RU7247U1 - Пластина лантангаллиевого силиката - Google Patents
Пластина лантангаллиевого силиката Download PDFInfo
- Publication number
- RU7247U1 RU7247U1 RU97106626/20U RU97106626U RU7247U1 RU 7247 U1 RU7247 U1 RU 7247U1 RU 97106626/20 U RU97106626/20 U RU 97106626/20U RU 97106626 U RU97106626 U RU 97106626U RU 7247 U1 RU7247 U1 RU 7247U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- disk
- silicate plate
- diameter
- devices
- crystals
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Пластина лантангаллиевого силиката для устройств на поверхностно-акустических волнах, имеющая форму диска, отличающаяся тем, что диаметр диска 75 - 80 мм, при этом диск имеет базовый срез.
Description
, Пластина лантангаллиевого силиката Предлагаемое устройство относится к радиоэлектронике и может быть использовано в акустоэлектронных частотно-избирательных устройствах на поверхностных акустических волнах ПАВ. ПАВ-устройства обладают большими потенциальными возможностями, реализация которых связана с разработкой новых материалов и более дешевых методов вырашивания пьезоэлектрических кристаллов заданного качества и размеров. Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к заявленному устройству является пластина лантангаллиевого силиката (ЛГС) для устройств на ПАВ, имеющая форму диска (K.Shimamura et.al. Growth and characterization of lanthanmn gallium silicate LasGasSiUH single crystals for piezoelectric applications. J. of Crystal Growth, 1996, v.l63, pp.388-392). Диаметр пластин ЛГС не превышает 50 мм, поскольку известные способы выращивания кристаллов ЛГС не обеспечивают получение качественных кристаллов ЛГС Однако, используемая в настоящее время технологическая оснастка большинства отечественных и зарубежных фирм рассчитана на диаметр диска не менее 76 мм (3), т.к. данный размер обеспечивает минимальные потери устройств по периферии диска по отношению к обшему количеству приборов на всей поверхности дисков. В рамках данной заявки решается задача повышения выхода годных устройств на ПАВ. Поставленная задача решается тем, что пластина лантангаллиевого силиката для устройств на поверхностно-активных волнах, имеющая форму диска, имеет диаметр 75-80 мм, при этом диск имеет базовый срез. Авторами данной работы был разработан такой способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката, который позволил вырашивать монокристаллы лантангаллиевого силиката диаметром не менее 82 мм (по вписанной окружности на цилиндрической части слитка) и массой 82 мм (по вписанной окружности на цилиндрической части слитка) и массой больше 3,5 кг, при этом кристаллы свободны от рассеивающих центров, контролируемых в луче He-Ne лазера. Сущность полезной модели поясняется графическим материалом, где приведена конструкция пластин ЛГС диаметром D, толщиной h и имеющая базовый срез длиной 1. Размеры кристаллов ЛГС 82 мм по вписанной окружности цилиндрической части монокристаллов позволяют при шлифовании боковой поверхности дисков для получения цилиндрической формы диска диаметром из диапазона 75-80 мм удалить дефектные периферийные области, и тем самым увеличить выход годных приборов на ПАВ.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU97106626/20U RU7247U1 (ru) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | Пластина лантангаллиевого силиката |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU97106626/20U RU7247U1 (ru) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | Пластина лантангаллиевого силиката |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU7247U1 true RU7247U1 (ru) | 1998-07-16 |
Family
ID=48269221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU97106626/20U RU7247U1 (ru) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | Пластина лантангаллиевого силиката |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU7247U1 (ru) |
-
1997
- 1997-04-22 RU RU97106626/20U patent/RU7247U1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Atkins et al. | Plastic indentation in metals with cones | |
DE69802517T2 (de) | Diamant-züchtung | |
RU7247U1 (ru) | Пластина лантангаллиевого силиката | |
Purcell et al. | Transmission electron microscopy of the crack tip region of fatigued copper single crystals | |
DE3480218D1 (en) | Process for growing a large single crystal from multiple seed crystals | |
Bostaph et al. | A fracture mechanics analysis for delamination growth during impact on composite plates | |
TW507283B (en) | Method of processing silicon single crystal ingot | |
US2914389A (en) | Method for growing quartz | |
JP2006073768A (ja) | シリコンウエハの加工方法 | |
US2950585A (en) | Apparatus for use in the sharpening of knives, knife blades and the like | |
RU2181796C2 (ru) | Способ выращивания кристаллического кварца | |
JP3412859B2 (ja) | 切断研削装置 | |
CN218330683U (zh) | 一种金属材料取样装置 | |
GB1597927A (en) | Process for the multiple lap cutting of solid materials | |
JPS6427859A (en) | Method for grinding hard and brittle material | |
JPH08300255A (ja) | 単結晶加工方法 | |
Elssner et al. | Preparation of Microsections of Hard and Brittle Materials Using the Technotron Grinding and Polishing System | |
JP3062031B2 (ja) | ルチル単結晶からなる光学部品の製造方法 | |
KR100236325B1 (ko) | 단결정 절단방법 | |
SU1314401A1 (ru) | Способ резки монокристаллических слитков | |
Hovis | Machining and Finishing Fine-grain Beryllium | |
JPH03138106A (ja) | ダイヤモンドの加工方法 | |
JPS5810455A (ja) | ラツプ盤 | |
JP2020063949A (ja) | 肉片切断方法および支持基板 | |
Marinescu et al. | Acoustic emission investigation of ceramic lapping process |