の操業条件及び結果を一括
して示した。実施例１〜３、比較例１〜３で塩基度分布
を調整する方法は、鉱石を高／低塩基度原料に２分割し
て、ベルレスシュートの角度を調整することにより高塩
基度原料を周辺部に、低塩基度原料を中心部寄りに装入
した。また実施例１〜３においてコークス中心装入はベ
ルレス装入シュートを垂直に立てた状態でコークスを装
入することにより実施した。
に本発明の実施例及び比較例の操業条件及び結果を一括
して示した。実施例１〜３、比較例１〜３で塩基度分布
を調整する方法は、鉱石を高／低塩基度原料に２分割し
て、ベルレスシュートの角度を調整することにより高塩
基度原料を周辺部に、低塩基度原料を中心部寄りに装入
した。また実施例１〜３においてコークス中心装入はベ
ルレス装入シュートを垂直に立てた状態でコークスを装
入することにより実施した。
【００１２】比較例１〜３はコークス中心装入を実施し
ていない。実施例１は高塩基度のバッチに塩基度２．０
の焼結鉱を用い、低塩基度のバッチに生鉱石を用いた。
実施例２は低塩基度のバッチの生鉱石を実施例１よりも
増やし、高塩基度のバッチに転炉滓を装入して平均の塩
基度を実施例１とほぼ等しくなるように調整した例であ
る。実施例３は高／低塩基度を大略５０：５０に分割
し、焼結鉱と生鉱石の配合率と連鋳スラグを用いて塩基
度を調整した実施例である。
ていない。実施例１は高塩基度のバッチに塩基度２．０
の焼結鉱を用い、低塩基度のバッチに生鉱石を用いた。
実施例２は低塩基度のバッチの生鉱石を実施例１よりも
増やし、高塩基度のバッチに転炉滓を装入して平均の塩
基度を実施例１とほぼ等しくなるように調整した例であ
る。実施例３は高／低塩基度を大略５０：５０に分割
し、焼結鉱と生鉱石の配合率と連鋳スラグを用いて塩基
度を調整した実施例である。
【００１３】図４に実施例１〜３の炉頂装入原料の半径
方向の塩基度分布を実測した結果を示す。いずれの場合
も炉壁近傍で塩基度が高く、中心部で塩基度が低下して
いる。表１から明らかなように、実施例１〜３は、コー
クス中心装入を実施しなかった比較例１〜３と比較し、
出銑Ｓｉが０．０５％低くなっており、本発明により安
定的に低Ｓｉ銑を得ることができた。
方向の塩基度分布を実測した結果を示す。いずれの場合
も炉壁近傍で塩基度が高く、中心部で塩基度が低下して
いる。表１から明らかなように、実施例１〜３は、コー
クス中心装入を実施しなかった比較例１〜３と比較し、
出銑Ｓｉが０．０５％低くなっており、本発明により安
定的に低Ｓｉ銑を得ることができた。
【００１４】表２にベルレスの装入パターンを変更する
ことにより、無次元半径０．７で分割した時の装入原料
の周辺側塩基度と中心側塩基度との差が実施例１〜３よ
りも低くなるようにした場合の操業試験結果を示す。比
較例４〜６は装入原料の塩基度差がそれぞれ０．２，
０．４，０．４の割合で、出銑Ｓｉは０．２４〜０．２
５％と、いずれも実施例１〜３の０．１８〜０．２０％
よりも高く、効果が小さい。
ことにより、無次元半径０．７で分割した時の装入原料
の周辺側塩基度と中心側塩基度との差が実施例１〜３よ
りも低くなるようにした場合の操業試験結果を示す。比
較例４〜６は装入原料の塩基度差がそれぞれ０．２，
０．４，０．４の割合で、出銑Ｓｉは０．２４〜０．２
５％と、いずれも実施例１〜３の０．１８〜０．２０％
よりも高く、効果が小さい。
【００１５】表３に中心部寄りと周辺部寄りとの境界を
０．５〜０．９としたときの実施例４〜７を示した。な
お、実施例１も表３に再掲した。またこれらを図６にプ
ロットしてグラフで示した。図６にも示したように、無
次元半径が０．６〜０．８では［Ｓｉ］が０．２０４〜
０．２０８と低いのに対し、無次元半径が０．５の実施
例６、０．９の実施例７ではそれぞれ［Ｓｉ］が０．２
２１、０．２２５といずれも無次元半径が０．７±０．
１の実施例よりもいくぶん高く、従って、中心部寄りと
周辺部寄りとの境界を０．７±０．１の範囲にすると、
より優れた効果が得られ好ましいことが知られる。
０．５〜０．９としたときの実施例４〜７を示した。な
お、実施例１も表３に再掲した。またこれらを図６にプ
ロットしてグラフで示した。図６にも示したように、無
次元半径が０．６〜０．８では［Ｓｉ］が０．２０４〜
０．２０８と低いのに対し、無次元半径が０．５の実施
例６、０．９の実施例７ではそれぞれ［Ｓｉ］が０．２
２１、０．２２５といずれも無次元半径が０．７±０．
１の実施例よりもいくぶん高く、従って、中心部寄りと
周辺部寄りとの境界を０．７±０．１の範囲にすると、
より優れた効果が得られ好ましいことが知られる。
【００１６】なお、ここではベルレス高炉における試験
結果のみを示したが、ベル・ムーバブルアーマ高炉にお
いても同様な結果が得られている。
結果のみを示したが、ベル・ムーバブルアーマ高炉にお
いても同様な結果が得られている。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】
【表３】
【００２０】
【発明の効果】本発明は、高炉装入物の塩基度分布を炉
周辺部で高く、中心部で低くしかつコークス中心装入を
実施して炉芯の通液性を大きく保ったので、低Ｓｉ銑を
安定的に製造することができるようになった。
周辺部で高く、中心部で低くしかつコークス中心装入を
実施して炉芯の通液性を大きく保ったので、低Ｓｉ銑を
安定的に製造することができるようになった。
【図１】高炉内の炉芯活性時の炉内液流れを模式的に示
した図である。
した図である。
【図２】高炉内の炉芯不活性時の炉内液流れを模式的に
示した図である。
示した図である。
【図３】出銑Ｓｉと炉芯コークス粉等の関係を示したグ
ラフである。
ラフである。
【図４】装入物塩基度分布を示すグラフである。
【図５】塩基度とＳｉＯ2 の活量ａsio2との関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図６】出銑Ｓｉと無次元半径との関係を示すグラフで
ある。
ある。
１ 高炉 ２ 鉱石層 ２ａ 高塩基度原料 ２ｂ 低塩基度原
料 ３ コークス層 ４ 融着帯 ５ 炉芯 ６ 羽口 ７ 溶融物 ８ コークス
料 ３ コークス層 ４ 融着帯 ５ 炉芯 ６ 羽口 ７ 溶融物 ８ コークス
Claims (2)
- 【請求項１】 高炉内に堆積させる原料の塩基度ＣａＯ
／ＳｉＯ2 の半径方向分布を炉周辺部寄りの原料の塩基
度が炉中心部寄りの原料の塩基度より０．５以上高くな
るように装入原料および装入方法を調節し、かつ、高炉
中心部にコークスを装入し、中心部コークス層厚を大き
くすることを特徴とする低Ｓｉ銑を製造する高炉操業方
法。 - 【請求項２】 前記炉周辺部寄りと前記中心部寄りとの
境界を、無次元半径０．７±０．１としたことを特徴と
する請求項１記載の低Ｓｉ銑を製造する高炉操業方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05038396A JP3536509B2 (ja) | 1995-03-10 | 1996-03-07 | 低Ｓｉ銑を製造する高炉操業方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-51208 | 1995-03-10 | ||
| JP5120895 | 1995-03-10 | ||
| JP05038396A JP3536509B2 (ja) | 1995-03-10 | 1996-03-07 | 低Ｓｉ銑を製造する高炉操業方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08311511A true JPH08311511A (ja) | 1996-11-26 |
| JP3536509B2 JP3536509B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=26390856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05038396A Expired - Fee Related JP3536509B2 (ja) | 1995-03-10 | 1996-03-07 | 低Ｓｉ銑を製造する高炉操業方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3536509B2 (ja) |
-
1996
- 1996-03-07 JP JP05038396A patent/JP3536509B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3536509B2 (ja) | 2004-06-14 |
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