JPH08274120A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
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- JPH08274120A JPH08274120A JP7077711A JP7771195A JPH08274120A JP H08274120 A JPH08274120 A JP H08274120A JP 7077711 A JP7077711 A JP 7077711A JP 7771195 A JP7771195 A JP 7771195A JP H08274120 A JPH08274120 A JP H08274120A
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
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- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体載置部を樹脂封止金型のキャビテイ内
に突出させたリードフレーム組立体の一端を、キャビテ
イ内に挿入された位置決めピンで位置決めする樹脂封止
形半導体の製造方法において、封止樹脂注入時の位置決
めピンの磨滅低減させる。 【構成】 リードフレーム１の一側面側に位置決めピン
１０を配設すると共に、リードフレームの一側面側端部
の一側面が対向するキャビテイ７ａ内面に近接させ、リ
ードフレームの裏面に向かって封止樹脂９を射出注入す
る。 【効果】 封止樹脂射出注入時の位置決めピンの磨滅を
従来に比し低減でき、樹脂封止装置の保守時間の短縮に
よる稼働率が向上する。
に突出させたリードフレーム組立体の一端を、キャビテ
イ内に挿入された位置決めピンで位置決めする樹脂封止
形半導体の製造方法において、封止樹脂注入時の位置決
めピンの磨滅低減させる。 【構成】 リードフレーム１の一側面側に位置決めピン
１０を配設すると共に、リードフレームの一側面側端部
の一側面が対向するキャビテイ７ａ内面に近接させ、リ
ードフレームの裏面に向かって封止樹脂９を射出注入す
る。 【効果】 封止樹脂射出注入時の位置決めピンの磨滅を
従来に比し低減でき、樹脂封止装置の保守時間の短縮に
よる稼働率が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止形半導体装
置の製造方法に関するもので、特に樹脂封止金型のキャ
ビティ内に突出したリードフレームを位置決めピンにて
位置決めするものに関するものである。
置の製造方法に関するもので、特に樹脂封止金型のキャ
ビティ内に突出したリードフレームを位置決めピンにて
位置決めするものに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の製造方法を第３図乃至第
５図に従って説明する。先ず、樹脂封止前のリードフレ
ーム組立体を第３図に基づき説明する。図において１は
リードフレームで、後述する半導体チップが載置される
チップ載置部１ａと、このチップ載置部１ａを支持する
リード１ｂと、このリード１ｂの両側に配設されたリー
ド１ｃ、１ｄと、リード１ａ乃至１ｃの長さ方向の所定
位置を連結するタイバー１ｅと、リード１ａ乃至１ｃの
外側端を連結する枠部１ｆと、この枠部１ｆに形成さ
れ、後述する位置決めピンが嵌入するピン穴１ｇとで構
成されるものである。２はチップ載置部１ａの表面に半
田（図示せず）で固着されたパワートランジスタチップ
からなる半導体チップ（以下単にチップと言う）で裏面
のコレクタ電極が半田固着されてなるものである。３は
チップ２の表面に形成されたベース電極（図示せず）と
リード１ｃの内側上面とに両端が対応接続されたアルミ
ワイヤ、４はチップ２の表面に形成されたエミッタ電極
（図示せず）とリード１ｄの内側上面とに両端が対応接
続されたアルミワイヤ、５はチップ２の表面を保護する
ゲル状の保護樹脂である。
５図に従って説明する。先ず、樹脂封止前のリードフレ
ーム組立体を第３図に基づき説明する。図において１は
リードフレームで、後述する半導体チップが載置される
チップ載置部１ａと、このチップ載置部１ａを支持する
リード１ｂと、このリード１ｂの両側に配設されたリー
ド１ｃ、１ｄと、リード１ａ乃至１ｃの長さ方向の所定
位置を連結するタイバー１ｅと、リード１ａ乃至１ｃの
外側端を連結する枠部１ｆと、この枠部１ｆに形成さ
れ、後述する位置決めピンが嵌入するピン穴１ｇとで構
成されるものである。２はチップ載置部１ａの表面に半
田（図示せず）で固着されたパワートランジスタチップ
からなる半導体チップ（以下単にチップと言う）で裏面
のコレクタ電極が半田固着されてなるものである。３は
チップ２の表面に形成されたベース電極（図示せず）と
リード１ｃの内側上面とに両端が対応接続されたアルミ
ワイヤ、４はチップ２の表面に形成されたエミッタ電極
（図示せず）とリード１ｄの内側上面とに両端が対応接
続されたアルミワイヤ、５はチップ２の表面を保護する
ゲル状の保護樹脂である。
【０００３】また、このようにして構成されたリードフ
レーム組立体は後述する樹脂封止後にタイバー１ｅと枠
部１ｆが切断されリード１ａ乃至１ｃが互いに分離され
る。なお、枠部１ｆによってチップ載置部１ａ及びそれ
に対応するリード１ａ乃至１ｃが多数連なる多連リード
フレームが用いられることが一般的である。
レーム組立体は後述する樹脂封止後にタイバー１ｅと枠
部１ｆが切断されリード１ａ乃至１ｃが互いに分離され
る。なお、枠部１ｆによってチップ載置部１ａ及びそれ
に対応するリード１ａ乃至１ｃが多数連なる多連リード
フレームが用いられることが一般的である。
【０００４】次に、第４図に基づき前記リードフレーム
組立体の樹脂封止について説明する。図において６は樹
脂脂封止用の下金型で、前記リードフレーム組立体のチ
ップ載置部１ａをタイバー１ｅの近傍まで収容するキャ
ビティ６ａ、後述する封止樹脂射出注入用ゲート６ｂ、
キャビティ６ａを挟みゲート６ｂと対向する位置に配設
されると共に、凹所からなり、リードフレーム１を載置
するリードフレーム載置部６ｃ、該リードフレーム載置
部６ｃに一体的に植設され、リードフレームのピン穴１
ｇに嵌入するリードフレーム用位置決めピン６ｄを有し
てなるものである。７は下金型６と対をなす上金型で、
キャビティ６ａと対をなすキャビティ７ａと、ピン穴１
ｇより突出した位置決めピン６ｄの上半部との干渉を防
止するための逃げ穴７ｂとを有するものである。
組立体の樹脂封止について説明する。図において６は樹
脂脂封止用の下金型で、前記リードフレーム組立体のチ
ップ載置部１ａをタイバー１ｅの近傍まで収容するキャ
ビティ６ａ、後述する封止樹脂射出注入用ゲート６ｂ、
キャビティ６ａを挟みゲート６ｂと対向する位置に配設
されると共に、凹所からなり、リードフレーム１を載置
するリードフレーム載置部６ｃ、該リードフレーム載置
部６ｃに一体的に植設され、リードフレームのピン穴１
ｇに嵌入するリードフレーム用位置決めピン６ｄを有し
てなるものである。７は下金型６と対をなす上金型で、
キャビティ６ａと対をなすキャビティ７ａと、ピン穴１
ｇより突出した位置決めピン６ｄの上半部との干渉を防
止するための逃げ穴７ｂとを有するものである。
【０００５】８は下金型６のキャビティ６ａに出、入り
可能に下金型６を貫通しキャビティ６ａ内に封止樹脂未
注入時にチップ載置部１ａの裏面に当接しチップ載置部
１ａのキャビティ６ａ底部方向への移動を阻止する位置
決めピン（２本中１本のみ図示）で、前記封止樹脂９注
入後、硬化未完了状態の所定タイミングにおいて、所定
速度でキャビティ６ａから引き出すことで、リードフレ
ーム１の位置決めと、位置決めピン８の引き出し跡部に
封止樹脂９が充填されるように構成されてなるものであ
る。１０は上金型７のキャビティ７ａに出、入り可能に
上金型７を貫通しキャビティ７ａ内に封止樹脂未注入時
にチップ載置部１ａの表面に当接しチップ載置部１ａの
キャビティ７ａ底部方向への移動を阻止する位置決めピ
ン（２本中１本のみ図示）で、封止樹脂９注入後、硬化
未完了状態の所定タイミングにおいて、所定速度でキャ
ビティ７ａから引き出すことで、リードフレーム１の位
置決めと、位置決めピン１０の引き出し跡部に封止樹脂
９が充填されるように構成されてなるものである。
可能に下金型６を貫通しキャビティ６ａ内に封止樹脂未
注入時にチップ載置部１ａの裏面に当接しチップ載置部
１ａのキャビティ６ａ底部方向への移動を阻止する位置
決めピン（２本中１本のみ図示）で、前記封止樹脂９注
入後、硬化未完了状態の所定タイミングにおいて、所定
速度でキャビティ６ａから引き出すことで、リードフレ
ーム１の位置決めと、位置決めピン８の引き出し跡部に
封止樹脂９が充填されるように構成されてなるものであ
る。１０は上金型７のキャビティ７ａに出、入り可能に
上金型７を貫通しキャビティ７ａ内に封止樹脂未注入時
にチップ載置部１ａの表面に当接しチップ載置部１ａの
キャビティ７ａ底部方向への移動を阻止する位置決めピ
ン（２本中１本のみ図示）で、封止樹脂９注入後、硬化
未完了状態の所定タイミングにおいて、所定速度でキャ
ビティ７ａから引き出すことで、リードフレーム１の位
置決めと、位置決めピン１０の引き出し跡部に封止樹脂
９が充填されるように構成されてなるものである。
【０００６】次に、これらの封止作業につき第５図のフ
ローチャートに基づき説明する。先ず、ＳＴＥＰ１とし
て下金型６と上金型７とを型閉め状態にて所定温度まで
昇温させる。次にＳＴＥＰ２で上金型７を上昇させ型開
きを行う。その後、ＳＴＥＰ３で下金型６のリードフレ
ーム載置部６ｃに前記リードフレーム組立体を載置す
る。次にＳＴＥＰ４として下金型６の周知のチャンバ
（図示せず）内にエポキシ樹脂のタブレット（図示せ
ず）を投入する。その後、ＳＴＥＰ５で上金型７を下降
させ下金型６と上金型７との型閉めを行う。次にＳＴＥ
Ｐ６にて位置決めピン８、１０を対応するキャビティ６
ａ、７ａ内に所定量突出させ、その先端を対向するチッ
プ載置部１ａの裏面と表面とに対応当接させチップ載置
部１ａの位置を固定する。
ローチャートに基づき説明する。先ず、ＳＴＥＰ１とし
て下金型６と上金型７とを型閉め状態にて所定温度まで
昇温させる。次にＳＴＥＰ２で上金型７を上昇させ型開
きを行う。その後、ＳＴＥＰ３で下金型６のリードフレ
ーム載置部６ｃに前記リードフレーム組立体を載置す
る。次にＳＴＥＰ４として下金型６の周知のチャンバ
（図示せず）内にエポキシ樹脂のタブレット（図示せ
ず）を投入する。その後、ＳＴＥＰ５で上金型７を下降
させ下金型６と上金型７との型閉めを行う。次にＳＴＥ
Ｐ６にて位置決めピン８、１０を対応するキャビティ６
ａ、７ａ内に所定量突出させ、その先端を対向するチッ
プ載置部１ａの裏面と表面とに対応当接させチップ載置
部１ａの位置を固定する。
【０００７】その後、ＳＴＥＰ７にて予め前記チャンバ
内に投入され加熱溶融された前記タブレットをゲート６
ｂよりキャビティ６ａ、７ａ内に射出注入し、封止樹脂
９充填する。次に、ＳＴＥＰ８にて先にキャビティ６
ａ、７ａ内に充填された封止樹脂９の硬化途中において
位置決めピン８、１０を引き抜き、その引き抜き跡に封
止樹脂９を充填し硬化させる。
内に投入され加熱溶融された前記タブレットをゲート６
ｂよりキャビティ６ａ、７ａ内に射出注入し、封止樹脂
９充填する。次に、ＳＴＥＰ８にて先にキャビティ６
ａ、７ａ内に充填された封止樹脂９の硬化途中において
位置決めピン８、１０を引き抜き、その引き抜き跡に封
止樹脂９を充填し硬化させる。
【０００８】その後、ＳＴＥＰ９にて位置決めピン８、
１０を対応するキャビティ６ａ、７ａ外側まで引き出
す。
１０を対応するキャビティ６ａ、７ａ外側まで引き出
す。
【０００９】次に、ＳＴＥＰ１０にて上金型７を上昇さ
せ下金型６に対する上金型７の型開きを行ない下金型６
上に樹脂封止リードフレームを残す。その後、ＳＴＥＰ
１１にて下金型６上の前記樹脂封止リードフレームを取
り出す。その後、ＳＴＥＰ１２にて下金型６と上金型７
とのクリーニングを行う。次に、ＳＴＥＰ１３にて樹脂
封止作業続行の有無を判断し、樹脂封止作業続行の場合
はＳＴＥＰ３に戻り、樹脂封止作業を続行しない場合は
ＳＴＥＰ１４で樹脂封止作業終了となる。
せ下金型６に対する上金型７の型開きを行ない下金型６
上に樹脂封止リードフレームを残す。その後、ＳＴＥＰ
１１にて下金型６上の前記樹脂封止リードフレームを取
り出す。その後、ＳＴＥＰ１２にて下金型６と上金型７
とのクリーニングを行う。次に、ＳＴＥＰ１３にて樹脂
封止作業続行の有無を判断し、樹脂封止作業続行の場合
はＳＴＥＰ３に戻り、樹脂封止作業を続行しない場合は
ＳＴＥＰ１４で樹脂封止作業終了となる。
【００１０】ところで、このように構成されたものにお
いては、ゲート６ｂよりキャビティ６ａ、７ａ内に樹脂
を射出注入時とＳＴＥＰ８の樹脂硬化途中での位置決め
ピン８、１０引き抜き時に前記樹脂との摩擦により位置
決めピン８、１０が損耗するため定期的な交換が必要
で、各キャビティ当たりリードフレームの表、裏各２本
の多数の位置決めピンの交換を必要とする不具合があっ
た。
いては、ゲート６ｂよりキャビティ６ａ、７ａ内に樹脂
を射出注入時とＳＴＥＰ８の樹脂硬化途中での位置決め
ピン８、１０引き抜き時に前記樹脂との摩擦により位置
決めピン８、１０が損耗するため定期的な交換が必要
で、各キャビティ当たりリードフレームの表、裏各２本
の多数の位置決めピンの交換を必要とする不具合があっ
た。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、リードフ
レームのキャビティ内のチップ載置部を前記キャビティ
内にて位置決めする位置決めピンの損耗を低減し、定期
交換のインターバルを従来に比し長くするだけでなく、
前記位置決めピンの交換本数を減らし、装置の保守時間
の短縮による稼働率の向上と保守費用の低減とを目的と
するものである。
レームのキャビティ内のチップ載置部を前記キャビティ
内にて位置決めする位置決めピンの損耗を低減し、定期
交換のインターバルを従来に比し長くするだけでなく、
前記位置決めピンの交換本数を減らし、装置の保守時間
の短縮による稼働率の向上と保守費用の低減とを目的と
するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる樹脂封
止形半導体装置の製造方法は、表面の所定位置に半導体
チップが載置されたリードフレームの一端がキャビティ
内に突出しキャビティ内面に近接するようリードフレー
ムの他端側を樹脂封止用の上、下金型のパーティング面
間で挟持する工程と、キャビティ内に突出しリードフレ
ームの一側面側に当接する位置決めピンを挿入する工程
と、その後、リードフレームの一側面が位置決めピンの
先端に圧接するよう一端側に配設されたゲートよりキャ
ビティ内にリードフレームの他側面側に向って樹脂を射
出注入する工程と、キャビティ内に注入された樹脂を加
熱硬化させる工程と、樹脂の硬化未完了時にキャビティ
内から位置決めピンを所定速度で引き抜く位置決めピン
引き抜き工程とからなるものである。
止形半導体装置の製造方法は、表面の所定位置に半導体
チップが載置されたリードフレームの一端がキャビティ
内に突出しキャビティ内面に近接するようリードフレー
ムの他端側を樹脂封止用の上、下金型のパーティング面
間で挟持する工程と、キャビティ内に突出しリードフレ
ームの一側面側に当接する位置決めピンを挿入する工程
と、その後、リードフレームの一側面が位置決めピンの
先端に圧接するよう一端側に配設されたゲートよりキャ
ビティ内にリードフレームの他側面側に向って樹脂を射
出注入する工程と、キャビティ内に注入された樹脂を加
熱硬化させる工程と、樹脂の硬化未完了時にキャビティ
内から位置決めピンを所定速度で引き抜く位置決めピン
引き抜き工程とからなるものである。
【００１３】
【作用】このように構成された樹脂封止形半導体装置の
製造方法によれば、樹脂封止用の金型のキャビティ内に
おいて半導体チップが載置されたリードフレームの一側
面側に配設された位置決めピンと、キャビティ内にリー
ドフレームの他端側に向って射出注入される樹脂の注入
圧とにより、射出注入時のキャビティ内におけるリード
フレームを所定の位置に安定的に保持することができ
る。
製造方法によれば、樹脂封止用の金型のキャビティ内に
おいて半導体チップが載置されたリードフレームの一側
面側に配設された位置決めピンと、キャビティ内にリー
ドフレームの他端側に向って射出注入される樹脂の注入
圧とにより、射出注入時のキャビティ内におけるリード
フレームを所定の位置に安定的に保持することができ
る。
【００１４】また、リードフレームの一端がキャビティ
内に突出しキャビティ内面に近接することで、射出注入
時の位置決めピン近傍の注入樹脂の流速が従来に比し低
下し位置決めピンの摩擦による損耗が従来に比し低減す
る。
内に突出しキャビティ内面に近接することで、射出注入
時の位置決めピン近傍の注入樹脂の流速が従来に比し低
下し位置決めピンの摩擦による損耗が従来に比し低減す
る。
【００１５】
実施例１．この発明の一実施例を第１図、及び第２図に
従って説明する。先ず、第１図に基づきリードフレーム
組立体の樹脂封止について説明する。
従って説明する。先ず、第１図に基づきリードフレーム
組立体の樹脂封止について説明する。
【００１６】図において１１は上金型７と対をなす下金
型で、リードフレーム組立体のチップ載置部１ａをタイ
バー１ｅの近傍まで収容するキャビティ１１ａ、後述す
る封止樹脂射出注入用ゲート１１ｂ、キャビティ１１ａ
を挟みゲート１１ｂと対向する位置に配設されると共
に、凹所からなり、リードフレーム１を載置するリード
フレーム載置部１１ｃ、該リードフレーム載置部１１ｃ
に一体的に植設され、リードフレーム１のピン穴１ｇに
嵌入するリードフレーム用位置決めピン１１ｄを有して
なるものである。１ｈはリードフレーム１の一端表面部
で、下金型１１のキャビティ１１ａと上金型７のキャビ
ティ７ａとで形成される空間部にキャビティ７ａのゲー
ト１１ｂ側内面に近接するように突出してなるものであ
る。なお、その他の符号については、従来例と同一につ
き説明を省略する。
型で、リードフレーム組立体のチップ載置部１ａをタイ
バー１ｅの近傍まで収容するキャビティ１１ａ、後述す
る封止樹脂射出注入用ゲート１１ｂ、キャビティ１１ａ
を挟みゲート１１ｂと対向する位置に配設されると共
に、凹所からなり、リードフレーム１を載置するリード
フレーム載置部１１ｃ、該リードフレーム載置部１１ｃ
に一体的に植設され、リードフレーム１のピン穴１ｇに
嵌入するリードフレーム用位置決めピン１１ｄを有して
なるものである。１ｈはリードフレーム１の一端表面部
で、下金型１１のキャビティ１１ａと上金型７のキャビ
ティ７ａとで形成される空間部にキャビティ７ａのゲー
ト１１ｂ側内面に近接するように突出してなるものであ
る。なお、その他の符号については、従来例と同一につ
き説明を省略する。
【００１７】次に、これらの封止作業につき第２図のフ
ローチャートに基づき説明する。先ず、ＳＴＥＰ１とし
て下金型１１と上金型７とを型閉め状態にて所定温度ま
で昇温させる。次に、ＳＴＥＰ２で上金型７を上昇させ
型開きを行う。その後、ＳＴＥＰ３で下金型１１のリー
ドフレーム載置部１１ｃに前記リードフレーム組立体を
載置する。次にＳＴＥＰ４として下金型１１の周知のチ
ャンバ（図示せず）内にエポキシ樹脂のタブレットを投
入する。その後、ＳＴＥＰ５で上金型７を下降させ下金
型１１と上金型７との型閉めを行う。
ローチャートに基づき説明する。先ず、ＳＴＥＰ１とし
て下金型１１と上金型７とを型閉め状態にて所定温度ま
で昇温させる。次に、ＳＴＥＰ２で上金型７を上昇させ
型開きを行う。その後、ＳＴＥＰ３で下金型１１のリー
ドフレーム載置部１１ｃに前記リードフレーム組立体を
載置する。次にＳＴＥＰ４として下金型１１の周知のチ
ャンバ（図示せず）内にエポキシ樹脂のタブレットを投
入する。その後、ＳＴＥＰ５で上金型７を下降させ下金
型１１と上金型７との型閉めを行う。
【００１８】次にＳＴＥＰ６にて位置決めピン１０（２
本中１本のみ図示）を対応するキャビティ７ａ内に所定
量突出させ、その先端を対向するチップ載置部１ａの表
面に対応当接させチップ載置部１ａの位置を固定する。
その後、ＳＴＥＰ７にて予め前記チャンバ内に投入され
加熱溶融された前記タブレットをゲート１１ｂよりキャ
ビティ１１ａ、７ａ内に射出注入し充填する。
本中１本のみ図示）を対応するキャビティ７ａ内に所定
量突出させ、その先端を対向するチップ載置部１ａの表
面に対応当接させチップ載置部１ａの位置を固定する。
その後、ＳＴＥＰ７にて予め前記チャンバ内に投入され
加熱溶融された前記タブレットをゲート１１ｂよりキャ
ビティ１１ａ、７ａ内に射出注入し充填する。
【００１９】次に、ＳＴＥＰ８にて先にキャビティ１１
ａ、７ａ内に充填された樹脂の硬化途中において位置決
めピン１０（２本）を引き抜き、その引き抜き跡に前記
樹脂を充填し硬化させる。その後、ＳＴＥＰ９にて位置
決めピン１０を対応するキャビティ７ａ外側まで引き出
す。次に、ＳＴＥＰ１０にて上金型７を上昇させ下金型
１１に対する上金型７の型開きを行ないＳＴＥＰ１１で
下金型１１上に樹脂封止リードフレームを残す。その
後、下金型１１上の前記樹脂封止リードフレームを取り
出す。その後、ＳＴＥＰ１２にて下金型１１と上金型７
とのクリーニングを行う。次に、ＳＴＥＰ１３にて樹脂
封止作業続行の有無を判断し、樹脂封止作業続行の場合
はＳＴＥＰ３に戻り、樹脂封止作業を続行しない場合は
ＳＴＥＰ１４で樹脂封止作業終了となる。
ａ、７ａ内に充填された樹脂の硬化途中において位置決
めピン１０（２本）を引き抜き、その引き抜き跡に前記
樹脂を充填し硬化させる。その後、ＳＴＥＰ９にて位置
決めピン１０を対応するキャビティ７ａ外側まで引き出
す。次に、ＳＴＥＰ１０にて上金型７を上昇させ下金型
１１に対する上金型７の型開きを行ないＳＴＥＰ１１で
下金型１１上に樹脂封止リードフレームを残す。その
後、下金型１１上の前記樹脂封止リードフレームを取り
出す。その後、ＳＴＥＰ１２にて下金型１１と上金型７
とのクリーニングを行う。次に、ＳＴＥＰ１３にて樹脂
封止作業続行の有無を判断し、樹脂封止作業続行の場合
はＳＴＥＰ３に戻り、樹脂封止作業を続行しない場合は
ＳＴＥＰ１４で樹脂封止作業終了となる。
【００２０】ところで、実施例１では、半導体チップが
載置されたリードフレーム１の一側面に位置決めピン１
０を当接させ、他側面に向かって樹脂を射出注入するよ
うに構成したが、リードフレーム１の他側面に位置決め
ピンを当接させ、一側面に向かって樹脂を射出注入する
ように構成してもよい。
載置されたリードフレーム１の一側面に位置決めピン１
０を当接させ、他側面に向かって樹脂を射出注入するよ
うに構成したが、リードフレーム１の他側面に位置決め
ピンを当接させ、一側面に向かって樹脂を射出注入する
ように構成してもよい。
【００２１】
【発明の効果】この発明は以上のように構成されている
ので、以下に記載した効果を奏する。
ので、以下に記載した効果を奏する。
【００２２】請求項第１項の発明においては、ゲートよ
り射出注入される封止用樹脂の流動速度が、キャビティ
内に突出し前記リードフレームの一側面に当接する位置
決めピンの近傍においては従来の流動速度より低速度と
なるので、前記位置決めピンの摩擦による損耗が従来に
比し低減するため前記位置決めピンの交換頻度を従来に
比し低減させることができ、特に、前記位置決めピンを
前記封止用樹脂の流動中に前記キャビティ内から引き抜
く場合には極めて有効で、しかも、前記リードフレーム
の他側面側に従来配設されていた位置決めピンも不要と
なるので、樹脂封止装置の保守時間の短縮が図れ、稼働
率の向上による生産性向上を図ることができるだけでな
く、保守費用も低減できる。
り射出注入される封止用樹脂の流動速度が、キャビティ
内に突出し前記リードフレームの一側面に当接する位置
決めピンの近傍においては従来の流動速度より低速度と
なるので、前記位置決めピンの摩擦による損耗が従来に
比し低減するため前記位置決めピンの交換頻度を従来に
比し低減させることができ、特に、前記位置決めピンを
前記封止用樹脂の流動中に前記キャビティ内から引き抜
く場合には極めて有効で、しかも、前記リードフレーム
の他側面側に従来配設されていた位置決めピンも不要と
なるので、樹脂封止装置の保守時間の短縮が図れ、稼働
率の向上による生産性向上を図ることができるだけでな
く、保守費用も低減できる。
【００２３】また、請求項第２項の発明においては、リ
ードフレームの一側面に半導体チップを載置したので、
前記半導体チップの電極にボンディングされたワイヤの
封止用樹脂の流動による変形を従来に比し低減できる効
果をも併せ有する極めて優れた樹脂封止形半導体装置の
製造方法を提供できる。
ードフレームの一側面に半導体チップを載置したので、
前記半導体チップの電極にボンディングされたワイヤの
封止用樹脂の流動による変形を従来に比し低減できる効
果をも併せ有する極めて優れた樹脂封止形半導体装置の
製造方法を提供できる。
【図１】 この発明の実施例１の樹脂封止の構成図であ
る。
る。
【図２】 この発明の実施例１の樹脂封止作業のフロー
チャートである。
チャートである。
【図３】 樹脂封止前のリードフレーム組立体を示す図
である。
である。
【図４】 従来の樹脂封止の構成図である。
【図５】 従来の樹脂封止作業のフローチャートであ
る。
る。
１ リードフレーム １ａ チップ載置部 ２ 半導体チップ ３ ワイヤ ４ ワイヤ ７ 上金型 ７ａ キャビティ ９ 封止樹脂 １０ 位置決めピン １１ 下金型 １１ａ キャビティ １１ｂ ゲート
Claims (2)
- 【請求項１】 表面の所定位置に半導体チップが載置さ
れたリードフレームの一端がキャビティ内に突出し前記
キャビティ内面に近接するよう前記リードフレームの他
端側を樹脂封止用の上、下金型のパーティング面間で挟
持する工程と、前記キャビティ内に突出し前記リードフ
レームの一側面に当接する位置決めピンを挿入する工程
と、その後、前記リードフレームの一側面が前記位置決
めピンの先端に圧接するよう前記一端側に配設されたゲ
ートより前記キャビティ内に前記リードフレームの他側
面に向って樹脂を射出注入する工程と、前記キャビティ
内に注入された樹脂を加熱硬化させる工程と、前記樹脂
の硬化未完了時に前記キャビティ内から前記位置決めピ
ンを所定速度で引き抜く位置決めピン引き抜き工程とか
らなる樹脂封止形半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 リードフレームの一側面に半導体チップ
を載置することを特徴とする請求項第１項記載の樹脂封
止形半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7077711A JPH08274120A (ja) | 1995-04-03 | 1995-04-03 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7077711A JPH08274120A (ja) | 1995-04-03 | 1995-04-03 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274120A true JPH08274120A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13641485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7077711A Pending JPH08274120A (ja) | 1995-04-03 | 1995-04-03 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08274120A (ja) |
-
1995
- 1995-04-03 JP JP7077711A patent/JPH08274120A/ja active Pending
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