JPH08279504A - 減圧ｃｖｄ成膜方法及び装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ成膜方法及び装置Info
- Publication number
- JPH08279504A JPH08279504A JP8108495A JP8108495A JPH08279504A JP H08279504 A JPH08279504 A JP H08279504A JP 8108495 A JP8108495 A JP 8108495A JP 8108495 A JP8108495 A JP 8108495A JP H08279504 A JPH08279504 A JP H08279504A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- film forming
- pressure cvd
- heated
- low pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温で成膜しても、ウェーハ面内の膜の均一
性を向上でき、スループットを高めることができる減圧
ＣＶＤ成膜方法及び装置を提供する。 【構成】 反応管３内にウェーハ４を挿入して密閉し、
ウェーハ４を加熱すると共に加熱されるタンク８内にＨ
2Ｏを供給して水蒸気を発生させ、この水蒸気の供給路
にこれを加熱するヒータ９を設け、反応管３内に水蒸気
とシラン系ガスを混合して供給し流通して排気する。
性を向上でき、スループットを高めることができる減圧
ＣＶＤ成膜方法及び装置を提供する。 【構成】 反応管３内にウェーハ４を挿入して密閉し、
ウェーハ４を加熱すると共に加熱されるタンク８内にＨ
2Ｏを供給して水蒸気を発生させ、この水蒸気の供給路
にこれを加熱するヒータ９を設け、反応管３内に水蒸気
とシラン系ガスを混合して供給し流通して排気する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハ上に酸化膜を
生成する減圧ＣＶＤによる成膜方法及び装置に関する。
生成する減圧ＣＶＤによる成膜方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来方法を実施する減圧ＣＶＤ成
膜装置の１例を示す説明図である。従来方法は、アウタ
チューブ１とインナチューブ２よりなる反応管３内に、
多数枚のウェーハ４を載置したボート５を挿入して密閉
し、ウェーハ４をヒータ（図示せず）により加熱すると
共にガス供給口６Ａ，６Ｂよりテトラ・エトキシ・シラ
ン（Teos）ガス或いはＳiＨ4 ガスとＮ2Ｏガス又はＯ2
ガスをインナチューブ２内に混合して供給し、アウタチ
ューブ１とインナチューブ２の間を通して排気口７より
排気することによりウェーハ４上に酸化膜を生成してい
る。
膜装置の１例を示す説明図である。従来方法は、アウタ
チューブ１とインナチューブ２よりなる反応管３内に、
多数枚のウェーハ４を載置したボート５を挿入して密閉
し、ウェーハ４をヒータ（図示せず）により加熱すると
共にガス供給口６Ａ，６Ｂよりテトラ・エトキシ・シラ
ン（Teos）ガス或いはＳiＨ4 ガスとＮ2Ｏガス又はＯ2
ガスをインナチューブ２内に混合して供給し、アウタチ
ューブ１とインナチューブ２の間を通して排気口７より
排気することによりウェーハ４上に酸化膜を生成してい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、原料ガス（テトラ・エトキシ・シランガス，Ｎ2Ｏ
ガス等）が高価であり、又、９００℃以上の高温で成膜
すると、膜の均一性が極めて悪いばかりでなく、成膜傾
向が炉内構造に大きく影響され、ウェーハ４の端から反
応管３の管壁までの距離を狭めたり、ウェーハ間隔を広
げたりして成膜の均等を図る必要がある等の課題があ
る。
は、原料ガス（テトラ・エトキシ・シランガス，Ｎ2Ｏ
ガス等）が高価であり、又、９００℃以上の高温で成膜
すると、膜の均一性が極めて悪いばかりでなく、成膜傾
向が炉内構造に大きく影響され、ウェーハ４の端から反
応管３の管壁までの距離を狭めたり、ウェーハ間隔を広
げたりして成膜の均等を図る必要がある等の課題があ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するためになされたものであって、高温で成膜して
も、ウェーハ面内の膜の均一性を向上でき、スループッ
トを高めることができる減圧ＣＶＤ成膜方法及び装置を
提供しようとするものである。即ち、本発明方法は、図
１に示すように水蒸気とシラン系ガスを混合して供給す
ることによりウェーハ上に酸化膜を生成することを特徴
とする。
解決するためになされたものであって、高温で成膜して
も、ウェーハ面内の膜の均一性を向上でき、スループッ
トを高めることができる減圧ＣＶＤ成膜方法及び装置を
提供しようとするものである。即ち、本発明方法は、図
１に示すように水蒸気とシラン系ガスを混合して供給す
ることによりウェーハ上に酸化膜を生成することを特徴
とする。
【０００５】又、本発明装置は、同じく図１に示すよう
に反応管３内にウェーハ４を挿入して密閉し、ウェーハ
４を加熱すると共に加熱されるタンク８内にＨ2Ｏを供
給して水蒸気を発生させ、この水蒸気の供給路にこれを
加熱するヒータ９を設け、反応管３内に水蒸気とシラン
系ガスを混合して供給し流通して排気することを特徴と
する。
に反応管３内にウェーハ４を挿入して密閉し、ウェーハ
４を加熱すると共に加熱されるタンク８内にＨ2Ｏを供
給して水蒸気を発生させ、この水蒸気の供給路にこれを
加熱するヒータ９を設け、反応管３内に水蒸気とシラン
系ガスを混合して供給し流通して排気することを特徴と
する。
【０００６】
【作用】このような構成であるから、Ｈ2Ｏがタンク８
内に供給されて水蒸気が発生され、ヒータ９により加熱
された供給路を経て反応管３内に供給される一方、シラ
ン系ガスが反応管３内に供給されて混合され、流通され
て排気されることによりウェーハ４上に酸化膜が生成さ
れることになる。
内に供給されて水蒸気が発生され、ヒータ９により加熱
された供給路を経て反応管３内に供給される一方、シラ
ン系ガスが反応管３内に供給されて混合され、流通され
て排気されることによりウェーハ４上に酸化膜が生成さ
れることになる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明方法及び装置の１実施例の構成
説明図である。図１において１はアウタチューブ、２は
インナチューブで、これらは反応管３を形成する。５は
多数枚のウェーハ４を載置したボート、６Ａ，６Ｂはガ
ス供給口、７は排気口である。１０は水供給口、１１は
ヒータを備えた加熱室、８はこの加熱室１１内に設置さ
れたタンクで、Ｈ2Ｏを加熱して水蒸気を発生する。９
は水蒸気の供給路に、これを９０℃以上に加熱するべく
巻回付設されたテープヒータで、水蒸気の液化を防止す
る。そして水蒸気とシラン系ガス、例えばＳiＨ4 （モノ
シラン）ガスをそれぞれガス供給口６Ａ，６Ｂよりイン
ナチューブ２内へ供給し混合して流通させる構成となっ
ている。
説明図である。図１において１はアウタチューブ、２は
インナチューブで、これらは反応管３を形成する。５は
多数枚のウェーハ４を載置したボート、６Ａ，６Ｂはガ
ス供給口、７は排気口である。１０は水供給口、１１は
ヒータを備えた加熱室、８はこの加熱室１１内に設置さ
れたタンクで、Ｈ2Ｏを加熱して水蒸気を発生する。９
は水蒸気の供給路に、これを９０℃以上に加熱するべく
巻回付設されたテープヒータで、水蒸気の液化を防止す
る。そして水蒸気とシラン系ガス、例えばＳiＨ4 （モノ
シラン）ガスをそれぞれガス供給口６Ａ，６Ｂよりイン
ナチューブ２内へ供給し混合して流通させる構成となっ
ている。
【０００８】本実施例は、上記のような構成であるか
ら、Ｈ2Ｏが水供給口１０より９０℃に加熱された加熱
室１１内に設置され、同じく９０℃に加熱されたタンク
８内に供給され、加熱された水蒸気が発生される。この
水蒸気は、テープヒータ９により９０℃に加熱された供
給路を経てガス供給口６Ａよりインナチューブ２内に供
給される一方、ＳiＨ4 ガスをガス供給口６Ｂよりイン
ナチューブ２内に供給されて混合され、流通されてアウ
タチューブ１とインナチューブ２との間を経て排気口７
より排気されることによりウェーハ４上に酸化膜、この
例ではＳiＨ4 ＋Ｈ2Ｏ→ＳiＯ2膜が生成されることにな
る。図２に成膜結果を示す。この場合、Ｈ2Ｏの供給さ
れるタンク８をアルコールによりフラッシングし、重金
属や汚染を防止している。又、成膜温度が高い方が屈折
率のバラツキが小さくなり、特に成膜温度が９００度以
上であれば、水蒸気とシラン系ガスＳiＨ4 が活性とな
り、実用範囲となる。
ら、Ｈ2Ｏが水供給口１０より９０℃に加熱された加熱
室１１内に設置され、同じく９０℃に加熱されたタンク
８内に供給され、加熱された水蒸気が発生される。この
水蒸気は、テープヒータ９により９０℃に加熱された供
給路を経てガス供給口６Ａよりインナチューブ２内に供
給される一方、ＳiＨ4 ガスをガス供給口６Ｂよりイン
ナチューブ２内に供給されて混合され、流通されてアウ
タチューブ１とインナチューブ２との間を経て排気口７
より排気されることによりウェーハ４上に酸化膜、この
例ではＳiＨ4 ＋Ｈ2Ｏ→ＳiＯ2膜が生成されることにな
る。図２に成膜結果を示す。この場合、Ｈ2Ｏの供給さ
れるタンク８をアルコールによりフラッシングし、重金
属や汚染を防止している。又、成膜温度が高い方が屈折
率のバラツキが小さくなり、特に成膜温度が９００度以
上であれば、水蒸気とシラン系ガスＳiＨ4 が活性とな
り、実用範囲となる。
【０００９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、高温で成
膜しても、ウェーハ面内の膜の均一性を向上でき、スル
ープットを高めることができる減圧ＣＶＤ成膜方法及び
装置を提供することができる。
膜しても、ウェーハ面内の膜の均一性を向上でき、スル
ープットを高めることができる減圧ＣＶＤ成膜方法及び
装置を提供することができる。
【図１】本発明方法及び装置の１実施例の構成説明図で
ある。
ある。
【図２】従来方法を実施する減圧ＣＶＤ成膜装置の１例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
１ アウタチューブ ２ インナチューブ ３ 反応管 ４ ウェーハ ５ ボート ６Ａ ガス供給口 ６Ｂ ガス供給口 ７ 排気口 ８ タンク ９ （テープ）ヒータ １０ 水供給口 １１ 加熱室
Claims (3)
- 【請求項１】 水蒸気とシラン系ガスを混合して供給す
ることによりウェーハ上に酸化膜を生成することを特徴
とする減圧ＣＶＤ成膜方法。 - 【請求項２】 水蒸気の供給路を９０℃以上の高温に加
熱することを特徴とする減圧ＣＶＤ成膜方法。 - 【請求項３】 反応管（３）内にウェーハ（４）を挿入
して密閉し、ウェーハ（４）を加熱すると共に加熱され
るタンク（８）内にＨ2Ｏを供給して水蒸気を発生さ
せ、この水蒸気の供給路にこれを加熱するヒータ（９）
を設け、反応管（３）内に水蒸気とシラン系ガスを混合
して供給し流通して排気することを特徴とする減圧ＣＶ
Ｄ成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8108495A JPH08279504A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | 減圧ｃｖｄ成膜方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8108495A JPH08279504A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | 減圧ｃｖｄ成膜方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279504A true JPH08279504A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=13736529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8108495A Pending JPH08279504A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | 減圧ｃｖｄ成膜方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08279504A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016113308A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | 大陽日酸株式会社 | カーボンナノ材料製造装置、及びカーボンナノ材料製造方法 |
-
1995
- 1995-04-06 JP JP8108495A patent/JPH08279504A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016113308A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | 大陽日酸株式会社 | カーボンナノ材料製造装置、及びカーボンナノ材料製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5561087A (en) | Method of forming a uniform thin film by cooling wafers during CVD | |
| US20130220377A1 (en) | Method of cleaning a film-forming apparatus | |
| JPH06275608A (ja) | 成膜方法 | |
| WO2001073832A1 (fr) | Procede de traitement de surface pour semiconducteur | |
| US5324539A (en) | Method for forming CVD thin glass films | |
| JP2002009072A (ja) | シリコン窒化膜の形成方法及び形成装置 | |
| WO2019059224A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
| JPH08279504A (ja) | 減圧ｃｖｄ成膜方法及び装置 | |
| JPH0758030A (ja) | 半導体製造装置 | |
| US5489446A (en) | Device for forming silicon oxide film | |
| JPS6052578A (ja) | 窒化シリコン膜の形成方法 | |
| JP3244809B2 (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| JPH03273630A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
| TW472087B (en) | Method for preventing bubble defects in BPSG film | |
| JPS5970763A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS61276329A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH04262530A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPS59147435A (ja) | 酸化シリコン膜の形成法 | |
| JPH10176273A (ja) | Ｃｖｄ膜形成方法およびｃｖｄ膜形成装置 | |
| JPS5833830A (ja) | プラズマ堆積装置 | |
| JPH0322522A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2647997B2 (ja) | 常圧ｃｖｄ装置 | |
| TW294647B (en) | Method for producing borophospho silicate glass | |
| JPS63153278A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH02138727A (ja) | 薄膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040608 |