JPH08273916A - 希土類ボンド磁石 - Google Patents
希土類ボンド磁石Info
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- JPH08273916A JPH08273916A JP7076678A JP7667895A JPH08273916A JP H08273916 A JPH08273916 A JP H08273916A JP 7076678 A JP7076678 A JP 7076678A JP 7667895 A JP7667895 A JP 7667895A JP H08273916 A JPH08273916 A JP H08273916A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、高性能磁石を得るため、特に高充
填率した磁性粉末を少ない樹脂で結合させても、耐熱性
に優れた希土類ボンド磁石を提供することを目的として
いる。 【構成】 Ｒ2ＴＭ17系希土類ボンド磁石のバインダー
に関して、エポキシ樹脂と、ポリベンゾイミダゾール及
びその誘導体を含むものからなる。 【効果】 高耐熱性ポリベンゾイミダゾールを多く含有
し、高磁粉充填率化が可能なバインダーを得ることによ
り、２００℃以上の高性能高耐熱性を有する希土類ボン
ド磁石が得られる。
填率した磁性粉末を少ない樹脂で結合させても、耐熱性
に優れた希土類ボンド磁石を提供することを目的として
いる。 【構成】 Ｒ2ＴＭ17系希土類ボンド磁石のバインダー
に関して、エポキシ樹脂と、ポリベンゾイミダゾール及
びその誘導体を含むものからなる。 【効果】 高耐熱性ポリベンゾイミダゾールを多く含有
し、高磁粉充填率化が可能なバインダーを得ることによ
り、２００℃以上の高性能高耐熱性を有する希土類ボン
ド磁石が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐熱性に優れた希土類
ボンド磁石に関する。
ボンド磁石に関する。
【０００２】
【従来の技術】希土類ボンド磁石に用いられる樹脂は、
熱硬化性、熱可塑性、ゴム系などがあるが、その中で熱
硬化性樹脂を用いた圧縮成形磁石は、磁性粉末を高充填
率化できるため、最も高い磁気特性が得られる。さらに
樹脂は（１）強い接着力を有す、（２）耐熱性が良い、
（３）耐薬品性がある、等の条件を満たす必要がある。
この条件を満たす熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂が
ある。
熱硬化性、熱可塑性、ゴム系などがあるが、その中で熱
硬化性樹脂を用いた圧縮成形磁石は、磁性粉末を高充填
率化できるため、最も高い磁気特性が得られる。さらに
樹脂は（１）強い接着力を有す、（２）耐熱性が良い、
（３）耐薬品性がある、等の条件を満たす必要がある。
この条件を満たす熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂が
ある。
【０００３】従来の希土類ボンド磁石においては、特公
平６−１８１３３号公報の３頁１欄の表１にエポキシ樹
脂の硬化剤にイミダゾール及びその誘導体を用いること
によって磁気特性の実用上の使用限界温度が約１２０℃
まで改善されていることが記載されている。また、特開
昭６３−２４６０７公報の３頁の１欄の１１行と４頁の
図１、２に熱硬化型ポリイミド系樹脂のビスマレイイミ
ドトリアジンを用いることによって約２００℃まで使用
可能であることが記載されている。また、特開平６−３
６９１２公報の４頁１欄の３７〜３８行には、エポキシ
にトリアジン成分を添加または被覆することによって１
８０℃まで使用可能であることが記載されている。
平６−１８１３３号公報の３頁１欄の表１にエポキシ樹
脂の硬化剤にイミダゾール及びその誘導体を用いること
によって磁気特性の実用上の使用限界温度が約１２０℃
まで改善されていることが記載されている。また、特開
昭６３−２４６０７公報の３頁の１欄の１１行と４頁の
図１、２に熱硬化型ポリイミド系樹脂のビスマレイイミ
ドトリアジンを用いることによって約２００℃まで使用
可能であることが記載されている。また、特開平６−３
６９１２公報の４頁１欄の３７〜３８行には、エポキシ
にトリアジン成分を添加または被覆することによって１
８０℃まで使用可能であることが記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
樹脂においては、以下の問題点を有する。
樹脂においては、以下の問題点を有する。
【０００５】（１）磁石本来の有する磁気特性の実用上
の使用限界温度は、たとえばＲ2Ｆｅ1 4Ｂ系磁石はせい
ぜい１２０〜１８０℃であるが、キュリー温度（Ｔｃ）
が８００〜９２０℃が高いＲ2ＴＭ17系磁石は３００〜
５００℃まで使用が可能である。従って、Ｒ2ＴＭ17系
の希土類ボンド磁石は、樹脂の耐熱性の低さが、磁石本
来の有する耐熱性を十分に発揮させていないという課題
があった。
の使用限界温度は、たとえばＲ2Ｆｅ1 4Ｂ系磁石はせい
ぜい１２０〜１８０℃であるが、キュリー温度（Ｔｃ）
が８００〜９２０℃が高いＲ2ＴＭ17系磁石は３００〜
５００℃まで使用が可能である。従って、Ｒ2ＴＭ17系
の希土類ボンド磁石は、樹脂の耐熱性の低さが、磁石本
来の有する耐熱性を十分に発揮させていないという課題
があった。
【０００６】（２）エポキシ樹脂は、金属との接着強
度、成形性、耐薬品、耐候性に優れているため、希土類
ボンド磁石のバインダーに適している。しかしながら、
イミダゾールのような耐熱性に優れた硬化剤を用いて
も、せいぜい軟化温度は約１５０℃程度であった。
度、成形性、耐薬品、耐候性に優れているため、希土類
ボンド磁石のバインダーに適している。しかしながら、
イミダゾールのような耐熱性に優れた硬化剤を用いて
も、せいぜい軟化温度は約１５０℃程度であった。
【０００７】（３）ポリイミド系樹脂は、耐熱性に優れ
ているものの、成形性が悪く接着強度と靱性に劣る。と
ころが、成形性にも優れた樹脂として、熱硬化型ポリイ
ミド系樹脂のビスマレイイミドトリアジン樹脂がある。
しかしながら耐熱性を犠牲にしており、長期耐熱性（長
期耐熱性とは長時間使用可能な最高温度のこと）は１７
０〜２１０℃である。
ているものの、成形性が悪く接着強度と靱性に劣る。と
ころが、成形性にも優れた樹脂として、熱硬化型ポリイ
ミド系樹脂のビスマレイイミドトリアジン樹脂がある。
しかしながら耐熱性を犠牲にしており、長期耐熱性（長
期耐熱性とは長時間使用可能な最高温度のこと）は１７
０〜２１０℃である。
【０００８】（４）ポリイミドよりも優れた樹脂とし
て、Ｔ．Ｊ．Ａｐｏｎｙｌ”Ｍｏｄｅｒｎ Ｐｌａｓｔ
ｉｃｓ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ”１０６頁（１９６
８）に記載されているように３００℃までの強度と長期
耐熱性に優れ、また分子中のＮＨ基によって接着力も強
いポリベンゾイミダゾールがある。しかしながら、これ
までその成形性の悪さから磁石粉末のバインダーとして
は使用が困難であった。
て、Ｔ．Ｊ．Ａｐｏｎｙｌ”Ｍｏｄｅｒｎ Ｐｌａｓｔ
ｉｃｓ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ”１０６頁（１９６
８）に記載されているように３００℃までの強度と長期
耐熱性に優れ、また分子中のＮＨ基によって接着力も強
いポリベンゾイミダゾールがある。しかしながら、これ
までその成形性の悪さから磁石粉末のバインダーとして
は使用が困難であった。
【０００９】従って、実用的な耐熱性の高性能圧縮成形
磁石においては、バインダーがエポキシ樹脂やポリイミ
ド系樹脂からなるものであり、これまで２００℃以上で
実用に耐えられる磁石は得られなかった。
磁石においては、バインダーがエポキシ樹脂やポリイミ
ド系樹脂からなるものであり、これまで２００℃以上で
実用に耐えられる磁石は得られなかった。
【００１０】そこで、本発明は、上記問題点を解決し、
高性能磁石を得るため、特に高充填率した磁性粉末を少
ない樹脂で結合させても、２００℃以上の耐熱性に優れ
た希土類ボンド磁石を提供することを目的としている。
高性能磁石を得るため、特に高充填率した磁性粉末を少
ない樹脂で結合させても、２００℃以上の耐熱性に優れ
た希土類ボンド磁石を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、基本組成がＲ2ＴＭ17（Ｒ
はＹを含む希土類金属元素、ＴＭはコバルトを主体とし
た遷移金属元素）の金属間化合物を主成分とする希土類
磁石粉末とバインダーからなる希土類ボンド磁石におい
て、バインダーとして、エポキシ樹脂と、ポリベンゾイ
ミダゾール及びその誘導体を主成分とし、かつエポキシ
樹脂を２０％以上含み、かつポリベンゾイミダゾール及
びその誘導体を１０％以上含むものを用いることを特徴
とする。
め、請求項１記載の発明は、基本組成がＲ2ＴＭ17（Ｒ
はＹを含む希土類金属元素、ＴＭはコバルトを主体とし
た遷移金属元素）の金属間化合物を主成分とする希土類
磁石粉末とバインダーからなる希土類ボンド磁石におい
て、バインダーとして、エポキシ樹脂と、ポリベンゾイ
ミダゾール及びその誘導体を主成分とし、かつエポキシ
樹脂を２０％以上含み、かつポリベンゾイミダゾール及
びその誘導体を１０％以上含むものを用いることを特徴
とする。
【００１２】請求項２記載の発明は、前記請求項１記載
の希土類ボンド磁石において、バインダーとして、エポ
キシ樹脂と、ポリベンゾイミダゾール及びその誘導体を
主成分とし、かつイミダゾール及びその誘導体を含むも
のを用いることを特徴とする。
の希土類ボンド磁石において、バインダーとして、エポ
キシ樹脂と、ポリベンゾイミダゾール及びその誘導体を
主成分とし、かつイミダゾール及びその誘導体を含むも
のを用いることを特徴とする。
【００１３】
【作用】請求項１記載の発明では、エポキシ樹脂とポリ
ベンゾイミダゾール及びその誘導体を含むバインダーに
おいて、エポキシ樹脂は、単独樹脂では成形が困難であ
るポリベンゾイミダゾールの成形性を改善させる。な
お、バインダーはエポキシ樹脂を２０％以上含むものを
用いるが、これはエポキシ樹脂が２０％未満ではバイン
ダーの成形性が悪く、成形が困難であるためである。ま
た、ポリベンゾイミダゾール及びその誘導体は、エポキ
シ樹脂の硬化剤としても働く。さらにポリベンゾイミダ
ゾールとエポキシが相互に架橋しあい、また相溶（相溶
とは分子レベルで混合すること）し分子複合材料となる
ため、エポキシ樹脂への高耐熱性物質としての添加効果
だけでなく、エポキシ樹脂そのものの耐熱強度が向上す
る。ポリベンゾイミダゾールは、ポリイミドより強度に
優れており、エポキシ樹脂との混合によってもポリイミ
ドよりも耐熱強度が向上する。なお、ポリベンゾイミダ
ゾール及びその誘導体は１０％以上含むものを用いる
が、これはポリベンゾイミダゾールが１０％以上の時、
２００℃以上で使用可能になるためである。さらに、こ
の樹脂を温度特性の良いＲ2ＴＭ17系磁石のバインダー
として用いることによって、希土類ボンド磁石の使用可
能温度が実質的に２００℃以上に向上する。
ベンゾイミダゾール及びその誘導体を含むバインダーに
おいて、エポキシ樹脂は、単独樹脂では成形が困難であ
るポリベンゾイミダゾールの成形性を改善させる。な
お、バインダーはエポキシ樹脂を２０％以上含むものを
用いるが、これはエポキシ樹脂が２０％未満ではバイン
ダーの成形性が悪く、成形が困難であるためである。ま
た、ポリベンゾイミダゾール及びその誘導体は、エポキ
シ樹脂の硬化剤としても働く。さらにポリベンゾイミダ
ゾールとエポキシが相互に架橋しあい、また相溶（相溶
とは分子レベルで混合すること）し分子複合材料となる
ため、エポキシ樹脂への高耐熱性物質としての添加効果
だけでなく、エポキシ樹脂そのものの耐熱強度が向上す
る。ポリベンゾイミダゾールは、ポリイミドより強度に
優れており、エポキシ樹脂との混合によってもポリイミ
ドよりも耐熱強度が向上する。なお、ポリベンゾイミダ
ゾール及びその誘導体は１０％以上含むものを用いる
が、これはポリベンゾイミダゾールが１０％以上の時、
２００℃以上で使用可能になるためである。さらに、こ
の樹脂を温度特性の良いＲ2ＴＭ17系磁石のバインダー
として用いることによって、希土類ボンド磁石の使用可
能温度が実質的に２００℃以上に向上する。
【００１４】請求項２記載の発明では、エポキシ樹脂と
ポリベンゾイミダゾール及びその誘導体を含むバインダ
ーに、イミダゾール及びその誘導体を添加させることに
よって、エポキシ樹脂とポリベンゾイミダゾールの相容
性が向上し、さらにエポキシとポリベンゾイミダゾール
との硬化促進剤としても働くため、耐熱性が向上する。
ポリベンゾイミダゾール及びその誘導体を含むバインダ
ーに、イミダゾール及びその誘導体を添加させることに
よって、エポキシ樹脂とポリベンゾイミダゾールの相容
性が向上し、さらにエポキシとポリベンゾイミダゾール
との硬化促進剤としても働くため、耐熱性が向上する。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【００１６】（実施例１）Ｓｍ（Ｃｏ0.672Ｃｕ0.08Ｆ
ｅ0.22Ｚｒ0.028）8.2の組成の合金を高周波溶解炉を用
いてＡｒガス中で溶解した。この合金を１１６０℃×１
０時間容体化処理、８００℃×４時間時効処理した。そ
の後この合金をボールミルにより２μｍ〜８０μｍの粒
径の粉末にした。得られた磁性粉末に、ジメチルホルム
アミドに溶解したポリベンゾイミダゾールとビスフェノ
ール型エポキシ樹脂との混合物を添加混合した。樹脂の
混合比は０〜１００％で６種区分し、総添加量は磁性粉
末の２ｗｔ％とした。この混合物を、攪拌、真空乾燥し
溶剤を除去した。この混合物を約７０ｋｇｆ／ｍｍ2の
圧力で磁場中で圧縮成形を行なった。この成形体を窒素
雰囲気中１８０℃×１時間加熱処理し、さらに３００℃
×２時間加熱処理した。
ｅ0.22Ｚｒ0.028）8.2の組成の合金を高周波溶解炉を用
いてＡｒガス中で溶解した。この合金を１１６０℃×１
０時間容体化処理、８００℃×４時間時効処理した。そ
の後この合金をボールミルにより２μｍ〜８０μｍの粒
径の粉末にした。得られた磁性粉末に、ジメチルホルム
アミドに溶解したポリベンゾイミダゾールとビスフェノ
ール型エポキシ樹脂との混合物を添加混合した。樹脂の
混合比は０〜１００％で６種区分し、総添加量は磁性粉
末の２ｗｔ％とした。この混合物を、攪拌、真空乾燥し
溶剤を除去した。この混合物を約７０ｋｇｆ／ｍｍ2の
圧力で磁場中で圧縮成形を行なった。この成形体を窒素
雰囲気中１８０℃×１時間加熱処理し、さらに３００℃
×２時間加熱処理した。
【００１７】なお、ポリベンゾイミダゾール１００％の
ものを、比較例１とする。図１に、エポキシ樹脂とポリ
ベンゾイミダゾールの混合比と磁粉充填率と（ＢＨ）
maxの関係を示す。
ものを、比較例１とする。図１に、エポキシ樹脂とポリ
ベンゾイミダゾールの混合比と磁粉充填率と（ＢＨ）
maxの関係を示す。
【００１８】図１から明らかなように、ポリベンゾイミ
ダゾール１００％の比較例に対し、本発明であるエポキ
シ樹脂の２０％以上の添加混合で、耐熱性のあるポリベ
ンゾイミダゾールの成形性が大幅に改善され、磁粉充填
率が向上し、（ＢＨ）max＝１８ＭＧＯｅと高い磁気特
性を達成した。
ダゾール１００％の比較例に対し、本発明であるエポキ
シ樹脂の２０％以上の添加混合で、耐熱性のあるポリベ
ンゾイミダゾールの成形性が大幅に改善され、磁粉充填
率が向上し、（ＢＨ）max＝１８ＭＧＯｅと高い磁気特
性を達成した。
【００１９】（実施例２）Ｓｍ（Ｃｏ0.672Ｃｕ0.08Ｆ
ｅ0.22Ｚｒ0.028）8.2の組成の合金を高周波溶解炉を用
いてＡｒガス中で溶解した。この合金を１１６０℃×１
０時間容体化処理、８００℃×４時間時効処理した。そ
の後この合金をボールミルにより２μｍ〜８０μｍの粒
径の粉末にした。得られた磁性粉末に、ビスフェノール
型エポキシ樹脂とジメチルホルムアミドに溶解したポリ
ベンゾイミダゾールの混合物を添加混合した。樹脂の混
合比は、ポリベンゾイミダゾールを比較例も含めて、
０、３０、６０、１００％とした。総添加量は磁性粉末
の２ｗｔ％とした。この混合物を、攪拌、真空乾燥し溶
剤を除去した。この混合物を約７０ｋｇｆ／ｍｍ2の圧
力で磁場中で圧縮成形を行なった。この成形体を窒素雰
囲気中１８０℃×１時間加熱処理し、さらに３００℃×
２時間加熱処理した。
ｅ0.22Ｚｒ0.028）8.2の組成の合金を高周波溶解炉を用
いてＡｒガス中で溶解した。この合金を１１６０℃×１
０時間容体化処理、８００℃×４時間時効処理した。そ
の後この合金をボールミルにより２μｍ〜８０μｍの粒
径の粉末にした。得られた磁性粉末に、ビスフェノール
型エポキシ樹脂とジメチルホルムアミドに溶解したポリ
ベンゾイミダゾールの混合物を添加混合した。樹脂の混
合比は、ポリベンゾイミダゾールを比較例も含めて、
０、３０、６０、１００％とした。総添加量は磁性粉末
の２ｗｔ％とした。この混合物を、攪拌、真空乾燥し溶
剤を除去した。この混合物を約７０ｋｇｆ／ｍｍ2の圧
力で磁場中で圧縮成形を行なった。この成形体を窒素雰
囲気中１８０℃×１時間加熱処理し、さらに３００℃×
２時間加熱処理した。
【００２０】なお、比較例２−Ａとして、ポリベンゾイ
ミダゾールを含まないもの（混合比０％）には、硬化剤
として１−シアノエチル−４−メチルイミダゾールをエ
ポキシ樹脂の３ｗｔ％添加して同様の実験をした。
ミダゾールを含まないもの（混合比０％）には、硬化剤
として１−シアノエチル−４−メチルイミダゾールをエ
ポキシ樹脂の３ｗｔ％添加して同様の実験をした。
【００２１】また、比較例２−Ｂとして、熱硬化性ポリ
イミド樹脂のビスマレイイミドトリアジンを磁性粉末の
２ｗｔ％添加して同様に成形した。硬化は２２０℃×１
０時間とした。図２に、温度と成形体の曲げ強度保持率
の関係を示す。
イミド樹脂のビスマレイイミドトリアジンを磁性粉末の
２ｗｔ％添加して同様に成形した。硬化は２２０℃×１
０時間とした。図２に、温度と成形体の曲げ強度保持率
の関係を示す。
【００２２】図２から明らかなように、比較例２−Ａの
ポリベンゾイミダゾールを含まないものと比較して、本
発明ではポリベンゾイミダゾールの混合量が増加するに
つれ、耐熱性が向上している。２００℃において、ポリ
ベンゾイミダゾールが１０％の時、約２００℃までは使
用可能な比較例２−Ｂのビスマレイイミドトリアジンと
同等の耐熱性を示している。本発明では、より好ましく
はポリベンゾイミダゾールが３０％以上の時、特に２０
０℃以上で優れた耐熱強度を示している。
ポリベンゾイミダゾールを含まないものと比較して、本
発明ではポリベンゾイミダゾールの混合量が増加するに
つれ、耐熱性が向上している。２００℃において、ポリ
ベンゾイミダゾールが１０％の時、約２００℃までは使
用可能な比較例２−Ｂのビスマレイイミドトリアジンと
同等の耐熱性を示している。本発明では、より好ましく
はポリベンゾイミダゾールが３０％以上の時、特に２０
０℃以上で優れた耐熱強度を示している。
【００２３】（実施例３）Ｓｍ（Ｃｏ0.672Ｃｕ0.08Ｆ
ｅ0.22Ｚｒ0.028）8.2の組成の合金を高周波溶解炉を用
いてＡｒガス中で溶解した。この合金を１１６０℃×１
０時間容体化処理、８００℃×４時間時効処理した。そ
の後この合金をボールミルにより２μｍ〜８０μｍの粒
径の粉末にした。ビスフェノール型エポキシ樹脂と、ポ
リベンゾイミダゾールと、イミダゾール誘導体の１−シ
アノエチル−４−メチルイミダゾールを重量比６９：３
０：１でジメチルホルムアミドに溶解したものを、磁性
粉末に２ｗｔ％添加混合した。樹脂の総添加量は２ｗｔ
％とした。この混合物を、攪拌、真空乾燥し溶剤を除去
した。この混合物を約７０ｋｇｆ／ｍｍ2の圧力で磁場
中で圧縮成形を行なった。この成形体を窒素雰囲気中１
８０℃×１時間加熱処理し、さらに３００℃×２時間加
熱処理した。
ｅ0.22Ｚｒ0.028）8.2の組成の合金を高周波溶解炉を用
いてＡｒガス中で溶解した。この合金を１１６０℃×１
０時間容体化処理、８００℃×４時間時効処理した。そ
の後この合金をボールミルにより２μｍ〜８０μｍの粒
径の粉末にした。ビスフェノール型エポキシ樹脂と、ポ
リベンゾイミダゾールと、イミダゾール誘導体の１−シ
アノエチル−４−メチルイミダゾールを重量比６９：３
０：１でジメチルホルムアミドに溶解したものを、磁性
粉末に２ｗｔ％添加混合した。樹脂の総添加量は２ｗｔ
％とした。この混合物を、攪拌、真空乾燥し溶剤を除去
した。この混合物を約７０ｋｇｆ／ｍｍ2の圧力で磁場
中で圧縮成形を行なった。この成形体を窒素雰囲気中１
８０℃×１時間加熱処理し、さらに３００℃×２時間加
熱処理した。
【００２４】比較例３として、１−シアノエチル−４−
メチルイミダゾールを含まないものも同様に成形した。
図３に温度と曲げ強度保持率の関係を示した。
メチルイミダゾールを含まないものも同様に成形した。
図３に温度と曲げ強度保持率の関係を示した。
【００２５】図３から明らかなように、イミダゾール誘
導体を用いることによって、曲げ強度が向上している。
導体を用いることによって、曲げ強度が向上している。
【００２６】
【発明の効果】本発明の希土類ボンド磁石によれば、単
独では成形が困難であった高耐熱性のポリベンゾイミダ
ゾールの高含有率の樹脂バインダーを得ることができ、
さらにエポキシ樹脂と同等の高磁粉充填率化が可能であ
るため、従来の磁気性能で２００℃以上で使用可能な高
耐熱性希土類ボンド磁石が得られる。従って、Ｒ2ＴＭ1
7系磁石と耐熱性バインダーからなる（ＢＨ）max＝１９
ＭＧＯｅの磁石を得ることができる。
独では成形が困難であった高耐熱性のポリベンゾイミダ
ゾールの高含有率の樹脂バインダーを得ることができ、
さらにエポキシ樹脂と同等の高磁粉充填率化が可能であ
るため、従来の磁気性能で２００℃以上で使用可能な高
耐熱性希土類ボンド磁石が得られる。従って、Ｒ2ＴＭ1
7系磁石と耐熱性バインダーからなる（ＢＨ）max＝１９
ＭＧＯｅの磁石を得ることができる。
【００２７】ボンド磁石の特徴である高い形状自由度を
もった高性能高耐熱性磁石を得ることにより、モーター
やデバイス等の応用面が広がり、かつ高い信頼性を実現
できるなど、多大な効果を有するものである。
もった高性能高耐熱性磁石を得ることにより、モーター
やデバイス等の応用面が広がり、かつ高い信頼性を実現
できるなど、多大な効果を有するものである。
【図１】本発明のポリベンゾイミダゾールの成形性改善
を示すための図。
を示すための図。
【図２】本発明のバインダーの耐熱性を示すための図。
【図３】本発明のイミダゾールの添加の有効性を示すた
めの図。
めの図。
Claims (2)
- 【請求項１】 基本組成がＲ2ＴＭ17（ＲはＹを含む希
土類金属元素、ＴＭはコバルトを主体とした遷移金属元
素）の金属間化合物を主成分とする希土類磁石粉末とバ
インダーからなる希土類ボンド磁石において、バインダ
ーとして、エポキシ樹脂と、ポリベンゾイミダゾール及
びその誘導体を主成分とし、かつエポキシ樹脂を２０％
以上含み、かつポリベンゾイミダゾール及びその誘導体
を１０％以上含むものを用いることを特徴とする希土類
ボンド磁石。 - 【請求項２】 バインダーとして、エポキシ樹脂と、ポ
リベンゾイミダゾール及びその誘導体を主成分とし、か
つイミダゾール及びその誘導体を含むものを用いること
を特徴とする、前記請求項１記載の希土類ボンド磁石。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7076678A JPH08273916A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 希土類ボンド磁石 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7076678A JPH08273916A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 希土類ボンド磁石 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08273916A true JPH08273916A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13612099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7076678A Withdrawn JPH08273916A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 希土類ボンド磁石 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08273916A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015160969A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | ミネベア株式会社 | 希土類ボンド磁石の製造方法および希土類ボンド磁石 |
| JP2018203812A (ja) * | 2017-05-30 | 2018-12-27 | 日立化成株式会社 | シート |
| WO2019106813A1 (ja) | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 日立化成株式会社 | コンパウンド及びタブレット |
| WO2022014593A1 (ja) | 2020-07-14 | 2022-01-20 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | ボンド磁石用コンパウンド、成形体、及びボンド磁石 |
| WO2022118916A1 (ja) | 2020-12-04 | 2022-06-09 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | ペースト |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7076678A patent/JPH08273916A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015160969A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | ミネベア株式会社 | 希土類ボンド磁石の製造方法および希土類ボンド磁石 |
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| WO2019106813A1 (ja) | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 日立化成株式会社 | コンパウンド及びタブレット |
| US11732124B2 (en) | 2017-11-30 | 2023-08-22 | Resonac Corporation | Compound and tablet |
| WO2022014593A1 (ja) | 2020-07-14 | 2022-01-20 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | ボンド磁石用コンパウンド、成形体、及びボンド磁石 |
| KR20230038411A (ko) | 2020-07-14 | 2023-03-20 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 본드 자석용 콤파운드, 성형체, 및 본드 자석 |
| WO2022118916A1 (ja) | 2020-12-04 | 2022-06-09 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | ペースト |
| KR20230114270A (ko) | 2020-12-04 | 2023-08-01 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 페이스트 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040316 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040412 |