JPH08279702A - 積層誘電体フィルタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来のものと非常に近いチップ上面パターン
であり、しかも無隙間方式で製作できるようにしたチッ
プ上面パターンとする積層誘電体フィルタを提供するこ
と 【構成】 上面パターンを以下の条件を満たすようにし
た。チップ上面は−ｄ≦ｘ≦ｄかつ−ｋ≦ｙ≦ｋの長方
形をなしている。ｂ≦ｘ≦ｄかつｈ≦ｙ≦ｉの領域に一
方の端子導体膜１３がパターン形成されており、これに
対して座標原点を中心とする１８０度の回転対称に他方
の端子導体膜１４がパターン形成されている。前記アー
ス導体膜１２の半分１２ａは、−ｃ≦ｘ≦ａかつ０≦ｙ
≦ｊの領域、−ｃ≦ｘ≦−ａかつｊ≦ｙ≦ｋの領域、−
ｄ≦ｘ≦−ｃかつｈ≦ｙ≦ｉの領域にパターン形成され
ており、これに対して座標原点を中心とする１８０度の
回転対称に前記アース導体膜１２の残りの半分１２ｂが
パターン形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＵＨＦ帯やマイクロ波
帯の移動体通信機器等の回路素子として利用される積層
誘電体フィルタ及びその製造方法に関し、特に、フィル
タチップの上面に形成されるアース導体膜と端子導体膜
のパターンに関する。

【０００２】

【従来の技術】積層誘電体フィルタは、大面積の誘電体
シート（所定の誘電体シートの表面には、スクリーン印
刷等により所定形状の金属膜パターンが形成されてい
る）を多数枚積層して誘電体基板を形成することによ
り、同一構成の多数の誘電体フィルタが同時に一体に集
積形成され、ある段階で大きな誘電体基板を切断して個
々のフィルタチップに分離する（この切断分離工程をダ
イシングという）。このようにして製作されるチップ型
の積層誘電体フィルタの代表的な形態を図１に示してい
る。積層誘電体チップ１の内部には素材シート間にパタ
ーン形成された帯状共振電極が埋め込まれており、チッ
プ１の下面には全面的にアース導体膜が形成され、その
上面の一部には以下に詳述するパターンでアース導体膜
２が形成され、この上面のアース導体膜２と下面のアー
ス導体膜を接続するアース導体膜５がチップ側面にパタ
ーン形成されている。また、チップ上面には２つの端子
導体膜３，４がパターン形成され、この端子導体膜３，
４はそれぞれ側面に回り込んだ導体膜につながってい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】図１の誘電体フィルタ
のチップ上面の導体膜パターンを図２に詳しく示してい
る。チップ上面は横の長さが２ｄで、縦の長さが２ｋの
長方形である。この長方形の中心を原点としてｘ軸・ｙ
軸がそれぞれチップの横・縦に平行な２次元座標（ｘ，
ｙ）を想定する。するとアース導体膜２および端子導体
膜３と４のパターンは次のように表わされる。

【０００４】一方の端子導体膜３は、ｂ≦ｘ≦ｄかつｈ
≦ｙ≦ｉの領域にパターン形成されており、これに対し
て座標原点を中心とする１８０度の回転対称に他方の端
子導体膜４がパターン形成されている。

【０００５】またアース導体膜２の半分２ａは、−ｄ≦
ｘ≦ａかつ０≦ｙ≦ｋの領域にパターン形成されてお
り、これに対して座標原点を中心とする１８０度の回転
対称にアース導体膜２の残りの半分２ｂがパターン形成
されている。つまりチップ上面の中心部分でアース導体
膜２ａ，２ｂがつながっている。

【０００６】ここで、大面積の積層誘電体基板に同一の
多数のフィルタを集積形成する場合に、個々のフィルタ
形成エリアが相互に接していて、各エリア間にまったく
隙間のない状態で製作できれば、素材の誘電体基板を最
大限に活用してより多数のフィルタを能率よく製作でき
ることになる（これを無隙間集積方式と呼ぶことにす
る）。

【０００７】図１および図２に示したチップ上面パター
ンのフィルタを無隙間集積方式で製作する場合、大面積
の積層誘電体基板の上面に形成する導体膜集積パターン
は図３のようになる。つまり、図２に示す個々のフィル
タの導体膜パターンが縦横に隙間なく連続したパターン
になる。図３において、ＰとＱはダイシング工程での縦
横の切断ラインを示している。なお、この切断は、図外
（大面積の積層誘電体基板の周縁所定位置）に形成され
るマーカーを基準に行われる。

【０００８】図３のような集積パターンにより無隙間集
積方式でフィルタを製作する場合、ダイシング工程で切
断ラインがごく僅かでも狂うと、隣のエリアの導体膜を
切り込んでしまい、例えば図４のように端子導体膜４と
アース導体膜２ａがショートしたり（イ部）、アース導
体膜２ｂに無用なヒゲ状導体膜（ロ部）がつながってし
まい、これが実装時にショート原因になる。ダイシング
工程で、１本の切断ラインで２つのエリアを常に正確に
切り分けることは不可能であり、ある程度の誤差は避け
られない。したがって、図３のような集積パターンによ
り無隙間集積方式でフィルタを製作すると、歩留まりが
悪く実用に供し得ないものとなる。

【０００９】一方、係る問題を解決するため、各フィル
タエリアの間に適当な隙間をあけて集積パターンを形成
する（これを有隙間集積方式と呼ぶことにする）ことも
考えられる。しかし、係る場合には。フィルタエリア間
に形成された隙間の両側を切断する必要が生じ、切断工
程が増加する。さらに、この有隙間集積方式では、同じ
面積の基板で製作できるフィルタの個数が少なくなり、
また製作能率も悪いという問題がある。

【００１０】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、上記した問題点を解
決し、従来のパターン（例えば図１および図２に示した
パターン）にほとんど類似したチップ上面パターンの積
層誘電体フィルタを無隙間方式で製作でき、しかも特性
は従来と同等となるようにした積層誘電体フィルタ及び
その製造方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明に係る積層誘電体フィルタでは、内部に共
振子パターン（１１）を有する積層誘電体チップ（１
０）の長方形の上面に大きなアース導体膜（１２）と２
つの小さな端子導体膜（１３，１４）とがパターン形成
された積層誘電体フィルタを前提とし、前記一方の端子
導体膜（１３）は、前記長方形の一辺（Ａ）に接続さ
れ、前記他方の端子導体膜（１４）は前記一辺と反対側
の対辺（Ｂ）に接続されるとともに、前記両端子導体膜
は前記長方形の中心を挟んで反対側に配置される。一
方、前記アース導体膜は、前記端子導体膜と非接触状態
に配置される。そして、前記端子導体膜が接続された長
方形の各辺との接続縁の両側端にそれぞれ第１の切欠部
（１６）が形成され、前記長方形の残りの２辺との接続
縁の中央側端部に、第２の切欠部（１７）が形成される
ようにした。

【００１２】そして、より具体的には、従来の図２のパ
ターンに多少の修正を加えて図６のパターンとした。つ
まり図６に示すように、前記長方形の中心を原点とし、
前記長方形の各辺に平行な直交座標系を仮想的に置いた
際の座標点をを（ｘ，ｙ）とし、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよび
ｈ、ｉ、ｊ、ｋがａ＜ｂ＜ｃ＜ｄおよびｈ＜ｉ＜ｊ＜ｋ
の関係にある正の数としたときに、本発明の積層誘電体
フィルタでは、前記アース導体膜１２と前記端子導体膜
１３と１４のパターンが次のように表わされる。 前記チップ上面は−ｄ≦ｘ≦ｄかつ−ｋ≦ｙ≦ｋの長
方形をなしている。 ｂ≦ｘ≦ｄかつｈ≦ｙ≦ｉの領域に一方の前記端子導
体膜１３がパターン形成されており、これに対して座標
原点を中心とする１８０度の回転対称に他方の端子導体
膜１４がパターン形成されている（これは図２の従来パ
ターンと同じである）。 前記アース導体膜１２の半分１２ａは、−ｃ≦ｘ≦ａ
かつ０≦ｙ≦ｊの領域、−ｃ≦ｘ≦−ａかつｊ≦ｙ≦ｋ
の領域、−ｄ≦ｘ≦−ｃかつｈ≦ｙ≦ｉの領域、にパタ
ーン形成されており、これに対して座標原点を中心とす
る１８０度の回転対称に前記アース導体膜１２の残りの
半分１２ｂがパターン形成されている。 前記，で規定されるパターンを基本とし、Ｘ軸方
向またはＹ軸方向の少なくとも一方に、０を含む所定距
離だけ平行移動させ、その際に前記で規定される範囲
を越える部分を除いたパターンからなる。

【００１３】換言すると、本発明のパターン（図６）
は、従来のパターン（図２）におけるアース導体膜（２
ａ）の３つの角部分に小さな切り欠き部（１６），（１
７）を設けたものに相当する。もちろんアース導体膜
（２ｂ）にも同じ切り欠き部がある。これが本発明によ
り加えた修正部分である。

【００１４】また、本発明に係る誘電体フィルタの製造
方法では、製造する積層誘電体フィルタの形状よりも十
分大きな誘電体シートを用い、表面に導体パターンを未
形成の誘電体シートと、表面に共振子パターン等の所定
の導体膜パターンが形成された誘電体シートと、前記ア
ース導体膜及び端子導体膜からなる導体膜パターンが形
成された誘電体シートを所定の順で所定枚数積層して誘
電体基板を形成する。

【００１５】次いで前記誘電体基板の所定部位を切断し
て個々のチップに分離後、そのチップの側面に所定の導
体膜を形成するようにした誘電体フィルタの製造方法に
おいて、上面に位置する誘電体シートの表面に形成する
導体膜パターンの形状を、請求項２に規定する条件，
で特定されるパターンを基準パターンとし、その基準
パターンを縦横方向に連続して繰り返し配置する。そし
て、チップに分離するための切断処理を行うに際し、前
記基準パターン単位で切断するようにした。

【００１６】

【作用】第１，第２の切欠部を形成するようにしたた
め、たとえ切断部位がずれたとしても、端子導体膜とア
ース導体膜が接続されてしまうことがなく、非接触状態
が保たれる。

【００１７】具体的には図６に示したチップ上面パター
ンのフィルタを無隙間集積方式で製作する場合、大面積
の積層誘電体基板の上面に形成する導体膜集積パターン
は図７のようになる。つまり、図６に示す個々のフィル
タの導体膜パターンが縦横に隙間なく連続したパターン
になる。図７，図８において、ＰとＱはダイシング工程
での縦横の切断ラインを示している。アース導体膜（１
２）に切り欠き部（１６），（１７）に相当する導体膜
の未形成領域（２１）を設けてあるので、ダイシング工
程で切断ラインがＰ、Ｑから多少ずれても、端子導体膜
とアース導体膜がショートしたり、アース導体膜に無用
なヒゲ状導体膜がつながるという不都合はなくなる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明に係る積層誘電体フィルタ及び
その製造方法の好適な実施例を添付図面を参照にして詳
述する。図５，図６は本発明の一実施例を示している。
同図に示すように、基本的な構成は従来と同様で、複数
の誘電体シート（グリーンシート）を積層して構成され
る直方体状の積層誘電体チップ１０の内部にはそのシー
ト間にパターン形成された帯状の共振子パターン（内導
体）１１が埋め込まれている。チップ１０の下面には全
面的にアース導体膜が形成され、その上面の一部には以
下に詳述するパターンでアース導体膜１２が形成され、
この上面のアース導体膜１２と下面のアース導体膜を接
続するアース導体膜１５がチップ側面にパターン形成さ
れている。また、チップ上面には２つの小さな端子導体
膜１３，１４がパターン形成され、この端子導体膜１
３，１４はそれぞれ側面に回り込んだ導体膜につながっ
ている。

【００１９】さらに、本例では、共振子パターン１１の
両端を積層誘電体チップ１０の側面にまで至るように形
成している。すなわち、共振子パターン１１の長さと、
その配置方向の積層誘電体チップ１０の長さを等しくし
ている。これにともない、共振子パターン１１の一端は
開放端（アースと非接触）となるため、それに対応して
積層誘電体チップ１０の側面に形成するアース導体膜１
５のうち、上記開放端に対応する部分にはアース導体膜
を未形成とした。

【００２０】なお、共振子パターン１１が露出しないタ
イプ、すなわち、共振子パターン１１の長さが積層誘電
体チップ１０のそれよりも短い場合には、上記した未形
成部分にもアース導体膜を形成して良いのはもちろんで
ある。

【００２１】また、本実施例では両端子導体膜１３，１
４は、ともに長方形に構成し、一方の端子導体膜１３
は、積層誘電体チップ１０の上面（長方形）の一辺Ａに
接続され、他方の端子導体膜１４は前記一辺Ａと反対側
の対辺Ｂに接続されるようにした。そして理想的には、
両者は同一形状となり、上面の辺との接続部位は、上記
した各辺Ａ，Ｂのみになるようにした。さらに、両端子
導体膜１３，１４は前記長方形の中心を挟んで反対側に
配置している。すなわち、上面の中心を通り、４辺と平
行な２つの線分にて４つの区画に分割した場合に、隣接
しない対角線上に位置する２つの区画内に配置する。

【００２２】一方、上記した積層誘電体チップ１０の上
面に形成するアース導体膜１２は、両端子導体膜１３，
１４と非接触状態に配置され、上記した４つの区画のう
ち残りの２つの区画のほぼ全面を覆う（１２ａと１２
ｂ）とともに、中央部分でそれらを接続するような所定
のパターン形状から構成される。

【００２３】ここで本発明では、アース導体膜１２の周
縁のうち、積層誘電体チップ１０の上面の各辺との接続
縁の各端部にそれぞれ所定の切欠部を形成した。具体的
には、前記端子導体膜１３，１４が接続された長方形の
各辺Ａ，Ｂとの接続縁の両側端にそれぞれ第１の切欠部
１６を形成し、長方形の残りの２辺との接続縁の中央側
端部に、第２の切欠部１７を形成した。そして、図から
明らかなように、同一辺上に形成された第１の切欠部１
６，１６間の距離が、端子導体膜１３，１４の幅と一致
するようにしている。

【００２４】そして、各導体膜の寸法形状についてより
具体的に説明すると、前記長方形の中心を原点とし、前
記長方形の各辺に平行な直交座標系を仮想的に置いた際
の座標点を（ｘ，ｙ）とし、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｈ、
ｉ、ｊ、ｋがａ＜ｂ＜ｃ＜ｄおよびｈ＜ｉ＜ｊ＜ｋの関
係にある正の数としたときに、本発明の積層誘電体フィ
ルタでは、前記アース導体膜１２と前記端子導体膜１
３，１４のパターンが次の条件を満たすようなパターン
形状とした。 前記チップ上面は−ｄ≦ｘ≦ｄかつ−ｋ≦ｙ≦ｋの長
方形をなしている。 ｂ≦ｘ≦ｄかつｈ≦ｙ≦ｉの領域に一方の前記端子導
体膜１３がパターン形成されており、これに対して座標
原点を中心とする１８０度の回転対称に他方の端子導体
膜４がパターン形成されている。 前記アース導体膜１２の半分１２ａは、−ｃ≦ｘ≦ａ
かつ０≦ｙ≦ｊの領域、−ｃ≦ｘ≦−ａかつｊ≦ｙ≦ｋ
の領域、−ｄ≦ｘ≦−ｃかつｈ≦ｙ≦ｉの領域、にパタ
ーン形成されており、これに対して座標原点を中心とす
る１８０度の回転対称に前記アース導体膜１２の残りの
半分１２ｂがパターン形成されている。

【００２５】そして、上記した条件は、理想状態で各パ
ターン成形ならびに切断処理等が行われた場合の理想
（基本）的なパターン（移動距離が０）であり、製造時
の公差などにより切断位置がずれた場合には、上記基本
パターンのまま、Ｘ軸方向またはＹ軸方向の少なくとも
一方側に所定距離だけ平行移動することもある。その場
合に、各パターンのうち条件、すなわち上面の範囲を
越える部分は当然排除された形状となる。換言すれば、
理想的なパターンの場合には、各導体膜のパターン形状
は原点を中心とし、１８０度回転させた時の点対称とな
るが、それをずれると、各パターンの寸法形状が多少異
なるとともに、対応する各切欠部同士の長さや幅も異な
ることになる。

【００２６】また、係る積層誘電体フィルタを製造する
場合には、大きな積層誘電体基板に複数の誘電体フィル
タのパターンを形成し、それを切断するため、切断位置
がずれて上記のように平行移動した場合には、本来存在
しないパターン（別の誘電体フィルタ用のパターン）が
上面に形成されることがあるが、後述したように係る不
要なパターンは、上記した各導体膜１２，１３，１４の
いずれとも接触しない。

【００２７】そして、上面に形成するアース導体膜１２
の所定部位には上記したように切欠部１６，１７が形成
されるため、その設置面積が若干減少するものの、その
減少量はごく僅かであるので、フィルタとしての特性は
従来のものと変わらない。

【００２８】また、側面に形成するアース導体膜１５
は、従来の構成と全く同じものを使用することができる
ので、本実施例の積層誘電体フィルタを製造するための
マスクパターンとしては、上面用のものを作り直すだけ
で、その他は従来のものをそのまま使用でき、さらに、
具体的な製造工程も従来のものと同一とすることができ
る。なお、側面パターンを適宜変更するようにしてもも
ちろん良い。

【００２９】そして、上記した各部の寸法の一例を示す
と、次のように設定することができる。

【００３０】２ｄ＝７．００ｍｍ ２ｋ＝５．００ｍｍ ａ＝０．３５ｍｍ ｂ＝０．７５ｍｍ ｃ＝０．２５ｍｍ ｈ＝０．４０ｍｍ ｉ＝２．１０ｍｍ ｊ＝３．３５ｍｍ 次に、本発明に係る誘電体フィルタの製造方法の一実施
例を説明する。基本的な製造プロセスは、従来のものと
同様で、大面積の誘電体シート（グリーンシート）を用
い、それらを所定枚数積層して積層誘電体基板を製造す
る。この時、中間の所定の誘電体シートの表面には、共
振子パターンなどを構成する所定の導体膜を形成してお
く。最上方に位置する誘電体シートの上面には、所定形
状からなる導体膜パターンを形成する。本発明では、こ
の導体膜パターンの形状を改良している。

【００３１】すなわち、本実施例では図５，図６に示す
チップ上面のパターンからなる本発明のフィルタを無隙
間集積方式で製作する方法で、具体的には図６に示す導
体膜パターンを基準パターンとし、その基準パターンを
縦横に隙間なく連続した導体膜パターンとなる。そし
て、係る導体膜パターンの一例を示すと、図７のように
なる。そしてダイシング工程での縦横の切断は、大面積
の積層誘電体基板の周縁所定位置に形成されるマーカー
位置（矢印で示す）を基準に行われる。このマーカーで
切断すると、基準パターン単位で切り出されるようにな
っている。

【００３２】そして、図８に拡大して示すように、アー
ス導体膜となるパターン部分２０の側縁２０ａは、交互
に相手側にはみだすようになり、同一直線上に位置する
側縁２０ａを結ぶ線間の距離ｍ１がマージンとなる。上
記した切欠部に対応する部分が導体膜の未形成領域２１
となり、隣接するパターン部分２０間には一定の隙間が
存在する。また、上記パターン部分２０の先端には端子
導体膜となるパターン部分２２も連続して形成される
が、上記未形成領域２１のためにそのパターン部分２２
の幅ｗは、パターン部分２０の幅ｗ′よりも狭くなって
いる。

【００３３】従って、理想的には上記したダイシング工
程では同図中Ｐ，Ｑで示すように側縁２０ａにより決定
される上記マージンｍ１の中央の線上Ｐ（同図（Ｂ）参
照）と、パターン部分２０と２２の接続部位に近接し、
未形成領域２１の中央Ｑ（同図（Ｃ）参照）となり、当
該部位で切断をした場合には、図９中破線で囲まれた長
方形の領域が切り出され、ハッチングで示すパターン部
分が各導体膜となり、これが上記した図７の状態に相当
する。そして、上記未形成領域２１がそれぞれ各切欠部
１６，１７になる。

【００３４】ところで、本実施例では未形成領域２１を
形成したため、図８（Ｂ），（Ｃ）に示すように各切断
位置Ｐ，Ｑには、それぞれ所定幅のマージンｍ１，ｍ２
が形成される。そして、各マージンｍ１，ｍ２は、 ｍ１＝２（ｋ−ｊ） ｍ２＝２（ｄ−ｃ） となる。

【００３５】従って、たとえ切断位置が理想状態からず
れたとしても、未形成領域２１を設けたためパターン部
分２０と２２が導通することがない。その一例を示す
と、例えば横方向の切断位置Ｐが上側にずれた場合に
は、図１０（Ａ）に示すように、一方の端子導体膜１３
の近傍に無用の導体膜２４が形成されるが、この導体膜
２４は、上面に着目してみると他の導体膜１２，１３，
１４のいずれとも接続されず、また、チップ１０の側面
は図５に示したようにアース導体膜１５の未形成領域に
対向することになり、独立した島状パターンとなる。し
たがって、この導体膜２４はフィルタ特性には何等影響
を与えないものとなる。また、図示省略するが内部の共
振子パターンを短くし側面全面にアース導体膜を形成し
た構造のものの場合には、上記導体膜パターンは側面の
アース導体膜と接続されることになるが、いずれにして
も端子導体膜１３，１４とは非接触状態が保たれるので
問題はない。

【００３６】一方、縦方向の切断位置Ｑが図中左側にず
れた場合には、図１０（Ｂ）に示すように、第１の切欠
部１６の幅が異なるものの、やはりアース導体膜１２と
端子導体膜１３，１４が接続されることがなく、不良品
とならない。

【００３７】また、図示の状態は、上記したマージンｍ
１，ｍ２の範囲内で切断位置がずれた場合のパターン例
を示しているが、これ以上ずれたとしても、端子導体膜
の形状が若干変わる（長方形の２つの頂点に小さな突片
が突出する）ものの、上面の範囲内に限ると端子導体膜
とアース導体膜とは非接触状態が保たれるので、側面の
アース導体膜１５の形状を適宜に設定することにより所
望のフィルタ特性を維持できる。

【００３８】

【発明の効果】本発明によれば、従来のパターン（図
２）とほとんど同じパターン（図６）のチップ上面導体
膜の積層誘電体フィルタを無隙間集積方式で製作でき
る。したがって従来の有隙間集積方式に比べて、素材の
誘電体基板を最大限に活用してより多数のフィルタを能
率よく製作できることになる。また、切断処理も比較的
ラフに行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の積層誘電体フィルタの斜視図である。

【図２】同上従来のフィルタのチップ上面パターンの詳
細な平面図である。

【図３】同上従来のフィルタを無隙間集積方式で製作す
る場合の集積パターンの平面図である。

【図４】同上従来のフィルタを無隙間集積方式で製作し
た場合の問題点を示すチップ上面パターンの平面図であ
る。

【図５】本発明に係る積層誘電体フィルタの一例を示す
斜視図である。

【図６】本発明の一実施例による積層誘電体フィルタの
チップ上面パターンの平面図である。

【図７】上記実施例のフィルタを無隙間集積方式で製作
する場合の集積パターンの平面図である。

【図８】図７の要部を拡大して示す図である。

【図９】集合パターンのうち、切断して切り出される部
分を説明する図である。

【図１０】切断位置がずれた場合の作用を説明する図で
ある。

【符号の説明】

１０ 積層誘電体チップ １１ 共振子パターン １２，１２ａ，１２ｂ アース導体膜 １３，１４ 端子導体膜 １６ 第１の切欠部 １７ 第２の切欠部

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部に共振子パターン（１１）を有する
   積層誘電体チップ（１０）の長方形の上面に大きなアー
   ス導体膜（１２）と２つの小さな端子導体膜（１３，１
   ４）とがパターン形成された積層誘電体フィルタであっ
   て、 前記一方の端子導体膜（１３）は、前記長方形の一辺
   （Ａ）に接続され、前記他方の端子導体膜（１４）は前
   記一辺と反対側の対辺（Ｂ）に接続されるとともに、前
   記両端子導体膜は前記長方形の中心を挟んで反対側に配
   置され、 前記アース導体膜は、前記端子導体膜と非接触状態に配
   置され、前記端子導体膜が接続された長方形の各辺との
   接続縁の両側端にそれぞれ第１の切欠部（１６）が形成
   され、前記長方形の残りの２辺との接続縁の中央側端部
   に、第２の切欠部（１７）が形成されてなることを特徴
   とする積層誘電体フィルタ。
2. 【請求項２】 内部に共振子パターン（１１）を有する
   積層誘電体チップ（１０）の長方形の上面に大きなアー
   ス導体膜（１２）と２つの小さな端子導体膜（１３，１
   ４）とがパターン形成された積層誘電体フィルタであっ
   て、 前記長方形の中心を原点とし、前記長方形の各辺に平行
   な直交座標系を仮想的に置いた際の座標点を（ｘ，ｙ）
   とし、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｈ、ｉ、ｊ、ｋがａ＜ｂ＜
   ｃ＜ｄおよびｈ＜ｉ＜ｊ＜ｋの関係にある正の数とした
   ときに、前記アース導体膜と前記端子導体膜のパターン
   が次のように表わされることを特徴とする積層誘電体フ
   ィルタ。 前記上面は−ｄ≦ｘ≦ｄかつ−ｋ≦ｙ≦ｋの長方形を
   なしている。 ｂ≦ｘ≦ｄかつｈ≦ｙ≦ｉの領域に一方の前記端子導
   体膜がパターン形成されており、これに対して座標原点
   を中心とする１８０度の回転対称に他方の端子導体膜が
   パターン形成されている。 前記アース導体膜の半分は、 −ｃ≦ｘ≦ａかつ０≦ｙ≦ｊの領域、 −ｃ≦ｘ≦−ａかつｊ≦ｙ≦ｋの領域、 −ｄ≦ｘ≦−ｃかつｈ≦ｙ≦ｉの領域、にパターン形成
   されており、これに対して座標原点を中心とする１８０
   度の回転対称に残りの半分の前記アース導体膜がパター
   ン形成されている。 前記条件，で規定されるパターンを基本とし、Ｘ
   軸方向またはＹ軸方向の少なくとも一方に、０を含む所
   定距離だけ平行移動させ、その際に前記で規定される
   範囲を越える部分を除いたパターンからなる。
3. 【請求項３】 製造する積層誘電体フィルタの形状より
   も十分大きな誘電体シートを用い、表面に導体パターン
   を未形成の誘電体シートと、表面に共振子パターン等の
   所定の導体膜パターンが形成された誘電体シートと、前
   記アース導体膜及び端子導体膜からなる導体膜パターン
   が形成された誘電体シートを所定の順で所定枚数積層し
   て誘電体基板を形成し、 次いで前記誘電体基板の所定部位を切断して個々のチッ
   プに分離後、そのチップの側面に所定の導体膜を形成す
   るようにした誘電体フィルタの製造方法において、 上面に位置する誘電体シートの表面に形成する導体膜パ
   ターンの形状を、請求項２に規定する条件，で特定
   されるパターンを基準パターンとし、その基準パターン
   を縦横方向に連続して繰り返し配置し、 その基準パターン単位で前記切断処理をするようにした
   誘電体フィルタの製造方法。