JPH08269691A - 金属被覆フィルム - Google Patents
金属被覆フィルムInfo
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- JPH08269691A JPH08269691A JP7100040A JP10004095A JPH08269691A JP H08269691 A JPH08269691 A JP H08269691A JP 7100040 A JP7100040 A JP 7100040A JP 10004095 A JP10004095 A JP 10004095A JP H08269691 A JPH08269691 A JP H08269691A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 可視光領域において高い反射率を有しその反
射率やガス遮断性等の特性が経時的に変化し難くかつ基
材と金属薄膜との接着性が良好な金属被覆フィルムを提
供すること。 【構成】 この金属被覆フィルム１は、ポリエチレンテ
レフタレートフィルムから成る基材10と、化学量論的組
成を有する酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の蒸着源を用
いた真空蒸着法にて基材上に成膜された酸化アルミニウ
ムから成る膜厚10nmのセラミック膜11と、このセラミッ
ク膜上に真空蒸着法にて成膜された膜厚80nmのアルミニ
ウムから成る金属薄膜12とで構成されている。そして上
記セラミック膜が化学量論的組成を有しているため金属
薄膜の金属光沢が阻害されることがなく、また基材内に
取込まれている酸素等ガスの金属薄膜側への透過もセラ
ミック膜の存在により阻止される。
射率やガス遮断性等の特性が経時的に変化し難くかつ基
材と金属薄膜との接着性が良好な金属被覆フィルムを提
供すること。 【構成】 この金属被覆フィルム１は、ポリエチレンテ
レフタレートフィルムから成る基材10と、化学量論的組
成を有する酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の蒸着源を用
いた真空蒸着法にて基材上に成膜された酸化アルミニウ
ムから成る膜厚10nmのセラミック膜11と、このセラミッ
ク膜上に真空蒸着法にて成膜された膜厚80nmのアルミニ
ウムから成る金属薄膜12とで構成されている。そして上
記セラミック膜が化学量論的組成を有しているため金属
薄膜の金属光沢が阻害されることがなく、また基材内に
取込まれている酸素等ガスの金属薄膜側への透過もセラ
ミック膜の存在により阻止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高分子フィルムから成
る基材とこの基材上に成膜された金属薄膜とで構成され
る金属被覆フィルムに係り、特に、可視光領域において
高い反射率を有すると共にその反射率やガス遮断性等の
特性が経時的に変化し難くしかも基材と金属薄膜との接
着性が良好な金属被覆フィルムの改良に関するものであ
る。
る基材とこの基材上に成膜された金属薄膜とで構成され
る金属被覆フィルムに係り、特に、可視光領域において
高い反射率を有すると共にその反射率やガス遮断性等の
特性が経時的に変化し難くしかも基材と金属薄膜との接
着性が良好な金属被覆フィルムの改良に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】この種の金属被覆フィルムは、図２に示
すように高分子フィルムから成る基材ａとこの基材ａ上
に成膜された銀、アルミニウム等から成る金属薄膜ｂと
で構成されており、その光反射性やガス遮断性等の特性
に着目して光反射板や包装材料等の分野に利用されてい
る。
すように高分子フィルムから成る基材ａとこの基材ａ上
に成膜された銀、アルミニウム等から成る金属薄膜ｂと
で構成されており、その光反射性やガス遮断性等の特性
に着目して光反射板や包装材料等の分野に利用されてい
る。
【０００３】この金属被覆フィルムは、従来、真空蒸着
やスパッタリング等真空過程を用いた成膜法にて製造さ
れている。そして、上記金属薄膜ｂの成膜時において適
度な運動エネルギーを有する金属粒子が基材ａ表面に衝
突しこの衝突に起因して基材ａを構成する高分子フィル
ムのネットワーク中に取込まれていた酸素等のガスが放
出されるため、放出された酸素ガスと上記金属粒子とが
反応して基材ａと金属薄膜ｂとの界面に極薄い金属酸化
物の被膜（図示せず）が自然発生的に形成され、この被
膜の作用により上記基材ａと金属薄膜ｂとが良好に接着
されている。
やスパッタリング等真空過程を用いた成膜法にて製造さ
れている。そして、上記金属薄膜ｂの成膜時において適
度な運動エネルギーを有する金属粒子が基材ａ表面に衝
突しこの衝突に起因して基材ａを構成する高分子フィル
ムのネットワーク中に取込まれていた酸素等のガスが放
出されるため、放出された酸素ガスと上記金属粒子とが
反応して基材ａと金属薄膜ｂとの界面に極薄い金属酸化
物の被膜（図示せず）が自然発生的に形成され、この被
膜の作用により上記基材ａと金属薄膜ｂとが良好に接着
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、金属薄膜ｂ
の成膜時に自然発生的に形成される金属酸化物の被膜
は、上記基材ａから放出される酸素等ガスの比率が金属
分子の割合に較べて不足していることから化学量論的組
成を有していないため、その透明性に難があり、上記金
属薄膜ｂの金属光沢が阻害されて高反射率の金属被覆フ
ィルムが得られない問題点を有していた。
の成膜時に自然発生的に形成される金属酸化物の被膜
は、上記基材ａから放出される酸素等ガスの比率が金属
分子の割合に較べて不足していることから化学量論的組
成を有していないため、その透明性に難があり、上記金
属薄膜ｂの金属光沢が阻害されて高反射率の金属被覆フ
ィルムが得られない問題点を有していた。
【０００５】また、上記金属酸化物が化学量論的組成を
有していないことから基材ａ内に取込まれている酸素な
どのガスが上記金属酸化物の被膜を透過し易く、透過し
てきたガスと成膜途上の金属薄膜が反応して高反射率の
金属被覆フィルムが得られなかったり、あるいは製造段
階においては良好な特性を有していた金属被覆フィルム
が、透過してきたガスと金属薄膜との事後反応により経
時的にその反射率を低下させたりガス遮断性を劣化させ
る等の問題点を有していた。
有していないことから基材ａ内に取込まれている酸素な
どのガスが上記金属酸化物の被膜を透過し易く、透過し
てきたガスと成膜途上の金属薄膜が反応して高反射率の
金属被覆フィルムが得られなかったり、あるいは製造段
階においては良好な特性を有していた金属被覆フィルム
が、透過してきたガスと金属薄膜との事後反応により経
時的にその反射率を低下させたりガス遮断性を劣化させ
る等の問題点を有していた。
【０００６】尚、金属薄膜ｂを成膜する前に高分子フィ
ルムから成る基材ａを加熱しこの基材ａ内に取込まれて
いる酸素などのガスを排気する処理（脱ガス処理）も行
われているが、基材ａ内から完全にガスを排気すること
は通常困難であった。また、この脱ガス処理を行った場
合、基材ａ内からガスが事前に排気される分、基材ａか
らの酸素等ガス放出量が更に不足して基材ａと金属薄膜
ｂとの界面に形成される金属酸化物の被膜が不完全とな
り、基材ａと金属薄膜ｂとの接着性に悪影響を及ぼす等
の問題点を有していた。
ルムから成る基材ａを加熱しこの基材ａ内に取込まれて
いる酸素などのガスを排気する処理（脱ガス処理）も行
われているが、基材ａ内から完全にガスを排気すること
は通常困難であった。また、この脱ガス処理を行った場
合、基材ａ内からガスが事前に排気される分、基材ａか
らの酸素等ガス放出量が更に不足して基材ａと金属薄膜
ｂとの界面に形成される金属酸化物の被膜が不完全とな
り、基材ａと金属薄膜ｂとの接着性に悪影響を及ぼす等
の問題点を有していた。
【０００７】本発明はこの様な問題点に着目してなされ
たもので、その課題とするところは、可視光領域におい
て高い反射率を有すると共にその反射率やガス遮断性等
の特性が経時的に変化し難くしかも基材と金属薄膜との
接着性が良好な金属被覆フィルムを提供することにあ
る。
たもので、その課題とするところは、可視光領域におい
て高い反射率を有すると共にその反射率やガス遮断性等
の特性が経時的に変化し難くしかも基材と金属薄膜との
接着性が良好な金属被覆フィルムを提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１に係
る発明は、高分子フィルムから成る基材とこの基材上に
成膜された金属薄膜とで構成される金属被覆フィルムを
前提とし、上記基材と金属薄膜との間に、透明でかつ基
材と同一若しくは略同一の屈折率を有すると共に化学量
論的組成を有するセラミック膜が設けられていることを
特徴とするものである。
る発明は、高分子フィルムから成る基材とこの基材上に
成膜された金属薄膜とで構成される金属被覆フィルムを
前提とし、上記基材と金属薄膜との間に、透明でかつ基
材と同一若しくは略同一の屈折率を有すると共に化学量
論的組成を有するセラミック膜が設けられていることを
特徴とするものである。
【０００９】そして、この請求項１記載の発明に係る金
属被覆フィルムにおいては、基材と金属薄膜との間に設
けられたセラミック膜が透明でかつ基材と同一若しくは
略同一の屈折率を有すると共に化学量論的組成を有して
いるため、このセラミック膜が存在しても上記金属薄膜
における金属光沢が阻害されることがなく、かつ、基材
内に取込まれているガスの金属薄膜側への透過も上記セ
ラミック膜の存在によりこれが阻止される。従って、こ
の金属被覆フィルムは可視光領域において高い反射率を
有すると共に、その反射率やガス遮断性等の特性が経時
的に変化し難く、しかも基材と金属薄膜との剥離が起こ
り難い利点を有する。
属被覆フィルムにおいては、基材と金属薄膜との間に設
けられたセラミック膜が透明でかつ基材と同一若しくは
略同一の屈折率を有すると共に化学量論的組成を有して
いるため、このセラミック膜が存在しても上記金属薄膜
における金属光沢が阻害されることがなく、かつ、基材
内に取込まれているガスの金属薄膜側への透過も上記セ
ラミック膜の存在によりこれが阻止される。従って、こ
の金属被覆フィルムは可視光領域において高い反射率を
有すると共に、その反射率やガス遮断性等の特性が経時
的に変化し難く、しかも基材と金属薄膜との剥離が起こ
り難い利点を有する。
【００１０】この様な技術的手段において上記基材とし
てはポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタ
レート等で代表されるポリエステルフィルムが例示され
るが、金属被覆フィルムの用途に応じ他の高分子フィル
ムについても当然のことながら適用可能である。また、
基材の厚さについては特に制限はなくその用途に応じて
適宜設定される。尚、金属被覆フィルムの用途が光反射
板や光反射フィルム等の場合にはその表面は平滑である
ことが望ましい。
てはポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタ
レート等で代表されるポリエステルフィルムが例示され
るが、金属被覆フィルムの用途に応じ他の高分子フィル
ムについても当然のことながら適用可能である。また、
基材の厚さについては特に制限はなくその用途に応じて
適宜設定される。尚、金属被覆フィルムの用途が光反射
板や光反射フィルム等の場合にはその表面は平滑である
ことが望ましい。
【００１１】次に、上記基材上に成膜されるセラミック
膜は、透明でかつ化学量論的組成を有すると共に、基材
と同一若しくは略同一の屈折率を有する材料ならいかな
るセラミック材料でも適用可能である。すなわち、セラ
ミック膜が化学量論的組成を有することにより金属薄膜
の金属光沢が阻害されず、かつ、基材内に取込まれてい
る酸素や水蒸気等ガスの金属薄膜側への透過を阻止でき
る。また、セラミック膜の屈折率を基材の屈折率と同一
若しくは略同一とすることにより、金属被覆フィルムに
対しそのいずれ側から（すなわち、基材側からでも金属
薄膜側からでも）光が入射してもその反射率を同一レベ
ルにすることができる。尚、このセラミック膜上に成膜
する金属薄膜との密着性に良好な性質を有する材料の適
用が更に好ましい。
膜は、透明でかつ化学量論的組成を有すると共に、基材
と同一若しくは略同一の屈折率を有する材料ならいかな
るセラミック材料でも適用可能である。すなわち、セラ
ミック膜が化学量論的組成を有することにより金属薄膜
の金属光沢が阻害されず、かつ、基材内に取込まれてい
る酸素や水蒸気等ガスの金属薄膜側への透過を阻止でき
る。また、セラミック膜の屈折率を基材の屈折率と同一
若しくは略同一とすることにより、金属被覆フィルムに
対しそのいずれ側から（すなわち、基材側からでも金属
薄膜側からでも）光が入射してもその反射率を同一レベ
ルにすることができる。尚、このセラミック膜上に成膜
する金属薄膜との密着性に良好な性質を有する材料の適
用が更に好ましい。
【００１２】そして、上記基材を構成する高分子フィル
ムの屈折率ｎは、通常、ｎ＝１．６〜１．８程度である
ため、上記セラミック材料としては、酸化アルミニウム
（屈折率ｎ＝１．６）、二酸化ケイ素（屈折率ｎ＝１．
５）、フッ化セリウム（屈折率ｎ＝１．６）、酸化マグ
ネシウム（屈折率ｎ＝１．６）等が好ましい。但し、セ
ラミック材料の屈折率については、高分子フィルムの屈
折率（ｎ＝１．６〜１．８）の範囲外で基材の屈折率と
セラミック膜の屈折率の差Δｎが０．３以上であって
も、セラミック膜の膜厚が上記基材との干渉を生じさせ
ない程度の厚さ（例えば、２０ｎｍ以下が好ましい）な
ら上記範囲外の屈折率を有するセラミック材料、例え
ば、フッ化マグネシウム（屈折率ｎ＝１．４）、フッ化
カルシウム（屈折率ｎ＝１．３〜１．４）、フッ化アル
ミニウム（屈折率ｎ＝１．３）の適用も可能である。請
求項２〜３に係る発明はこの様な点に着目してなされた
発明に関する。
ムの屈折率ｎは、通常、ｎ＝１．６〜１．８程度である
ため、上記セラミック材料としては、酸化アルミニウム
（屈折率ｎ＝１．６）、二酸化ケイ素（屈折率ｎ＝１．
５）、フッ化セリウム（屈折率ｎ＝１．６）、酸化マグ
ネシウム（屈折率ｎ＝１．６）等が好ましい。但し、セ
ラミック材料の屈折率については、高分子フィルムの屈
折率（ｎ＝１．６〜１．８）の範囲外で基材の屈折率と
セラミック膜の屈折率の差Δｎが０．３以上であって
も、セラミック膜の膜厚が上記基材との干渉を生じさせ
ない程度の厚さ（例えば、２０ｎｍ以下が好ましい）な
ら上記範囲外の屈折率を有するセラミック材料、例え
ば、フッ化マグネシウム（屈折率ｎ＝１．４）、フッ化
カルシウム（屈折率ｎ＝１．３〜１．４）、フッ化アル
ミニウム（屈折率ｎ＝１．３）の適用も可能である。請
求項２〜３に係る発明はこの様な点に着目してなされた
発明に関する。
【００１３】すなわち、請求項２に係る発明は、請求項
１記載の発明に係る金属被覆フィルムを前提とし、上記
セラミック膜が、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、フ
ッ化セリウムまたは酸化マグネシウムのいずれかにより
構成されていることを特徴とし、また、請求項３に係る
発明は、請求項１または２記載の発明に係る金属被覆フ
ィルムを前提とし、上記セラミック膜の膜厚が、２０ｎ
ｍ以下であることを特徴とする。
１記載の発明に係る金属被覆フィルムを前提とし、上記
セラミック膜が、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、フ
ッ化セリウムまたは酸化マグネシウムのいずれかにより
構成されていることを特徴とし、また、請求項３に係る
発明は、請求項１または２記載の発明に係る金属被覆フ
ィルムを前提とし、上記セラミック膜の膜厚が、２０ｎ
ｍ以下であることを特徴とする。
【００１４】また、セラミック膜上に成膜される金属薄
膜の種類としては得られる金属被覆フィルムの用途に応
じて適正な金属材料が選定される。そして、金属被覆フ
ィルムの用途が光反射板や光反射フィルム等の場合に
は、可視光領域において高反射率を有するアルミニウ
ム、クロム、マグネシウム、銀、ニッケル等が適用され
る。請求項４に係る発明はこの様な理由から金属薄膜を
構成する材料を特定した発明に関する。
膜の種類としては得られる金属被覆フィルムの用途に応
じて適正な金属材料が選定される。そして、金属被覆フ
ィルムの用途が光反射板や光反射フィルム等の場合に
は、可視光領域において高反射率を有するアルミニウ
ム、クロム、マグネシウム、銀、ニッケル等が適用され
る。請求項４に係る発明はこの様な理由から金属薄膜を
構成する材料を特定した発明に関する。
【００１５】すなわち、請求項４に係る発明は、請求項
１記載の発明に係る金属被覆フィルムを前提とし、上記
金属薄膜が、アルミニウム、クロム、マグネシウム、銀
またはニッケルのいずれかにより構成されていることを
特徴とするものである。
１記載の発明に係る金属被覆フィルムを前提とし、上記
金属薄膜が、アルミニウム、クロム、マグネシウム、銀
またはニッケルのいずれかにより構成されていることを
特徴とするものである。
【００１６】尚、金属被覆フィルムの目的に応じ、上記
金属薄膜上に１０ｎｍ程度の薄い膜厚を有する酸化アル
ミニウム、酸化マグネシウム、二酸化ケイ素、フッ化セ
リウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ
化アルミニウム等のセラミック材料から成る保護膜を設
けてもよい。
金属薄膜上に１０ｎｍ程度の薄い膜厚を有する酸化アル
ミニウム、酸化マグネシウム、二酸化ケイ素、フッ化セ
リウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ
化アルミニウム等のセラミック材料から成る保護膜を設
けてもよい。
【００１７】また、上記セラミック膜や金属薄膜等の成
膜手段としては、従来利用されている通常の真空蒸着
法、スパッタリング法等の物理的気相成長法や、熱ＣＶ
Ｄ法、プラズマＣＶＤ法等の化学的気相成長法の適用が
可能である。
膜手段としては、従来利用されている通常の真空蒸着
法、スパッタリング法等の物理的気相成長法や、熱ＣＶ
Ｄ法、プラズマＣＶＤ法等の化学的気相成長法の適用が
可能である。
【００１８】
【作用】請求項１〜２記載の発明に係る金属被覆フィル
ムによれば、基材と金属薄膜との間に設けられたセラミ
ック膜が化学量論的組成を有しているため、このセラミ
ック膜が存在しても上記金属薄膜における金属光沢が阻
害されることがなく、かつ、基材内に取込まれているガ
スの金属薄膜側への透過も上記セラミック膜の存在によ
りこれが阻止される。また、上記セラミック膜が透明で
かつ基材と同一若しくは略同一の屈折率を有するため、
得られた金属被覆フィルムに対しそのいずれ側から光が
入射してもその反射率を同一レベルにすることが可能と
なる。
ムによれば、基材と金属薄膜との間に設けられたセラミ
ック膜が化学量論的組成を有しているため、このセラミ
ック膜が存在しても上記金属薄膜における金属光沢が阻
害されることがなく、かつ、基材内に取込まれているガ
スの金属薄膜側への透過も上記セラミック膜の存在によ
りこれが阻止される。また、上記セラミック膜が透明で
かつ基材と同一若しくは略同一の屈折率を有するため、
得られた金属被覆フィルムに対しそのいずれ側から光が
入射してもその反射率を同一レベルにすることが可能と
なる。
【００１９】また、請求項３記載の発明に係る金属被覆
フィルムによれば、上記セラミック膜の膜厚が２０ｎｍ
以下であるため、基材の屈折率との差Δｎが０．３以上
のセラミック材料についてもセラミック膜の構成材料と
して適用することが可能となる。
フィルムによれば、上記セラミック膜の膜厚が２０ｎｍ
以下であるため、基材の屈折率との差Δｎが０．３以上
のセラミック材料についてもセラミック膜の構成材料と
して適用することが可能となる。
【００２０】また、請求項４記載の発明に係る金属被覆
フィルムによれば、上記金属薄膜が、アルミニウム、ク
ロム、マグネシウム、銀またはニッケルのいずれかによ
り構成されているため高い光反射率を有する。
フィルムによれば、上記金属薄膜が、アルミニウム、ク
ロム、マグネシウム、銀またはニッケルのいずれかによ
り構成されているため高い光反射率を有する。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００２２】［実施例１］この実施例に係る金属被覆フ
ィルム１は、図１に示すように厚さ２５μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムから成る基材１０と、化学
量論的組成を有する酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の蒸
着源を用いた真空蒸着法にて基材１０上に成膜された酸
化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）から成る膜厚１０ｎｍのセ
ラミック膜１１と、このセラミック膜１１上に真空蒸着
法にて成膜された膜厚８０ｎｍのアルミニウムから成る
金属薄膜１２とで構成されている。
ィルム１は、図１に示すように厚さ２５μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムから成る基材１０と、化学
量論的組成を有する酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の蒸
着源を用いた真空蒸着法にて基材１０上に成膜された酸
化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）から成る膜厚１０ｎｍのセ
ラミック膜１１と、このセラミック膜１１上に真空蒸着
法にて成膜された膜厚８０ｎｍのアルミニウムから成る
金属薄膜１２とで構成されている。
【００２３】そして、この金属被覆フィルム１について
５５０ｎｍの波長を有する光の反射率を測定したところ
９１％と良好であった。
５５０ｎｍの波長を有する光の反射率を測定したところ
９１％と良好であった。
【００２４】尚、化学量論的組成を有する酸化アルミニ
ウム（Ａｌ2Ｏ3）の蒸着源に代えて、化学量論的組成を
有する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、化学量論的組成を
有する二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、同じく化学量論的組
成を有するフッ化セリウム（ＣｅＦ3）の蒸着源を用い
真空蒸着法にてそれぞれの材料にて構成される膜厚１０
ｎｍのセラミック膜１１を成膜し、かつ、これ等セラミ
ック膜１１上にそれぞれ膜厚８０ｎｍのアルミニウムか
ら成る金属薄膜１２を成膜して同様の金属被覆フィルム
を得た。
ウム（Ａｌ2Ｏ3）の蒸着源に代えて、化学量論的組成を
有する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、化学量論的組成を
有する二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、同じく化学量論的組
成を有するフッ化セリウム（ＣｅＦ3）の蒸着源を用い
真空蒸着法にてそれぞれの材料にて構成される膜厚１０
ｎｍのセラミック膜１１を成膜し、かつ、これ等セラミ
ック膜１１上にそれぞれ膜厚８０ｎｍのアルミニウムか
ら成る金属薄膜１２を成膜して同様の金属被覆フィルム
を得た。
【００２５】これ等金属被覆フィルムの波長５５０ｎｍ
の光に対する反射率を以下の表１に示す（但し％は省略
し反射率の数値のみを表示する）。
の光に対する反射率を以下の表１に示す（但し％は省略
し反射率の数値のみを表示する）。
【００２６】また、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸
化マグネシウム（ＭｇＯ）、二酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2）、及び、フッ化セリウム（ＣｅＦ3）から成る各セ
ラミック膜上へ、上記アルミニウムから成る金属薄膜１
２に代えて膜厚８０ｎｍのクロム、マグネシウム、銀、
ニッケルから成る金属薄膜を真空蒸着法にてそれぞれ成
膜して同様の金属被覆フィルムを得た。
化マグネシウム（ＭｇＯ）、二酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2）、及び、フッ化セリウム（ＣｅＦ3）から成る各セ
ラミック膜上へ、上記アルミニウムから成る金属薄膜１
２に代えて膜厚８０ｎｍのクロム、マグネシウム、銀、
ニッケルから成る金属薄膜を真空蒸着法にてそれぞれ成
膜して同様の金属被覆フィルムを得た。
【００２７】これ等金属被覆フィルムの波長５５０ｎｍ
の光に対する反射率を以下の表１に示す（但し％は省略
し反射率の数値のみを表示する）。
の光に対する反射率を以下の表１に示す（但し％は省略
し反射率の数値のみを表示する）。
【００２８】［実施例２］アルミニウム、クロム、マグ
ネシウム、銀、ニッケルから成る金属薄膜１２について
真空蒸着法に代えスパッタリング法にて成膜した点を除
き、実施例１と同様の複数の金属被覆フィルムを得た。
ネシウム、銀、ニッケルから成る金属薄膜１２について
真空蒸着法に代えスパッタリング法にて成膜した点を除
き、実施例１と同様の複数の金属被覆フィルムを得た。
【００２９】そして、これ等金属被覆フィルムの波長５
５０ｎｍの光に対する反射率を以下の表１に示す（但し
％は省略し反射率の数値のみを表示する）。
５０ｎｍの光に対する反射率を以下の表１に示す（但し
％は省略し反射率の数値のみを表示する）。
【００３０】［比較例１］厚さ２５μｍのポリエチレン
テレフタレートフィルムから成る基材に対し上記セラミ
ック膜１１を形成せずに膜厚８０ｎｍのアルミニウム、
クロム、マグネシウム、銀、ニッケルから成る金属薄膜
を真空蒸着法にてそれぞれ直接成膜して金属被覆フィル
ムを得た。
テレフタレートフィルムから成る基材に対し上記セラミ
ック膜１１を形成せずに膜厚８０ｎｍのアルミニウム、
クロム、マグネシウム、銀、ニッケルから成る金属薄膜
を真空蒸着法にてそれぞれ直接成膜して金属被覆フィル
ムを得た。
【００３１】これ等金属被覆フィルムの波長５５０ｎｍ
の光に対する反射率を以下の表１に示す（但し％は省略
し反射率の数値のみを表示する）。
の光に対する反射率を以下の表１に示す（但し％は省略
し反射率の数値のみを表示する）。
【００３２】［比較例２］厚さ２５μｍのポリエチレン
テレフタレートフィルムから成る基材に対し真空中で８
０℃に加熱して充分な脱ガス処理を行った後、この基材
上に直接、膜厚８０ｎｍのアルミニウム、クロム、マグ
ネシウム、銀、ニッケルから成る金属薄膜を真空蒸着法
にてそれぞれ成膜して金属被覆フィルムを得た。
テレフタレートフィルムから成る基材に対し真空中で８
０℃に加熱して充分な脱ガス処理を行った後、この基材
上に直接、膜厚８０ｎｍのアルミニウム、クロム、マグ
ネシウム、銀、ニッケルから成る金属薄膜を真空蒸着法
にてそれぞれ成膜して金属被覆フィルムを得た。
【００３３】これ等金属被覆フィルムの波長５５０ｎｍ
の光に対する反射率を以下の表１に示す（但し％は省略
し反射率の数値のみを表示する）。
の光に対する反射率を以下の表１に示す（但し％は省略
し反射率の数値のみを表示する）。
【００３４】
【表１】
【００３５】『確認』表１に示された反射率のデータか
ら明らかなように、比較例１〜２に係る金属被覆フィル
ムの反射率に較べて、実施例１〜２に係る金属被覆フィ
ルムの反射率が高い値を示していることが確認できる。
ら明らかなように、比較例１〜２に係る金属被覆フィル
ムの反射率に較べて、実施例１〜２に係る金属被覆フィ
ルムの反射率が高い値を示していることが確認できる。
【００３６】
【発明の効果】請求項１〜２に係る発明によれば、基材
と金属薄膜との間に設けられたセラミック膜が化学量論
的組成を有しているため、このセラミック膜が存在して
も上記金属薄膜における金属光沢が阻害されることがな
く、かつ、基材内に取込まれているガスの金属薄膜側へ
の透過も上記セラミック膜の存在によりこれが阻止され
る。また、上記セラミック膜が透明でかつ基材と同一若
しくは略同一の屈折率を有するため、得られた金属被覆
フィルムに対しそのいずれ側から光が入射してもその反
射率を同一レベルにすることが可能となる。
と金属薄膜との間に設けられたセラミック膜が化学量論
的組成を有しているため、このセラミック膜が存在して
も上記金属薄膜における金属光沢が阻害されることがな
く、かつ、基材内に取込まれているガスの金属薄膜側へ
の透過も上記セラミック膜の存在によりこれが阻止され
る。また、上記セラミック膜が透明でかつ基材と同一若
しくは略同一の屈折率を有するため、得られた金属被覆
フィルムに対しそのいずれ側から光が入射してもその反
射率を同一レベルにすることが可能となる。
【００３７】従って、この金属被覆フィルムは、可視光
領域において高い反射率を有すると共に、その反射率や
ガス遮断性等の特性が経時的に変化し難く、しかも基材
と金属薄膜との剥離が起こり難く、更に、金属被覆フィ
ルムに対しそのいずれ側から光が入射してもその反射率
を同一レベルにできる効果を有している。
領域において高い反射率を有すると共に、その反射率や
ガス遮断性等の特性が経時的に変化し難く、しかも基材
と金属薄膜との剥離が起こり難く、更に、金属被覆フィ
ルムに対しそのいずれ側から光が入射してもその反射率
を同一レベルにできる効果を有している。
【００３８】また、請求項３に係る発明によれば、上記
セラミック膜の膜厚が２０ｎｍ以下であるため、基材の
屈折率との差Δｎが０．３以上のセラミック材料につい
てもセラミック膜の構成材料として適用できる効果を有
する。
セラミック膜の膜厚が２０ｎｍ以下であるため、基材の
屈折率との差Δｎが０．３以上のセラミック材料につい
てもセラミック膜の構成材料として適用できる効果を有
する。
【００３９】また、請求項４に係る発明によれば、上記
金属薄膜が、アルミニウム、クロム、マグネシウム、銀
またはニッケルのいずれかにより構成されているため、
金属被覆フィルムの光反射率を高められる効果を有す
る。
金属薄膜が、アルミニウム、クロム、マグネシウム、銀
またはニッケルのいずれかにより構成されているため、
金属被覆フィルムの光反射率を高められる効果を有す
る。
【図１】実施例に係る金属被覆フィルムの断面図。
【図２】従来例に係る金属被覆フィルムの断面図。
１ 金属被覆フィルム １０ 基材 １１ セラミック膜 １２ 金属薄膜
Claims (4)
- 【請求項１】高分子フィルムから成る基材とこの基材上
に成膜された金属薄膜とで構成される金属被覆フィルム
において、 上記基材と金属薄膜との間に、透明でかつ基材と同一若
しくは略同一の屈折率を有すると共に化学量論的組成を
有するセラミック膜が設けられていることを特徴とする
金属被覆フィルム。 - 【請求項２】上記セラミック膜が、酸化アルミニウム、
二酸化ケイ素、フッ化セリウムまたは酸化マグネシウム
のいずれかにより構成されていることを特徴とする請求
項１記載の金属被覆フィルム。 - 【請求項３】上記セラミック膜の膜厚が、２０ｎｍ以下
であることを特徴とする請求項１または２記載の金属被
覆フィルム。 - 【請求項４】上記金属薄膜が、アルミニウム、クロム、
マグネシウム、銀またはニッケルのいずれかにより構成
されていることを特徴とする請求項１記載の金属被覆フ
ィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7100040A JPH08269691A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 金属被覆フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7100040A JPH08269691A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 金属被覆フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08269691A true JPH08269691A (ja) | 1996-10-15 |
Family
ID=14263416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7100040A Pending JPH08269691A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 金属被覆フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08269691A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010147263A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Fujitsu Ltd | 微細構造の製造方法および回路基盤の製造方法 |
| JPWO2014192550A1 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-02-23 | 東洋紡株式会社 | 無機薄膜積層フィルム |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4958171A (ja) * | 1972-10-06 | 1974-06-05 | ||
| JPS62228460A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Toyo Metaraijingu Kk | 包装用金属蒸着フイルム |
| JPS62228461A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Toyo Metaraijingu Kk | 金属蒸着フイルムおよびその製造方法 |
| JPH01297237A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Toppan Printing Co Ltd | 蒸着フィルム |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7100040A patent/JPH08269691A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4958171A (ja) * | 1972-10-06 | 1974-06-05 | ||
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041208 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050222 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050421 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060418 |