JPH08279292A - マルチポートメモリ装置 - Google Patents

マルチポートメモリ装置

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JPH08279292A
JPH08279292A JP7078701A JP7870195A JPH08279292A JP H08279292 A JPH08279292 A JP H08279292A JP 7078701 A JP7078701 A JP 7078701A JP 7870195 A JP7870195 A JP 7870195A JP H08279292 A JPH08279292 A JP H08279292A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
port
data
holding
clock
Prior art date
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Pending
Application number
JP7078701A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadahiro Yoshida
忠弘 吉田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP7078701A priority Critical patent/JPH08279292A/ja
Publication of JPH08279292A publication Critical patent/JPH08279292A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 クロック倍周装置103は、外部クロックC
LKを倍周し、選択信号SEL、ポートクロックACL
KおよびBCLKを生成する。選択信号SELによりポ
ートAが選択された期間では、アドレスデコーダ102
はポートAから入力されたアドレスをデコードし、対応
するデータがメモリアレイ104から読み出される。同
様にポートBが選択された期間では、アドレスデコーダ
102はポートBから入力されたアドレスをデコード
し、対応するデータがメモリアレイ104から読み出さ
れる。出力データセレクタ106を通して出力されたデ
ータは、ポートクロックACLKおよびBCLKにより
保持される。 【効果】 外部からはCLKに同期したマルチポートメ
モリとして動作し、アドレスデコーダを複数のポートで
共有化することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路における
マルチポートメモリ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年の半導体集積回路装置においては、
同一タイミングで異なるアドレスのデータの読み出しあ
るいは書き込みを行なうために、多入力のアドレスポー
ト線を備えたいわゆるマルチポートメモリが使用され
る。
【0003】以下図面を参照しながら、上記した従来の
マルチポートメモリの一例について説明する。図3は従
来の2ポート構成のマルチポートメモリ装置のブロック
図を示すものである。図3において、301は入力され
たアドレスを外部クロックに同期して保持するためのフ
リップフロップである。302はアドレスデコーダであ
り、アドレス線から入力されたアドレスをデコードし
て、対応するワード線を駆動する。304はメモリアレ
イである。305はメモリアレイ304から出力される
データを外部クロックに同期して保持するためのフリッ
プフロップである。
【0004】以上のように構成されたマルチポートにつ
いて、以下その動作について説明する。図4は前述のよ
うに構成されたマルチポートメモリにおける動作を表す
タイミング図である。
【0005】ポートAアドレス線ADAおよびポートB
アドレス線ADBから入力されたアドレスは、外部クロ
ックCLKに同期して入力アドレス保持用フリップフロ
ップ301に保持される。アドレスデコーダ302は、
入力されたアドレスをデコードし、対応するワード線を
駆動する。ワード線により選択されたデータはメモリア
レイ304から出力され、外部クロックCLKに同期し
て出力データ保持用フリップフロップ305に入力され
る。図4で示したように、第1サイクルで保持されたア
ドレスに対応するデータは第2サイクルでDOAならび
にDOBから出力される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、各アドレスポート線ADA、ADBに対
しそれぞれ一つのアドレスデコーダが必要であり、アド
レスのポート数が増えるにしたがってアドレスデコーダ
の数も増えるため、多入力のマルチポートメモリではメ
モリアレイの面積よりもアドレスデコーダの面積が大き
くなることとなり、LSIのコストが増加するという問
題点を有していた。
【0007】本発明は上記問題点に鑑み、アドレス線の
ポート数が増加してもアドレスデコーダの増加しないメ
モリ装置を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明におけるメモリ装置は、第1のアドレス入力
線と、この第1のアドレス入力線から入力されたアドレ
スを外部クロックに同期して保持するアドレス保持回路
を有する第1のアドレスポートと、第2のアドレス入力
線と、この第2のアドレス入力線から入力されたアドレ
スを外部クロックに同期して保持するアドレス保持回路
を有する第2のアドレスポートと、前記外部クロックか
らn倍周したn倍周クロック(n≧2の自然数)と第
1、第2の選択信号を生成し、このn倍周クロックと第
1、第2の選択信号から第1、第2の内部クロックを生
成するクロック倍周装置と、前記第1の選択信号を用い
て第1、第2のアドレス保持回路から出力されたアドレ
スを選択するアドレス選択回路と、前記選択回路で選択
されたアドレスをデコードするアドレスデコーダ装置
と、データを記憶するメモリセルアレイと、前記第1の
アドレスポートに対応し、第1の内部クロックに基づい
てデータを保持する第1のデータ保持回路を有する第1
のデータポートと、前記第2のアドレスポートに対応
し、第2の内部クロックに基づいてデータを保持する第
2のデータ保持回路を有する第2のデータポートと、前
記第2の選択信号を用いて前記メモリセルアレイから読
み出されたデータを前記第1、第2のデータ保持回路の
何れかに入力するかを選択するか、または前記第2の選
択信号を用いて前記第1、第2のデータ保持回路から出
力されるデータの何れかを選択して前記メモリセルアレ
イに出力するデータ選択回路とを備え、前記第1の選択
信号により第1のアドレスポートが選択された期間で
は、第1の内部クロックを用いて第1のデータポートか
らデータの読み出しあるいは書き込みを行ない、前記第
1の選択信号により第2のアドレスポートが選択された
期間では、第2の内部クロックを用いて第2のデータポ
ートからの読み出しあるいは書き込みを行なうことを特
徴とするものである。
【0009】
【作用】本発明は上記した構成によって、クロック倍周
装置により外部クロックをn倍周したn倍周クロックと
第1、第2の選択信号を生成し、このn倍周クロックと
第1、第2の選択信号から第1、第2の内部クロックを
生成する。第1の選択信号により第1のアドレスポート
が選択された期間では、第1の内部クロックを用いて第
1のデータポートからデータの読み出しあるいは書き込
みを行ない、第1の選択信号により第2のアドレスポー
トが選択された期間では、第2の内部クロックを用いて
第2のデータポートからの読み出しあるいは書き込みを
行なう。出力データは外部クロックに同期して出力さ
れ、外部からは完全なマルチポートメモリとして動作す
る。
【0010】
【実施例】以下本発明の一実施例のマルチポートメモリ
装置について、図面を参照しながら説明する。図1は本
発明の実施例における2ポート構成のマルチポートメモ
リ装置のブロック図を示すものである。
【0011】図1において、101は入力されたポート
Aアドレス線ADAおよびポートBアドレス線ADBを
外部クロックCLKに同期して保持するためのフリップ
フロップであり、アドレスデコーダ102は入力された
アドレスをデコードし、選択されたワード線を駆動す
る。
【0012】クロック倍周回路103は入力された外部
クロックCLKをn倍周(n≧2の自然数、本実施例で
は2倍周)した内部クロックと選択信号SELを生成
し、この2倍周した2倍周クロックと選択信号SELか
ら内部クロックACLKおよびBCLKを出力する。入
力アドレスセレクタ105は選択信号SELによりアド
レスデコーダ102に入力されるアドレスを選択する。
【0013】また出力データセレクタ106は、選択信
号SELにより内部データ保持用フリップフロップ10
7に入力されるデータを選択する。出力データ保持用フ
リップフロップ108は外部クロックCLKに同期して
出力データIDOAおよびIDOBを保持し、ポートA
出力データ線DOAおよびポートB出力線DOBに出力
する。
【0014】以上のように構成されたマルチポートメモ
リ装置について、以下図1及び図2を用いてその動作を
説明する。図2は図1で示したマルチポートメモリ装置
の動作を表したタイミング図である。
【0015】図2に示したように、外部クロックCLK
を入力されたクロック倍周回路103は、外部クロック
CLKを倍周して2倍周クロックICLKを生成する。
選択信号SELは外部クロックCLKに同期して生成さ
れ、外部クロックCLKがHIGHの期間ではポートA
を、LOWの期間ではポートBを選択する信号を出力す
る。またポートクロックACLKおよびBCLKは、2
倍周クロックICLKと選択信号SELの論理積で生成
される。
【0016】選択信号SELによりアドレスポートAが
選択された期間では、アドレスデコーダ102はポート
Aから入力されたアドレスをデコードし、対応するワー
ド線を駆動してメモリアレイ104からデータを読み出
す。メモリアレイ104から出力されたデータは、出力
データセレクタ106を通して内部データ保持用ラッチ
107に入力される。内部データ保持用ラッチ107は
AポートクロックACLKがHIGHの期間これを保持
する。
【0017】同様に選択信号SELによりアドレスポー
トBが選択された期間では、アドレスデコーダ102は
ポートBから入力されたアドレスをデコードし、対応す
るワード線を駆動してメモリアレイ104からデータを
読み出す。メモリアレイ104から出力されたデータ
は、出力データセレクタ106を通して内部データ保持
用ラッチ107に入力される。内部データ保持用ラッチ
107はBポートクロックBCLKがHIGHの期間こ
れを保持する。
【0018】出力データ保持用フリップフロップ108
は外部クロックCLKに同期して、内部出力データID
OAおよびIDOBを保持する。
【0019】以上のように本実施例によれば、メモリ装
置の外部からは外部クロックCLKに同期した2ポート
メモリとして動作する。本実施例ではデータの読み出し
動作について説明したが、書き込み動作についても同様
である。
【0020】以上説明したように、マルチポートメモリ
装置にクロック倍周装置を設けることにより、アドレス
デコーダを2つのポートで共有化することができる。
【0021】なお、第1の実施例においては、2ポート
構成のマルチポートメモリとしたが、さらに多数のポー
トを備えた構成でもよい。この場合は、クロック倍周装
置によってポート数に等しいn倍周クロック及び選択信
号を生成し、このn倍周クロック及び選択信号を用い
て、必要な内部クロックを生成する必要がある。
【0022】
【発明の効果】以上のように本発明におけるマルチポー
トメモリ装置は、クロック倍周装置を設けることによ
り、アドレスデコーダを共有化することができ、マルチ
ポートメモリ装置のハードウエアを削減する効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例におけるマルチポートメ
モリ装置のブロック図
【図2】同実施例における動作説明のためのタイミング
【図3】従来のマルチポートメモリ装置のブロック図
【図4】従来のマルチポートメモリ装置のタイミング図
【符号の説明】
101、301 入力アドレス保持用フリップフロップ 102、302 アドレスデコーダ 103 クロック倍周装置 104、304 メモリアレイ 105 入力アドレスセレクタ 106 出力データセレクタ 107 内部データ保持用ラッチ 108、305 出力データ保持用フリップフロップ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1のアドレス入力線と、この第1のアド
    レス入力線から入力されたアドレスを外部クロックに同
    期して保持するアドレス保持回路を有する第1のアドレ
    スポートと、 第2のアドレス入力線と、この第2のアドレス入力線か
    ら入力されたアドレスを外部クロックに同期して保持す
    るアドレス保持回路を有する第2のアドレスポートと、 前記外部クロックからn倍周したn倍周クロック(n≧
    2の自然数)と第1、第2の選択信号を生成し、このn
    倍周クロックと第1、第2の選択信号から第1、第2の
    内部クロックを生成するクロック倍周装置と、 前記第1の選択信号を用いて第1、第2のアドレス保持
    回路から出力されたアドレスを選択するアドレス選択回
    路と、 前記選択回路で選択されたアドレスをデコードするアド
    レスデコーダ装置と、 データを記憶するメモリセルアレイと、 前記第1のアドレスポートに対応し、第1の内部クロッ
    クに基づいてデータを保持する第1のデータ保持回路を
    有する第1のデータポートと、 前記第2のアドレスポートに対応し、第2の内部クロッ
    クに基づいてデータを保持する第2のデータ保持回路を
    有する第2のデータポートと、 前記第2の選択信号を用いて前記メモリセルアレイから
    読み出されたデータを前記第1、第2のデータ保持回路
    の何れかに入力するかを選択するか、または前記第2の
    選択信号を用いて前記第1、第2のデータ保持回路から
    出力されるデータの何れかを選択して前記メモリセルア
    レイに出力するデータ選択回路とを備え、 前記第1の選択信号により第1のアドレスポートが選択
    された期間では、第1の内部クロックを用いて第1のデ
    ータポートからデータの読み出しあるいは書き込みを行
    ない、前記第1の選択信号により第2のアドレスポート
    が選択された期間では、第2の内部クロックを用いて第
    2のデータポートからの読み出しあるいは書き込みを行
    なうことを特徴とするマルチポートメモリ装置。
JP7078701A 1995-04-04 1995-04-04 マルチポートメモリ装置 Pending JPH08279292A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11232877A (ja) * 1997-07-29 1999-08-27 Motorola Inc パイプライン化デュアルポート集積回路メモリ
JP2000030460A (ja) * 1998-06-23 2000-01-28 Motorola Inc パイプラインド・デュアル・ポ―ト集積回路メモリ
JP2006139897A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Samsung Electronics Co Ltd メモリ装置及びメモリ装置の動作方法
JP2006252656A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Nec Electronics Corp マルチポートメモリ装置
JP2009193613A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Nec Electronics Corp 半導体集積回路の設計方法、半導体集積回路の設計プログラム、及び半導体集積回路
JP2016152523A (ja) * 2015-02-18 2016-08-22 太陽誘電株式会社 再構成可能な論理デバイス
CN107481747A (zh) * 2016-06-08 2017-12-15 瑞萨电子株式会社 多端口存储器、存储宏和半导体器件

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11232877A (ja) * 1997-07-29 1999-08-27 Motorola Inc パイプライン化デュアルポート集積回路メモリ
JP2000030460A (ja) * 1998-06-23 2000-01-28 Motorola Inc パイプラインド・デュアル・ポ―ト集積回路メモリ
JP4685997B2 (ja) * 1998-06-23 2011-05-18 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド パイプラインド・デュアル・ポート集積回路メモリ
JP2006139897A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Samsung Electronics Co Ltd メモリ装置及びメモリ装置の動作方法
JP2006252656A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Nec Electronics Corp マルチポートメモリ装置
US7417915B2 (en) 2005-03-10 2008-08-26 Nec Electronics Corporation Multiport memory device
JP2009193613A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Nec Electronics Corp 半導体集積回路の設計方法、半導体集積回路の設計プログラム、及び半導体集積回路
JP2016152523A (ja) * 2015-02-18 2016-08-22 太陽誘電株式会社 再構成可能な論理デバイス
CN107481747A (zh) * 2016-06-08 2017-12-15 瑞萨电子株式会社 多端口存储器、存储宏和半导体器件
CN107481747B (zh) * 2016-06-08 2023-06-06 瑞萨电子株式会社 多端口存储器、存储宏和半导体器件

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