JPH03138106A - ダイヤモンドの加工方法 - Google Patents
ダイヤモンドの加工方法Info
- Publication number
- JPH03138106A JPH03138106A JP1277393A JP27739389A JPH03138106A JP H03138106 A JPH03138106 A JP H03138106A JP 1277393 A JP1277393 A JP 1277393A JP 27739389 A JP27739389 A JP 27739389A JP H03138106 A JPH03138106 A JP H03138106A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- groove
- crystal
- wedge
- parallel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 53
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 26
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 abstract 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 18
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000010721 machine oil Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は切削工具、耐摩工具、半導体用ヒートシンク
等に工業的に用いられるダイヤモンドの加工方法に関す
るものである。
等に工業的に用いられるダイヤモンドの加工方法に関す
るものである。
〈従来の技術〉
ダイヤモンドは最高の硬度と熱伝導率を有しており、切
削工具、耐摩工具、半導体用ヒートシンク等の工業的分
野で広く使用されている。
削工具、耐摩工具、半導体用ヒートシンク等の工業的分
野で広く使用されている。
従来からダイヤモンドを分断する方法としては、切断、
襞間の2つの方法が知られており、前者には(1)切断
刃にダイヤモンドパウダーを埋込んで高速回転させ、こ
れをダイヤモンド単結晶に押し当てて切断を進める方法
に代表されるソーイング@(2)レーザー光線を当て、
熱的にダイヤモンドを切断する方法。等がある。
襞間の2つの方法が知られており、前者には(1)切断
刃にダイヤモンドパウダーを埋込んで高速回転させ、こ
れをダイヤモンド単結晶に押し当てて切断を進める方法
に代表されるソーイング@(2)レーザー光線を当て、
熱的にダイヤモンドを切断する方法。等がある。
また、後者の襞間は例えば“結晶工学ハンドブック”の
第411〜412頁に示されているように、ダイヤモン
ド結晶に他のダイヤモンドまたは切断刃により溝を入れ
、該溝内にナイフ状の楔を打込んで結晶を分断する方法
である。
第411〜412頁に示されているように、ダイヤモン
ド結晶に他のダイヤモンドまたは切断刃により溝を入れ
、該溝内にナイフ状の楔を打込んで結晶を分断する方法
である。
この後者の方法は、ダイヤモンド単結晶が(II+)結
晶面に沿って割れ易い襞間と呼ばれる性質を利用したも
ので、切断代を要さず前者に比べて高価なダイヤモンド
を切断代として太き(失うことなく、また極めて短時間
に加工できる等の長所を持ち、経済的に最も優れたダイ
ヤモンドの分断方法として知られている。
晶面に沿って割れ易い襞間と呼ばれる性質を利用したも
ので、切断代を要さず前者に比べて高価なダイヤモンド
を切断代として太き(失うことなく、また極めて短時間
に加工できる等の長所を持ち、経済的に最も優れたダイ
ヤモンドの分断方法として知られている。
〈発明が解決しようとする課題〉
上記した従来のダイヤモンドの分断方法は°゛ダイヤモ
ンド (三洋出版貿易株式会社発行)の第216〜21
8頁および0セラミツクス11 (1976)、No、
[)”の第520頁等に示されているように、高度な
熟練を要し、かつ高価なダイヤモンドを破損する危険を
含み、更に分断された面は平坦になりにくいなどの問題
を有しているため、宝飾用の大粒ダイヤモンドを2つに
分断する目的で極(一部の加工者が用いていたにすぎな
かった。
ンド (三洋出版貿易株式会社発行)の第216〜21
8頁および0セラミツクス11 (1976)、No、
[)”の第520頁等に示されているように、高度な
熟練を要し、かつ高価なダイヤモンドを破損する危険を
含み、更に分断された面は平坦になりにくいなどの問題
を有しているため、宝飾用の大粒ダイヤモンドを2つに
分断する目的で極(一部の加工者が用いていたにすぎな
かった。
また、同様の理由でヒートシンク等一定形状を有する製
品を製造するうえで不可欠なダイヤモンド結晶を複数の
薄板に加工することは不可能であった。
品を製造するうえで不可欠なダイヤモンド結晶を複数の
薄板に加工することは不可能であった。
上記した従来技術の問題は本発明者の研究によれば以下
の原因によることが解明された。
の原因によることが解明された。
即ち、■ダイヤモンド単結晶に刻む溝は、襞間面である
(Ill)に対して大きくとも0.5°以内の精度で平
行でなければならないが、従来技術であるダイヤモンド
で傷をつける方法又は切断刃を当てる方法ではこのよう
な精度を得ることは極めて困難である。
(Ill)に対して大きくとも0.5°以内の精度で平
行でなければならないが、従来技術であるダイヤモンド
で傷をつける方法又は切断刃を当てる方法ではこのよう
な精度を得ることは極めて困難である。
■同様にかかる溝は太き(とも0.1mm以内の精度を
持つ直線でなければならないが、従来方法では極めて困
難である。
持つ直線でなければならないが、従来方法では極めて困
難である。
■従来技術は天然ダイヤモンド単結晶の加工を対象とし
てきたが、天然ダイヤモンド単結晶はその表面4s地中
において溶解作用を受け、曲面形状になっている例が多
く、このような場合基準となる(Ill)面を見付ける
ことが困難である。
てきたが、天然ダイヤモンド単結晶はその表面4s地中
において溶解作用を受け、曲面形状になっている例が多
く、このような場合基準となる(Ill)面を見付ける
ことが困難である。
■襞間な再現性よく、かつ精度よ(行なうためには、溝
の形状は一定の角度を持つ7字状であることが望ましい
が、従来技術では形状が不定形になりやすく、襞間に必
要な応力をかける作用点がばらつき、再現性、精度に問
題がある。
の形状は一定の角度を持つ7字状であることが望ましい
が、従来技術では形状が不定形になりやすく、襞間に必
要な応力をかける作用点がばらつき、再現性、精度に問
題がある。
く課題を解決するための手段〉
本発明者は上記に述べたダイヤモンドの襞間加工におけ
る問題を解消すべく検討した結果、その改良法を見出し
たものである。
る問題を解消すべく検討した結果、その改良法を見出し
たものである。
即ち、この発明はダイヤモンド単結晶の表面にイオンビ
ーム、電子ビーム、レーザーの何れかの手段を用いて(
Ill)結晶面に対して平行な溝を設け、該溝に楔を打
ち込んでダイヤモンド単結晶を分断することを特徴とす
るダイヤモンドの加工方法を提供するものである。
ーム、電子ビーム、レーザーの何れかの手段を用いて(
Ill)結晶面に対して平行な溝を設け、該溝に楔を打
ち込んでダイヤモンド単結晶を分断することを特徴とす
るダイヤモンドの加工方法を提供するものである。
く作用〉
次に、この発明の詳細な説明するが、この発明で従来法
の問題点を解決した要点は以下の2点である。
の問題点を解決した要点は以下の2点である。
(1)ダイヤモンド単結晶の表面にイオンビーム、電子
ビーム、レーザーの何れかの手段によって該単結晶表面
に溝を入れる。その際、一般にX−Yテーブルと呼ばれ
る駆動装置付き試料移動台を併用し、結晶の+II+)
面をX軸またはY軸に平行に固定することで容易に目的
とする溝を入れることができる。
ビーム、レーザーの何れかの手段によって該単結晶表面
に溝を入れる。その際、一般にX−Yテーブルと呼ばれ
る駆動装置付き試料移動台を併用し、結晶の+II+)
面をX軸またはY軸に平行に固定することで容易に目的
とする溝を入れることができる。
これらの操作は従来技術のように熟練を要するものでは
なく、つづく襞間工程を確実に、かつ高精度に行なうた
めに極めて有効な手段である。
なく、つづく襞間工程を確実に、かつ高精度に行なうた
めに極めて有効な手段である。
ダイヤモンド単結晶表面に溝を入れた後の襞間工程は、
該溝に金属、セラミックス等で構成された楔またはナイ
フ状の鋭角的先端をもつ板を挿入し、これを押し進める
方向へ力を作用させることにより結晶を分断する。
該溝に金属、セラミックス等で構成された楔またはナイ
フ状の鋭角的先端をもつ板を挿入し、これを押し進める
方向へ力を作用させることにより結晶を分断する。
この際、力をかける手段はハンマーによる打撃、プレス
による加圧、熱膨張を利用した応力等を用いることがで
きる。
による加圧、熱膨張を利用した応力等を用いることがで
きる。
また、前記楔の長さについては、溝の長さより大きいこ
とが一般的ではあるが、特に制限はな(、特別な場合に
はその長さは極めて短いこともあり、極端な場合、楔状
ではなく針状のものでも差し支えない。
とが一般的ではあるが、特に制限はな(、特別な場合に
はその長さは極めて短いこともあり、極端な場合、楔状
ではなく針状のものでも差し支えない。
これら一連の作業により襞間作業は従来とは比較になら
ないほど容易に、確実にかつ高精度にその目的を達成す
ることができ、従来、最も確実で高精度であったレーザ
ーによる切断法に比べてもはるかに上回るほどの優れた
ダイヤモンドの分断加工方法である。
ないほど容易に、確実にかつ高精度にその目的を達成す
ることができ、従来、最も確実で高精度であったレーザ
ーによる切断法に比べてもはるかに上回るほどの優れた
ダイヤモンドの分断加工方法である。
0) また、この発明の方法において加工するダイヤモ
ンドは天然産のものよりも良質の大型合成ダイヤモンド
単結晶の方が加工を容易に確実に、かつ高精度に行なえ
るうえで好ましい。
ンドは天然産のものよりも良質の大型合成ダイヤモンド
単結晶の方が加工を容易に確実に、かつ高精度に行なえ
るうえで好ましい。
その理由は、先に述べたように、天然ダイヤモンドは地
中において溶解作用を受けてその表面が曲面になってい
たり、凹凸のある結晶が多く、襞間加工に必要な(Il
l)面の割り出しがその外観から容易に行なえないもの
が多いためである。
中において溶解作用を受けてその表面が曲面になってい
たり、凹凸のある結晶が多く、襞間加工に必要な(Il
l)面の割り出しがその外観から容易に行なえないもの
が多いためである。
この問題を解決する手段としては、X線による結晶方位
の同定があるが、この方法は時間と手間がかかるため、
経済的に有利な方法とは言えないのである。
の同定があるが、この方法は時間と手間がかかるため、
経済的に有利な方法とは言えないのである。
一方、合成ダイヤモンドは一般に(Ill)面と(+0
0)面によって囲まれる正確な多面体形状を有しており
、この発明の実施に好適であるといえる。
0)面によって囲まれる正確な多面体形状を有しており
、この発明の実施に好適であるといえる。
即ち、前述した溝入れ加工のなかで結晶を試料台に固定
する際に、結晶の成長面である(l l +)面を試料
台上の移動軸に平行に設定した基準面に押し当てるだけ
で溝の方向と結晶の(1111面の方向を0.1°以内
の精度で容易に固定することができるのである。
する際に、結晶の成長面である(l l +)面を試料
台上の移動軸に平行に設定した基準面に押し当てるだけ
で溝の方向と結晶の(1111面の方向を0.1°以内
の精度で容易に固定することができるのである。
また、使用する合成ダイヤモンド結晶は、一般にダイヤ
モンド砥粒と呼ばれて市販されている直径!+nm以下
のものは、その大きさ、品質の点からこの発明での適用
は好ましくな(、直径1.5m+n以上、重量が173
0カラット以上の大型で高品質の合成ダイヤモンドが好
適であるといえる。
モンド砥粒と呼ばれて市販されている直径!+nm以下
のものは、その大きさ、品質の点からこの発明での適用
は好ましくな(、直径1.5m+n以上、重量が173
0カラット以上の大型で高品質の合成ダイヤモンドが好
適であるといえる。
〈実施例〉
以下、この発明を実施例により詳細に説明する。
実施例1
重量1〜1.1カラツトの不純物を含まない八面体天然
ダイヤモンド各lOケづつを1セツトとし、これを7セ
ツト計70ケ、同重量の不純物を含まない六−八面体合
成ダイヤモンドlロケを下記の従来方法(1)〜(4)
およびこの発明の方法(1)〜(4)でそれぞれの結晶
を全て2分割し、破損せずに得られた分割片の歩留りを
調べたところ、第1表に示す結果を得た。なお、表中の
歩留りとは破損せず分断された結晶の割合を示したもの
である。
ダイヤモンド各lOケづつを1セツトとし、これを7セ
ツト計70ケ、同重量の不純物を含まない六−八面体合
成ダイヤモンドlロケを下記の従来方法(1)〜(4)
およびこの発明の方法(1)〜(4)でそれぞれの結晶
を全て2分割し、破損せずに得られた分割片の歩留りを
調べたところ、第1表に示す結果を得た。なお、表中の
歩留りとは破損せず分断された結晶の割合を示したもの
である。
(従来の方法)
(1)切断刃による切断
厚さO,15mmのリン青銅製の円盤を切断機に取付け
、円板の外周部に粒径10gm程度のダイヤモンドパウ
ダーを機械油と共に練ったものをすり込み、8000r
pmの速度で回転させ、これを天然ダイヤモンドの結晶
面にあてて切断した。
、円板の外周部に粒径10gm程度のダイヤモンドパウ
ダーを機械油と共に練ったものをすり込み、8000r
pmの速度で回転させ、これを天然ダイヤモンドの結晶
面にあてて切断した。
切断された面には切断刃の送りマークが残り、0.1m
m以上の面の曲がりが生じていた。
m以上の面の曲がりが生じていた。
c2) レーザーによる切断
天然ダイヤモンドなX−Yテーブル上に固定し、出力2
0WのYAGレーザーを用い、X−Yテーブルを所定の
方向に移動させながら切断を行なった。切断面はレーザ
ーのパルスによる縦筋が入り、レーザーの進行方向、即
ちテーブルに対し垂直方向に平行ではなく、2〜6°の
傾斜がついていた。
0WのYAGレーザーを用い、X−Yテーブルを所定の
方向に移動させながら切断を行なった。切断面はレーザ
ーのパルスによる縦筋が入り、レーザーの進行方向、即
ちテーブルに対し垂直方向に平行ではなく、2〜6°の
傾斜がついていた。
また、この傾斜はレーザーの入り口付近と出口付近では
異なるため、切断面は曲面になっていた。
異なるため、切断面は曲面になっていた。
■ ダイヤで傷を入れた後に襞間
天然ダイヤモンドの表面に他の尖った先端をもつダイヤ
モンドで傷を入れ、そこに先端角20”の鋼製楔をハン
マーを用いて打込んだ。
モンドで傷を入れ、そこに先端角20”の鋼製楔をハン
マーを用いて打込んだ。
その結果は破損するものが多く、歩留りは30%と低か
った。破損せず、分断されたダイヤモンドの破面は貝殻
状の曲面であった。
った。破損せず、分断されたダイヤモンドの破面は貝殻
状の曲面であった。
(4)(1)で用いた切断刃で天然ダイヤモンド表面に
溝を入れ、■と同様の作業を行なった。
溝を入れ、■と同様の作業を行なった。
破面は■のものより少し改善されていた。
(本発明の方法)
(1)天然ダイヤモンドなX−YテーブルにC1111
面がY軸に平行になるよう固定し、これをY軸方向に移
動させながら5Wの出力をもつYAGレーザーで結晶表
面に溝を入れた。この時できた溝は開口幅0.08mm
、深さ0.3nmの7字状であった。
面がY軸に平行になるよう固定し、これをY軸方向に移
動させながら5Wの出力をもつYAGレーザーで結晶表
面に溝を入れた。この時できた溝は開口幅0.08mm
、深さ0.3nmの7字状であった。
この溝に上記の従来の方法の3と同様に楔を打込み結晶
を分断した。
を分断した。
分断された破面ば従来法の(3)、(4)で得られた破
面より平坦であった。
面より平坦であった。
C〕 天然ダイヤモンドを真空チャンバー内に設置した
X−Yテーブルに(1)と同時に固定し、真空チャンバ
ー内を10−’Torrまで真空引きした後、電子ビー
ムを当て、開口幅0.1mm、深さ0.25mmのV字
状溝をダイヤモンド表面に刻んだ。さらに(1)と同様
に結晶を分断した。
X−Yテーブルに(1)と同時に固定し、真空チャンバ
ー内を10−’Torrまで真空引きした後、電子ビー
ムを当て、開口幅0.1mm、深さ0.25mmのV字
状溝をダイヤモンド表面に刻んだ。さらに(1)と同様
に結晶を分断した。
■ 上記(2)における電子ビームの代りにArイオン
を用いたイオンビームを使用し、その他は2)と同一に
して作業を行なった。
を用いたイオンビームを使用し、その他は2)と同一に
して作業を行なった。
(4) (1)の天然ダイヤモンドに代えて1.0カ
ラツトの六−八面体合成ダイヤモンドを使用した以外は
(1)と同様にして作業を行なった。
ラツトの六−八面体合成ダイヤモンドを使用した以外は
(1)と同様にして作業を行なった。
第 1
表
実施例2
実施例1と同様の従来の方法(1)〜(4)および本発
明の方法(1)〜(4)にて重量1.0−1.1カラツ
トのダイヤモンド各10ケづつを0.5mm厚の板状に
分断した。その結果は第2表に示した。
明の方法(1)〜(4)にて重量1.0−1.1カラツ
トのダイヤモンド各10ケづつを0.5mm厚の板状に
分断した。その結果は第2表に示した。
尚、従来の方法のうち(3)の天然ダイヤモンド結晶の
表面に他の尖った先端をもつダイヤモンドで傷を入れ、
しかるのち分断する方法では、目的とする0、5mm厚
の板状物は一枚も得られなかった。
表面に他の尖った先端をもつダイヤモンドで傷を入れ、
しかるのち分断する方法では、目的とする0、5mm厚
の板状物は一枚も得られなかった。
尚、分断の条件は全て実施例1と同一とした。
〈発明の効果〉
以上詳述したようにSこの発明の加工方法はダイヤモン
ドの分断方法として従来行なわれてきた方法に比べてそ
の精度、再現性、作業の容易性、加工時間の短縮などの
点において大きな効果を有し、特に経済的にはあらゆる
従来技術を凌ぐものである。
ドの分断方法として従来行なわれてきた方法に比べてそ
の精度、再現性、作業の容易性、加工時間の短縮などの
点において大きな効果を有し、特に経済的にはあらゆる
従来技術を凌ぐものである。
Claims (2)
- (1)ダイヤモンド単結晶の表面にイオンビーム、電子
ビーム、レーザーの何れかの手段を用いて(111)結
晶面に対して平行な溝を設け、該溝に楔を打ち込んでダ
イヤモンド単結晶を分断することを特徴とするダイヤモ
ンドの加工方法。 - (2)ダイヤモンド単結晶が人工的に合成され、かつそ
の重量が1/30カラット以上であることを特徴とする
請求項(1)記載のダイヤモンドの加工方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1277393A JPH085055B2 (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | ダイヤモンドの加工方法 |
DE69016240T DE69016240T3 (de) | 1989-04-06 | 1990-04-05 | Diamant für Abrichtungsvorrichtung |
EP90106545A EP0391418B2 (en) | 1989-04-06 | 1990-04-05 | A diamond for a dresser |
KR1019930021754A KR940002022B1 (ko) | 1989-10-25 | 1993-10-20 | 다이아몬드의 가공방법 |
US08/247,601 US6007916A (en) | 1989-04-06 | 1994-05-23 | Synthetic single crystal diamond for wiring drawing dies and process for producing the same |
US08/484,258 US5560241A (en) | 1989-04-06 | 1995-06-07 | Synthetic single crystal diamond for wire drawing dies |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1277393A JPH085055B2 (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | ダイヤモンドの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03138106A true JPH03138106A (ja) | 1991-06-12 |
JPH085055B2 JPH085055B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=17582916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1277393A Expired - Lifetime JPH085055B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-10-25 | ダイヤモンドの加工方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH085055B2 (ja) |
KR (1) | KR940002022B1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5294381A (en) * | 1991-10-21 | 1994-03-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing a diamond heat sink |
EP0776732A1 (en) | 1995-11-29 | 1997-06-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Single-crystalline diamond tip for dresser and dresser employing the same |
JP2009166139A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Noritake Super Abrasive:Kk | ダイヤモンドドレッサ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57173118A (en) * | 1980-09-17 | 1982-10-25 | Siemens Ag | Method of dividing semiconductor element body |
JPS6469304A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-15 | Sharp Kk | Cleaving device |
-
1989
- 1989-10-25 JP JP1277393A patent/JPH085055B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-10-20 KR KR1019930021754A patent/KR940002022B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57173118A (en) * | 1980-09-17 | 1982-10-25 | Siemens Ag | Method of dividing semiconductor element body |
JPS6469304A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-15 | Sharp Kk | Cleaving device |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5495126A (en) * | 1991-01-21 | 1996-02-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Polycrystalline diamond heat sink having major surfaces electrically insulated from each other |
US5294381A (en) * | 1991-10-21 | 1994-03-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing a diamond heat sink |
EP0776732A1 (en) | 1995-11-29 | 1997-06-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Single-crystalline diamond tip for dresser and dresser employing the same |
US5785039A (en) * | 1995-11-29 | 1998-07-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Single-crystalline diamond tip for dresser and dresser employing the same |
JP2009166139A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Noritake Super Abrasive:Kk | ダイヤモンドドレッサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR940002022B1 (ko) | 1994-03-14 |
JPH085055B2 (ja) | 1996-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3680213A (en) | Method of grooving semiconductor wafer for the dividing thereof | |
Von Turkovich et al. | Micro-machining of copper and aluminum crystals | |
US4697489A (en) | Ultramicrotome tool | |
US4581969A (en) | Ultramicrotome diamond knife | |
WO2000037208A1 (en) | Cutting of ultra-hard materials | |
JP2007031200A (ja) | カッターホイール | |
Shetty et al. | A study of abrasive wear mechanisms using diamond and alumina scratch tests | |
TW461045B (en) | Laser scribing of wafers | |
JP4602679B2 (ja) | ワイヤ式挽き切り方法及び装置 | |
Yan et al. | Machinability improvement in three-dimensional (3D) ultrasonic vibration assisted diamond wire sawing of SiC | |
EP0391418B1 (en) | A diamond for a wire drawing die, dresser or heat-sink, a process for its manufacture, and a wire drawing die made therefrom | |
Kayaba et al. | The analysis of adhesive wear mechanism by successive observations of the wear process in SEM | |
JPH03138106A (ja) | ダイヤモンドの加工方法 | |
US6007916A (en) | Synthetic single crystal diamond for wiring drawing dies and process for producing the same | |
Zhang et al. | A normal force model for ultrasonic vibration-assisted inner-diameter slicing of hard and brittle materials | |
JPH10209086A (ja) | 板状ワークの割断方法およびその装置 | |
KR20110093639A (ko) | 반도체 재료로 구성된 결정으로부터 복수의 웨이퍼를 슬라이싱하기 위한 방법 | |
US5193311A (en) | Tools for working non-metallic hard materials | |
RU2699350C1 (ru) | Способ строгания бронзовой плиты | |
JPS629864A (ja) | マルチブレ−ドソ−の加工方法 | |
JPH0712485B2 (ja) | 線引きダイス用素材および該素材を用いた線引きダイス | |
JPS6013795B2 (ja) | ブレ−ド | |
JPH09246217A (ja) | 半導体ウエハの製造方法 | |
Glardon et al. | Some observations on the wear of single point diamond tools used for machining glass | |
JPH03138546A (ja) | ダイヤモンドミクロトームナイフおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090124 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090124 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100124 Year of fee payment: 14 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100124 Year of fee payment: 14 |