JPH082999Y2 - スピンコート装置 - Google Patents
スピンコート装置Info
- Publication number
- JPH082999Y2 JPH082999Y2 JP1989142873U JP14287389U JPH082999Y2 JP H082999 Y2 JPH082999 Y2 JP H082999Y2 JP 1989142873 U JP1989142873 U JP 1989142873U JP 14287389 U JP14287389 U JP 14287389U JP H082999 Y2 JPH082999 Y2 JP H082999Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- gas
- spin coater
- thin film
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Coating Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はウェハー等に均一な薄膜、すなわち外的要因
により、影響を受けない均一な質、組成の薄膜の形成が
好適に行われるスピンコート装置に関する。
により、影響を受けない均一な質、組成の薄膜の形成が
好適に行われるスピンコート装置に関する。
従来、半導体装置製造のウェハープロセスにおいて、
拡散ソース、平坦化膜等に用いるS.O.G膜の形成、フォ
トレジスト層、表面保護膜の形成に周知のスピンコート
装置が採用されている。スピンコート装置は真空チャッ
クでウェハーを吸着せしめ、次に、ウェハーの塵芥の除
去を行うべくエアーの吹き付を行うとともに、フォトレ
ジストをウェハーの中央部に滴下する。この後、ウェハ
ーを高速回転させ、この場合の遠心力により、例えば、
拡散ソースは0.1μｍ以下、表面保護膜は１〜数μｍ、
フォトレジストは数千Å〜数μｍの薄膜が形成される。
拡散ソース、平坦化膜等に用いるS.O.G膜の形成、フォ
トレジスト層、表面保護膜の形成に周知のスピンコート
装置が採用されている。スピンコート装置は真空チャッ
クでウェハーを吸着せしめ、次に、ウェハーの塵芥の除
去を行うべくエアーの吹き付を行うとともに、フォトレ
ジストをウェハーの中央部に滴下する。この後、ウェハ
ーを高速回転させ、この場合の遠心力により、例えば、
拡散ソースは0.1μｍ以下、表面保護膜は１〜数μｍ、
フォトレジストは数千Å〜数μｍの薄膜が形成される。
前記の従来の技術のスピンコート装置においては、ウ
ェハーに均一の薄膜を形成するため、フォトレジストの
粘度管理、気体の混入管理、ウェハーの中央部への滴下
量、方法、滴下後の待機時間の設定等の管理が要求され
る。さらにウェハーの回転数、その精度とともに、温
度、湿度、蒸気圧、排気等の管理が重要とされ、例え
ば、比較的煩瑣なカップ温度調整機等が必要とされる。
このようなウェハーの薄膜の形成においては、スピンコ
ート装置の周囲環境に支配されるものとなり、フォトレ
ジスト層の不均一を生起する欠点を有している。
ェハーに均一の薄膜を形成するため、フォトレジストの
粘度管理、気体の混入管理、ウェハーの中央部への滴下
量、方法、滴下後の待機時間の設定等の管理が要求され
る。さらにウェハーの回転数、その精度とともに、温
度、湿度、蒸気圧、排気等の管理が重要とされ、例え
ば、比較的煩瑣なカップ温度調整機等が必要とされる。
このようなウェハーの薄膜の形成においては、スピンコ
ート装置の周囲環境に支配されるものとなり、フォトレ
ジスト層の不均一を生起する欠点を有している。
本考案は上記の課題に鑑みてなされ、例えば、S.O.G
膜、フォトレジスト層、表面保護膜等の薄膜が形成され
る際に、例えば、カップ温度調整機等を必要とすること
なく、比較的簡易の構成のもとに均一な薄膜の形成が可
能とされるスピンコート装置を提供することを目的とす
る。
膜、フォトレジスト層、表面保護膜等の薄膜が形成され
る際に、例えば、カップ温度調整機等を必要とすること
なく、比較的簡易の構成のもとに均一な薄膜の形成が可
能とされるスピンコート装置を提供することを目的とす
る。
前記の課題を解決するために、本考案のスピンコート
装置において、少なくとも、ローダ、塗布部、アンロー
ダのウェハーの通過する近傍に不活性ガスを噴出するノ
ズルが配設され、且つ導出される不活性ガスによりウェ
ハーが通過する近傍が窒素雰囲気に形成されることを特
徴とする。
装置において、少なくとも、ローダ、塗布部、アンロー
ダのウェハーの通過する近傍に不活性ガスを噴出するノ
ズルが配設され、且つ導出される不活性ガスによりウェ
ハーが通過する近傍が窒素雰囲気に形成されることを特
徴とする。
上記の本考案のスピンコート装置において、ウェハー
の通過する近傍が窒素雰囲気に形成されて、ウェハーの
薄膜の形成においては、スピンコート装置の周囲環境の
変動に支配され難いものとなり、フォトレジスト層の不
均一が有効に低減する。
の通過する近傍が窒素雰囲気に形成されて、ウェハーの
薄膜の形成においては、スピンコート装置の周囲環境の
変動に支配され難いものとなり、フォトレジスト層の不
均一が有効に低減する。
次に、本考案に係るスピンコート装置の一実施例を添
付図面を参照して詳細に説明する。
付図面を参照して詳細に説明する。
第１図は実施例の構成を示す上面図、第２図は第１図
の実施例の要部を示す構成図である。
の実施例の要部を示す構成図である。
第１図に示される例は、ローダ２と、塗布部４と、ア
ンローダ６とで概略構成されている。
ンローダ６とで概略構成されている。
ローダ２は、テフロン材等が採用されるとともに図示
されるようにウェハーＷ方向にＮ2ガスを送出すべくＮ2
ガス送出機構７から供給されるＮ2ガスを送出するガス
噴射ノズル８と、ウェハーＷの移動手段９が設けられて
いる。
されるようにウェハーＷ方向にＮ2ガスを送出すべくＮ2
ガス送出機構７から供給されるＮ2ガスを送出するガス
噴射ノズル８と、ウェハーＷの移動手段９が設けられて
いる。
塗布部４は第２図にも示される様に排液カップ11と、
テフロン材等が採用されるガス噴射ノズル12a、12bを有
している。排液カップ11には貫通孔から突設されるウェ
ハーＷを最上部に吸着せしめる真空真空チャックを備え
るとともに、回転駆動手段13が併設される回転台15とを
有している。さらにガス噴射ノズル12a、12bは図示され
るようにウェハーＷ方向にＮ2ガスを送出するものであ
り、Ｎ2ガス送出機構７に接続されている。さらに排液
カップ11は上部面に開口部Ｐが形成されており、この開
口部Ｐの上部にはフォトレジストＨWを滴下せしめるた
めのノズル16が配設されている。さらに、ノズル16には
フォトレジストＨWの設定量を送出するフォトレジスト
送出機構17が併設されている。
テフロン材等が採用されるガス噴射ノズル12a、12bを有
している。排液カップ11には貫通孔から突設されるウェ
ハーＷを最上部に吸着せしめる真空真空チャックを備え
るとともに、回転駆動手段13が併設される回転台15とを
有している。さらにガス噴射ノズル12a、12bは図示され
るようにウェハーＷ方向にＮ2ガスを送出するものであ
り、Ｎ2ガス送出機構７に接続されている。さらに排液
カップ11は上部面に開口部Ｐが形成されており、この開
口部Ｐの上部にはフォトレジストＨWを滴下せしめるた
めのノズル16が配設されている。さらに、ノズル16には
フォトレジストＨWの設定量を送出するフォトレジスト
送出機構17が併設されている。
回転台15には真空チャックが設けられるとともに、回
転数制御が可能であるモータ等を備えた回転駆動手段13
が併設されている。
転数制御が可能であるモータ等を備えた回転駆動手段13
が併設されている。
アンローダ６はテフロン材等が採用されるとともに図
示されるようにウェハーＷの方向にＮ2ガス送出機構７
から供給されるＮ2ガスを送出するガス噴射ノズル20
と、移動手段21が設けられている。
示されるようにウェハーＷの方向にＮ2ガス送出機構７
から供給されるＮ2ガスを送出するガス噴射ノズル20
と、移動手段21が設けられている。
このような構成において、ローダ２、塗布部４、アン
ローダ６との間をウェハーＷが移動し、且つ塗布部４で
フォトレジストＨWの塗布が行われる際、Ｎ2ガス（Ｎ2
は不活性ガス）でウェハーＷの近傍に存在する水分（H2
O系）等を追い出してＮ2ガスで満たすことによりウェハ
ーに塗布する薬品（レジスト等）の質、組成に影響を与
えるものを排除する。すなわち、ウェハーＷに形成され
る薄膜が変形するような影響を与えない流入圧力をもっ
て、Ｎ2ガスを導入し、ウェハーＷの周囲を窒素雰囲気
に形成して外的要因（例えば湿気、反応性ガス、コンタ
ミネーション、ダスト）を排除せしめる。
ローダ６との間をウェハーＷが移動し、且つ塗布部４で
フォトレジストＨWの塗布が行われる際、Ｎ2ガス（Ｎ2
は不活性ガス）でウェハーＷの近傍に存在する水分（H2
O系）等を追い出してＮ2ガスで満たすことによりウェハ
ーに塗布する薬品（レジスト等）の質、組成に影響を与
えるものを排除する。すなわち、ウェハーＷに形成され
る薄膜が変形するような影響を与えない流入圧力をもっ
て、Ｎ2ガスを導入し、ウェハーＷの周囲を窒素雰囲気
に形成して外的要因（例えば湿気、反応性ガス、コンタ
ミネーション、ダスト）を排除せしめる。
このように、プロセス等のそれほど厳密な温度管理を
必要とされない場合の湿度管理が、例えば、カップ温度
調整機等を必要とすることなく、好適に行えるものとな
り、環境が変動してもウェハーＷに形成される薄膜への
悪影響が緩和される。さらに、ウェハーＷへのＮ2ガス
送出により、塵芥の除去が可能となり、歩留りが向上し
量産に寄与するものとなる。
必要とされない場合の湿度管理が、例えば、カップ温度
調整機等を必要とすることなく、好適に行えるものとな
り、環境が変動してもウェハーＷに形成される薄膜への
悪影響が緩和される。さらに、ウェハーＷへのＮ2ガス
送出により、塵芥の除去が可能となり、歩留りが向上し
量産に寄与するものとなる。
以上のように、本考案のスピンコート装置によれば、
少なくとも、ローダ、塗布部、アンローダのウェハーの
通過する近傍に不活性ガスを噴出するノズルが配設さ
れ、且つ導出される不活性ガスによりウェハーが通過す
る近傍が窒素雰囲気に形成されることを特徴としてい
る。
少なくとも、ローダ、塗布部、アンローダのウェハーの
通過する近傍に不活性ガスを噴出するノズルが配設さ
れ、且つ導出される不活性ガスによりウェハーが通過す
る近傍が窒素雰囲気に形成されることを特徴としてい
る。
これにより、スピンコート装置の周囲環境の変動に支
配され難いものとなり、フォトレジスト層の不均一が有
効に低減する。加えて、S.O.G膜、フォトレジスト層、
表面保護膜等の薄膜が形成される際に、例えば、カップ
温度調整機等を必要とすることなく、比較的簡易の構成
のもとに均一な薄膜の形成が可能となる。
配され難いものとなり、フォトレジスト層の不均一が有
効に低減する。加えて、S.O.G膜、フォトレジスト層、
表面保護膜等の薄膜が形成される際に、例えば、カップ
温度調整機等を必要とすることなく、比較的簡易の構成
のもとに均一な薄膜の形成が可能となる。
第１図は本考案のスピンコート装置の一実施例の構成を
示す上面図、第２図は第１図の実施例の要部を示す構成
図である。 ２……ローダ、４……塗布部、６……アンローダ、７…
…Ｎ2ガス送出機構、８……ガス噴射ノズル、９……移
動手段、12a、12b……ガス噴射ノズル、20……ガス噴射
ノズル、ＨW……フォトレジストＷ……ウェハー。
示す上面図、第２図は第１図の実施例の要部を示す構成
図である。 ２……ローダ、４……塗布部、６……アンローダ、７…
…Ｎ2ガス送出機構、８……ガス噴射ノズル、９……移
動手段、12a、12b……ガス噴射ノズル、20……ガス噴射
ノズル、ＨW……フォトレジストＷ……ウェハー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも、ローダ、塗布部、アンローダ
のウェハーの通過する近傍に不活性ガスを噴出するノズ
ルが配設され、且つ導出される不活性ガスによりウェハ
ーが通過する近傍が窒素雰囲気に形成されることを特徴
とするスピンコート装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989142873U JPH082999Y2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | スピンコート装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989142873U JPH082999Y2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | スピンコート装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0381626U JPH0381626U (ja) | 1991-08-21 |
| JPH082999Y2 true JPH082999Y2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=31689681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989142873U Expired - Lifetime JPH082999Y2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | スピンコート装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH082999Y2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58143866A (ja) * | 1982-02-17 | 1983-08-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | レジスト剤塗布装置 |
| JPS62128539A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウエハの搬送装置 |
| JPS62198122A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
| JPS63318738A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-27 | コンバツク ゲーエムベーハー | 半導体素子の製造用ウエーハの処理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH061758B2 (ja) * | 1987-08-24 | 1994-01-05 | 三菱電機株式会社 | レジスト塗布装置 |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP1989142873U patent/JPH082999Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58143866A (ja) * | 1982-02-17 | 1983-08-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | レジスト剤塗布装置 |
| JPS62128539A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウエハの搬送装置 |
| JPS62198122A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
| JPS63318738A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-27 | コンバツク ゲーエムベーハー | 半導体素子の製造用ウエーハの処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0381626U (ja) | 1991-08-21 |
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