JPH08291381A - アーク放電型ｐｖｄ装置 - Google Patents
アーク放電型ｐｖｄ装置Info
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- JPH08291381A JPH08291381A JP7092585A JP9258595A JPH08291381A JP H08291381 A JPH08291381 A JP H08291381A JP 7092585 A JP7092585 A JP 7092585A JP 9258595 A JP9258595 A JP 9258595A JP H08291381 A JPH08291381 A JP H08291381A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 陰極と陽極の間、または陽極もしくは陰極の
内側か外側に高周波印加用電極を具備し、製膜または微
粒子を形成中に、高周波印加用電極に高周波を供給する
機構を具備することにより、低電圧で放電可能でかつア
ークスポットの集中による急激な熱膨張での陰極割れを
防止しする装置を提供する。 【構成】 ガス導入系１７から例えばメタンガスと水素
ガスを導入し、陰極９、陽極１０間で電源１８によりア
ーク放電を行う。このとき高周波電源１６により高周波
印加用電極１５に高周波を供給すると真空槽１３内の高
周波印加用電極１５の近傍では高密度のプラズマが発生
するためプラズマの抵抗が小さくなりアーク放電の電圧
が低下する。また、陰極近傍のプラズマ密度も均一に向
上するため、アークスポットが局所的に集中しなくなり
電極の割れを防止することができる。
内側か外側に高周波印加用電極を具備し、製膜または微
粒子を形成中に、高周波印加用電極に高周波を供給する
機構を具備することにより、低電圧で放電可能でかつア
ークスポットの集中による急激な熱膨張での陰極割れを
防止しする装置を提供する。 【構成】 ガス導入系１７から例えばメタンガスと水素
ガスを導入し、陰極９、陽極１０間で電源１８によりア
ーク放電を行う。このとき高周波電源１６により高周波
印加用電極１５に高周波を供給すると真空槽１３内の高
周波印加用電極１５の近傍では高密度のプラズマが発生
するためプラズマの抵抗が小さくなりアーク放電の電圧
が低下する。また、陰極近傍のプラズマ密度も均一に向
上するため、アークスポットが局所的に集中しなくなり
電極の割れを防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜形成及び／または
微粒子形成等に用いるアーク放電型ＰＶＤ（physical v
apor deposition）装置に関するものである。
微粒子形成等に用いるアーク放電型ＰＶＤ（physical v
apor deposition）装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、アーク放電型ＰＶＤ装置は切削工
具等の耐摩耗性被膜としてＴｉＮ、ダイヤモンド状膜等
の成膜に、また配線材料として用いる超微粒子の作製等
に広く用いられている。一例として、特開平１−２７２
７５７号公報等が提案されている。
具等の耐摩耗性被膜としてＴｉＮ、ダイヤモンド状膜等
の成膜に、また配線材料として用いる超微粒子の作製等
に広く用いられている。一例として、特開平１−２７２
７５７号公報等が提案されている。
【０００３】以下図面を参照しながら、従来のアーク放
電型ＰＶＤ装置の一例について説明する。図５は従来の
アーク放電型ＰＶＤ装置の概略断面図を示すものであ
る。図５において、円柱状の陰極１と円管状の陽極２が
絶縁物３を介して設置されており、陰極１、陽極２、絶
縁物３は絶縁物からなるホルダ４に固定され、真空槽５
にとりつけられている。作動ガスや微粒子はガス導入系
６から陰極１、陽極２、絶縁物３の間隙を通過し導入さ
れる。アーク放電用電圧は、陰極１と陽極２に接続され
た電源７により供給される。製膜を行う基板８は電極
１，２の前方に設置する。以上のように構成されたアー
ク放電型ＰＶＤ装置において、例えば陰極材料をチタ
ン、ガス導入系６から窒素ガスを導入し、電源７により
陰極１、陽極２に電圧を供給し、アーク放電を行い、プ
ラズマを発生させることで陰極上にアークスポットが発
生し、陰極材料のチタンがを蒸発、イオン化し、放電に
よりプラズマ化した窒素と反応して基板７の表面にＴｉ
Ｎ薄膜が形成される。また例えばメタンガスと水素ガス
を導入し、電源７により陰極１、陽極２に電圧を供給
し、アーク放電を行い、プラズマを発生させることで、
それぞれのガスを励起し、イオン化し、化合して基板７
の表面にダイヤモンド状薄膜を形成する。なお、陰極材
料を蒸発、イオン化し、薄膜形成の材料として使用する
ときと、プラズマを発生させるための電極として使用す
るときでは電圧の供給状態が異なる。
電型ＰＶＤ装置の一例について説明する。図５は従来の
アーク放電型ＰＶＤ装置の概略断面図を示すものであ
る。図５において、円柱状の陰極１と円管状の陽極２が
絶縁物３を介して設置されており、陰極１、陽極２、絶
縁物３は絶縁物からなるホルダ４に固定され、真空槽５
にとりつけられている。作動ガスや微粒子はガス導入系
６から陰極１、陽極２、絶縁物３の間隙を通過し導入さ
れる。アーク放電用電圧は、陰極１と陽極２に接続され
た電源７により供給される。製膜を行う基板８は電極
１，２の前方に設置する。以上のように構成されたアー
ク放電型ＰＶＤ装置において、例えば陰極材料をチタ
ン、ガス導入系６から窒素ガスを導入し、電源７により
陰極１、陽極２に電圧を供給し、アーク放電を行い、プ
ラズマを発生させることで陰極上にアークスポットが発
生し、陰極材料のチタンがを蒸発、イオン化し、放電に
よりプラズマ化した窒素と反応して基板７の表面にＴｉ
Ｎ薄膜が形成される。また例えばメタンガスと水素ガス
を導入し、電源７により陰極１、陽極２に電圧を供給
し、アーク放電を行い、プラズマを発生させることで、
それぞれのガスを励起し、イオン化し、化合して基板７
の表面にダイヤモンド状薄膜を形成する。なお、陰極材
料を蒸発、イオン化し、薄膜形成の材料として使用する
ときと、プラズマを発生させるための電極として使用す
るときでは電圧の供給状態が異なる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ような構成では、アーク放電を維持するために高電圧を
印加しなければならず、このため高価で大きい設置場所
を有する高電圧印加電源が必要となり、また発生するア
ークスポットが局所に集中することにより電極の一部分
のみが高温となり、熱膨張により電極の割れを生じ、安
定な放電が維持できないという問題を有していた。
ような構成では、アーク放電を維持するために高電圧を
印加しなければならず、このため高価で大きい設置場所
を有する高電圧印加電源が必要となり、また発生するア
ークスポットが局所に集中することにより電極の一部分
のみが高温となり、熱膨張により電極の割れを生じ、安
定な放電が維持できないという問題を有していた。
【０００５】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、低電圧で放電でき、かつアークスポットが局所に集
中することを防止し、電極材料の割れを防ぐことのでき
るアーク放電型ＰＶＤ装置を提供することを目的とす
る。
め、低電圧で放電でき、かつアークスポットが局所に集
中することを防止し、電極材料の割れを防ぐことのでき
るアーク放電型ＰＶＤ装置を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の第１番目のアーク放電型ＰＶＤ装置は、陰
極と、陽極と、前記陰極および陽極に電圧を供給する手
段を有し、前記陽極と前記陰極間にアーク放電を生じさ
せて陰極物質を蒸発し、イオン化し、前記陰極に対向し
て設置された基板に膜を成膜、または微粒子を形成する
アーク放電型ＰＶＤ装置であって、前記陰極と前記陽極
の間、または前記陽極もしくは前記陰極の内側か外側に
高周波印加用電極を具備し、製膜中または微粒子を形成
中に、前記高周波印加用電極に高周波を供給する機構を
具備することを特徴とする。
め、本発明の第１番目のアーク放電型ＰＶＤ装置は、陰
極と、陽極と、前記陰極および陽極に電圧を供給する手
段を有し、前記陽極と前記陰極間にアーク放電を生じさ
せて陰極物質を蒸発し、イオン化し、前記陰極に対向し
て設置された基板に膜を成膜、または微粒子を形成する
アーク放電型ＰＶＤ装置であって、前記陰極と前記陽極
の間、または前記陽極もしくは前記陰極の内側か外側に
高周波印加用電極を具備し、製膜中または微粒子を形成
中に、前記高周波印加用電極に高周波を供給する機構を
具備することを特徴とする。
【０００７】次に本発明の第２番目のアーク放電型ＰＶ
Ｄ装置は、陰極と、陽極と、前記陰極および陽極に電圧
を供給する手段を有し、前記陰極陽極間に一種類以上の
ガスまたは微粒子を混入した一種類以上のガスを導入
し、前記陰極に対向して設置された基板に前記ガスもし
くは微粒子を蒸発し、励起し、イオン化し成膜、または
微粒子を形成するアーク放電型ＰＶＤ装置であって、前
記陰極と前記陽極の間、または前記陽極もしくは前記陰
極の内側か外側に高周波印加用電極を具備し、製膜中ま
たは微粒子を形成中に、前記高周波印加用電極に高周波
を供給する機構を具備することを特徴とする。
Ｄ装置は、陰極と、陽極と、前記陰極および陽極に電圧
を供給する手段を有し、前記陰極陽極間に一種類以上の
ガスまたは微粒子を混入した一種類以上のガスを導入
し、前記陰極に対向して設置された基板に前記ガスもし
くは微粒子を蒸発し、励起し、イオン化し成膜、または
微粒子を形成するアーク放電型ＰＶＤ装置であって、前
記陰極と前記陽極の間、または前記陽極もしくは前記陰
極の内側か外側に高周波印加用電極を具備し、製膜中ま
たは微粒子を形成中に、前記高周波印加用電極に高周波
を供給する機構を具備することを特徴とする。
【０００８】前記第１〜２番目のアーク放電型ＰＶＤ装
置においては、円管状の陰極及び／または陽極が軸方向
に分割された構造であることが好ましい。
置においては、円管状の陰極及び／または陽極が軸方向
に分割された構造であることが好ましい。
【０００９】
【作用】前記した本発明の第１〜２番目のアーク放電型
ＰＶＤ装置によれば、陰極と陽極の間、または陽極もし
くは陰極の内側か外側に高周波印加用電極を具備し、製
膜中または微粒子を形成中に、高周波印加用電極に高周
波を供給する機構を具備することにより、低電圧で放電
でき、かつアークスポットが局所に集中することを防止
し、電極材料の割れを防ぐことのできるアーク放電型Ｐ
ＶＤ装置を実現できる。すなわち、作動ガスを電極間か
ら導入している際に、陰極と陽極の間、もしくは陽極、
陰極どちらかの内側、または外側に具備した高周波印加
用電極に高周波を供給することで高周波印加用電極近傍
でプラズマ密度の高い場を形成することができる。この
とき、陽極陰極間でのアーク放電を発生させるとプラズ
マの抵抗が小さくなるため高周波印加用電極に高周波を
供給しないときに比べ放電電圧の低下を生じる。また、
電極近傍でも均一にプラズマ密度が高いため、一部にア
ークスポットが集中することがなくなり、電極の割れが
発生しなくなる。
ＰＶＤ装置によれば、陰極と陽極の間、または陽極もし
くは陰極の内側か外側に高周波印加用電極を具備し、製
膜中または微粒子を形成中に、高周波印加用電極に高周
波を供給する機構を具備することにより、低電圧で放電
でき、かつアークスポットが局所に集中することを防止
し、電極材料の割れを防ぐことのできるアーク放電型Ｐ
ＶＤ装置を実現できる。すなわち、作動ガスを電極間か
ら導入している際に、陰極と陽極の間、もしくは陽極、
陰極どちらかの内側、または外側に具備した高周波印加
用電極に高周波を供給することで高周波印加用電極近傍
でプラズマ密度の高い場を形成することができる。この
とき、陽極陰極間でのアーク放電を発生させるとプラズ
マの抵抗が小さくなるため高周波印加用電極に高周波を
供給しないときに比べ放電電圧の低下を生じる。また、
電極近傍でも均一にプラズマ密度が高いため、一部にア
ークスポットが集中することがなくなり、電極の割れが
発生しなくなる。
【００１０】また前記第１〜２番目のアーク放電型ＰＶ
Ｄ装置において、円管状の陰極及び／または陽極が軸方
向に分割された構造であるという好ましい例によれば、
さらに低電圧で放電でき、かつアークスポットが局所に
集中することを防止し、電極材料の割れを防ぐことがで
きる。
Ｄ装置において、円管状の陰極及び／または陽極が軸方
向に分割された構造であるという好ましい例によれば、
さらに低電圧で放電でき、かつアークスポットが局所に
集中することを防止し、電極材料の割れを防ぐことがで
きる。
【００１１】
【実施例】以下本発明を実施例を用いてさらに具体的に
説明する。 （実施例１）図１は本発明の実施例におけるアーク放電
型ＰＶＤ装置の概略断面図を示すものである。図１にお
いて、タングステンの円柱状の陰極９と銅の円管状の陽
極１０が窒化珪素セラミックの絶縁物１１を介して設置
されており、陰極９、陽極１０、絶縁物１１はテフロン
の絶縁物からなるホルダ１２に固定され、真空槽１３に
とりつけられている。ホルダ１２の外周には水冷機構を
１４を具備した高周波印加用電極１５が設置され、高周
波電源１６に接続されている。作動ガスや微粒子はガス
導入系１７から陰極９、陽極１０、絶縁物１１の間隙を
通って導入される。陰極９と陽極１０に接続された電源
１８により放電用電圧が供給される。製膜を行うシリコ
ンの基板１９は電極前方に設置する。なお、円管状の陽
極１０は効率よく高周波を真空槽１３内に導入するた
め、軸方向に分割してある。
説明する。 （実施例１）図１は本発明の実施例におけるアーク放電
型ＰＶＤ装置の概略断面図を示すものである。図１にお
いて、タングステンの円柱状の陰極９と銅の円管状の陽
極１０が窒化珪素セラミックの絶縁物１１を介して設置
されており、陰極９、陽極１０、絶縁物１１はテフロン
の絶縁物からなるホルダ１２に固定され、真空槽１３に
とりつけられている。ホルダ１２の外周には水冷機構を
１４を具備した高周波印加用電極１５が設置され、高周
波電源１６に接続されている。作動ガスや微粒子はガス
導入系１７から陰極９、陽極１０、絶縁物１１の間隙を
通って導入される。陰極９と陽極１０に接続された電源
１８により放電用電圧が供給される。製膜を行うシリコ
ンの基板１９は電極前方に設置する。なお、円管状の陽
極１０は効率よく高周波を真空槽１３内に導入するた
め、軸方向に分割してある。
【００１２】以上のように構成されたアーク放電型ＰＶ
Ｄ装置について、図１を用いてその動作を説明する。ガ
ス導入系１７からメタンガス（５０ｃｃｍ）と水素ガス
（１ｃｃｍ）を導入し、真空槽１３の真空度を１２ｋＰ
ａに設置する。陰極９、陽極１０間で電源１８により放
電電流１０Ａの定電流アーク放電を行う。このとき高周
波電源１６により高周波印加用電極１５に１３．５６Ｍ
Ｈｚ、３５０Ｗの高周波を供給すると真空槽１３内の高
周波印加用電極１５の近傍では高密度のプラズマが発生
するためプラズマの電気抵抗が小さくなりアーク放電の
電圧が低下する。また、陰極近傍のプラズマ密度も均一
に向上するためアークスポットが局所的に集中しなくな
り電極の割れを防止することができる。また、従来より
高密度なプラズマが発生するためメタンガスと水素ガス
の励起、イオン化が促進され、従来、基板温度５００℃
で形成した膜厚４０００オングストローム（製膜速度８
０オングストローム／ｍｉｎ）のダイヤモンド状薄膜と
同等の硬度を有する膜質が、基板温度３８０℃、製膜速
度１１０オングストローム／ｍｉｎで形成することがで
きた。
Ｄ装置について、図１を用いてその動作を説明する。ガ
ス導入系１７からメタンガス（５０ｃｃｍ）と水素ガス
（１ｃｃｍ）を導入し、真空槽１３の真空度を１２ｋＰ
ａに設置する。陰極９、陽極１０間で電源１８により放
電電流１０Ａの定電流アーク放電を行う。このとき高周
波電源１６により高周波印加用電極１５に１３．５６Ｍ
Ｈｚ、３５０Ｗの高周波を供給すると真空槽１３内の高
周波印加用電極１５の近傍では高密度のプラズマが発生
するためプラズマの電気抵抗が小さくなりアーク放電の
電圧が低下する。また、陰極近傍のプラズマ密度も均一
に向上するためアークスポットが局所的に集中しなくな
り電極の割れを防止することができる。また、従来より
高密度なプラズマが発生するためメタンガスと水素ガス
の励起、イオン化が促進され、従来、基板温度５００℃
で形成した膜厚４０００オングストローム（製膜速度８
０オングストローム／ｍｉｎ）のダイヤモンド状薄膜と
同等の硬度を有する膜質が、基板温度３８０℃、製膜速
度１１０オングストローム／ｍｉｎで形成することがで
きた。
【００１３】なお、本実施例では真空槽で製膜を行った
が、大気中や、加圧した状態でもよく本実施例に限定さ
れるものではない。なお、本実施例において円柱状の陰
極９と円筒状の陽極１０とし、電源１８により放電を行
ったが電源により電極に加える陰極を逆にし、９を円柱
状の陽極、１０を円筒状の陰極として放電を行ってよ
い。
が、大気中や、加圧した状態でもよく本実施例に限定さ
れるものではない。なお、本実施例において円柱状の陰
極９と円筒状の陽極１０とし、電源１８により放電を行
ったが電源により電極に加える陰極を逆にし、９を円柱
状の陽極、１０を円筒状の陰極として放電を行ってよ
い。
【００１４】（実施例２）図２は本発明の実施例におけ
るアーク放電型ＰＶＤ装置の概略断面図を示すものであ
る。なお、図１中と同一のものには同じ番号を付ける。
図２において、円柱状の陰極９と円管状の陽極１０が、
窒化珪素セラミックスとテフロンで構成される絶縁物の
ホルダ２０を介して設置し、ホルダ２０を介して陰極９
と陽極１０の間に水冷機構を１４を具備した高周波印加
用電極１５が設置されている。なお、高周波を印加を効
率よく行うため陽極１０を軸方向に分割してもよい。
るアーク放電型ＰＶＤ装置の概略断面図を示すものであ
る。なお、図１中と同一のものには同じ番号を付ける。
図２において、円柱状の陰極９と円管状の陽極１０が、
窒化珪素セラミックスとテフロンで構成される絶縁物の
ホルダ２０を介して設置し、ホルダ２０を介して陰極９
と陽極１０の間に水冷機構を１４を具備した高周波印加
用電極１５が設置されている。なお、高周波を印加を効
率よく行うため陽極１０を軸方向に分割してもよい。
【００１５】以上のように構成されたアーク放電型ＰＶ
Ｄ装置でも第一の実施例と同様に真空槽１３内部の高周
波印加用電極１５の近傍では高密度のプラズマが発生す
るためアーク放電の電圧が低下する。また、陰極近傍の
プラズマ密度も向上するためアークスポットが局所的に
集中しなくなり電極の割れを防止することができる。
Ｄ装置でも第一の実施例と同様に真空槽１３内部の高周
波印加用電極１５の近傍では高密度のプラズマが発生す
るためアーク放電の電圧が低下する。また、陰極近傍の
プラズマ密度も向上するためアークスポットが局所的に
集中しなくなり電極の割れを防止することができる。
【００１６】なお、本実施例において円柱状の陰極９と
円管状の陽極１０としたが電源により電極に加える極性
を逆にし、９を円柱状の陽極、１０を円管状の陰極とし
てもよい。
円管状の陽極１０としたが電源により電極に加える極性
を逆にし、９を円柱状の陽極、１０を円管状の陰極とし
てもよい。
【００１７】（実施例３）図３は本発明の実施例におけ
るアーク放電型ＰＶＤ装置の概略断面図を示すものであ
る。なお、図１〜２中と同一のものには同じ番号を付け
る。図３において、タングステンの円柱状の陰極２１と
タングステンの円管状の陰極２２の間に銅の円管状の陽
極２３を窒化珪素セラミックスの絶縁物２４を介して窒
化珪素セラミックスとテフロンから構成されるホルダ２
５に設置し、ホルダ２５を介して陽極２３の内部に水冷
機構を１４を具備した高周波印加用電極１５が設置され
ている。なお、高周波を印加を効率よく行うため陰極２
２、陽極２３を軸方向に分割してもよい。
るアーク放電型ＰＶＤ装置の概略断面図を示すものであ
る。なお、図１〜２中と同一のものには同じ番号を付け
る。図３において、タングステンの円柱状の陰極２１と
タングステンの円管状の陰極２２の間に銅の円管状の陽
極２３を窒化珪素セラミックスの絶縁物２４を介して窒
化珪素セラミックスとテフロンから構成されるホルダ２
５に設置し、ホルダ２５を介して陽極２３の内部に水冷
機構を１４を具備した高周波印加用電極１５が設置され
ている。なお、高周波を印加を効率よく行うため陰極２
２、陽極２３を軸方向に分割してもよい。
【００１８】以上のように構成されたアーク放電型ＰＶ
Ｄ装置でも第一および第二の実施例と同様に真空槽１３
内部の高周波印加用電極１５の近傍では高密度のプラズ
マが発生するためアーク放電の電圧が低下する。また、
陰極近傍のプラズマ密度も向上するためアークスポット
が局所的に集中しなくなり電極の割れを防止することが
できる。
Ｄ装置でも第一および第二の実施例と同様に真空槽１３
内部の高周波印加用電極１５の近傍では高密度のプラズ
マが発生するためアーク放電の電圧が低下する。また、
陰極近傍のプラズマ密度も向上するためアークスポット
が局所的に集中しなくなり電極の割れを防止することが
できる。
【００１９】なお、本実施例において円柱状の陰極２
１、円管状の陰極２２、円管状の陽極２３としたが電源
により電極に加える極性を逆にし、２１を円柱状の陽
極、２２を円管状の陽極、２３を円管状の陰極としても
よい。
１、円管状の陰極２２、円管状の陽極２３としたが電源
により電極に加える極性を逆にし、２１を円柱状の陽
極、２２を円管状の陽極、２３を円管状の陰極としても
よい。
【００２０】（実施例４）図４は本発明の実施例におけ
るアーク放電型ＰＶＤ装置の概略断面図を示すものであ
る。なお、図１〜３中と同一のものには同じ番号を付け
る。図４において、タングステン円管状の陰極２６と銅
の円管状の陽極２７の間に窒化珪素セラミックの絶縁物
２８を介して窒化珪素セラミックスとポリテトラフロオ
ロエチレンから構成されるホルダ２９に設置し、ホルダ
２９を介して陽極２３の内側に水冷機構を１４を具備し
た高周波印加用電極１５が設置された構成を有する。な
お、高周波を印加を効率よく行うため陰極２６、陽極２
７を軸方向に分割してある。
るアーク放電型ＰＶＤ装置の概略断面図を示すものであ
る。なお、図１〜３中と同一のものには同じ番号を付け
る。図４において、タングステン円管状の陰極２６と銅
の円管状の陽極２７の間に窒化珪素セラミックの絶縁物
２８を介して窒化珪素セラミックスとポリテトラフロオ
ロエチレンから構成されるホルダ２９に設置し、ホルダ
２９を介して陽極２３の内側に水冷機構を１４を具備し
た高周波印加用電極１５が設置された構成を有する。な
お、高周波を印加を効率よく行うため陰極２６、陽極２
７を軸方向に分割してある。
【００２１】以上のように構成されたアーク放電型ＰＶ
Ｄ装置でも第一、第二および第三の実施例と同様に真空
槽１３内部の高周波印加用電極１５の近傍では高密度の
プラズマが発生するためアーク放電の電圧が低下する。
また、陰極近傍のプラズマ密度も向上するためアークス
ポットが局所的に集中しなくなり電極の割れを防止する
ことができる。
Ｄ装置でも第一、第二および第三の実施例と同様に真空
槽１３内部の高周波印加用電極１５の近傍では高密度の
プラズマが発生するためアーク放電の電圧が低下する。
また、陰極近傍のプラズマ密度も向上するためアークス
ポットが局所的に集中しなくなり電極の割れを防止する
ことができる。
【００２２】なお、本実施例において円管状の陰極２６
と円管状の陽極２７としたが電源により電極に加える極
性を逆にし、２６を円管状の陽極、２７を円管状の陰極
としてもよい。
と円管状の陽極２７としたが電源により電極に加える極
性を逆にし、２６を円管状の陽極、２７を円管状の陰極
としてもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明は陽極陰極間でのア
ーク放電を発生させると高周波印加用電極が存在しない
ときに比べ放電電圧の低下を生じる。また、高周波印加
用電極近傍でプラズマ密度の高い場が形成され電極近傍
でもプラズマ密度が高いため、一部にアークスポットが
集中することがなくなり、電極の割れが発生しなくな
る。よって、生産設備の簡易化、また安定な成膜を実現
し、生産性を向上することができる。
ーク放電を発生させると高周波印加用電極が存在しない
ときに比べ放電電圧の低下を生じる。また、高周波印加
用電極近傍でプラズマ密度の高い場が形成され電極近傍
でもプラズマ密度が高いため、一部にアークスポットが
集中することがなくなり、電極の割れが発生しなくな
る。よって、生産設備の簡易化、また安定な成膜を実現
し、生産性を向上することができる。
【図１】 本発明の実施例１におけるアーク放電型ＰＶ
Ｄ装置の概略断面図である。
Ｄ装置の概略断面図である。
【図２】 本発明の実施例２におけるアーク放電型ＰＶ
Ｄ装置の概略断面図である。
Ｄ装置の概略断面図である。
【図３】 本発明の実施例３におけるアーク放電型ＰＶ
Ｄ装置の概略断面図である。
Ｄ装置の概略断面図である。
【図４】 本発明の実施例４におけるアーク放電型ＰＶ
Ｄ装置の概略断面図である。
Ｄ装置の概略断面図である。
【図５】 従来のアーク放電型ＰＶＤ装置の概略断面図
である。
である。
１ 円柱状の陰極 ２ 円管状の陽極 ３ 絶縁物 ４ ホルダ ５ ガス導入系 ７ 電源 ８ 基板 ９ 円柱状の陰極 １０ 円管状の陽極 １１ 絶縁物 １２ 絶縁物からなるホルダ １３ 真空槽 １４ 水冷機構 １５ 高周波印加用電極 １６ 高周波電源 １７ ガス導入系 １８ 電源 １９ 基板 ２０ 絶縁物のホルダ ２１ 円管状の陰極 ２２ 円管状の陰極 ２３ 円管状の陽極 ２４ 絶縁物 ２５ ホルダ ２６ 円管状の陰極 ２７ 円管状の陽極 ２８ 絶縁物 ２９ ホルダ
Claims (3)
- 【請求項１】 陰極と、陽極と、前記陰極および陽極に
電圧を供給する手段を有し、前記陽極と前記陰極間にア
ーク放電を生じさせて陰極物質を蒸発し、イオン化し、
前記陰極に対向して設置された基板に膜を成膜、または
微粒子を形成するアーク放電型ＰＶＤ装置であって、前
記陰極と前記陽極の間、または前記陽極もしくは前記陰
極の内側か外側に高周波印加用電極を具備し、製膜中ま
たは微粒子を形成中に、前記高周波印加用電極に高周波
を供給する機構を具備することを特徴とするアーク放電
型ＰＶＤ装置。 - 【請求項２】 陰極と、陽極と、前記陰極および陽極に
電圧を供給する手段を有し、前記陰極陽極間に一種類以
上のガスまたは微粒子を混入した一種類以上のガスを導
入し、前記陰極に対向して設置された基板に前記ガスも
しくは微粒子を蒸発し、励起し、イオン化し成膜、また
は微粒子を形成するアーク放電型ＰＶＤ装置であって、
前記陰極と前記陽極の間、または前記陽極もしくは前記
陰極の内側か外側に高周波印加用電極を具備し、製膜中
または微粒子を形成中に、前記高周波印加用電極に高周
波を供給する機構を具備することを特徴とするアーク放
電型ＰＶＤ装置。 - 【請求項３】 円管状の陰極及び／または陽極が軸方向
に分割された構造である請求項１または２に記載のアー
ク放電型ＰＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7092585A JPH08291381A (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | アーク放電型ｐｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7092585A JPH08291381A (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | アーク放電型ｐｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08291381A true JPH08291381A (ja) | 1996-11-05 |
Family
ID=14058524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7092585A Pending JPH08291381A (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | アーク放電型ｐｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08291381A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008103141A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Tohoku Univ | プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 |
-
1995
- 1995-04-18 JP JP7092585A patent/JPH08291381A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008103141A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Tohoku Univ | プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 |
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