JPH061758B2 - レジスト塗布装置 - Google Patents

レジスト塗布装置

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Publication number
JPH061758B2
JPH061758B2 JP62210919A JP21091987A JPH061758B2 JP H061758 B2 JPH061758 B2 JP H061758B2 JP 62210919 A JP62210919 A JP 62210919A JP 21091987 A JP21091987 A JP 21091987A JP H061758 B2 JPH061758 B2 JP H061758B2
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JP
Japan
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resist
wafer
gas
coating apparatus
resist coating
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP62210919A
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English (en)
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JPS6453421A (en
Inventor
義行 大迫
義行 前田
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPS6453421A publication Critical patent/JPS6453421A/ja
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体製造におけるホト・リソグラフィ工
程で用いられるレジスト塗布装置に関する。
〔従来の技術〕
従来から、この種のレジスト塗布装置として、複数のウ
ェハを収容する収容部と、この収容部からウェハを取り
出して搬送する搬送部と、この搬送部から送り込まれた
ウェハの表面にレジスト液を塗布してレジスト薄膜を形
成する塗布部とが、順次並列に配置されてなる構成のも
のが知られている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、従来のレジスト塗布装置においては、これを
構成する収容部などの全ての部分が外気中に露出してい
るので、外気の温度変化によってウェハ温度が影響を受
けるとともに、その塗布部において塗布されたレジスト
液の乾燥具合がウェハ温度および塗布部周囲の外気温度
の変化による影響を受けて大きく変動してしまう。その
結果、ウェハ表面に均一なレジスト薄膜を形成すること
は、大変困難となっていた。
この発明は、このような現状に着目して創案されたもの
であって、ウェハ温度の変化を防止して安定化させると
ともに、塗布部周囲の雰囲気温度の変化を防止すること
によって、ウェハ表面に均一なレジスト薄膜を形成でき
るレジスト塗布装置の提供を目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明においては、このような目的を達成するために、
複数のウェハを収容する収容部と、この収容部からウェ
ハを取り出して搬送する搬送部と、この搬送部から送り
込まれたウェハの表面にレジスト液を塗布してレジスト
薄膜を形成する塗布部とからなるレジスト塗布装置にお
いて、前記各部を全体的に覆うチャンバーを設けるとと
もに、所定温度に調整された気体を前記チャンバー内に
供給する気体通路を設け、かつ、この気体通路に気体供
給源を連通接続した構成に特徴を有するものである。
〔作用〕
上記構成によれば、レジスト液が塗布されるべきウェハ
は、レジスト塗布装置の全ての工程にわたってチャンバ
ー内に供給された所定温度の気体からなる雰囲気にさら
されていることになるので、ウェハ温度が変化すること
はなく、所定温度で安定化する。一方、塗布部も、常
時、前記雰囲気にさらされているので、ウェハ表面に塗
布されたレジスト液の乾燥具合が安定化することにな
る。その結果、ウェハ表面には、均一なレジスト薄膜が
形成されることになる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図面に基づき、詳細に説明
する。
第1図は、本発明に係るレジスト塗布装置の概略構成を
示す断面図である。このレジスト塗布装置は、複数のウ
ェハ1を収容する収容部2と、この収容部2からウェハ
1を取り出して搬送するベルト機構からなる搬送部3
と、この搬送部3から送り込まれたウェハ1の表面にレ
ジスト液Rを塗布してレジスト薄膜を形成する塗布部4
とが順次並列に配置されることによって構成されてい
る。
そして、これらの各部2,3,4はチャンバー5によっ
て全体的に覆われ、このチャンバー5の上部には所定温
度に調整された気体としての恒温空気Aを内部に供給す
る気体通路となる複数(図では、3本)の空気管6,…
がそれぞれ前記各部2,3,4に対応する位置に設けら
れている。さらに、これらの空気管6,…は気体供給源
としての空気供給装置7に連続接続され、前記恒温空気
Aは図示していない温度調整器を備えた空気供給装置7
において所定の温度に調整されるようになっている。
つぎに、このような構成を備えたレジスト塗布装置の動
作について説明する。
レジスト液Rが塗布されるべき複数のウェハ1,…は、
収容部2を構成するカセット8に上下多段に差し込むこ
とによって収容され、このカセット8はこれを移動動作
させる上下動テーブル9上に装着されている。そして、
カセット8に収容されたウェハ1は、その下段側に位置
するものから順次搬送部3によって一枚ずつ取り出され
て水平方向に搬送され、その終端に位置し、かつ塗布部
4を構成する回転ステージ10上に送り込まれて吸着保持
される。ついで、このウェハ1表面の中心位置にはレジ
ストパイプ11からレジスト液Rが滴下して供給され、こ
のレジスト液Rはウェハ1がモータ12によって回転ステ
ージ10を介して高速回転させられることによってウェハ
1の全面に拡げられてレジスト薄膜として形成される。
このように、本発明におけるウェハ1は、レジスト塗布
装置における全工程にわたって、すなわち、その収容部
2での待機中においても搬送部3での搬送中においても
チャンバー5の内部に供給された恒温空気Aからなる雰
囲気にさらされていることになる。そのため、ウェハ1
の温度が変化することはなく、恒温空気Aと同一温度で
安定化することになる。また、塗布部4も恒温空気Aか
らなる雰囲気にさらされているので、ウェハ1の表面に
塗布されたレジスト液Rの乾燥具合も安定化することに
なる。
なお、第1図においては図示していないが、チャンバー
5の下方には吸引排気装置が接続され、チャンバー5の
内部が常に所定温度に調整された空気Aで満たされるよ
うになっている。また、以上の説明においては、気体を
空気として説明しているが、これに限定されるものでは
なく、例えば、窒素ガスなどの不活性気体であってもよ
いことはいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、レジスト塗布装
置を構成する各部分をチャンバーによって全体的に覆う
とともに、チャンバー内に所定温度に調整された気体を
供給しているので、レジスト液が塗布されるべきウェハ
は、レジスト塗布装置における全ての工程にわたって所
定温度の気体からなる雰囲気にさらされ、ウェハ温度は
所定温度で安定化することになる。一方、搬送部から送
り込まれたウェハ表面にレジスト液を塗布する塗布部も
前記雰囲気にさらされているので、塗布されたレジスト
液の乾燥具合も安定化する。
したがって、このレジスト塗布装置によれば、ウェハ表
面に、均一なレジスト薄膜を容易に形成することができ
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係るレジスト塗布装置の概略構成を
示す断面図である。 1…ウェハ、 2…収容部、 3…搬送部、 4…塗布部、 5…チャンバー、 6…空気管(気体通路)、 7…空気供給装置(気体供給源)、 R…レジスト液。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数のウェハを収容する収容部と、この収
    容部からウェハを取り出して搬送する搬送部と、この搬
    送部から送り込まれたウェハの表面にレジスト液を塗布
    してレジスト薄膜を形成する塗布部とからなるレジスト
    塗布装置において、 前記各部を全体的に覆うチャンバーを設けるとともに、 所定温度に調整された気体を前記チャンバー内に供給す
    る気体通路を設け、 かつ、この気体通路に気体供給源を連通接続したことを
    特徴とするレジスト塗布装置。
JP62210919A 1987-08-24 1987-08-24 レジスト塗布装置 Expired - Lifetime JPH061758B2 (ja)

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JPS6453421A JPS6453421A (en) 1989-03-01
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH082999Y2 (ja) * 1989-12-11 1996-01-29 ミツミ電機株式会社 スピンコート装置
US5371046A (en) * 1993-07-22 1994-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to solve sog non-uniformity in the VLSI process

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5735319A (en) * 1980-08-13 1982-02-25 Hitachi Ltd Heat treatment device

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JPS5735319A (en) * 1980-08-13 1982-02-25 Hitachi Ltd Heat treatment device

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