JPH08255758A - プラズマ気相成長装置 - Google Patents
プラズマ気相成長装置Info
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- JPH08255758A JPH08255758A JP5637295A JP5637295A JPH08255758A JP H08255758 A JPH08255758 A JP H08255758A JP 5637295 A JP5637295 A JP 5637295A JP 5637295 A JP5637295 A JP 5637295A JP H08255758 A JPH08255758 A JP H08255758A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 生産性を向上したプラズマ気相成長装置を提
供する。 【構成】 電極15上にガラス基板Ｇを載置しマスク18に
て保持する。電極15内のヒータ16を過熱するとともに、
成膜用ガス系から成膜ガスを供給し、吹出用シャワーヘ
ッド４のガス噴出孔８から反応室１内に供給する。吹出
用シャワーヘッド４にＲＦ電源21から高周波電圧を印加
し、吹出用シャワーヘッド４および電極15間で放電を行
なわせてプラズマ状態とし、ガラス基板Ｇの表面に薄膜
を形成する。放電空間の周囲の排気用制御板13、マスク
18およびチャンバ壁防着板19のいずれも絶縁性のセラミ
ック部品にて形成しているため、吹出用シャワーヘッド
４および電極15間以外では放電が生じないため、成膜時
に異常放電が生じない。反応室１内をクリーニングする
場合には、クリーニング用ガス系からクリーニング用ガ
スを供給し、吹出用シャワーヘッド４のガス噴出孔８か
ら反応室１内に供給する。
供する。 【構成】 電極15上にガラス基板Ｇを載置しマスク18に
て保持する。電極15内のヒータ16を過熱するとともに、
成膜用ガス系から成膜ガスを供給し、吹出用シャワーヘ
ッド４のガス噴出孔８から反応室１内に供給する。吹出
用シャワーヘッド４にＲＦ電源21から高周波電圧を印加
し、吹出用シャワーヘッド４および電極15間で放電を行
なわせてプラズマ状態とし、ガラス基板Ｇの表面に薄膜
を形成する。放電空間の周囲の排気用制御板13、マスク
18およびチャンバ壁防着板19のいずれも絶縁性のセラミ
ック部品にて形成しているため、吹出用シャワーヘッド
４および電極15間以外では放電が生じないため、成膜時
に異常放電が生じない。反応室１内をクリーニングする
場合には、クリーニング用ガス系からクリーニング用ガ
スを供給し、吹出用シャワーヘッド４のガス噴出孔８か
ら反応室１内に供給する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマにより反応性
気体を分解し、薄膜を形成するプラズマ気相成長装置に
関する。
気体を分解し、薄膜を形成するプラズマ気相成長装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、プラズマＣＶＤ法は比較的低温
で薄膜を形成することができる利点を有するため、最
近、ＴＦＴ−ＬＣＤ用の薄膜トランジスタの製造に用い
られている。特に、ＴＦＴ−ＬＣＤの分野では画面の大
型化、多面取り化が要求され、画面を形成するガラス基
板の周辺部まで使用されてきている。
で薄膜を形成することができる利点を有するため、最
近、ＴＦＴ−ＬＣＤ用の薄膜トランジスタの製造に用い
られている。特に、ＴＦＴ−ＬＣＤの分野では画面の大
型化、多面取り化が要求され、画面を形成するガラス基
板の周辺部まで使用されてきている。
【０００３】さらに、生産性の向上、歩留まりの向上な
どの要求から、ガラス基板を一枚ずつ処理する枚葉プラ
ズマＣＶＤ装置が注目されるようになってきている。こ
の枚葉プラズマＣＶＤ装置については、たとえば共立出
版発行の『薄膜化技術』に記載されているように、コイ
ル結合型および容量結合型があり、これらは半導体製造
プロセスあるいはａ−Ｓｉ薄膜太陽電池の製造プロセス
に適用されている。
どの要求から、ガラス基板を一枚ずつ処理する枚葉プラ
ズマＣＶＤ装置が注目されるようになってきている。こ
の枚葉プラズマＣＶＤ装置については、たとえば共立出
版発行の『薄膜化技術』に記載されているように、コイ
ル結合型および容量結合型があり、これらは半導体製造
プロセスあるいはａ−Ｓｉ薄膜太陽電池の製造プロセス
に適用されている。
【０００４】そして、この容量結合型のプラズマＣＶＤ
装置では、放電電極と、この放電電極と対をなしＳｉウ
エハなどの基板を配設する他方の電極とが同一の大きさ
に形成され、この他方の電極上に電極面積より小さい基
板を配設して成膜を行なっている。このため、膜厚分布
および膜質分布など良好な領域のみを成膜有効領域とし
て使用することになり、大きな面積を取ることができな
い。
装置では、放電電極と、この放電電極と対をなしＳｉウ
エハなどの基板を配設する他方の電極とが同一の大きさ
に形成され、この他方の電極上に電極面積より小さい基
板を配設して成膜を行なっている。このため、膜厚分布
および膜質分布など良好な領域のみを成膜有効領域とし
て使用することになり、大きな面積を取ることができな
い。
【０００５】このため、たとえば特開昭５４−５８３６
１号公報に記載されているように、放電電極および他方
の電極の面積が同一にし、放電電極と他方の電極との間
の距離を部分的に可変して、プラズマ均一性を図った構
成が知られている。
１号公報に記載されているように、放電電極および他方
の電極の面積が同一にし、放電電極と他方の電極との間
の距離を部分的に可変して、プラズマ均一性を図った構
成が知られている。
【０００６】ところが、基板としてはＳｉウエハなどの
半導体基板を用いており、放電電極および他方の電極は
同一面積であり、この場合もプラズマ有効領域は電極の
面積より小さい領域になってしまう。
半導体基板を用いており、放電電極および他方の電極は
同一面積であり、この場合もプラズマ有効領域は電極の
面積より小さい領域になってしまう。
【０００７】また、たとえば特開昭５９−２３７４号公
報に記載されているように、チャンバ内の付着物の低減
および付着を防止して、高周波の放電電極の周囲を包囲
する隔離壁を設けた構成も知られている。この隔離壁は
石英製で、付着物の低減効果はあるものの放電領域を狭
く規定してしまい、電極領域周辺部でのプラズマ均一性
の改善は期待できず、膜厚分布および膜質分布は改善さ
れず、この場合もプラズマ有効領域が電極より小さくな
ってしまう。
報に記載されているように、チャンバ内の付着物の低減
および付着を防止して、高周波の放電電極の周囲を包囲
する隔離壁を設けた構成も知られている。この隔離壁は
石英製で、付着物の低減効果はあるものの放電領域を狭
く規定してしまい、電極領域周辺部でのプラズマ均一性
の改善は期待できず、膜厚分布および膜質分布は改善さ
れず、この場合もプラズマ有効領域が電極より小さくな
ってしまう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のいずれの場合に
も、半導体製造あるいは太陽電池製造を対象としたもの
であり、成膜用基板としては主としてＳｉウエハを用い
ており、電極領域に対し基板領域が狭いものであり、大
面積化には十分に対応できないあるいは異常放電が生ず
るおそれがある問題を有している。
も、半導体製造あるいは太陽電池製造を対象としたもの
であり、成膜用基板としては主としてＳｉウエハを用い
ており、電極領域に対し基板領域が狭いものであり、大
面積化には十分に対応できないあるいは異常放電が生ず
るおそれがある問題を有している。
【０００９】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、大面積化に十分対応できあるいは異常放電を防止で
き生産性を向上したプラズマ気相成長装置を提供するこ
とを目的とする。
で、大面積化に十分対応できあるいは異常放電を防止で
き生産性を向上したプラズマ気相成長装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のプラズマ
気相成長装置は、一方の電極と、この一方の電極に対向
して設けられ、絶縁性基板を固定する他方の電極と、前
記一方の電極および他方の電極間に高周波電力を印加し
て前記一方の電極および他方の電極間に放電してプラズ
マを発生させる高周波電力供給手段と、前記一方の電極
および他方の電極間で放電する放電空間の周囲に設けら
れた絶縁手段とを具備したものである。
気相成長装置は、一方の電極と、この一方の電極に対向
して設けられ、絶縁性基板を固定する他方の電極と、前
記一方の電極および他方の電極間に高周波電力を印加し
て前記一方の電極および他方の電極間に放電してプラズ
マを発生させる高周波電力供給手段と、前記一方の電極
および他方の電極間で放電する放電空間の周囲に設けら
れた絶縁手段とを具備したものである。
【００１１】請求項２記載のプラズマ気相成長装置は、
一方の電極と、この一方の電極に対向して設けられ、絶
縁性基板を固定する他方の電極と、前記一方の電極とほ
ぼ同一平面で前記一方の電極の周囲の少なくとも一部に
突出して設けられた拡張電極部と、前記一方の電極およ
び他方の電極間に高周波電力を印加して前記一方の電極
および他方の電極間にプラズマを発生させる高周波電力
供給手段とを具備したものである。
一方の電極と、この一方の電極に対向して設けられ、絶
縁性基板を固定する他方の電極と、前記一方の電極とほ
ぼ同一平面で前記一方の電極の周囲の少なくとも一部に
突出して設けられた拡張電極部と、前記一方の電極およ
び他方の電極間に高周波電力を印加して前記一方の電極
および他方の電極間にプラズマを発生させる高周波電力
供給手段とを具備したものである。
【００１２】請求項３記載のプラズマ気相成長装置は、
請求項２記載のプラズマ気相成長装置において、一方の
電極は、ガス噴出孔を有し、拡張電極部は、ガス噴出孔
を有さないものである。
請求項２記載のプラズマ気相成長装置において、一方の
電極は、ガス噴出孔を有し、拡張電極部は、ガス噴出孔
を有さないものである。
【００１３】
【作用】本発明のプラズマ気相成長装置は、一方の電極
および他方の電極間で放電する放電空間の周囲に絶縁手
段を設けたため、高周波電力供給手段により一方の電極
および他方の電極間で放電を行なう際に、周囲との間で
異常放電を生じない。
および他方の電極間で放電する放電空間の周囲に絶縁手
段を設けたため、高周波電力供給手段により一方の電極
および他方の電極間で放電を行なう際に、周囲との間で
異常放電を生じない。
【００１４】また、本発明のプラズマ気相成長装置は、
一方の電極とほぼ同一平面で一方の電極の周囲の少なく
とも一部に突出して拡張電極部を設けたため、絶縁性基
板に対向する一方の電極の面積が実質的に大きくなるの
で、絶縁性基板の大型化に対応する。
一方の電極とほぼ同一平面で一方の電極の周囲の少なく
とも一部に突出して拡張電極部を設けたため、絶縁性基
板に対向する一方の電極の面積が実質的に大きくなるの
で、絶縁性基板の大型化に対応する。
【００１５】
【実施例】以下、本発明のプラズマ気相成長装置の一実
施例を図面に示すアクティブ型のＴＦＴ−ＬＣＤ製造用
の枚葉プラズマＣＶＤ装置（ケミカル・ベーパー・デポ
ジション）を参照して説明する。
施例を図面に示すアクティブ型のＴＦＴ−ＬＣＤ製造用
の枚葉プラズマＣＶＤ装置（ケミカル・ベーパー・デポ
ジション）を参照して説明する。
【００１６】図１において、１は反応室で、この反応室
１の上部には吸気用筒部２が形成され、側部上方には排
気用筒部３が連通形成されている。
１の上部には吸気用筒部２が形成され、側部上方には排
気用筒部３が連通形成されている。
【００１７】そして、反応室１の上部側には一方の電極
となるアルミナコートされた吹出用シャワーヘッド４が
配設され、この吹出用シャワーヘッド４は内部に中空の
拡散室５が形成され、この拡散室５には上方に吸気管６
が連通され、吹出用シャワーヘッド４の下部にはガス噴
出孔８が多数形成されている。また、反応室１の吸気用
筒部２と吹出用シャワーヘッド４の吸気管６との間には
シール材11が介挿されてシールするとともに、反応室１
の上内面と吹出用シャワーヘッド４の上面との間にはシ
ール材12が介挿されてシールしている。
となるアルミナコートされた吹出用シャワーヘッド４が
配設され、この吹出用シャワーヘッド４は内部に中空の
拡散室５が形成され、この拡散室５には上方に吸気管６
が連通され、吹出用シャワーヘッド４の下部にはガス噴
出孔８が多数形成されている。また、反応室１の吸気用
筒部２と吹出用シャワーヘッド４の吸気管６との間には
シール材11が介挿されてシールするとともに、反応室１
の上内面と吹出用シャワーヘッド４の上面との間にはシ
ール材12が介挿されてシールしている。
【００１８】さらに、吹出用シャワーヘッド４のガス噴
出孔８を有する面と下面が面一に絶縁性であるセラミッ
ク部品からなる排気制御板13が吹出用シャワーヘッド４
から突出して形成されている。
出孔８を有する面と下面が面一に絶縁性であるセラミッ
ク部品からなる排気制御板13が吹出用シャワーヘッド４
から突出して形成されている。
【００１９】また、反応室１の下面側には吹出用シャワ
ーヘッド４に対向する他方の電極としての電極15が形成
され、この電極15は内部にヒータ16を有している。そし
て、この電極15の上面にはＴＦＴ−ＬＣＤ用の絶縁性基
板としてのガラス基板Ｇが載置され、このガラス基板Ｇ
は中央の部分に反応窓17が形成された絶縁性であるセラ
ミック部品からなるマスク18にて保持される。
ーヘッド４に対向する他方の電極としての電極15が形成
され、この電極15は内部にヒータ16を有している。そし
て、この電極15の上面にはＴＦＴ−ＬＣＤ用の絶縁性基
板としてのガラス基板Ｇが載置され、このガラス基板Ｇ
は中央の部分に反応窓17が形成された絶縁性であるセラ
ミック部品からなるマスク18にて保持される。
【００２０】さらに、反応室１の吹出用シャワーヘッド
４および電極15の周囲、すなわち放電空間の周囲となる
内側面は、絶縁性であるセラミック部品からなる絶縁手
段としてのチャンバ壁防着板19で被覆されている。
４および電極15の周囲、すなわち放電空間の周囲となる
内側面は、絶縁性であるセラミック部品からなる絶縁手
段としてのチャンバ壁防着板19で被覆されている。
【００２１】そして、吹出用シャワーヘッド４には高周
波電力供給手段としてのＲＦ電源21が接続され、電極15
はアースされ、吹出用シャワーヘッド４と電極15との間
で放電が行なわれる。
波電力供給手段としてのＲＦ電源21が接続され、電極15
はアースされ、吹出用シャワーヘッド４と電極15との間
で放電が行なわれる。
【００２２】また、反応室１には、図２に示すように、
吸気管６に設けられる反応性気体である成膜用ガスを供
給する成膜用ガス系22、クリーニング用ガスを供給する
クリーニング用ガス系23および排気用筒部３に設けられ
る排気用の排気系24を有している。そして、成膜用ガス
系22はＮＨ3 ガスを貯蔵するＮＨ3 ボンベ31、Ｎ2 ガス
を貯蔵するＮ2 ボンベ32、Ｈ2 ガスを貯蔵するＨ2 ボン
ベ33およびＳｉＨ4 ガスを貯蔵するＳｉＨ4 ボンベ34を
有しており、ＮＨ3 ボンベ31、Ｎ2 ボンベ32、Ｈ2 ボン
ベ33およびＳｉＨ4 ボンベ34はそれぞれ開閉用のバルブ
35，36，37，38を有している。また、クリーニング用ガ
ス系23はＮＦ3 ガスを貯蔵するＮＦ3 ボンベ39およびＡ
ｒガスを貯蔵するＡｒボンベ40を有しており、ＮＦ3 ボ
ンベ39およびＡｒボンベ40はそれぞれ開閉用のバルブ4
1，42を有している。またさらに、排気系24は排気用の
ポンプ43およびこのポンプ43の排気を開閉するバルブ44
を有している。
吸気管６に設けられる反応性気体である成膜用ガスを供
給する成膜用ガス系22、クリーニング用ガスを供給する
クリーニング用ガス系23および排気用筒部３に設けられ
る排気用の排気系24を有している。そして、成膜用ガス
系22はＮＨ3 ガスを貯蔵するＮＨ3 ボンベ31、Ｎ2 ガス
を貯蔵するＮ2 ボンベ32、Ｈ2 ガスを貯蔵するＨ2 ボン
ベ33およびＳｉＨ4 ガスを貯蔵するＳｉＨ4 ボンベ34を
有しており、ＮＨ3 ボンベ31、Ｎ2 ボンベ32、Ｈ2 ボン
ベ33およびＳｉＨ4 ボンベ34はそれぞれ開閉用のバルブ
35，36，37，38を有している。また、クリーニング用ガ
ス系23はＮＦ3 ガスを貯蔵するＮＦ3 ボンベ39およびＡ
ｒガスを貯蔵するＡｒボンベ40を有しており、ＮＦ3 ボ
ンベ39およびＡｒボンベ40はそれぞれ開閉用のバルブ4
1，42を有している。またさらに、排気系24は排気用の
ポンプ43およびこのポンプ43の排気を開閉するバルブ44
を有している。
【００２３】次に、上記実施例の動作について説明す
る。
る。
【００２４】まず、電極15上にガラス基板Ｇを載置しマ
スク18にて保持する。電極15内のヒータ16を過熱すると
ともに、バルブ35，36，37，38を開き、成膜用ガス系22
からＮＨ3 ガス、Ｎ2 ガス、Ｈ2 ガスおよびＳｉＨ4 ガ
スを供給し、吹出用シャワーヘッド４のガス噴出孔８か
ら反応室１内を成膜ガス雰囲気にする。
スク18にて保持する。電極15内のヒータ16を過熱すると
ともに、バルブ35，36，37，38を開き、成膜用ガス系22
からＮＨ3 ガス、Ｎ2 ガス、Ｈ2 ガスおよびＳｉＨ4 ガ
スを供給し、吹出用シャワーヘッド４のガス噴出孔８か
ら反応室１内を成膜ガス雰囲気にする。
【００２５】そして、吹出用シャワーヘッド４にＲＦ電
源21から高周波電圧を印加し、吹出用シャワーヘッド４
および電極15間で放電を行なわせてプラズマ状態とし、
ガラス基板Ｇの表面に薄膜を形成する。
源21から高周波電圧を印加し、吹出用シャワーヘッド４
および電極15間で放電を行なわせてプラズマ状態とし、
ガラス基板Ｇの表面に薄膜を形成する。
【００２６】なお、必要に応じてバルブ44を開き、ポン
プ43を駆動させて、排気用筒部３から反応室１内の排気
を行なう。
プ43を駆動させて、排気用筒部３から反応室１内の排気
を行なう。
【００２７】また、放電空間の周囲の排気制御板13、マ
スク18およびチャンバ壁防着板19のいずれもが絶縁性の
セラミック部品にて形成されているため、吹出用シャワ
ーヘッド４および電極15間以外では放電が生じないた
め、成膜時に異常放電が生じない。
スク18およびチャンバ壁防着板19のいずれもが絶縁性の
セラミック部品にて形成されているため、吹出用シャワ
ーヘッド４および電極15間以外では放電が生じないた
め、成膜時に異常放電が生じない。
【００２８】さらに、反応室１内をクリーニングする場
合には、バルブ41，42を開き、クリーニング用ガス系23
からＮＦ3 ガス、Ａｒガスを供給し、吹出用シャワーヘ
ッド４のガス噴出孔８から反応室１内をクリーニングガ
ス雰囲気にする。
合には、バルブ41，42を開き、クリーニング用ガス系23
からＮＦ3 ガス、Ａｒガスを供給し、吹出用シャワーヘ
ッド４のガス噴出孔８から反応室１内をクリーニングガ
ス雰囲気にする。
【００２９】そして、図１および図２に示すプラズマ気
相成長装置を用いてＴＦＴ−ＬＣＤを作製し、ＴＦＴ特
性を評価したところ、図４に示すように、図３に示すガ
ラス基板の中心部に沿った部分IIのＴＦＴのオン電流
は、周辺部Ｉ，III のオン電流に対して約２倍の値を示
し、すなわちガラス基板Ｇの周辺部Ｉ，III で良好なオ
ン電流が得られないことがあることがわかる。したがっ
て、このガラス基板Ｇを用いて画像表示を行なった場
合、書き込み不足が生じ、表示不均一性を生じるおそれ
もある。
相成長装置を用いてＴＦＴ−ＬＣＤを作製し、ＴＦＴ特
性を評価したところ、図４に示すように、図３に示すガ
ラス基板の中心部に沿った部分IIのＴＦＴのオン電流
は、周辺部Ｉ，III のオン電流に対して約２倍の値を示
し、すなわちガラス基板Ｇの周辺部Ｉ，III で良好なオ
ン電流が得られないことがあることがわかる。したがっ
て、このガラス基板Ｇを用いて画像表示を行なった場
合、書き込み不足が生じ、表示不均一性を生じるおそれ
もある。
【００３０】次に、他の実施例を図５を参照して説明す
る。
る。
【００３１】この図５に示す実施例は、図１に示す実施
例において、吹出用シャワーヘッド４の周囲の排気制御
板13の下面に吹出用シャワーヘッド４の下面から面一の
導体からなる拡張電極部51を設けたものである。この拡
張電極部51は、吹出シャワーヘッド４と電気的に同一電
位にしている。
例において、吹出用シャワーヘッド４の周囲の排気制御
板13の下面に吹出用シャワーヘッド４の下面から面一の
導体からなる拡張電極部51を設けたものである。この拡
張電極部51は、吹出シャワーヘッド４と電気的に同一電
位にしている。
【００３２】そして、基本的な動作は図１および図２に
示す実施例と同様であるが、ガラス基板Ｇなどの絶縁性
基板に成膜する場合、ガラス基板Ｇに対向するいわゆる
対向電極である吹出用シャワーヘッド４は、拡張電極部
51分だけガラス基板Ｇより大きな面積となり、ガラス基
板Ｇの周辺部の電界均一性が向上し、膜厚分布および膜
質分布が向上する。
示す実施例と同様であるが、ガラス基板Ｇなどの絶縁性
基板に成膜する場合、ガラス基板Ｇに対向するいわゆる
対向電極である吹出用シャワーヘッド４は、拡張電極部
51分だけガラス基板Ｇより大きな面積となり、ガラス基
板Ｇの周辺部の電界均一性が向上し、膜厚分布および膜
質分布が向上する。
【００３３】この図５に示すプラズマ気相成長装置を用
いてＴＦＴ−ＬＣＤを作成し、ＴＦＴ特性を評価したと
ころ、図７に示すように、図６に示すガラス基板Ｇの中
心部に沿った部分IIのオン電流と、周辺部Ｉ，III のオ
ン電流とはほほ同等の値を示す。つまり、ガラス基板Ｇ
の周辺部Ｉ，III のオン電流が改善されたことが分か
り、このガラス基板Ｇを用いて画像表示を行なった場
合、書き込み特性は十分であり、均一性良好な画像が得
られた。
いてＴＦＴ−ＬＣＤを作成し、ＴＦＴ特性を評価したと
ころ、図７に示すように、図６に示すガラス基板Ｇの中
心部に沿った部分IIのオン電流と、周辺部Ｉ，III のオ
ン電流とはほほ同等の値を示す。つまり、ガラス基板Ｇ
の周辺部Ｉ，III のオン電流が改善されたことが分か
り、このガラス基板Ｇを用いて画像表示を行なった場
合、書き込み特性は十分であり、均一性良好な画像が得
られた。
【００３４】さらに、図９に拡張電極部51の大きさによ
るＴＦＴのオン電流のへの影響を評価した結果を示す。
図８に示すように、ガラス基板Ｇに対し、長さおよび幅
がそれぞれ２５ｍｍ大きい拡張電極部51Ｉ、同様に５０
ｍｍ大きい拡張電極部51IIを用いてＴＦＴのオン電流を
評価した。
るＴＦＴのオン電流のへの影響を評価した結果を示す。
図８に示すように、ガラス基板Ｇに対し、長さおよび幅
がそれぞれ２５ｍｍ大きい拡張電極部51Ｉ、同様に５０
ｍｍ大きい拡張電極部51IIを用いてＴＦＴのオン電流を
評価した。
【００３５】この結果、２５ｍｍの拡張電極部51Ｉを用
いた場合のオン電流特性も、５０ｍｍの拡張電極部51II
を用いた場合のオン電流特性もいずれもガラス基板Ｇの
端部から良好な特性を示し、拡張電極部51は２５ｍｍ幅
でもオン電流特性は問題ないことを示しており、画像表
示を行なった場合も書き込み特性は十分であり、均一性
良好な画像が得られた。したがって、比較的大きなガラ
ス基板Ｇを用いても十分に薄膜を形成でき、ガラス基板
Ｇの周辺部まで有効利用できるため、大面積でのＴＦＴ
−ＬＣＤ作製、あるいは、複数のデバイスを同一基板に
形成可能であり、ガラス基板Ｇの周辺部にも無駄が生じ
ることなく生産性を向上できる。
いた場合のオン電流特性も、５０ｍｍの拡張電極部51II
を用いた場合のオン電流特性もいずれもガラス基板Ｇの
端部から良好な特性を示し、拡張電極部51は２５ｍｍ幅
でもオン電流特性は問題ないことを示しており、画像表
示を行なった場合も書き込み特性は十分であり、均一性
良好な画像が得られた。したがって、比較的大きなガラ
ス基板Ｇを用いても十分に薄膜を形成でき、ガラス基板
Ｇの周辺部まで有効利用できるため、大面積でのＴＦＴ
−ＬＣＤ作製、あるいは、複数のデバイスを同一基板に
形成可能であり、ガラス基板Ｇの周辺部にも無駄が生じ
ることなく生産性を向上できる。
【００３６】なお、上記実施例では、拡張電極部51にガ
ス噴出孔を有していない場合について説明したが、ガス
噴出孔を設けても同様の効果を得ることができるととも
に、拡張電極部51は一体部品あるいは取り外し可能な複
数の別体部品のいずれの場合にも同様の効果を得ること
ができる。
ス噴出孔を有していない場合について説明したが、ガス
噴出孔を設けても同様の効果を得ることができるととも
に、拡張電極部51は一体部品あるいは取り外し可能な複
数の別体部品のいずれの場合にも同様の効果を得ること
ができる。
【００３７】また、平行平板型のプラズマ処理装置にお
いても同様である。
いても同様である。
【００３８】
【発明の効果】本発明のプラズマ気相成長装置によれ
ば、放電空間の周囲に絶縁手段を設けたため、周囲との
間で異常放電を生じないので、生産性向上および絶縁性
基板の有効利用を向上できる。
ば、放電空間の周囲に絶縁手段を設けたため、周囲との
間で異常放電を生じないので、生産性向上および絶縁性
基板の有効利用を向上できる。
【００３９】また、本発明のプラズマ気相成長装置によ
れば、一方の電極の周囲に突出して拡張電極部を設けた
ため、絶縁性基板に対向する一方の電極の面積が実質的
に大きくなるので、絶縁性基板の周囲も中心と同様に膜
形成を行なえ、絶縁基板の周辺部までを無駄にすること
なく、絶縁性基板の大型化に対応でき、生産性向上およ
び絶縁性基板の有効利用を向上できる。
れば、一方の電極の周囲に突出して拡張電極部を設けた
ため、絶縁性基板に対向する一方の電極の面積が実質的
に大きくなるので、絶縁性基板の周囲も中心と同様に膜
形成を行なえ、絶縁基板の周辺部までを無駄にすること
なく、絶縁性基板の大型化に対応でき、生産性向上およ
び絶縁性基板の有効利用を向上できる。
【図１】本発明のプラズマ気相成長装置の一実施例を示
す概略図である。
す概略図である。
【図２】同上成膜用ガス系、クリーニング用ガス系およ
び排気系を含めて示す構成図である。
び排気系を含めて示す構成図である。
【図３】同上ガラス基板の位置関係を示す説明図であ
る。
る。
【図４】同上図３に示す位置とオン電流との関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図５】他の実施例のプラズマ気相成長装置を示す概略
図である。
図である。
【図６】同上ガラス基板の位置関係を示す説明図であ
る。
る。
【図７】同上図６に示す位置とオン電流との関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図８】同上拡張電極部の大きさ関係を示す説明図であ
る。
る。
【図９】同上図８に示す拡張電極部の大きさとオン電流
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
４ 一方の電極としての吹出用シャワーヘッド ８ ガス噴出孔 15 他方の電極 19 絶縁手段としてのチャンバ壁防着板 21 高周波電力供給手段としてのＲＦ電源 51 拡張電極部 Ｇ 絶縁性基板としてのガラス基板
Claims (3)
- 【請求項１】 一方の電極と、 この一方の電極に対向して設けられ、絶縁性基板を固定
する他方の電極と、 前記一方の電極および他方の電極間に高周波電力を印加
して前記一方の電極および他方の電極間に放電してプラ
ズマを発生させる高周波電力供給手段と、 前記一方の電極および他方の電極間で放電する放電空間
の周囲に設けられた絶縁手段とを具備したことを特徴と
するプラズマ気相成長装置。 - 【請求項２】 一方の電極と、 この一方の電極に対向して設けられ、絶縁性基板を固定
する他方の電極と、 前記一方の電極とほぼ同一平面で前記一方の電極の周囲
の少なくとも一部に突出して設けられた拡張電極部と、 前記一方の電極および他方の電極間に高周波電力を印加
して前記一方の電極および他方の電極間にプラズマを発
生させる高周波電力供給手段とを具備したことを特徴と
するプラズマ気相成長装置。 - 【請求項３】 一方の電極は、ガス噴出孔を有し拡張電
極部は、ガス噴出孔を有さないことを特徴とする請求項
２記載のプラズマ気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5637295A JPH08255758A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | プラズマ気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5637295A JPH08255758A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | プラズマ気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08255758A true JPH08255758A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13025433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5637295A Pending JPH08255758A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | プラズマ気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08255758A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6167836B1 (en) | 1997-04-02 | 2001-01-02 | Nec Corporation | Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus |
| JP2002343779A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| KR100469142B1 (ko) * | 1997-12-10 | 2005-06-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의금속오염방지방법 |
| WO2007069334A1 (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | フラットパネルディスプレイの製造方法 |
| KR100761680B1 (ko) * | 2004-11-17 | 2007-09-28 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
| JP2008038178A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Tokki Corp | プラズマ方式マスクｃｖｄ装置 |
| US9449859B2 (en) * | 2009-10-09 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas centrally cooled showerhead design |
| KR20160129066A (ko) * | 2014-03-03 | 2016-11-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마 모듈레이션에 의한 에지 험프 감소 페이스플레이트 |
| JP2019024090A (ja) * | 2013-11-06 | 2019-02-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Ｄｃバイアス変調による、粒子発生抑制装置 |
-
1995
- 1995-03-15 JP JP5637295A patent/JPH08255758A/ja active Pending
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