JPH08269070A - 有機含ケイ素化合物の製造方法 - Google Patents
有機含ケイ素化合物の製造方法Info
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- JPH08269070A JPH08269070A JP7100743A JP10074395A JPH08269070A JP H08269070 A JPH08269070 A JP H08269070A JP 7100743 A JP7100743 A JP 7100743A JP 10074395 A JP10074395 A JP 10074395A JP H08269070 A JPH08269070 A JP H08269070A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 末端二重結合を有する不飽和炭化水素および
一般式(1)で示されるヒドロシラン化合物を、第8族
金属触媒を用いて反応させて有機含ケイ素化合物を製造
するに当たり、反応を酸素存在雰囲気で行うことを特徴
とする有機含ケイ素化合物の製造方法。 Ha SiRb X4-(a+b) …(1) 【効果】 本発明の製造方法によれば、触媒活性が高く
なり、短時間で有機含ケイ素化合物を製造することがで
きる。このため、吸水防止剤、撥水・撥油剤等の原料と
して工業的に有用な有機含ケイ素化合物の生産性が向上
する。
一般式(1)で示されるヒドロシラン化合物を、第8族
金属触媒を用いて反応させて有機含ケイ素化合物を製造
するに当たり、反応を酸素存在雰囲気で行うことを特徴
とする有機含ケイ素化合物の製造方法。 Ha SiRb X4-(a+b) …(1) 【効果】 本発明の製造方法によれば、触媒活性が高く
なり、短時間で有機含ケイ素化合物を製造することがで
きる。このため、吸水防止剤、撥水・撥油剤等の原料と
して工業的に有用な有機含ケイ素化合物の生産性が向上
する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は有機含ケイ素化合物の製
造方法に関し、さらに詳しくは少なくとも1つ以上の末
端二重結合を有する不飽和炭化水素と一般式(1)で示
されるヒドロシラン化合物とを反応させる有機含ケイ素
化合物の製造方法に関する。本発明により、吸水防止
剤、撥水・撥油剤等の原料といった広い分野で有用な有
機含ケイ素化合物を、短い反応時間で製造することがで
きる。
造方法に関し、さらに詳しくは少なくとも1つ以上の末
端二重結合を有する不飽和炭化水素と一般式(1)で示
されるヒドロシラン化合物とを反応させる有機含ケイ素
化合物の製造方法に関する。本発明により、吸水防止
剤、撥水・撥油剤等の原料といった広い分野で有用な有
機含ケイ素化合物を、短い反応時間で製造することがで
きる。
【0002】
【従来の技術】有機含ケイ素化合物は、従来、トリクロ
ロシランまたはメチルジクロロシラン等のクロロシラン
化合物と、末端二重結合を有する不飽和炭化水素とを、
第8族金属触媒を用いて反応させ、次いでアルコール類
またはフェノール類と反応させるという2段階の反応で
製造されていた。
ロシランまたはメチルジクロロシラン等のクロロシラン
化合物と、末端二重結合を有する不飽和炭化水素とを、
第8族金属触媒を用いて反応させ、次いでアルコール類
またはフェノール類と反応させるという2段階の反応で
製造されていた。
【0003】一方近年、アルコール類またはフェノール
類と金属ケイ素との直接反応で、アルコキシシラン化合
物またはアリールオキシシラン化合物が工業的に製造さ
れるようになった。そこで、アルコキシシラン化合物ま
たはアリールオキシシラン化合物を原料として用い、こ
れと末端二重結合を有する不飽和炭化水素とを反応させ
て有機含ケイ素化合物を製造する方法が検討されてきて
おり、この製法は前記クロロシラン化合物を出発原料と
する製造方法に比べて製造工程数を減らせるという利点
を有している。
類と金属ケイ素との直接反応で、アルコキシシラン化合
物またはアリールオキシシラン化合物が工業的に製造さ
れるようになった。そこで、アルコキシシラン化合物ま
たはアリールオキシシラン化合物を原料として用い、こ
れと末端二重結合を有する不飽和炭化水素とを反応させ
て有機含ケイ素化合物を製造する方法が検討されてきて
おり、この製法は前記クロロシラン化合物を出発原料と
する製造方法に比べて製造工程数を減らせるという利点
を有している。
【0004】しかしながら、上記アルコキシシラン化合
物またはアリールオキシシラン化合物を出発原料とし末
端二重結合を有する不飽和炭化水素と反応させる方法
は、従来のクロロシラン化合物と末端二重結合を有する
不飽和炭化水素とを反応させる場合に比べ、付加反応の
速度が遅いという問題点を有している。反応時間を短く
するためには触媒量を増やさなければならず、経済的に
不利であった。
物またはアリールオキシシラン化合物を出発原料とし末
端二重結合を有する不飽和炭化水素と反応させる方法
は、従来のクロロシラン化合物と末端二重結合を有する
不飽和炭化水素とを反応させる場合に比べ、付加反応の
速度が遅いという問題点を有している。反応時間を短く
するためには触媒量を増やさなければならず、経済的に
不利であった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術に伴う問題点を解決し、反応時間が短く、生
産性に優れた有機含ケイ素化合物の製造方法を提供する
ものである。
な従来技術に伴う問題点を解決し、反応時間が短く、生
産性に優れた有機含ケイ素化合物の製造方法を提供する
ものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
を解決すべく鋭意研究した結果、本発明を完成させるに
至った。即ち本発明は、末端二重結合を有する不飽和炭
化水素および下記一般式(1)で示されるヒドロシラン
化合物を、第8族金属触媒を用いて反応させて有機含ケ
イ素化合物を製造するに当たり、反応を酸素存在雰囲気
で行うことを特徴とする有機含ケイ素化合物の製造方法
である。 Ha SiRb X4-(a+b) …(1) (式中、Rはアルキル基、シクロアルキル基またはアリ
ール基を表し、Xはアルコキシ基またはアリールオキシ
基を表し、aは1または2であり、bは0、1または2
であり、かつa+bは3以下である。)
を解決すべく鋭意研究した結果、本発明を完成させるに
至った。即ち本発明は、末端二重結合を有する不飽和炭
化水素および下記一般式(1)で示されるヒドロシラン
化合物を、第8族金属触媒を用いて反応させて有機含ケ
イ素化合物を製造するに当たり、反応を酸素存在雰囲気
で行うことを特徴とする有機含ケイ素化合物の製造方法
である。 Ha SiRb X4-(a+b) …(1) (式中、Rはアルキル基、シクロアルキル基またはアリ
ール基を表し、Xはアルコキシ基またはアリールオキシ
基を表し、aは1または2であり、bは0、1または2
であり、かつa+bは3以下である。)
【0007】以下、本発明を詳細に説明する。本発明で
用いるヒドロシラン化合物は、前記一般式(1)で示さ
れる化合物である。なお、この化合物においてRまたは
Xが2つ以上あるときは、同じでも異なっていてもよ
い。
用いるヒドロシラン化合物は、前記一般式(1)で示さ
れる化合物である。なお、この化合物においてRまたは
Xが2つ以上あるときは、同じでも異なっていてもよ
い。
【0008】この一般式(1)で示される化合物の具体
例としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラ
ン、トリプロポキシシラン、メチルジメトキシシラン、
エチルジメトキシシラン、ジメチルメトキシシラン、ジ
エチルエトキシシラン、トリフェノキシシラン、フェニ
ルジメトキシシラン、ジフェニルエトキシシラン、シク
ロヘキシルジメトキシシラン、ジメトキシジヒドロシラ
ン、ジエトキシジヒドロシラン、ジプロポキシジヒドロ
シラン、メチルメトキシジヒドロシランおよびエチルエ
トキシジヒドロシラン等が挙げられる。好ましいヒドロ
シラン化合物としては、最終的に生成する有機含ケイ素
化合物の安定性および取り扱いの容易さ等の理由からト
リメトキシシランまたはトリエトキシシラン等のトリア
ルコキシシランを挙げることができる。
例としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラ
ン、トリプロポキシシラン、メチルジメトキシシラン、
エチルジメトキシシラン、ジメチルメトキシシラン、ジ
エチルエトキシシラン、トリフェノキシシラン、フェニ
ルジメトキシシラン、ジフェニルエトキシシラン、シク
ロヘキシルジメトキシシラン、ジメトキシジヒドロシラ
ン、ジエトキシジヒドロシラン、ジプロポキシジヒドロ
シラン、メチルメトキシジヒドロシランおよびエチルエ
トキシジヒドロシラン等が挙げられる。好ましいヒドロ
シラン化合物としては、最終的に生成する有機含ケイ素
化合物の安定性および取り扱いの容易さ等の理由からト
リメトキシシランまたはトリエトキシシラン等のトリア
ルコキシシランを挙げることができる。
【0009】一方、本発明に用いる少なくとも1つ以上
の末端二重結合を有する不飽和炭化水素の具体例として
は、エチレン、プロピレン、1−ブテン、1−ペンテ
ン、1−ヘキセン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−
ノネン、1−デセン、1−ウンデセン、1−ドデセン、
3−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ペンテン、
4−メチル−1−ペンテン、3−メチル−1−ヘキセ
ン、1,3−ブタジエン、3−メチル−1,2−ブタジ
エン、1,4−ペンタジエン、1,5−ヘキサジエン、
1,3−ヘキサジエン、1,4−ヘキサジエン、1,6
−ヘプタジエン、3−メチル−1,5−ヘキサジエン、
1,3,5−ヘキサトリエンおよびスチレン等を挙げる
ことができる。
の末端二重結合を有する不飽和炭化水素の具体例として
は、エチレン、プロピレン、1−ブテン、1−ペンテ
ン、1−ヘキセン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−
ノネン、1−デセン、1−ウンデセン、1−ドデセン、
3−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ペンテン、
4−メチル−1−ペンテン、3−メチル−1−ヘキセ
ン、1,3−ブタジエン、3−メチル−1,2−ブタジ
エン、1,4−ペンタジエン、1,5−ヘキサジエン、
1,3−ヘキサジエン、1,4−ヘキサジエン、1,6
−ヘプタジエン、3−メチル−1,5−ヘキサジエン、
1,3,5−ヘキサトリエンおよびスチレン等を挙げる
ことができる。
【0010】本発明で用いる第8族金属触媒としては、
コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウ
ム、イリジウムまたは白金等の第8族金属の単体、有機
金属錯体、金属塩または金属酸化物が挙げられる。この
うち触媒活性の高さや取り扱いの容易さ等の理由から、
白金の金属単体、有機金属錯体、金属塩または金属酸化
物が好ましく、さらに好ましくは有機白金錯体である。
コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウ
ム、イリジウムまたは白金等の第8族金属の単体、有機
金属錯体、金属塩または金属酸化物が挙げられる。この
うち触媒活性の高さや取り扱いの容易さ等の理由から、
白金の金属単体、有機金属錯体、金属塩または金属酸化
物が好ましく、さらに好ましくは有機白金錯体である。
【0011】本発明において第8族金属触媒の使用量は
特に限定されないが、ヒドロシラン化合物1モルに対
し、好ましい触媒量は第8族金属に換算して10-2〜1
0-8モルであり、さらに好ましくは10-4〜10-7モル
である。触媒量が10-8モル未満では反応時間が長くか
かり、10-2モルを超えて使用すると逆に反応速度が速
すぎ発熱等のため反応制御が困難になる恐れがある。
特に限定されないが、ヒドロシラン化合物1モルに対
し、好ましい触媒量は第8族金属に換算して10-2〜1
0-8モルであり、さらに好ましくは10-4〜10-7モル
である。触媒量が10-8モル未満では反応時間が長くか
かり、10-2モルを超えて使用すると逆に反応速度が速
すぎ発熱等のため反応制御が困難になる恐れがある。
【0012】ヒドロシラン化合物は水分により容易に分
解を起こすので、反応は水分が存在しないように乾燥し
た雰囲気中で行われ、雰囲気としては窒素またはアルゴ
ン等の不活性ガス雰囲気が従来採用されていた。これに
対して本発明者等は、酸素の存在雰囲気で反応を行うと
いう従来全く考えられなかった手段を採用すると、触媒
活性が上がり反応率や反応速度が上昇するという全く予
想外の効果を見出したものである。
解を起こすので、反応は水分が存在しないように乾燥し
た雰囲気中で行われ、雰囲気としては窒素またはアルゴ
ン等の不活性ガス雰囲気が従来採用されていた。これに
対して本発明者等は、酸素の存在雰囲気で反応を行うと
いう従来全く考えられなかった手段を採用すると、触媒
活性が上がり反応率や反応速度が上昇するという全く予
想外の効果を見出したものである。
【0013】本発明は、反応を酸素存在雰囲気で行うこ
とを特徴とするものであるが、具体的には、末端二重結
合を有する不飽和炭化水素が液体または溶液の場合に
は、反応器の液相部に酸素を含有した不活性ガスを吹き
込んでも、気相部を酸素存在雰囲気としてもよい。しか
し液相部に吹き込む場合は、不活性ガスに随伴して気相
に移行する原料不飽和炭化水素をトラップする必要があ
るという問題があるので後者の方がより好ましい。ま
た、末端二重結合を有する不飽和炭化水素が気体の場合
は、酸素を含有した不活性ガスと単に混合すればよい。
とを特徴とするものであるが、具体的には、末端二重結
合を有する不飽和炭化水素が液体または溶液の場合に
は、反応器の液相部に酸素を含有した不活性ガスを吹き
込んでも、気相部を酸素存在雰囲気としてもよい。しか
し液相部に吹き込む場合は、不活性ガスに随伴して気相
に移行する原料不飽和炭化水素をトラップする必要があ
るという問題があるので後者の方がより好ましい。ま
た、末端二重結合を有する不飽和炭化水素が気体の場合
は、酸素を含有した不活性ガスと単に混合すればよい。
【0014】酸素存在雰囲気における酸素濃度は50p
pm以上が好ましく、より好ましくは0.1〜30%で
ある。酸素濃度が50ppm未満では、反応速度が遅く
なり反応時間が長くかかり、また、あまり高濃度にして
も反応速度は一定値以上に増加せず、むしろ安全上好ま
しくない。
pm以上が好ましく、より好ましくは0.1〜30%で
ある。酸素濃度が50ppm未満では、反応速度が遅く
なり反応時間が長くかかり、また、あまり高濃度にして
も反応速度は一定値以上に増加せず、むしろ安全上好ま
しくない。
【0015】本発明において、ヒドロシラン化合物およ
び末端二重結合を有する不飽和炭化水素の仕込み割合を
一律の条件に設定することはできないが、ヒドロシラン
化合物の活性水素1当量に対し、末端二重結合を有する
不飽和炭化水素の二重結合が0.5〜2当量になるよう
に仕込むのが好ましく、さらに好ましくは0.8〜1.
5当量である。
び末端二重結合を有する不飽和炭化水素の仕込み割合を
一律の条件に設定することはできないが、ヒドロシラン
化合物の活性水素1当量に対し、末端二重結合を有する
不飽和炭化水素の二重結合が0.5〜2当量になるよう
に仕込むのが好ましく、さらに好ましくは0.8〜1.
5当量である。
【0016】ヒドロシラン化合物、末端二重結合を有す
る不飽和炭化水素および第8族金属触媒の仕込み方法
は、該不飽和炭化水素が液体または溶液の場合には、ヒ
ドロシラン類と触媒を先に仕込み、末端二重結合を有す
る不飽和炭化水素を滴下しても良いし、末端二重結合を
有する不飽和炭化水素と触媒を先に仕込み、ヒドロシラ
ン類を滴下しても良い。さらにこれら3種類を一括で仕
込む方法、これら3種類を同時に滴下する仕込み方法お
よび1種類を先に仕込み、残り2種類の混合物を滴下す
る方法も挙げられる。該不飽和炭化水素が常温気体の場
合には、これを溶剤に溶解しかつ反応を加圧下で行う等
の手段を取ることにより、液体または溶液の場合と同様
に他の成分と接触、反応させることができる。
る不飽和炭化水素および第8族金属触媒の仕込み方法
は、該不飽和炭化水素が液体または溶液の場合には、ヒ
ドロシラン類と触媒を先に仕込み、末端二重結合を有す
る不飽和炭化水素を滴下しても良いし、末端二重結合を
有する不飽和炭化水素と触媒を先に仕込み、ヒドロシラ
ン類を滴下しても良い。さらにこれら3種類を一括で仕
込む方法、これら3種類を同時に滴下する仕込み方法お
よび1種類を先に仕込み、残り2種類の混合物を滴下す
る方法も挙げられる。該不飽和炭化水素が常温気体の場
合には、これを溶剤に溶解しかつ反応を加圧下で行う等
の手段を取ることにより、液体または溶液の場合と同様
に他の成分と接触、反応させることができる。
【0017】本発明においては反応熱の除去や濃度調整
のために、ベンゼン、トルエンまたはキシレン等の芳香
族炭化水素のような触媒金属と配位しない溶媒を用いて
も良い。
のために、ベンゼン、トルエンまたはキシレン等の芳香
族炭化水素のような触媒金属と配位しない溶媒を用いて
も良い。
【0018】反応温度および反応時間は、用いるヒドロ
シラン化合物の種類、末端二重結合を有する不飽和炭化
水素の種類および触媒量によって異なるので一律に設定
することはできないが、通常、室温〜150℃の温度で
0.5〜24時間、好ましくは40〜100℃の温度で
1〜12時間反応させるのが好ましい。反応は、常圧下
または加圧下のいずれの条件でも実施できる。
シラン化合物の種類、末端二重結合を有する不飽和炭化
水素の種類および触媒量によって異なるので一律に設定
することはできないが、通常、室温〜150℃の温度で
0.5〜24時間、好ましくは40〜100℃の温度で
1〜12時間反応させるのが好ましい。反応は、常圧下
または加圧下のいずれの条件でも実施できる。
【0019】
【実施例】以下、実施例および比較例を挙げて本発明を
より具体的に説明する。 (実施例1)100mlガラス製4つ口フラスコに温度
計、冷却器、滴下ロート並びに酸素5%および窒素95
%の混合ガス(以下「5%ON」と称する。)の導入管
を取り付け、15分間200ml/分の流速で5%ON
を流した。その後流速を20ml/分とし、フラスコ内
にトリエトキシシラン26.4g(0.16mol)お
よび0.05M−H2 PtCl6 ・6H2 Oのベンゾニ
トリル溶液35.6マイクロリットルを仕込み、スター
ラーチップを用いて加熱撹拌を行った。内温が55℃に
なった後、1−ヘキセン15g(0.18mol)をゆ
っくりと滴下した。滴下開始と同時に内温が上昇し始め
たため、加熱をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60
±3℃に保ち、1時間反応させた。反応終了後、ガスク
ロマトグラフィー分析(以下「ガスクロ分析」と称す
る。)したところ、目的物であるヘキシルトリエトキシ
シランの収率は92.5%(仕込み1−ヘキセン基準)
であった。
より具体的に説明する。 (実施例1)100mlガラス製4つ口フラスコに温度
計、冷却器、滴下ロート並びに酸素5%および窒素95
%の混合ガス(以下「5%ON」と称する。)の導入管
を取り付け、15分間200ml/分の流速で5%ON
を流した。その後流速を20ml/分とし、フラスコ内
にトリエトキシシラン26.4g(0.16mol)お
よび0.05M−H2 PtCl6 ・6H2 Oのベンゾニ
トリル溶液35.6マイクロリットルを仕込み、スター
ラーチップを用いて加熱撹拌を行った。内温が55℃に
なった後、1−ヘキセン15g(0.18mol)をゆ
っくりと滴下した。滴下開始と同時に内温が上昇し始め
たため、加熱をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60
±3℃に保ち、1時間反応させた。反応終了後、ガスク
ロマトグラフィー分析(以下「ガスクロ分析」と称す
る。)したところ、目的物であるヘキシルトリエトキシ
シランの収率は92.5%(仕込み1−ヘキセン基準)
であった。
【0020】(実施例2)5%ONの代わりに空気を用
いた以外は、実施例1と同様の条件で反応を行った。実
施例1と同様、滴下開始と同時に内温が上昇し始めたた
め、加熱をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60±3
℃に保ち1時間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析
したところ、目的物であるヘキシルトリエトキシシラン
の収率は93.2%(仕込み1−ヘキセン基準)であっ
た。
いた以外は、実施例1と同様の条件で反応を行った。実
施例1と同様、滴下開始と同時に内温が上昇し始めたた
め、加熱をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60±3
℃に保ち1時間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析
したところ、目的物であるヘキシルトリエトキシシラン
の収率は93.2%(仕込み1−ヘキセン基準)であっ
た。
【0021】(比較例1)5%ONの代わりに窒素(酸
素を不純分として15ppm含む。)を用いた以外は、
実施例1と同様の条件で反応を行った。実施例1と異な
り、滴下を開始しても内温の上昇は認められず、内温を
60±3℃に保ち6時間反応させた。反応終了後、ガス
クロ分析したところ、目的物であるヘキシルトリエトキ
シシランの収率は35.0%(仕込み1−ヘキセン基
準)であった。
素を不純分として15ppm含む。)を用いた以外は、
実施例1と同様の条件で反応を行った。実施例1と異な
り、滴下を開始しても内温の上昇は認められず、内温を
60±3℃に保ち6時間反応させた。反応終了後、ガス
クロ分析したところ、目的物であるヘキシルトリエトキ
シシランの収率は35.0%(仕込み1−ヘキセン基
準)であった。
【0022】(実施例3)5%ONの代わりにアルゴン
(酸素を不純分として100ppm含む。)を用いた以
外は、実施例1と同様の条件で反応を行った。実施例1
と異なり、滴下を開始しても内温の上昇は認められず、
内温を60±3℃に保ち6時間反応させた。反応終了
後、ガスクロ分析したところ、目的物であるヘキシルト
リエトキシシランの収率は47.1%(仕込み1−ヘキ
セン基準)であった。
(酸素を不純分として100ppm含む。)を用いた以
外は、実施例1と同様の条件で反応を行った。実施例1
と異なり、滴下を開始しても内温の上昇は認められず、
内温を60±3℃に保ち6時間反応させた。反応終了
後、ガスクロ分析したところ、目的物であるヘキシルト
リエトキシシランの収率は47.1%(仕込み1−ヘキ
セン基準)であった。
【0023】(実施例4)100mlガラス製4つ口フ
ラスコ、温度計、冷却器および滴下ロートを乾燥し、空
気中で放冷後そのまま組立、フラスコ内にトリエトキシ
シラン26.4g(0.16mol)および0.05M
−H2 PtCl6 ・6H2 Oのベンゾニトリル溶液3
5.6マイクロリットルを仕込み、スターラーチップを
用いて加熱撹拌を行った。内温が55℃になった後、1
−ヘキセン15g(0.18mol)をゆっくりと滴下
した。滴下開始と同時に内温が上昇し始めたため、加熱
をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60±3℃に保ち
2時間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析したとこ
ろ、目的物であるヘキシルトリエトキシシランの収率は
91.6%(仕込み1−ヘキセン基準)であった。
ラスコ、温度計、冷却器および滴下ロートを乾燥し、空
気中で放冷後そのまま組立、フラスコ内にトリエトキシ
シラン26.4g(0.16mol)および0.05M
−H2 PtCl6 ・6H2 Oのベンゾニトリル溶液3
5.6マイクロリットルを仕込み、スターラーチップを
用いて加熱撹拌を行った。内温が55℃になった後、1
−ヘキセン15g(0.18mol)をゆっくりと滴下
した。滴下開始と同時に内温が上昇し始めたため、加熱
をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60±3℃に保ち
2時間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析したとこ
ろ、目的物であるヘキシルトリエトキシシランの収率は
91.6%(仕込み1−ヘキセン基準)であった。
【0024】(実施例5)100mlガラス製4つ口フ
ラスコに温度計、冷却器、滴下ロートおよび空気導入管
を取り付け、15分間200ml/分の流速で空気を流
した。その後流速を20ml/分とし、フラスコ内にト
リエトキシシラン26.4g(0.16mol)および
0.05M−H2 PtCl6 ・6H2 Oのベンゾニトリ
ル溶液3.6マイクロリットルを仕込み、スターラーチ
ップを用いて加熱撹拌を行った。内温が55℃になった
後、1−ヘキセン15g(0.18mol)をゆっくり
と滴下した。滴下開始と同時に内温が上昇し始めたた
め、加熱をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60±3
℃に保ち3時間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析
したところ、目的物であるヘキシルトリエトキシシラン
の収率は92.7%(仕込み1−ヘキセン基準)であっ
た。
ラスコに温度計、冷却器、滴下ロートおよび空気導入管
を取り付け、15分間200ml/分の流速で空気を流
した。その後流速を20ml/分とし、フラスコ内にト
リエトキシシラン26.4g(0.16mol)および
0.05M−H2 PtCl6 ・6H2 Oのベンゾニトリ
ル溶液3.6マイクロリットルを仕込み、スターラーチ
ップを用いて加熱撹拌を行った。内温が55℃になった
後、1−ヘキセン15g(0.18mol)をゆっくり
と滴下した。滴下開始と同時に内温が上昇し始めたた
め、加熱をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60±3
℃に保ち3時間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析
したところ、目的物であるヘキシルトリエトキシシラン
の収率は92.7%(仕込み1−ヘキセン基準)であっ
た。
【0025】(実施例6)100mlガラス製4つ口フ
ラスコに温度計、冷却器、滴下ロートおよび空気導入管
を取り付け、15分間200ml/分の流速で空気を流
した。その後流速を20ml/分とし、フラスコ内にト
リエトキシシラン26.4g(0.16mol)および
0.05M−H2 PtCl6 ・6H2 Oのイソプロパノ
ール溶液35.6マイクロリットルを仕込みスターラー
チップを用いて加熱撹拌を行った。内温が55℃になっ
た後、1−ヘキセン15g(0.18mol)をゆっく
りと滴下した。滴下開始と同時に内温が上昇し始めたた
め、加熱をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60±3
℃に保ち1時間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析
したところ、目的物であるヘキシルトリエトキシシラン
の収率は88.8%(仕込み1−ヘキセン基準)であっ
た。
ラスコに温度計、冷却器、滴下ロートおよび空気導入管
を取り付け、15分間200ml/分の流速で空気を流
した。その後流速を20ml/分とし、フラスコ内にト
リエトキシシラン26.4g(0.16mol)および
0.05M−H2 PtCl6 ・6H2 Oのイソプロパノ
ール溶液35.6マイクロリットルを仕込みスターラー
チップを用いて加熱撹拌を行った。内温が55℃になっ
た後、1−ヘキセン15g(0.18mol)をゆっく
りと滴下した。滴下開始と同時に内温が上昇し始めたた
め、加熱をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60±3
℃に保ち1時間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析
したところ、目的物であるヘキシルトリエトキシシラン
の収率は88.8%(仕込み1−ヘキセン基準)であっ
た。
【0026】(比較例2)空気の代わりに比較例1で用
いた窒素を使用した以外は、実施例6と同様の条件で反
応を行った。実施例6と異なり、滴下を開始しても内温
の上昇は認められず、内温を60±3℃に保ち6時間反
応させた。反応終了後、ガスクロ分析したところ、目的
物であるヘキシルトリエトキシシランの収率は31.2
%(仕込み1−ヘキセン基準)であった。
いた窒素を使用した以外は、実施例6と同様の条件で反
応を行った。実施例6と異なり、滴下を開始しても内温
の上昇は認められず、内温を60±3℃に保ち6時間反
応させた。反応終了後、ガスクロ分析したところ、目的
物であるヘキシルトリエトキシシランの収率は31.2
%(仕込み1−ヘキセン基準)であった。
【0027】(実施例7)100mlガラス製4つ口フ
ラスコに温度計、冷却器、滴下ロートおよび空気導入管
を取り付け、15分間200ml/分の流速で空気を流
した。その後流速を20ml/分とし、フラスコ内にト
リエトキシシラン26.4g(0.16mol)および
0.05M−PtCl2 (C6 H5 CN)2 のベンゾニ
トリル溶液35.6マイクロリットルを仕込み、スター
ラーチップを用いて加熱撹拌を行った。内温が55℃に
なった後、1−ヘキセン15g(0.18mol)をゆ
っくりと滴下した。滴下開始と同時に内温が上昇し始め
たため、加熱をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60
±3℃に保ち1時間反応させた。反応終了後、ガスクロ
分析したところ、目的物であるヘキシルトリエトキシシ
ランの収率は91.8%(仕込み1−ヘキセン基準)で
あった。
ラスコに温度計、冷却器、滴下ロートおよび空気導入管
を取り付け、15分間200ml/分の流速で空気を流
した。その後流速を20ml/分とし、フラスコ内にト
リエトキシシラン26.4g(0.16mol)および
0.05M−PtCl2 (C6 H5 CN)2 のベンゾニ
トリル溶液35.6マイクロリットルを仕込み、スター
ラーチップを用いて加熱撹拌を行った。内温が55℃に
なった後、1−ヘキセン15g(0.18mol)をゆ
っくりと滴下した。滴下開始と同時に内温が上昇し始め
たため、加熱をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60
±3℃に保ち1時間反応させた。反応終了後、ガスクロ
分析したところ、目的物であるヘキシルトリエトキシシ
ランの収率は91.8%(仕込み1−ヘキセン基準)で
あった。
【0028】(比較例3)空気の代わりに比較例1で用
いた窒素を用いた以外は、実施例7と同様の条件で反応
を行った。実施例7と異なり、滴下を開始しても内温の
上昇は認められず、内温を60±3℃に保ち5時間反応
させた。反応終了後、ガスクロ分析したところ、目的物
であるヘキシルトリエトキシシランの収率は84.9%
(仕込み1−ヘキセン基準)であった。
いた窒素を用いた以外は、実施例7と同様の条件で反応
を行った。実施例7と異なり、滴下を開始しても内温の
上昇は認められず、内温を60±3℃に保ち5時間反応
させた。反応終了後、ガスクロ分析したところ、目的物
であるヘキシルトリエトキシシランの収率は84.9%
(仕込み1−ヘキセン基準)であった。
【0029】(実施例8)100mlガラス製4つ口フ
ラスコに温度計、冷却器、滴下ロートおよび空気導入管
を取り付け、15分間200ml/分の流速で空気を流
した。その後流速を20ml/分とし、フラスコ内にト
リエトキシシラン26.4g(0.16mol)および
0.025M−Pt(PPh3 )4 のトルエン溶液7
1.2マイクロリットルを仕込み、スターラーチップを
用いて加熱撹拌を行った。内温が55℃になった後、1
−ヘキセン15g(0.18mol)をゆっくりと滴下
した。滴下開始と同時に内温が上昇し始めたため、加熱
をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60±3℃に保ち
1時間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析したとこ
ろ、目的物であるヘキシルトリエトキシシランの収率は
90.8%(仕込み1−ヘキセン基準)であった。
ラスコに温度計、冷却器、滴下ロートおよび空気導入管
を取り付け、15分間200ml/分の流速で空気を流
した。その後流速を20ml/分とし、フラスコ内にト
リエトキシシラン26.4g(0.16mol)および
0.025M−Pt(PPh3 )4 のトルエン溶液7
1.2マイクロリットルを仕込み、スターラーチップを
用いて加熱撹拌を行った。内温が55℃になった後、1
−ヘキセン15g(0.18mol)をゆっくりと滴下
した。滴下開始と同時に内温が上昇し始めたため、加熱
をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60±3℃に保ち
1時間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析したとこ
ろ、目的物であるヘキシルトリエトキシシランの収率は
90.8%(仕込み1−ヘキセン基準)であった。
【0030】(比較例4)空気の代わりに比較例1で使
用した窒素を用いた以外は、実施例8と同様の条件で反
応を行った。実施例8と異なり、滴下を開始しても内温
の上昇は認められず、内温を60±3℃に保ち5時間反
応させた。反応終了後、ガスクロ分析したところ、目的
物であるヘキシルトリエトキシシランの収率は30.5
%(仕込み1−ヘキセン基準)であった。
用した窒素を用いた以外は、実施例8と同様の条件で反
応を行った。実施例8と異なり、滴下を開始しても内温
の上昇は認められず、内温を60±3℃に保ち5時間反
応させた。反応終了後、ガスクロ分析したところ、目的
物であるヘキシルトリエトキシシランの収率は30.5
%(仕込み1−ヘキセン基準)であった。
【0031】(実施例9)100mlガラス製4つ口フ
ラスコに温度計、冷却器、滴下ロートおよび空気導入管
を取り付け、15分間200ml/分の流速で空気を流
した。その後流速を20ml/分とし、フラスコ内にト
リメトキシシラン20.6g(0.17mol)および
0.05M−H2 PtCl6 ・6H2 Oのベンゾニトリ
ル溶液35.6マイクロリットルを仕込み、スターラー
チップを用いて加熱撹拌を行った。内温が55℃になっ
た後、1−ヘキセン15g(0.18mol)をゆっく
りと滴下した。滴下開始と同時に内温が上昇し始めたた
め、加熱をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60±3
℃に保ち2時間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析
したところ、目的物であるヘキシルトリメトキシシラン
の収率は75.9%(仕込み1−ヘキセン基準)であっ
た。
ラスコに温度計、冷却器、滴下ロートおよび空気導入管
を取り付け、15分間200ml/分の流速で空気を流
した。その後流速を20ml/分とし、フラスコ内にト
リメトキシシラン20.6g(0.17mol)および
0.05M−H2 PtCl6 ・6H2 Oのベンゾニトリ
ル溶液35.6マイクロリットルを仕込み、スターラー
チップを用いて加熱撹拌を行った。内温が55℃になっ
た後、1−ヘキセン15g(0.18mol)をゆっく
りと滴下した。滴下開始と同時に内温が上昇し始めたた
め、加熱をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60±3
℃に保ち2時間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析
したところ、目的物であるヘキシルトリメトキシシラン
の収率は75.9%(仕込み1−ヘキセン基準)であっ
た。
【0032】(比較例5)空気の代わりに比較例1で使
用した窒素を用いた以外は、実施例9と同様の条件で反
応を行った。実施例9と異なり、滴下を開始しても内温
の上昇は認められず、内温を60±3℃に保ち2時間反
応させた。反応終了後、ガスクロ分析したところ、目的
物であるヘキシルトリメトキシシランの収率は3.2%
(仕込み1−ヘキセン基準)であった。
用した窒素を用いた以外は、実施例9と同様の条件で反
応を行った。実施例9と異なり、滴下を開始しても内温
の上昇は認められず、内温を60±3℃に保ち2時間反
応させた。反応終了後、ガスクロ分析したところ、目的
物であるヘキシルトリメトキシシランの収率は3.2%
(仕込み1−ヘキセン基準)であった。
【0033】(実施例10)100mlガラス製4つ口
フラスコに温度計、冷却器、滴下ロートおよび空気導入
管を取り付け、15分間200ml/分の流速で空気を
流した。その後流速を20ml/分とし、フラスコ内に
トリエトキシシラン26.4g(0.16mol)およ
び0.05M−H2 PtCl6 ・6H2 Oのベンゾニト
リル溶液3.6マイクロリットルを仕込み、スターラー
チップを用いて加熱撹拌を行った。内温が55℃になっ
た後、1−オクテン20g(0.18mol)をゆっく
りと滴下した。滴下開始と同時に内温が上昇し始めたた
め、加熱をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60±3
℃に保ち3時間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析
したところ、目的物であるオクチルトリエトキシシラン
の収率は88.9%(仕込み1−オクテン基準)であっ
た。
フラスコに温度計、冷却器、滴下ロートおよび空気導入
管を取り付け、15分間200ml/分の流速で空気を
流した。その後流速を20ml/分とし、フラスコ内に
トリエトキシシラン26.4g(0.16mol)およ
び0.05M−H2 PtCl6 ・6H2 Oのベンゾニト
リル溶液3.6マイクロリットルを仕込み、スターラー
チップを用いて加熱撹拌を行った。内温が55℃になっ
た後、1−オクテン20g(0.18mol)をゆっく
りと滴下した。滴下開始と同時に内温が上昇し始めたた
め、加熱をやめ、冷風にて冷却しながら内温を60±3
℃に保ち3時間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析
したところ、目的物であるオクチルトリエトキシシラン
の収率は88.9%(仕込み1−オクテン基準)であっ
た。
【0034】(比較例6)空気の代わりに比較例1で使
用した窒素を用いた以外は、実施例10と同様の条件で
反応を行った。実施例10と異なり、滴下を開始しても
内温の上昇は認められず、内温を60±3℃に保ち3時
間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析したところ、
目的物であるオクチルトリエトキシシランの収率は1
0.3%(仕込み1−オクテン基準)であった。
用した窒素を用いた以外は、実施例10と同様の条件で
反応を行った。実施例10と異なり、滴下を開始しても
内温の上昇は認められず、内温を60±3℃に保ち3時
間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析したところ、
目的物であるオクチルトリエトキシシランの収率は1
0.3%(仕込み1−オクテン基準)であった。
【0035】(実施例11)100mlガラス製4つ口
フラスコに温度計、冷却器、滴下ロートおよび空気導入
管を取り付け、15分間200ml/分の流速で空気を
流した。その後流速を20ml/分とし、フラスコ内に
トリエトキシシラン26.4g(0.16mol)およ
び0.05M−H2 PtCl6 ・6H2 Oのベンゾニト
リル溶液35.6マイクロリットルを仕込み、スターラ
ーチップを用いて加熱撹拌を行った。内温が30℃にな
った後、1−ペンテン12.5g(0.18mol)を
ゆっくりと滴下した。滴下開始と同時に内温がやや上昇
し始めたため、加熱をやめ、冷風にて冷却しながら内温
を35±3℃に保ち4時間反応させた。反応終了後、ガ
スクロ分析したところ、目的物であるペンチルトリエト
キシシランの収率は75.5%(仕込み1−ペンテン基
準)であった。
フラスコに温度計、冷却器、滴下ロートおよび空気導入
管を取り付け、15分間200ml/分の流速で空気を
流した。その後流速を20ml/分とし、フラスコ内に
トリエトキシシラン26.4g(0.16mol)およ
び0.05M−H2 PtCl6 ・6H2 Oのベンゾニト
リル溶液35.6マイクロリットルを仕込み、スターラ
ーチップを用いて加熱撹拌を行った。内温が30℃にな
った後、1−ペンテン12.5g(0.18mol)を
ゆっくりと滴下した。滴下開始と同時に内温がやや上昇
し始めたため、加熱をやめ、冷風にて冷却しながら内温
を35±3℃に保ち4時間反応させた。反応終了後、ガ
スクロ分析したところ、目的物であるペンチルトリエト
キシシランの収率は75.5%(仕込み1−ペンテン基
準)であった。
【0036】(比較例7)空気の代わりに比較例1で使
用した窒素を用いた以外は、実施例11と同様の条件で
反応を行った。実施例11と異なり、滴下を開始しても
内温の上昇は認められず、内温を35±3℃に保ち4時
間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析したところ、
目的物であるペンチルトリエトキシシランの収率は1
1.2%(仕込み1−ペンテン基準)であった。
用した窒素を用いた以外は、実施例11と同様の条件で
反応を行った。実施例11と異なり、滴下を開始しても
内温の上昇は認められず、内温を35±3℃に保ち4時
間反応させた。反応終了後、ガスクロ分析したところ、
目的物であるペンチルトリエトキシシランの収率は1
1.2%(仕込み1−ペンテン基準)であった。
【0037】
【発明の効果】本発明の有機含ケイ素化合物の製造方法
は、ヒドロシラン類と末端二重結合を有する不飽和炭化
水素化合物とを、第8族金属触媒を用いて付加反応させ
る際、酸素存在の雰囲気で反応させることを特徴とする
もので、触媒活性を高め、付加反応時間を短くすること
ができる。このため、吸水防止剤、撥水・撥油剤等の原
料として工業的に有用な有機含ケイ素化合物の生産性を
高めることができ、その工業的価値は著しく大きいもの
である。
は、ヒドロシラン類と末端二重結合を有する不飽和炭化
水素化合物とを、第8族金属触媒を用いて付加反応させ
る際、酸素存在の雰囲気で反応させることを特徴とする
もので、触媒活性を高め、付加反応時間を短くすること
ができる。このため、吸水防止剤、撥水・撥油剤等の原
料として工業的に有用な有機含ケイ素化合物の生産性を
高めることができ、その工業的価値は著しく大きいもの
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07F 7/04 C07F 7/04 H // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300
Claims (2)
- 【請求項1】 末端二重結合を有する不飽和炭化水素お
よび一般式(1)で示されるヒドロシラン化合物を、第
8族金属触媒を用いて反応させて有機含ケイ素化合物を
製造するに当たり、反応を酸素存在雰囲気で行うことを
特徴とする有機含ケイ素化合物の製造方法。 Ha SiRb X4-(a+b) …(1) (式中、Rはアルキル基、シクロアルキル基またはアリ
ール基を表し、Xはアルコキシ基またはアリールオキシ
基を表し、aは1または2であり、bは0、1または2
であり、かつa+bは3以下である。) - 【請求項2】 一般式(1)で示されるヒドロシラン化
合物がトリアルコキシシランであることを特徴とする請
求項1の有機含ケイ素化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7100743A JPH08269070A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 有機含ケイ素化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7100743A JPH08269070A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 有機含ケイ素化合物の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08269070A true JPH08269070A (ja) | 1996-10-15 |
Family
ID=14282041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7100743A Pending JPH08269070A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 有機含ケイ素化合物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08269070A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002265474A (ja) * | 2001-03-13 | 2002-09-18 | Daicel Chem Ind Ltd | イミド化合物を触媒として用いた有機化合物の製造方法 |
US10894801B2 (en) * | 2018-07-03 | 2021-01-19 | Evonik Operations Gmbh | Process for producing alkylalkoxysilanes |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7100743A patent/JPH08269070A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002265474A (ja) * | 2001-03-13 | 2002-09-18 | Daicel Chem Ind Ltd | イミド化合物を触媒として用いた有機化合物の製造方法 |
US10894801B2 (en) * | 2018-07-03 | 2021-01-19 | Evonik Operations Gmbh | Process for producing alkylalkoxysilanes |
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