JPH08287855A - Ｘ線管 - Google Patents
Ｘ線管Info
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- JPH08287855A JPH08287855A JP8085535A JP8553596A JPH08287855A JP H08287855 A JPH08287855 A JP H08287855A JP 8085535 A JP8085535 A JP 8085535A JP 8553596 A JP8553596 A JP 8553596A JP H08287855 A JPH08287855 A JP H08287855A
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- anode
- electron beam
- electron
- ray tube
- focal point
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/06—Cathodes
- H01J35/064—Details of the emitter, e.g. material or structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/14—Arrangements for concentrating, focusing, or directing the cathode ray
- H01J35/147—Spot size control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/16—Vessels
- H01J2235/165—Shielding arrangements
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線管において、ガウス曲線状に強度分布
する焦点が得られるように構成することである。 【解決手段】 アノード（７）と電子エミッタ（５）と
を有するＸ線管であって、電子エミッタから電子ビーム
（ＥＳ）が少なくとも実質的に円形横断面で出射し、か
つ前記電子ビームは、電子エミッタ（５）とアノード
（７）との間に配置されたホール絞りを通過し、焦点
（ＢＦ）でアノード（７）の衝突面に衝突し、前記焦点
から有効Ｘ線ビーム束が出射し、前記ホール絞り（２
０）はアノード電位にある。
する焦点が得られるように構成することである。 【解決手段】 アノード（７）と電子エミッタ（５）と
を有するＸ線管であって、電子エミッタから電子ビーム
（ＥＳ）が少なくとも実質的に円形横断面で出射し、か
つ前記電子ビームは、電子エミッタ（５）とアノード
（７）との間に配置されたホール絞りを通過し、焦点
（ＢＦ）でアノード（７）の衝突面に衝突し、前記焦点
から有効Ｘ線ビーム束が出射し、前記ホール絞り（２
０）はアノード電位にある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アノードと電子エ
ミッタとを有するＸ線管に関する。
ミッタとを有するＸ線管に関する。
【０００２】
【従来の技術】公知のように、Ｘ線管の陰極点でのＸ線
ビームの強度分布をガウス曲線状にすると有利である。
なぜなら、この種の強度分布は画像品質を定める変調変
換関数（これについては、A.Gebauer et al.,"Das Roen
tgenfernsehen", Georg Thieme-Verlag, Stuttgart,197
4,２６から３３頁参照）に有利に作用するからである。
ガウス曲線状の理想から偏差すると、アノードの熱負荷
に不利に作用する。ガウス曲線状の強度分布により、理
論的には約１０％だけアノードの最大温度を低下させる
ことができる（ないしは同じ最大温度で出力を相応に上
昇させることができる）。
ビームの強度分布をガウス曲線状にすると有利である。
なぜなら、この種の強度分布は画像品質を定める変調変
換関数（これについては、A.Gebauer et al.,"Das Roen
tgenfernsehen", Georg Thieme-Verlag, Stuttgart,197
4,２６から３３頁参照）に有利に作用するからである。
ガウス曲線状の理想から偏差すると、アノードの熱負荷
に不利に作用する。ガウス曲線状の強度分布により、理
論的には約１０％だけアノードの最大温度を低下させる
ことができる（ないしは同じ最大温度で出力を相応に上
昇させることができる）。
【０００３】白熱フィラメントして構成された電子エミ
ッタを有する従来のＸ線管では、アノードに形成された
直線状陰極点に対して、ある程度有利な、すなわち滴状
のＸ線ビーム強度分布は陰極点の縦方向でしか得られな
い。これに対して陰極点の横方向ではＸ線ビーム強度分
布は隆起構造を有する。この隆起構造は通常２つ、部分
的には４つの最大値を有する。このような強度分布はガ
ウス曲線状の理想から大きくかけ離れたものである。
ッタを有する従来のＸ線管では、アノードに形成された
直線状陰極点に対して、ある程度有利な、すなわち滴状
のＸ線ビーム強度分布は陰極点の縦方向でしか得られな
い。これに対して陰極点の横方向ではＸ線ビーム強度分
布は隆起構造を有する。この隆起構造は通常２つ、部分
的には４つの最大値を有する。このような強度分布はガ
ウス曲線状の理想から大きくかけ離れたものである。
【０００４】このことはＤＥ２８５５９０５Ａ１から公
知のＸ線管に対しても当てはまる。このＸ線管では白熱
フィラメントから発した電子ビームがホール絞りを通過
する。このホール絞りは、真空容器のセラミック部分を
保護するため、遮蔽電極として白熱フィラメントとアノ
ードとの間に設けられており、アノードと同じ電位にあ
る。
知のＸ線管に対しても当てはまる。このＸ線管では白熱
フィラメントから発した電子ビームがホール絞りを通過
する。このホール絞りは、真空容器のセラミック部分を
保護するため、遮蔽電極として白熱フィラメントとアノ
ードとの間に設けられており、アノードと同じ電位にあ
る。
【０００５】ＤＥ３４２６６２３Ａ１から公知のＸ線管
でも、白熱フィラメントとアノードとの間に設けた、ア
ノード電位にあるホール絞りを白熱ワイヤから発した電
子ビームが通過する。
でも、白熱フィラメントとアノードとの間に設けた、ア
ノード電位にあるホール絞りを白熱ワイヤから発した電
子ビームが通過する。
【０００６】ＷＯ９２/０３８３７Ａ１から公知のＸ線
管の場合、１つの円形状の横断面を有する電子ビームが
電子エミッタとアノードとの間に配置されたホール絞り
を通過する。このホール絞りは焦点電極として設けられ
ているので、アノード電位とは異なる電位にある。
管の場合、１つの円形状の横断面を有する電子ビームが
電子エミッタとアノードとの間に配置されたホール絞り
を通過する。このホール絞りは焦点電極として設けられ
ているので、アノード電位とは異なる電位にある。
【０００７】ＤＥ−ＰＳ３３１８３７およびＤＥ４２３
００４７Ｃ１から公知のＸ線管でも、電子ビームは（電
子ビームの横断形状については述べないが）、アノード
電位とは異なる電位にあるホール絞りを通過する。
００４７Ｃ１から公知のＸ線管でも、電子ビームは（電
子ビームの横断形状については述べないが）、アノード
電位とは異なる電位にあるホール絞りを通過する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
に述べた形式のＸ線管において、ガウス曲線状に強度分
布する焦点が得られるように構成することである。
に述べた形式のＸ線管において、ガウス曲線状に強度分
布する焦点が得られるように構成することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によ
り、アノードと電子エミッタとを有するＸ線管であっ
て、電子エミッタから電子ビームが少なくとも実質的に
円形横断面で出射し、かつ前記電子ビームは、電子エミ
ッタとアノードとの間に配置されたホール絞りを通過
し、焦点でアノードの衝突面に衝突し、前記焦点から有
効Ｘ線ビーム束が出射し、前記ホール絞りはアノード電
位にあるように構成して解決される。
り、アノードと電子エミッタとを有するＸ線管であっ
て、電子エミッタから電子ビームが少なくとも実質的に
円形横断面で出射し、かつ前記電子ビームは、電子エミ
ッタとアノードとの間に配置されたホール絞りを通過
し、焦点でアノードの衝突面に衝突し、前記焦点から有
効Ｘ線ビーム束が出射し、前記ホール絞りはアノード電
位にあるように構成して解決される。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明では、円形の横断面を有す
る電子ビームを使用することによってまず、焦点におい
てガウス曲線状のＸ線ビーム強度分布を任意の方向に対
して発生させるための前提条件が得られる。また、電子
ビームが電子エミッタとアノードとの間に配置され、ア
ノード電位にあるホール絞りを通って円形の横断面に達
することによって、電子ビームがアノードのごく近傍に
おいても円形の横断面を有することが保証されるように
なる。ホール絞りがアノード電位にあることにより、ホ
ール絞りとアノードとの間に電磁界のない空間が存在す
る。したがって、ホール絞りとアノードの衝突面との間
には電磁界に起因する歪みが発生しなくなり、その結果
アノードの衝突面に電子ビームが円形状の横断面で衝突
する。これにより本発明のＸ線管では、ガウス曲線形状
の理想に良好に近似する、焦点でのＸ線ビーム強度分布
が保証される。すなわち任意の方向から見たガウス曲線
形状が保証される。このような強度分布は、たとえ円形
横断面の電子ビームを形成する電子エミッタを使用した
としてもホール絞りが無ければ保証されない。なぜな
ら、アノードの衝突面に衝突する電子ビームがその横断
面幾何形状の点で円形横断面とは明らかに異なることと
なるからである。
る電子ビームを使用することによってまず、焦点におい
てガウス曲線状のＸ線ビーム強度分布を任意の方向に対
して発生させるための前提条件が得られる。また、電子
ビームが電子エミッタとアノードとの間に配置され、ア
ノード電位にあるホール絞りを通って円形の横断面に達
することによって、電子ビームがアノードのごく近傍に
おいても円形の横断面を有することが保証されるように
なる。ホール絞りがアノード電位にあることにより、ホ
ール絞りとアノードとの間に電磁界のない空間が存在す
る。したがって、ホール絞りとアノードの衝突面との間
には電磁界に起因する歪みが発生しなくなり、その結果
アノードの衝突面に電子ビームが円形状の横断面で衝突
する。これにより本発明のＸ線管では、ガウス曲線形状
の理想に良好に近似する、焦点でのＸ線ビーム強度分布
が保証される。すなわち任意の方向から見たガウス曲線
形状が保証される。このような強度分布は、たとえ円形
横断面の電子ビームを形成する電子エミッタを使用した
としてもホール絞りが無ければ保証されない。なぜな
ら、アノードの衝突面に衝突する電子ビームがその横断
面幾何形状の点で円形横断面とは明らかに異なることと
なるからである。
【００１１】衝突面の熱負荷が許容限界を越えないよう
にするため、電子ビームは焦点の衝突面の面法線に対し
て有利には４５゜以上の角度で衝突し、この角度が少な
くとも実質的に衝突面の面法線と有効Ｘ線ビーム束の中
心ビームとの角度に相当するようにする。このようにし
て近似的に線状の焦点が得られる。有効Ｘ線ビーム束の
中心ビームの方向で見て、結像品質に対して有利な、少
なくとも実質的に円形の焦点が生ずる。通常、得ようと
努められる焦点寸法の点では、電子ビームはホール絞り
の後方で０．１から２ｍｍの直径を有し、次のような角
度で衝突面に衝突する。すなわち焦点の幅が電子ビーム
の直径に相当し、１から１５ｍｍの間の長さを有するよ
うな角度で衝突する。
にするため、電子ビームは焦点の衝突面の面法線に対し
て有利には４５゜以上の角度で衝突し、この角度が少な
くとも実質的に衝突面の面法線と有効Ｘ線ビーム束の中
心ビームとの角度に相当するようにする。このようにし
て近似的に線状の焦点が得られる。有効Ｘ線ビーム束の
中心ビームの方向で見て、結像品質に対して有利な、少
なくとも実質的に円形の焦点が生ずる。通常、得ようと
努められる焦点寸法の点では、電子ビームはホール絞り
の後方で０．１から２ｍｍの直径を有し、次のような角
度で衝突面に衝突する。すなわち焦点の幅が電子ビーム
の直径に相当し、１から１５ｍｍの間の長さを有するよ
うな角度で衝突する。
【００１２】本発明の特に有利な実施例では、電子ビー
ムがフォーカシング手段によって焦点にフォーカシング
される。この焦点の電子エミッタからの距離は、衝突面
の電子エミッタからの距離よりも大きい。したがって焦
点は電子エミッタから見てアノードの衝突面の後ろにあ
る仮想焦点である。この手段によって電子ビームは層状
のビームプロフィールを有し、このことはガウス曲線形
状の理想にＸ線ビーム強度分布がさらに近似するという
意味で有利に作用する。なお、層状のビームプロフィー
ルとは、電子エミッタと焦点との間の電子ビームが少な
くとも実質的に交差する電子路を有しないことと理解さ
れたい。
ムがフォーカシング手段によって焦点にフォーカシング
される。この焦点の電子エミッタからの距離は、衝突面
の電子エミッタからの距離よりも大きい。したがって焦
点は電子エミッタから見てアノードの衝突面の後ろにあ
る仮想焦点である。この手段によって電子ビームは層状
のビームプロフィールを有し、このことはガウス曲線形
状の理想にＸ線ビーム強度分布がさらに近似するという
意味で有利に作用する。なお、層状のビームプロフィー
ルとは、電子エミッタと焦点との間の電子ビームが少な
くとも実質的に交差する電子路を有しないことと理解さ
れたい。
【００１３】フォーカシング手段は、電子ビームの円形
状横断面に関し、少なくとも電子ビームに対するその通
過開口部の形状の点で少なくとも実質的に回転対称の焦
点電極を有している。
状横断面に関し、少なくとも電子ビームに対するその通
過開口部の形状の点で少なくとも実質的に回転対称の焦
点電極を有している。
【００１４】電子エミッタは、本発明の有利な実施例で
は、焦点から見て少なくとも実質的に円形の電子放出面
を有し、この面はウェーネルト電極に収容されている。
このウェーネルト電極は電子エミッタに対する収容開口
部に関して少なくとも実質的に回転対称である。円形横
断面を有する電子ビームを形成することは簡単である。
有利には電子エミッタはいわゆる低温エミッタである。
このような低温エミッタは、通常使用されるタングステ
ンと比較して低温で十分な程度の電子を放出する。低温
エミッタは例えばイリジウム−ＣｅｒまたはLanthanhex
aboridからなる焼結体として構成することができる。ま
たこの種の低温エミッタを直接または間接的に加熱され
るエミッタとして構成し、このエミッタが適切な材料、
例えばイリジウム−ランタンにより被覆した放出面を有
するようにすることができる。しかし電子エミッタは必
ずしも低温エミッタである必要はない。
は、焦点から見て少なくとも実質的に円形の電子放出面
を有し、この面はウェーネルト電極に収容されている。
このウェーネルト電極は電子エミッタに対する収容開口
部に関して少なくとも実質的に回転対称である。円形横
断面を有する電子ビームを形成することは簡単である。
有利には電子エミッタはいわゆる低温エミッタである。
このような低温エミッタは、通常使用されるタングステ
ンと比較して低温で十分な程度の電子を放出する。低温
エミッタは例えばイリジウム−ＣｅｒまたはLanthanhex
aboridからなる焼結体として構成することができる。ま
たこの種の低温エミッタを直接または間接的に加熱され
るエミッタとして構成し、このエミッタが適切な材料、
例えばイリジウム−ランタンにより被覆した放出面を有
するようにすることができる。しかし電子エミッタは必
ずしも低温エミッタである必要はない。
【００１５】
【実施例】図１には、１によりＸ線管の真空ケーシング
が示されている。この真空ケーシングは実施例の場合、
公知のように金属およびセラミックまたはガラス（他の
材料も可能である）を用いて作製される。真空ケーシン
グ１内の管状ケーシング突起２にはカソード装置３が設
けられている。このカソード装置は、回転対称のウェー
ネルト電極４内に収容された電子エミッタを有し、この
エミッタは円盤状の白熱カソードの形態で扁平エミッタ
として構成され、セラミックディスク６によりウェーネ
ルト電極４に取り付けられている。白熱カソード５に対
向して、全体で７と付された回転アノードが設けられて
いる。この回転アノードはシャフト８を介してロータ９
と結合されたアノード皿１０を有する。ロータ９は、図
１には図示されていない仕方で、真空ケーシング１と結
合された軸１１に回転可能に支承されている。ロータ９
の領域では、真空ケーシング１の外壁に固定子１２が取
り付けられている。この固定子はロータ９と共に、回転
アノードの駆動に用いる電気モータを形成する。
が示されている。この真空ケーシングは実施例の場合、
公知のように金属およびセラミックまたはガラス（他の
材料も可能である）を用いて作製される。真空ケーシン
グ１内の管状ケーシング突起２にはカソード装置３が設
けられている。このカソード装置は、回転対称のウェー
ネルト電極４内に収容された電子エミッタを有し、この
エミッタは円盤状の白熱カソードの形態で扁平エミッタ
として構成され、セラミックディスク６によりウェーネ
ルト電極４に取り付けられている。白熱カソード５に対
向して、全体で７と付された回転アノードが設けられて
いる。この回転アノードはシャフト８を介してロータ９
と結合されたアノード皿１０を有する。ロータ９は、図
１には図示されていない仕方で、真空ケーシング１と結
合された軸１１に回転可能に支承されている。ロータ９
の領域では、真空ケーシング１の外壁に固定子１２が取
り付けられている。この固定子はロータ９と共に、回転
アノードの駆動に用いる電気モータを形成する。
【００１６】Ｘ線管の動作時には、固定子１２に線路１
３と１４を介して交流電流が供給され、軸１１を介して
ロータ９と結合されたアノード皿１０が回転する。
３と１４を介して交流電流が供給され、軸１１を介して
ロータ９と結合されたアノード皿１０が回転する。
【００１７】管電圧は線路１５と１６を介して印加され
る。線路１５は軸１１と接続している。この線路は真空
ケーシング１とも電気的に接続している。線路１６は白
熱カソード５の一方の端子と接続されている。白熱カソ
ード５の他方の端子は線路１７と接続されており、この
線路を介して白熱カソード５にヒート電流を供給するこ
とができる。これは、白熱カソード５から円形横断面の
電子ビームＥＳが放射される場合である。図１には電子
ビームＥＳの中心軸線しかプロットされていないが、図
２及び図３にはその輪郭ないし境界線も示されている。
る。線路１５は軸１１と接続している。この線路は真空
ケーシング１とも電気的に接続している。線路１６は白
熱カソード５の一方の端子と接続されている。白熱カソ
ード５の他方の端子は線路１７と接続されており、この
線路を介して白熱カソード５にヒート電流を供給するこ
とができる。これは、白熱カソード５から円形横断面の
電子ビームＥＳが放射される場合である。図１には電子
ビームＥＳの中心軸線しかプロットされていないが、図
２及び図３にはその輪郭ないし境界線も示されている。
【００１８】電子ビームはまず焦点電極１９を通り、次
にホール絞り２０の絞り開口部Ａをとおり、そして次に
図示のようにＢＦの付された焦点でアノード皿１０の衝
突面２２に衝突する。焦点電極１９は絶縁体２１を中間
挿入して真空ケーシング１に取り付けられている。ホー
ル絞り２０は、真空ケーシング１と電気的に接続されて
おり、つまりアノード電位と同じであり、また電子ビー
ムＥＳに対して少なくとも実質的に直角の平面に配置さ
れている。焦点ＢＦからＸ線ビームが発する。有効Ｘ線
ビーム束の中心ビームと縁ビームが図１と図２では一点
鎖線で示されており、それぞれＺＳないしＲＳと付され
ている。この有効Ｘ線ビームはビーム出射窓２３を通っ
て出射する。
にホール絞り２０の絞り開口部Ａをとおり、そして次に
図示のようにＢＦの付された焦点でアノード皿１０の衝
突面２２に衝突する。焦点電極１９は絶縁体２１を中間
挿入して真空ケーシング１に取り付けられている。ホー
ル絞り２０は、真空ケーシング１と電気的に接続されて
おり、つまりアノード電位と同じであり、また電子ビー
ムＥＳに対して少なくとも実質的に直角の平面に配置さ
れている。焦点ＢＦからＸ線ビームが発する。有効Ｘ線
ビーム束の中心ビームと縁ビームが図１と図２では一点
鎖線で示されており、それぞれＺＳないしＲＳと付され
ている。この有効Ｘ線ビームはビーム出射窓２３を通っ
て出射する。
【００１９】白熱カソード５はいわゆる低温エミッタで
あり、カソード材料として通常使用されるタングステン
より低温で出射動作する材料からなり、したがって低い
動作温度を有する。白熱カソード５はイリジウムおよび
Ｃｅｒ（Ｉｒ−Ｃｅ）またはイリジウムとランタン（Ｉ
ｒ−Ｌａ）またはLanthanhexaborid（ＬａＢ６）からな
る焼結体として構成される。低温エミッタに対する材料
として、一般的にはレニウムないし合金ないし第ＶＩＩ
Ｉ類金属からなる合金が適する。周期表の縦列およびバ
リウム類元素からカルシウム、ランタン、イットリウ
ム、ガドリウム、Ｃｅｒ、トリウム、ウラン。その他
に、酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）のドープされたタング
ステンベースまたはモリブデンベース。さらにトーライ
ト・タングステンも低温エミッタに対する材料として適
する。
あり、カソード材料として通常使用されるタングステン
より低温で出射動作する材料からなり、したがって低い
動作温度を有する。白熱カソード５はイリジウムおよび
Ｃｅｒ（Ｉｒ−Ｃｅ）またはイリジウムとランタン（Ｉ
ｒ−Ｌａ）またはLanthanhexaborid（ＬａＢ６）からな
る焼結体として構成される。低温エミッタに対する材料
として、一般的にはレニウムないし合金ないし第ＶＩＩ
Ｉ類金属からなる合金が適する。周期表の縦列およびバ
リウム類元素からカルシウム、ランタン、イットリウ
ム、ガドリウム、Ｃｅｒ、トリウム、ウラン。その他
に、酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）のドープされたタング
ステンベースまたはモリブデンベース。さらにトーライ
ト・タングステンも低温エミッタに対する材料として適
する。
【００２０】白熱カソード５の端子とウェーネルト電極
４との間には、図１ではウェーネルト電圧ＵＷが印加さ
れる。さらに図１では、白熱カソード５の一方の端子と
焦点電極１９との間に焦点電圧ＵＦが印加される。
４との間には、図１ではウェーネルト電圧ＵＷが印加さ
れる。さらに図１では、白熱カソード５の一方の端子と
焦点電極１９との間に焦点電圧ＵＦが印加される。
【００２１】電子ビームＥＳに対して設けられた、焦点
電極１９の回転対称な通過開口部の形状および焦点電圧
ＵＦとウェーネルト電圧ＵＷは次のように選択されてい
る。すなわち仮想焦点または電子ビームＥＳの“クロス
オーバー”が白熱カソード５から見て衝突面２２の後ろ
に生ずるように選択される。このことによって層状電子
ビームが得られる。すなわち、白熱カソード５と焦点Ｂ
Ｆとの間には実質的に交差する電子ビームが存在しな
い。
電極１９の回転対称な通過開口部の形状および焦点電圧
ＵＦとウェーネルト電圧ＵＷは次のように選択されてい
る。すなわち仮想焦点または電子ビームＥＳの“クロス
オーバー”が白熱カソード５から見て衝突面２２の後ろ
に生ずるように選択される。このことによって層状電子
ビームが得られる。すなわち、白熱カソード５と焦点Ｂ
Ｆとの間には実質的に交差する電子ビームが存在しな
い。
【００２２】衝突面の熱負荷が許容限界を越えないよう
にするため、電子ビームＥＳは次のような角度αで焦点
ＢＦにある衝突面２２の面法線Ｎに衝突する。すなわ
ち、直線状の焦点、正確に言えば楕円形焦点ＢＦが得ら
れるような角度で衝突する（図３参照）。頂点ＢＦの幅
Ｂは電子ビームの直径Ｄに相当する（図４参照）。この
直径は、白熱カソード５、ウェーネルト電極４、焦点電
極１９およびホール絞り２０の形状が所定のものであ
り、ヒート電流と管電圧も所定のものであれば、ウェー
ネルト電圧ＵＷと焦点電圧ＵＦに依存する。
にするため、電子ビームＥＳは次のような角度αで焦点
ＢＦにある衝突面２２の面法線Ｎに衝突する。すなわ
ち、直線状の焦点、正確に言えば楕円形焦点ＢＦが得ら
れるような角度で衝突する（図３参照）。頂点ＢＦの幅
Ｂは電子ビームの直径Ｄに相当する（図４参照）。この
直径は、白熱カソード５、ウェーネルト電極４、焦点電
極１９およびホール絞り２０の形状が所定のものであ
り、ヒート電流と管電圧も所定のものであれば、ウェー
ネルト電圧ＵＷと焦点電圧ＵＦに依存する。
【００２３】通常得ようと努められる焦点寸法の観点か
らは、角度αは次のように選択される。すなわち、電子
ビームＥＳの直径Ｄが０．１から２．０ｍｍであるとき
焦点の長さＬが１から１５ｍｍであるように選択され
る。上記の直径領域はホール絞り２０後方の電子ビーム
ＥＳの直径に対しても当てはまる。
らは、角度αは次のように選択される。すなわち、電子
ビームＥＳの直径Ｄが０．１から２．０ｍｍであるとき
焦点の長さＬが１から１５ｍｍであるように選択され
る。上記の直径領域はホール絞り２０後方の電子ビーム
ＥＳの直径に対しても当てはまる。
【００２４】ビーム出射窓２３の長さは次のように選択
される。すなわち、有効Ｘ線ビーム束の中心ビームＺＳ
と、焦点ＢＦにある衝突面２２の面法線Ｎとの角度βが
少なくとも実質的に角度αと等しくなるように選択す
る。Ｘ線ビーム束の中心ビームの方向で見て、高い結像
品質に有利な少なくとも実質的に円形の焦点が得られ
る。
される。すなわち、有効Ｘ線ビーム束の中心ビームＺＳ
と、焦点ＢＦにある衝突面２２の面法線Ｎとの角度βが
少なくとも実質的に角度αと等しくなるように選択す
る。Ｘ線ビーム束の中心ビームの方向で見て、高い結像
品質に有利な少なくとも実質的に円形の焦点が得られ
る。
【００２５】電子ビームＥＳの円形横断面によってま
ず、焦点ＢＦにおいてＸ線ビームのガウス曲線状強度分
布を任意の方向で得るための前提条件が得られる。電子
ビームＥＳは、白熱カソード５とアノード皿１０との間
に配置され、アノード電位にあるホール絞り１０を通過
するから、電子ビームＥＳがアノード皿１０のごく近傍
でも円形横断面を有することが保証される。ホール絞り
２０がアノード電位にあるので、すなわちホール絞りと
アノード皿１０との間に電磁界のない空間が存在し、こ
の空間内では電子ビームＥＳの横断幾何形状に電磁界に
起因する歪みが発生しないから、衝突面２２には実際上
円形横断面の電子ビームＥＳが衝突する。これにより任
意の方向で見てもガウス曲線状の理想に良好に近似する
Ｘ線ビーム強度分布が焦点ＢＦで保証される。このよう
な強度分布は、円形横断面の電子ビームＥＳを形成する
カソード装置３を使用したとしても、ホール絞り２０が
存在しなければ保証されないであろう。なぜなら、衝突
面２２に衝突する電子ビームＥＳがその横断面形状の点
で明らかに円形横断面から異なることとなるからであ
る。
ず、焦点ＢＦにおいてＸ線ビームのガウス曲線状強度分
布を任意の方向で得るための前提条件が得られる。電子
ビームＥＳは、白熱カソード５とアノード皿１０との間
に配置され、アノード電位にあるホール絞り１０を通過
するから、電子ビームＥＳがアノード皿１０のごく近傍
でも円形横断面を有することが保証される。ホール絞り
２０がアノード電位にあるので、すなわちホール絞りと
アノード皿１０との間に電磁界のない空間が存在し、こ
の空間内では電子ビームＥＳの横断幾何形状に電磁界に
起因する歪みが発生しないから、衝突面２２には実際上
円形横断面の電子ビームＥＳが衝突する。これにより任
意の方向で見てもガウス曲線状の理想に良好に近似する
Ｘ線ビーム強度分布が焦点ＢＦで保証される。このよう
な強度分布は、円形横断面の電子ビームＥＳを形成する
カソード装置３を使用したとしても、ホール絞り２０が
存在しなければ保証されないであろう。なぜなら、衝突
面２２に衝突する電子ビームＥＳがその横断面形状の点
で明らかに円形横断面から異なることとなるからであ
る。
【００２６】電子ビームＥＳは層状のビームプロフィー
ルを有しているから、ガウス曲線状の理想にさらに近似
したＸ線ビーム強度分布が焦点ＢＦで達成される。
ルを有しているから、ガウス曲線状の理想にさらに近似
したＸ線ビーム強度分布が焦点ＢＦで達成される。
【００２７】ホール絞り２０は白熱カソード５をイオン
衝撃からも守る。すなわち、本発明のＸ線管の場合は、
アノード皿１０と電子ビームＥＳが衝突することにより
形成されるイオンが電磁界のない空間に発生するので、
ホール絞り２０を通ってホール絞り２０と白熱カソード
５との間の電磁界のない空間に入り込まないイオンだけ
が白熱カソード５に到達することができる。したがって
形成されたイオンのうち比較的にわずかな部分だけが白
熱カソード５に達することができ、したがって本発明の
Ｘ線管では白熱カソード５の寿命が高められ、ひいては
Ｘ線管の寿命がホール絞りのないエックス線管よりも長
くなる。白熱カソード５として使用される低温エミッタ
の、従来のエミッタ、例えばタングステンからなるエミ
ッタに対する利点は、動作温度が低温であるため、寿命
を延長することのできることであり、非常に有利であ
る。なぜなら、イオン衝撃による白熱カソード５の早期
の故障が回避されるからである。
衝撃からも守る。すなわち、本発明のＸ線管の場合は、
アノード皿１０と電子ビームＥＳが衝突することにより
形成されるイオンが電磁界のない空間に発生するので、
ホール絞り２０を通ってホール絞り２０と白熱カソード
５との間の電磁界のない空間に入り込まないイオンだけ
が白熱カソード５に到達することができる。したがって
形成されたイオンのうち比較的にわずかな部分だけが白
熱カソード５に達することができ、したがって本発明の
Ｘ線管では白熱カソード５の寿命が高められ、ひいては
Ｘ線管の寿命がホール絞りのないエックス線管よりも長
くなる。白熱カソード５として使用される低温エミッタ
の、従来のエミッタ、例えばタングステンからなるエミ
ッタに対する利点は、動作温度が低温であるため、寿命
を延長することのできることであり、非常に有利であ
る。なぜなら、イオン衝撃による白熱カソード５の早期
の故障が回避されるからである。
【００２８】電子ビームＥＳは、４５゜よりも大きな角
度αで衝突面２２の面法線Ｎに衝突して焦点ＢＦに達
し、ホール絞り２０は電子ビームＥＳに対して少なくと
も実質的に直角に延在する面に配置されているから、ホ
ール絞り２０の絞り開口部Ａの大きさは、電子ビームが
焦点を形成するために同じ寸法で、かつ衝突面２２の面
法線Ｎに対して鋭角に焦点ＢＦに衝突する場合より大き
い。このことは有利である。なぜなら、イオンが白熱カ
ソード５に達する確率が、絞り開口部Ａが小さければ小
さいほど同じように小さくなるからである。電子ビーム
ＥＳはその他に円形状の横断面を有しているから、所定
の電子ビームＥＳの横断面と角度αに対してホール絞り
２０の絞り開口部Ａの大きさは最小である。
度αで衝突面２２の面法線Ｎに衝突して焦点ＢＦに達
し、ホール絞り２０は電子ビームＥＳに対して少なくと
も実質的に直角に延在する面に配置されているから、ホ
ール絞り２０の絞り開口部Ａの大きさは、電子ビームが
焦点を形成するために同じ寸法で、かつ衝突面２２の面
法線Ｎに対して鋭角に焦点ＢＦに衝突する場合より大き
い。このことは有利である。なぜなら、イオンが白熱カ
ソード５に達する確率が、絞り開口部Ａが小さければ小
さいほど同じように小さくなるからである。電子ビーム
ＥＳはその他に円形状の横断面を有しているから、所定
の電子ビームＥＳの横断面と角度αに対してホール絞り
２０の絞り開口部Ａの大きさは最小である。
【００２９】ケーシング突起２を閉鎖するセラミック部
材２４の壁部分の内側と、ウェーネルト電極４を白熱カ
ソード５と共に収容するセラミック管２５との間には、
２つの圧電変換器２６、２７が設けられている。この圧
電変換器は実質的にピエゾ結晶である。圧電変換器２
６、２７は、カソード装置３とケーシング突起２との機
械的結合に用いる。また、この圧電変換器は調整のため
に、白熱カソード５と回転アノード７とを相対的相互に
調整するために用いる。この調整は、衝突面２２の面法
線Ｎに対する電子ビームＥＳの角度αが変化し、また焦
点ＢＦが衝突面２２上で移動するように行われる。この
ことは簡単には次のようにして達成される。すなわち、
白熱カソード５と回転アノード７とが、電子ビームＥＳ
と面法線Ｎを含む平面内で相対的相互に調整できるよう
にして達成される。このために圧電変換器２６、２７は
これに印加される電圧が変化する際に実質的に面法線Ｎ
の方向で長さ変化するように構成される。
材２４の壁部分の内側と、ウェーネルト電極４を白熱カ
ソード５と共に収容するセラミック管２５との間には、
２つの圧電変換器２６、２７が設けられている。この圧
電変換器は実質的にピエゾ結晶である。圧電変換器２
６、２７は、カソード装置３とケーシング突起２との機
械的結合に用いる。また、この圧電変換器は調整のため
に、白熱カソード５と回転アノード７とを相対的相互に
調整するために用いる。この調整は、衝突面２２の面法
線Ｎに対する電子ビームＥＳの角度αが変化し、また焦
点ＢＦが衝突面２２上で移動するように行われる。この
ことは簡単には次のようにして達成される。すなわち、
白熱カソード５と回転アノード７とが、電子ビームＥＳ
と面法線Ｎを含む平面内で相対的相互に調整できるよう
にして達成される。このために圧電変換器２６、２７は
これに印加される電圧が変化する際に実質的に面法線Ｎ
の方向で長さ変化するように構成される。
【００３０】圧電変換器２６、２７は図２によれば、操
作ユニット８に接続されている。ｘで示された回転ヘッ
ド２９ａまたはαで示された回転ヘッド２９ｂが操作さ
れるかに応じて、圧電変換器２６と２７が同方向または
反対方向に制御される。同方向に制御される場合は、電
子ビームＥＳが面法線Ｎの方向に一方または他方の方向
で平行移動される。反対方向に制御される場合は、電子
ビームＥＳの角度αが面法線Ｎに対して一方または他方
に変化する。
作ユニット８に接続されている。ｘで示された回転ヘッ
ド２９ａまたはαで示された回転ヘッド２９ｂが操作さ
れるかに応じて、圧電変換器２６と２７が同方向または
反対方向に制御される。同方向に制御される場合は、電
子ビームＥＳが面法線Ｎの方向に一方または他方の方向
で平行移動される。反対方向に制御される場合は、電子
ビームＥＳの角度αが面法線Ｎに対して一方または他方
に変化する。
【００３１】圧電変換器２６、２７はまた調整ユニット
を形成する。この調整ユニットにより、圧電変換器２６
と２７の調整限界内でカソード装置３と回転アノード７
の配向を相対的相互に、焦点ＢＦがそれぞれ所望の位置
を取るように調整することができる。
を形成する。この調整ユニットにより、圧電変換器２６
と２７の調整限界内でカソード装置３と回転アノード７
の配向を相対的相互に、焦点ＢＦがそれぞれ所望の位置
を取るように調整することができる。
【００３２】この調整の可能性は、面法線Ｎと電子ビー
ムＥＳとの間の角度が非常に大きく、例えば８０゜であ
るときに非常に重要である。というのは、このような場
合にはわずかな調整誤差でさえ次のことを引き起こす危
険性があるからである。すなわち、電子ビームＥＳが、
Ｘ線管の動作中に発生する熱に起因する回転アノード７
の軸方向移動と、白熱カソード５を含むカソード装置３
の熱に起因する傾斜および／または移動によって、衝突
面２２を外すという危険性があるのである。
ムＥＳとの間の角度が非常に大きく、例えば８０゜であ
るときに非常に重要である。というのは、このような場
合にはわずかな調整誤差でさえ次のことを引き起こす危
険性があるからである。すなわち、電子ビームＥＳが、
Ｘ線管の動作中に発生する熱に起因する回転アノード７
の軸方向移動と、白熱カソード５を含むカソード装置３
の熱に起因する傾斜および／または移動によって、衝突
面２２を外すという危険性があるのである。
【００３３】圧電変換器２６と２７は真空のＸ線管にお
いても操作ユニット２８によって操作することができる
から、熱に起因する回転アノード７の軸方向移動の場合
でも、白熱カソード５を含むカソード装置３の熱に起因
する傾斜および／または移動の場合でも、圧電変換器２
６と２７の相応の操作によって補正することができる。
Ｘ線管の取り付けはまた簡単に行うことができる。なぜ
なら電子ビームが回転アノード７の衝突面２２に正常に
衝突することを保証するための特別な調整が必要ないか
らである。
いても操作ユニット２８によって操作することができる
から、熱に起因する回転アノード７の軸方向移動の場合
でも、白熱カソード５を含むカソード装置３の熱に起因
する傾斜および／または移動の場合でも、圧電変換器２
６と２７の相応の操作によって補正することができる。
Ｘ線管の取り付けはまた簡単に行うことができる。なぜ
なら電子ビームが回転アノード７の衝突面２２に正常に
衝突することを保証するための特別な調整が必要ないか
らである。
【００３４】前記の実施例の場合は、コストを低減する
ために圧電変換器２６、２７が設けられている。しかし
他の電気的調整素子、機械的調整素子、または電気機械
的調整素子を設けることもできる。
ために圧電変換器２６、２７が設けられている。しかし
他の電気的調整素子、機械的調整素子、または電気機械
的調整素子を設けることもできる。
【００３５】前記の実施例の場合は、圧電変換器２６と
２７により形成された調整ユニットがカソード装置３に
配属されている。これは、圧電変換器の質量と重量が小
さいためである。すなわち、カソード装置３と回転アノ
ード７との間で所望の相対運動を得るために、カソード
装置３だけが調整される。しかし基本的には、調整ユニ
ットを回転アノード７に配属し、これにより所望の相対
運動を回転アノード７の調整だけによって得ることもで
きる。さらに、カソード装置３と回転アノード７とに調
整ユニットを配属して、所望の相対運動をカソード装置
３と回転アノード７の調整によって得ることもできる。
前記の実施例の場合、調整ユニットは複数の調整素子を
有する。すなわち、２つの圧電変換器２６と２７を有す
る。しかし場合によっては調整ユニットが１つの調整素
子しか有していなくても十分である。
２７により形成された調整ユニットがカソード装置３に
配属されている。これは、圧電変換器の質量と重量が小
さいためである。すなわち、カソード装置３と回転アノ
ード７との間で所望の相対運動を得るために、カソード
装置３だけが調整される。しかし基本的には、調整ユニ
ットを回転アノード７に配属し、これにより所望の相対
運動を回転アノード７の調整だけによって得ることもで
きる。さらに、カソード装置３と回転アノード７とに調
整ユニットを配属して、所望の相対運動をカソード装置
３と回転アノード７の調整によって得ることもできる。
前記の実施例の場合、調整ユニットは複数の調整素子を
有する。すなわち、２つの圧電変換器２６と２７を有す
る。しかし場合によっては調整ユニットが１つの調整素
子しか有していなくても十分である。
【００３６】焼結体としての白熱カソード５の前記の構
成に対する択一的実施例として、白熱カソード５を基体
と、電子放出のために設けられた面の領域で基体に取り
付けられた被覆部とから構成することもできる。この場
合被覆部は、基体の材料と比較して小さな電子放出動作
をする材料からなる。基体に対する材料として、例えば
タングステンまたはモリブデンが、被覆部に対する材料
としてLanthanhexaborid（ＬａＢ６）が考えられる。
成に対する択一的実施例として、白熱カソード５を基体
と、電子放出のために設けられた面の領域で基体に取り
付けられた被覆部とから構成することもできる。この場
合被覆部は、基体の材料と比較して小さな電子放出動作
をする材料からなる。基体に対する材料として、例えば
タングステンまたはモリブデンが、被覆部に対する材料
としてLanthanhexaborid（ＬａＢ６）が考えられる。
【００３７】さらに、白熱カソード５を基体と被覆部と
から構成し、この被覆部が電子放出のために設けられた
面領域の外でも基体を覆い、かつ被覆部が基体の材料と
比較して高い電子出射動作をするような材料からなるよ
うにすることもできる。基体に対する材料としては、例
えばＬａＢ６が、被覆部に対する材料としてはタングス
テンまたはモリブデンが適する。
から構成し、この被覆部が電子放出のために設けられた
面領域の外でも基体を覆い、かつ被覆部が基体の材料と
比較して高い電子出射動作をするような材料からなるよ
うにすることもできる。基体に対する材料としては、例
えばＬａＢ６が、被覆部に対する材料としてはタングス
テンまたはモリブデンが適する。
【００３８】イオン衝撃に対して強い電子エミッタが設
けられているれば、ホール絞り２０の代わりに、アノー
ド電位にある他の電極を設けることもできる。この電極
によっても、電子ビームＥＳが実際に円形横断面を以て
衝突面２２に衝突することが保証される。
けられているれば、ホール絞り２０の代わりに、アノー
ド電位にある他の電極を設けることもできる。この電極
によっても、電子ビームＥＳが実際に円形横断面を以て
衝突面２２に衝突することが保証される。
【００３９】前記の実施例では、回転アノードＸ線管が
取り扱われた。しかし本発明は固定アノードを有するＸ
線管にも適用することができる。
取り扱われた。しかし本発明は固定アノードを有するＸ
線管にも適用することができる。
【００４０】前記の実施例では、電子エミッタが直接加
熱される白熱カソードによって形成される。しかし直接
加熱される白熱カソードの代わりに、他の電子エミッ
タ、例えば間接加熱されるカソードまたは例えばPierce
による電子銃を使用することもできる。電子エミッタと
して直接加熱される白熱カソードを使用する場合、この
カソードをかならずしも前記の実施例のように面状エミ
ッタとして構成する必要はない。例えば凹面状に湾曲し
た電子エミッタを使用することもできる。
熱される白熱カソードによって形成される。しかし直接
加熱される白熱カソードの代わりに、他の電子エミッ
タ、例えば間接加熱されるカソードまたは例えばPierce
による電子銃を使用することもできる。電子エミッタと
して直接加熱される白熱カソードを使用する場合、この
カソードをかならずしも前記の実施例のように面状エミ
ッタとして構成する必要はない。例えば凹面状に湾曲し
た電子エミッタを使用することもできる。
【図１】本発明のＸ線管の概略を示す縦断面図である。
【図２】図１のＸ線管の一部拡大縦断面図である。
【図３】図１および図２のＸ線管の焦点の拡大斜視図で
ある。
ある。
【図４】図３のラインＩＶ−ＩＶの断面図である。
１ 真空ケーシング ２ケーシング突起 ３ カソード装置 ４ ウェーネルト電極 ５ 白熱カソード ６ セラミック板 ７ 回転アノード ８ シャフト ９ 回転子 １０ アノード皿 １１ 軸 １２ 固定子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マティアス ヘルニヒ ドイツ連邦共和国 エアランゲン ライプ ツィガー シュトラーセ 74
Claims (6)
- 【請求項１】 アノード（７）と電子エミッタ（５）と
を有するＸ線管であって、電子エミッタから電子ビーム
（ＥＳ）が少なくとも実質的に円形横断面で出射し、 かつ前記電子ビームは、電子エミッタ（５）とアノード
（７）との間に配置されたホール絞りを通過し、焦点
（ＢＦ）でアノード（７）の衝突面に衝突し、前記焦点
から有効Ｘ線ビーム束が出射し、 前記ホール絞り（２０）はアノード電位にある、ことを
特徴とするＸ線管。 - 【請求項２】 電子ビーム（ＥＳ）は、衝突面（（２
２）の面法線（Ｎ）に対して角度αで焦点（ＢＦ）で衝
突し、 該角度αは少なくとも実質的に、衝突面（２２）の面法
線（Ｎ）と、有効Ｘ線ビーム束の中心ビーム（ＺＳ）と
がなす角度βに相当する、請求項１記載のＸ線管。 - 【請求項３】 電子ビーム（ＥＳ）の直径は０．１から
２．０ｍｍであり、衝突面（２２）の面法線（Ｎ）に対
して角度αで焦点（ＢＦ）で衝突し、 焦点（ＢＦ）は１から１５ｍｍの長さを有する、請求項
２記載のＸ線管。 - 【請求項４】 電子ビーム（ＥＳ）はフォーカシング手
段（４、１９）によって焦点（Ｆ）にフォーカシングさ
れ、 該焦点の電子エミッタ（５）からの距離は、衝突面の電
子エミッタ（５）から距離よりも大きい、請求項１から
３までのいずれか１項記載のＸ線管。 - 【請求項５】 前記フォーカシング手段（４、１９）は
少なくとも実質的に回転対称の焦点電極（１９）を有
し、 該焦点電極を電子ビーム（ＥＳ）が通過する、請求項１
から４までのいずれか１項記載のＸ線管。 - 【請求項６】 電子エミッタ（５）は、焦点（ＢＦ）か
ら見て少なくとも円形状に電子を放出する面を有し、 該面は少なくとも実質的に回転対称のウェーネルト電極
（４）に収容されている、請求項１から５までのいずれ
か１項記載のＸ線管。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19513291A DE19513291C2 (de) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | Röntgenröhre |
| DE19513291.2 | 1995-04-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08287855A true JPH08287855A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=7759196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8085535A Withdrawn JPH08287855A (ja) | 1995-04-07 | 1996-04-08 | Ｘ線管 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08287855A (ja) |
| CN (1) | CN1138743A (ja) |
| DE (1) | DE19513291C2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009026653A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線発生装置 |
| JP2015198034A (ja) * | 2014-04-02 | 2015-11-09 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 電子ビーム生成用カソード部材およびその製造方法 |
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| DE19850100A1 (de) | 1998-10-29 | 2000-05-04 | Henkel Kgaa | Polymer-Granulate durch Wirbelschichtgranulation |
| JP4068332B2 (ja) * | 2001-10-19 | 2008-03-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | Ｘ線管、及び、ｘ線管の製造方法 |
| GB0309383D0 (en) * | 2003-04-25 | 2003-06-04 | Cxr Ltd | X-ray tube electron sources |
| US8094784B2 (en) | 2003-04-25 | 2012-01-10 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray sources |
| GB0812864D0 (en) | 2008-07-15 | 2008-08-20 | Cxr Ltd | Coolign anode |
| US10483077B2 (en) | 2003-04-25 | 2019-11-19 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray sources having reduced electron scattering |
| GB0525593D0 (en) | 2005-12-16 | 2006-01-25 | Cxr Ltd | X-ray tomography inspection systems |
| US8243876B2 (en) | 2003-04-25 | 2012-08-14 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray scanners |
| US9208988B2 (en) | 2005-10-25 | 2015-12-08 | Rapiscan Systems, Inc. | Graphite backscattered electron shield for use in an X-ray tube |
| DE102005041923A1 (de) * | 2005-09-03 | 2007-03-08 | Comet Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Röntgen- oder XUV-Strahlung |
| US9046465B2 (en) | 2011-02-24 | 2015-06-02 | Rapiscan Systems, Inc. | Optimization of the source firing pattern for X-ray scanning systems |
| DE102008020163A1 (de) * | 2008-04-22 | 2009-10-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Kathode |
| DE102008020165A1 (de) * | 2008-04-22 | 2009-10-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Kathode mit einem Flachemitter |
| DE102008020187A1 (de) * | 2008-04-22 | 2009-10-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Kathode mit einem Flachemitter |
| GB0816823D0 (en) | 2008-09-13 | 2008-10-22 | Cxr Ltd | X-ray tubes |
| GB0901338D0 (en) | 2009-01-28 | 2009-03-11 | Cxr Ltd | X-Ray tube electron sources |
| US9271689B2 (en) | 2010-01-20 | 2016-03-01 | General Electric Company | Apparatus for wide coverage computed tomography and method of constructing same |
| US20130044866A1 (en) * | 2010-05-07 | 2013-02-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | X-ray generating device employing a mechanical energy source and method |
| CN104470171A (zh) * | 2013-09-18 | 2015-03-25 | 清华大学 | X射线装置以及具有该x射线装置的ct设备 |
| DE102017127372A1 (de) * | 2017-11-21 | 2019-05-23 | Smiths Heimann Gmbh | Anodenkopf für Röntgenstrahlenerzeuger |
| EP4195235A1 (en) * | 2021-12-08 | 2023-06-14 | Excillum AB | Method and arrangement for an x-ray source |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE331837C (de) * | 1919-09-20 | 1921-02-14 | Oesterreichische Waffenfabriks | Sitz fuer Kraftfahrzeuge, der in der Fahrtrichtung verschiebbar ist |
| DE2855905A1 (de) * | 1978-12-23 | 1980-06-26 | Licentia Gmbh | Vorrichtung mit einer roentgenroehre |
| DE3426623A1 (de) * | 1984-07-19 | 1986-01-30 | Scanray A/S, Kopenhagen | Roentgenroehre |
| US5128977A (en) * | 1990-08-24 | 1992-07-07 | Michael Danos | X-ray tube |
| DE4230047C1 (de) * | 1992-09-08 | 1993-10-14 | Siemens Ag | Röntgenröhre |
-
1995
- 1995-04-07 DE DE19513291A patent/DE19513291C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-04-05 CN CN96104605A patent/CN1138743A/zh active Pending
- 1996-04-08 JP JP8085535A patent/JPH08287855A/ja not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|---|
| JP2009026653A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線発生装置 |
| JP2015198034A (ja) * | 2014-04-02 | 2015-11-09 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 電子ビーム生成用カソード部材およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19513291A1 (de) | 1996-10-10 |
| DE19513291C2 (de) | 1998-11-12 |
| CN1138743A (zh) | 1996-12-25 |
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