JPH08300255A - 単結晶加工方法 - Google Patents
単結晶加工方法Info
- Publication number
- JPH08300255A JPH08300255A JP11046195A JP11046195A JPH08300255A JP H08300255 A JPH08300255 A JP H08300255A JP 11046195 A JP11046195 A JP 11046195A JP 11046195 A JP11046195 A JP 11046195A JP H08300255 A JPH08300255 A JP H08300255A
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- JP
- Japan
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- wafer
- single crystal
- paste
- powder
- lithium
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 タンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウ
ム単結晶ウエハの周囲に割れやチッピングを生じさせる
ことなく、ウエハの裏面を粗面加工する。 【構成】 タンタル酸リチウム単結晶あるいはニオブ酸
リチウム単結晶ウエハのウエハ面を粗面にする加工にお
いて、ウエハ２周辺に、加工するウエハと同じ材質から
なる粉末を油脂により固めたペースト１を塗布した状態
でラップ加工を行う。
ム単結晶ウエハの周囲に割れやチッピングを生じさせる
ことなく、ウエハの裏面を粗面加工する。 【構成】 タンタル酸リチウム単結晶あるいはニオブ酸
リチウム単結晶ウエハのウエハ面を粗面にする加工にお
いて、ウエハ２周辺に、加工するウエハと同じ材質から
なる粉末を油脂により固めたペースト１を塗布した状態
でラップ加工を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面弾性波素子に用い
られるタンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウム単
結晶ウエハの裏面を粗面にする単結晶加工方法に関する
ものである。
られるタンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウム単
結晶ウエハの裏面を粗面にする単結晶加工方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】表面弾性波素子は、強誘電体物質である
タンタル酸リチウム（以後、単に「ＬＴ」と略す）ある
いはニオブ酸リチウム（以後、単に「ＬＮ」と略す）単
結晶のウエハを用いて作られる。通常、表面弾性波素子
用のＬＴあるいはＬＮ単結晶ウエハは、鏡面研磨された
ウエハの表面で表面弾性波を励振させる際に付随して結
合されるバルク波が、ウエハの裏面で反射され表面に戻
るのを阻止するために、裏面を表面粗さＲａが０．５μ
ｍ以上の粗面にしている。
タンタル酸リチウム（以後、単に「ＬＴ」と略す）ある
いはニオブ酸リチウム（以後、単に「ＬＮ」と略す）単
結晶のウエハを用いて作られる。通常、表面弾性波素子
用のＬＴあるいはＬＮ単結晶ウエハは、鏡面研磨された
ウエハの表面で表面弾性波を励振させる際に付随して結
合されるバルク波が、ウエハの裏面で反射され表面に戻
るのを阻止するために、裏面を表面粗さＲａが０．５μ
ｍ以上の粗面にしている。
【０００３】従来、ウエハ裏面を粗面にするには、ウエ
ハを固定定盤にワックスで固定した後、ＧＣ＃１５０か
らＧＣ＃１０００の遊離砥粒を水に分散させた研磨液を
鋳鉄製のラップ定盤に滴下させながら、該ラップ定盤に
固定定盤に固定されたウエハを擦り付ける、一般的なラ
ップ加工により行っていた。
ハを固定定盤にワックスで固定した後、ＧＣ＃１５０か
らＧＣ＃１０００の遊離砥粒を水に分散させた研磨液を
鋳鉄製のラップ定盤に滴下させながら、該ラップ定盤に
固定定盤に固定されたウエハを擦り付ける、一般的なラ
ップ加工により行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記方法
でラップ加工を行うと、ウエハ周辺部のエッジ部分に小
さな割れやチッピングが生じるという問題があった。特
に砥粒サイズが大きいＧＣ＃２４０以下の遊離砥粒を用
いたときには、１００％近く、割れやチッピングが発生
していた。エッジ部分に割れやチッピングがあるウエハ
は、ラップ加工後に固定定盤から取り外す際に割れがウ
エハ全体に拡がってしまい、使用不可になることがあ
り、ラップ加工工程での製品歩留まりを極端に悪化させ
ていた。
でラップ加工を行うと、ウエハ周辺部のエッジ部分に小
さな割れやチッピングが生じるという問題があった。特
に砥粒サイズが大きいＧＣ＃２４０以下の遊離砥粒を用
いたときには、１００％近く、割れやチッピングが発生
していた。エッジ部分に割れやチッピングがあるウエハ
は、ラップ加工後に固定定盤から取り外す際に割れがウ
エハ全体に拡がってしまい、使用不可になることがあ
り、ラップ加工工程での製品歩留まりを極端に悪化させ
ていた。
【０００５】そこで本発明の目的は、ウエハの裏面を粗
面にする際にウエハ周辺部にチッピングや割れが生じな
い単結晶加工方法を提供することにある。
面にする際にウエハ周辺部にチッピングや割れが生じな
い単結晶加工方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の単結晶加工方法は、タンタル酸リチウム
単結晶あるいはニオブ酸リチウム単結晶ウエハのウエハ
面を粗面にする加工において、ウエハ周辺に、加工する
ウエハと同じ材質からなる粉末と油脂を混ぜたペースト
状の混合物（以後、単に「ペースト」と略す）を塗布し
た状態でラップ加工を行うことを特徴としている。
めに、本発明の単結晶加工方法は、タンタル酸リチウム
単結晶あるいはニオブ酸リチウム単結晶ウエハのウエハ
面を粗面にする加工において、ウエハ周辺に、加工する
ウエハと同じ材質からなる粉末と油脂を混ぜたペースト
状の混合物（以後、単に「ペースト」と略す）を塗布し
た状態でラップ加工を行うことを特徴としている。
【０００７】また、ペーストを構成する粉末は、粒径が
１０μｍ以上、２００μｍ以下のタンタル酸リチウム粉
末あるいはニオブ酸リチウム粉末よりなる。
１０μｍ以上、２００μｍ以下のタンタル酸リチウム粉
末あるいはニオブ酸リチウム粉末よりなる。
【０００８】
【作用】ラップ加工工程におけるＬＴあるいはＬＮ単結
晶ウエハのエッジ部分の割れやチッピングの原因には、
ウエハ周辺部のエッジ部分への荷重の集中、およびウエ
ハの側面に溜まった砥粒の接触によるウエハ周辺部のエ
ッジ部分の破壊がある。
晶ウエハのエッジ部分の割れやチッピングの原因には、
ウエハ周辺部のエッジ部分への荷重の集中、およびウエ
ハの側面に溜まった砥粒の接触によるウエハ周辺部のエ
ッジ部分の破壊がある。
【０００９】図１に本発明の単結晶加工方法による加工
断面の模式図を示す。本発明で用いるペーストは、油脂
を結合剤に用いてＬＴあるいはＬＮ粉末を混ぜたもので
ある。ラップ加工中は、該ペースト１がウエハ２の周囲
に塗布された状態であるため、荷重がペースト１部分に
も分散し、エッジ部分３への荷重の集中が回避すること
ができる。また、該ペースト１には油脂が用いられてい
るため、水に砥粒４を分散した研磨液はペースト１の油
脂により弾かれてしまい、ウエハ２の周囲に砥粒４が溜
まることがなく、エッジ部分３の集中的な破壊も防止で
きるのである。
断面の模式図を示す。本発明で用いるペーストは、油脂
を結合剤に用いてＬＴあるいはＬＮ粉末を混ぜたもので
ある。ラップ加工中は、該ペースト１がウエハ２の周囲
に塗布された状態であるため、荷重がペースト１部分に
も分散し、エッジ部分３への荷重の集中が回避すること
ができる。また、該ペースト１には油脂が用いられてい
るため、水に砥粒４を分散した研磨液はペースト１の油
脂により弾かれてしまい、ウエハ２の周囲に砥粒４が溜
まることがなく、エッジ部分３の集中的な破壊も防止で
きるのである。
【００１０】更に、該ペースト１がラップ加工しようと
しているウエハ２と同じ材質の粉末を固めたものである
から、ウエハ２より先にペースト１が摩耗し、ラップ加
工中にエッジ部分３が露出し、エッジ部分３に荷重が集
中してしまうこともない。
しているウエハ２と同じ材質の粉末を固めたものである
から、ウエハ２より先にペースト１が摩耗し、ラップ加
工中にエッジ部分３が露出し、エッジ部分３に荷重が集
中してしまうこともない。
【００１１】また、ペーストに用いるＬＴあるいはＬＮ
粉末の粒径は、１０μｍ以上、２００μｍ以下である必
要がある。粒径が１０μｍ未満ではラップ加工中にペー
ストが摩耗してしまい、粒径が２００μｍを越えると、
粉末を油脂により混ぜて、固めることができなくなるか
らである。
粉末の粒径は、１０μｍ以上、２００μｍ以下である必
要がある。粒径が１０μｍ未満ではラップ加工中にペー
ストが摩耗してしまい、粒径が２００μｍを越えると、
粉末を油脂により混ぜて、固めることができなくなるか
らである。
【００１２】
【実施例】以下、図１に基づいて本発明の実施例の詳細
な説明を行う。
な説明を行う。
【００１３】まず、ウエハ２には、直径３インチのｘ−
ｃｕｔのＬＴ単結晶ウエハを用い、ステンレス製の固定
定盤７をオーブンで約１００℃に加熱した後、ワックス
６としてフラットローワックスを用いてウエハ２を固定
定盤７に貼り付けた。次に乳鉢で粒径が２０μｍから１
５０μｍになるように粉砕したＬＴ粉末と油脂としてシ
リコングリースを、重量比でＬＴ粉末：シリコングリー
ス＝５：１になるように混ぜて作製したペースト１を固
定定盤７上のウエハ２の周囲に塗布した。
ｃｕｔのＬＴ単結晶ウエハを用い、ステンレス製の固定
定盤７をオーブンで約１００℃に加熱した後、ワックス
６としてフラットローワックスを用いてウエハ２を固定
定盤７に貼り付けた。次に乳鉢で粒径が２０μｍから１
５０μｍになるように粉砕したＬＴ粉末と油脂としてシ
リコングリースを、重量比でＬＴ粉末：シリコングリー
ス＝５：１になるように混ぜて作製したペースト１を固
定定盤７上のウエハ２の周囲に塗布した。
【００１４】ラップ加工は、鋳鉄製のラップ定盤５に、
ＧＣ＃２４０の遊離砥粒４を水に分散させた研磨液を滴
下させながら、上記の固定定盤７に固定されたＬＴ単結
晶ウエハを擦りつけて行った。
ＧＣ＃２４０の遊離砥粒４を水に分散させた研磨液を滴
下させながら、上記の固定定盤７に固定されたＬＴ単結
晶ウエハを擦りつけて行った。
【００１５】ラップ加工後、ペースト１をアセトンで除
去し、固定定盤７に熱を加えてワックス６を溶融した
後、ＬＴ単結晶ウエハを取り外し、得られたウエハを検
査したところ、ウエハ裏面の表面粗さＲａは５μｍから
１０μｍであり、ウエハの周辺部のエッジ部分には割れ
やチッピングは一切存在していなかった。
去し、固定定盤７に熱を加えてワックス６を溶融した
後、ＬＴ単結晶ウエハを取り外し、得られたウエハを検
査したところ、ウエハ裏面の表面粗さＲａは５μｍから
１０μｍであり、ウエハの周辺部のエッジ部分には割れ
やチッピングは一切存在していなかった。
【００１６】本実施例ではウエハにＬＴ単結晶ウエハを
用いた例を説明したが、ＬＮ単結晶ウエハでも効果は同
様であった。
用いた例を説明したが、ＬＮ単結晶ウエハでも効果は同
様であった。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の単結晶加
工方法を用いることにより、タンタル酸リチウム単結晶
あるいはニオブ酸リチウム単結晶ウエハの裏面をウエハ
周辺部のエッジ部分に割れやチッピングを生じさせるこ
となく、粗面に加工することができた。特にＧＣ＃２４
０以下の遊離砥粒を用いた際には、１００％近く、割れ
やチッピングが生じていたのが、本発明を用いたことに
より、割れやチッピングを生じさせることなく加工する
ことができた。
工方法を用いることにより、タンタル酸リチウム単結晶
あるいはニオブ酸リチウム単結晶ウエハの裏面をウエハ
周辺部のエッジ部分に割れやチッピングを生じさせるこ
となく、粗面に加工することができた。特にＧＣ＃２４
０以下の遊離砥粒を用いた際には、１００％近く、割れ
やチッピングが生じていたのが、本発明を用いたことに
より、割れやチッピングを生じさせることなく加工する
ことができた。
【図１】図１は、本発明の単結晶加工方法による加工断
面の模式図である。
面の模式図である。
１ ペースト ２ ウエハ ３ エッジ部分 ４ 砥粒 ５ ラップ定盤 ６ ワックス ７ 固定定盤
Claims (2)
- 【請求項１】 タンタル酸リチウム単結晶あるいはニオ
ブ酸リチウム単結晶ウエハのウエハ面を粗面にする加工
において、ウエハ周辺に、加工するウエハと同じ材質か
らなる粉末と油脂を混ぜたペースト状の混合物を塗布し
た状態でラップ加工を行うことを特徴とする単結晶加工
方法。 - 【請求項２】 該混合物を構成する粉末が、粒径が１０
μｍ以上、２００μｍ以下のタンタル酸リチウム粉末あ
るいはニオブ酸リチウム粉末よりなることを特徴とする
請求項１に記載の単結晶加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11046195A JPH08300255A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 単結晶加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11046195A JPH08300255A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 単結晶加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08300255A true JPH08300255A (ja) | 1996-11-19 |
Family
ID=14536306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11046195A Pending JPH08300255A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 単結晶加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08300255A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013143507A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 搬送機構 |
| JP2014009970A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 表面傷検査装置及び表面傷検査方法 |
| JP2014215217A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 住友金属鉱山株式会社 | 物体検査装置及び物体検査方法 |
-
1995
- 1995-05-09 JP JP11046195A patent/JPH08300255A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013143507A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 搬送機構 |
| JP2014009970A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 表面傷検査装置及び表面傷検査方法 |
| JP2014215217A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 住友金属鉱山株式会社 | 物体検査装置及び物体検査方法 |
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