JPH08252766A - 研磨砥粒およびこの研磨砥粒を用いて製造された磁気ディスク - Google Patents
研磨砥粒およびこの研磨砥粒を用いて製造された磁気ディスクInfo
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- JPH08252766A JPH08252766A JP5842895A JP5842895A JPH08252766A JP H08252766 A JPH08252766 A JP H08252766A JP 5842895 A JP5842895 A JP 5842895A JP 5842895 A JP5842895 A JP 5842895A JP H08252766 A JPH08252766 A JP H08252766A
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- particle size
- magnetic disk
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気ディスクの基板のテクスチャ加工に好適な
研磨砥粒を見出し、この研磨砥粒でテクスチャを形成し
た基板を用いて高記密度でＣＳＳ特性に優れＲ／Ｗのエ
ラーの少ない磁気ディスクを提供する。 【構成】Ｄ５０径が０．５μｍ〜１０μｍでかつＤ９０
径／ＭＯＤＥ径が１．７以下の粒度分布を有する砥粒を
粗粒とし、Ｄ５０径が粗粒のＤ５０径の０．１倍〜０．
９倍の範囲内でその最大粒径が粗粒の最大粒径を超えな
い粒度分布を有する砥粒を細粒とし、これらの粗粒と細
粒を容量混合比９５：５〜４０：６０で混合して研磨砥
粒とし、この研磨砥粒でテクスチャを形成した基板を用
いて磁気ディスクを作製する。
研磨砥粒を見出し、この研磨砥粒でテクスチャを形成し
た基板を用いて高記密度でＣＳＳ特性に優れＲ／Ｗのエ
ラーの少ない磁気ディスクを提供する。 【構成】Ｄ５０径が０．５μｍ〜１０μｍでかつＤ９０
径／ＭＯＤＥ径が１．７以下の粒度分布を有する砥粒を
粗粒とし、Ｄ５０径が粗粒のＤ５０径の０．１倍〜０．
９倍の範囲内でその最大粒径が粗粒の最大粒径を超えな
い粒度分布を有する砥粒を細粒とし、これらの粗粒と細
粒を容量混合比９５：５〜４０：６０で混合して研磨砥
粒とし、この研磨砥粒でテクスチャを形成した基板を用
いて磁気ディスクを作製する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、研磨砥粒，特に固定
磁気ディスク記憶装置に使用される磁気ディスクの基板
の表面のテクスチャ加工に好適な研磨砥粒およびこの研
磨砥粒を用いて基板にテクスチャ加工を施して製造され
た磁気ディスクに関する。
磁気ディスク記憶装置に使用される磁気ディスクの基板
の表面のテクスチャ加工に好適な研磨砥粒およびこの研
磨砥粒を用いて基板にテクスチャ加工を施して製造され
た磁気ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】固定磁気ディスク記憶装置は、コンピュ
ーターの小型化，高性能化に合わせて小型化，高記録密
度化が進んでいる。記録密度を向上させるためには、固
定磁気ディスク記憶装置で磁気ヘッドと磁気ディスクと
の間の距離をできるだけ小さくすることが必要で、その
点では両者の表面はできるだけ鏡面であることが望まし
い。ところが、固定磁気ディスク記憶装置においては、
装置停止時には磁気ヘッドと磁気ディスクは停止して互
いに接触しており、装置稼働時は高速回転する磁気ディ
スク上を磁気ヘッドが僅かに浮上して走行しながら情報
の書き込みあるいは読み出しを行う，いわゆるＣＳＳ
（コンタクト・スタート・ストップ）方式が採られる。
従って、磁気ディスク表面が完全な鏡面であると摩擦係
数が大きくて、接触停止時に磁気ディスク表面に磁気ヘ
ッドが吸着してしまったり、装置稼働開始時および稼働
停止に過渡的に両者が摺動するするので磁気ディスクが
磨耗して磁性層が破壊されたりしてしまうので、磁気デ
ィスク表面に微細な凹凸を形成して接触面積を小さく
し、摩擦係数を下げることが必要である。一般に、金属
薄膜磁気ディスクではディスク状の基板の表面を研磨テ
ープや研磨スラリを含ませたバフなどで同心円状に擦っ
て凹凸の条痕を形成するテクスチャ加工を施しておくこ
とにより、磁気ディスク表面に所要の微細な凹凸を形成
することが行われている。
ーターの小型化，高性能化に合わせて小型化，高記録密
度化が進んでいる。記録密度を向上させるためには、固
定磁気ディスク記憶装置で磁気ヘッドと磁気ディスクと
の間の距離をできるだけ小さくすることが必要で、その
点では両者の表面はできるだけ鏡面であることが望まし
い。ところが、固定磁気ディスク記憶装置においては、
装置停止時には磁気ヘッドと磁気ディスクは停止して互
いに接触しており、装置稼働時は高速回転する磁気ディ
スク上を磁気ヘッドが僅かに浮上して走行しながら情報
の書き込みあるいは読み出しを行う，いわゆるＣＳＳ
（コンタクト・スタート・ストップ）方式が採られる。
従って、磁気ディスク表面が完全な鏡面であると摩擦係
数が大きくて、接触停止時に磁気ディスク表面に磁気ヘ
ッドが吸着してしまったり、装置稼働開始時および稼働
停止に過渡的に両者が摺動するするので磁気ディスクが
磨耗して磁性層が破壊されたりしてしまうので、磁気デ
ィスク表面に微細な凹凸を形成して接触面積を小さく
し、摩擦係数を下げることが必要である。一般に、金属
薄膜磁気ディスクではディスク状の基板の表面を研磨テ
ープや研磨スラリを含ませたバフなどで同心円状に擦っ
て凹凸の条痕を形成するテクスチャ加工を施しておくこ
とにより、磁気ディスク表面に所要の微細な凹凸を形成
することが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】固定磁気ディスク記憶
装置において、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間の摩擦
係数を低く、また、ＣＳＳを繰り返しても上昇しないよ
うにするには、上述のテクスチャ形状が磁気ヘッドの荷
重を分散して受けられるように均一かつ緻密な凹凸であ
ることが望まれる。しかしながら、従来の研磨砥粒によ
るテクスチャ加工では、充分満足できる均一で緻密な凹
凸のテクスチャが形成できていないのが現状である。
装置において、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間の摩擦
係数を低く、また、ＣＳＳを繰り返しても上昇しないよ
うにするには、上述のテクスチャ形状が磁気ヘッドの荷
重を分散して受けられるように均一かつ緻密な凹凸であ
ることが望まれる。しかしながら、従来の研磨砥粒によ
るテクスチャ加工では、充分満足できる均一で緻密な凹
凸のテクスチャが形成できていないのが現状である。
【０００４】また、テクスチャの凹部の深い谷の部分は
磁気ヘッドとの距離（クリアランス）が相対的に大きい
ことになるので充分なＲ／Ｗ出力が得られずエラーとな
ってしまう場合がある。従って、深い谷を形成しない均
一なテクスチャ加工が望まれていた。この発明は、上述
の点に鑑みてなされたものであって、磁気ディスクの基
板のテクスチャ加工に好適な、均一でかつ緻密な凹凸を
形成できる研磨砥粒を提供し、この研磨砥粒を用いた研
磨テープあるいは研磨スラリでテクスチャ加工を施した
基板を用いることにより、高記録密度でＣＳＳ特性に優
れ、かつ、Ｒ／Ｗのエラーの少ない磁気ディスクを提供
することを目的とする。
磁気ヘッドとの距離（クリアランス）が相対的に大きい
ことになるので充分なＲ／Ｗ出力が得られずエラーとな
ってしまう場合がある。従って、深い谷を形成しない均
一なテクスチャ加工が望まれていた。この発明は、上述
の点に鑑みてなされたものであって、磁気ディスクの基
板のテクスチャ加工に好適な、均一でかつ緻密な凹凸を
形成できる研磨砥粒を提供し、この研磨砥粒を用いた研
磨テープあるいは研磨スラリでテクスチャ加工を施した
基板を用いることにより、高記録密度でＣＳＳ特性に優
れ、かつ、Ｒ／Ｗのエラーの少ない磁気ディスクを提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、この発明
によれば、篩上質量分布が５０％となる粒径（Ｄ５０
径）が０．５μｍないし１０μｍの範囲内で、かつ、篩
上質量分布が９０％となる粒径（Ｄ９０径）と質量頻度
分布の頂点の粒径（ＭＯＤＥ径）との比（Ｄ９０径／Ｍ
ＯＤＥ径）が１．７以下である粒度分布を有する砥粒を
粗粒とし、篩上質量分布が５０％となる粒径（Ｄ５０
径）が前記粗粒の篩上質量分布が５０％となる粒径（Ｄ
５０径）の０．１倍ないし０．９倍の範囲内の粒度分布
を有する砥粒で、かつ、その最大粒径が前記粗粒の最大
粒径を超えない粒度分布を有する砥粒を細粒とし、これ
らの粗粒と細粒とを容量混合比９５：５ないし４０：６
０の範囲内で混合して得られる研磨砥粒によって解決さ
れる。
によれば、篩上質量分布が５０％となる粒径（Ｄ５０
径）が０．５μｍないし１０μｍの範囲内で、かつ、篩
上質量分布が９０％となる粒径（Ｄ９０径）と質量頻度
分布の頂点の粒径（ＭＯＤＥ径）との比（Ｄ９０径／Ｍ
ＯＤＥ径）が１．７以下である粒度分布を有する砥粒を
粗粒とし、篩上質量分布が５０％となる粒径（Ｄ５０
径）が前記粗粒の篩上質量分布が５０％となる粒径（Ｄ
５０径）の０．１倍ないし０．９倍の範囲内の粒度分布
を有する砥粒で、かつ、その最大粒径が前記粗粒の最大
粒径を超えない粒度分布を有する砥粒を細粒とし、これ
らの粗粒と細粒とを容量混合比９５：５ないし４０：６
０の範囲内で混合して得られる研磨砥粒によって解決さ
れる。
【０００６】砥粒の材質としては単結晶ダイヤモンドが
好適である。上述のような特定の粒度分布を有する粗粒
と細粒とを適量混合した研磨砥粒を用いた研磨スラリま
たは研磨テープにより、基板表面にテクスチャ加工を施
し、この基板を用いることにより、高記録密度でＣＳＳ
特性に優れ、かつ、Ｒ／Ｗのエラーの少ない磁気ディス
クを得ることができる。
好適である。上述のような特定の粒度分布を有する粗粒
と細粒とを適量混合した研磨砥粒を用いた研磨スラリま
たは研磨テープにより、基板表面にテクスチャ加工を施
し、この基板を用いることにより、高記録密度でＣＳＳ
特性に優れ、かつ、Ｒ／Ｗのエラーの少ない磁気ディス
クを得ることができる。
【０００７】
【作用】研磨砥粒の粒度分布において、篩上質量分布が
９０％となる粒径（Ｄ９０径）と質量頻度分布の頂点の
粒径（ＭＯＤＥ径）との比（Ｄ９０径／ＭＯＤＥ径）が
小さくなるほど，すなわち，ＭＯＤＥ径より大きい粒径
側の粒度分布の幅が狭くなればなるほど、均一な凹凸の
研磨面が得られる。
９０％となる粒径（Ｄ９０径）と質量頻度分布の頂点の
粒径（ＭＯＤＥ径）との比（Ｄ９０径／ＭＯＤＥ径）が
小さくなるほど，すなわち，ＭＯＤＥ径より大きい粒径
側の粒度分布の幅が狭くなればなるほど、均一な凹凸の
研磨面が得られる。
【０００８】また、篩上質量分布が５０％となる粒径
（Ｄ５０径）が大きい粒度分布を有する砥粒を粗粒と
し、これよりＤ５０径が小さい粒度分布を有する砥粒を
細粒とし、両者を混合して研磨砥粒とすることによっ
て、従来の一種類の粒度分布の砥粒からなる研磨砥粒の
場合よりも、緻密な凹凸の研磨面が得られる。そうし
て、Ｄ５０径が０．５μｍないし１０μｍの範囲内であ
り、かつ、Ｄ９０径／ＭＯＤＥ径が１．７以下の粒度分
布を有する砥粒を粗粒とし、この粗粒のＤ５０径の０．
１倍ないし０．９倍，望ましくは０．３倍ないし０．７
倍の範囲内のＤ５０径を有し、かつ、その最大粒径が前
記粗粒の最大粒径を超えない粒度分布を有する砥粒を細
粒とし、両者を容量混合比で９５：５ないし４０：６０
の範囲内で混合して研磨砥粒とし、この研磨砥粒を用い
ることにより均一で緻密な凹凸の研磨面が得られる。
（Ｄ５０径）が大きい粒度分布を有する砥粒を粗粒と
し、これよりＤ５０径が小さい粒度分布を有する砥粒を
細粒とし、両者を混合して研磨砥粒とすることによっ
て、従来の一種類の粒度分布の砥粒からなる研磨砥粒の
場合よりも、緻密な凹凸の研磨面が得られる。そうし
て、Ｄ５０径が０．５μｍないし１０μｍの範囲内であ
り、かつ、Ｄ９０径／ＭＯＤＥ径が１．７以下の粒度分
布を有する砥粒を粗粒とし、この粗粒のＤ５０径の０．
１倍ないし０．９倍，望ましくは０．３倍ないし０．７
倍の範囲内のＤ５０径を有し、かつ、その最大粒径が前
記粗粒の最大粒径を超えない粒度分布を有する砥粒を細
粒とし、両者を容量混合比で９５：５ないし４０：６０
の範囲内で混合して研磨砥粒とし、この研磨砥粒を用い
ることにより均一で緻密な凹凸の研磨面が得られる。
【０００９】磁気ディスクの基板の表面にこのような研
磨砥粒を用いた研磨スラリあるいは研磨テープで研磨す
るテクスチャ加工を施すことにより、均一で緻密な凹凸
のテクスチャを形成することができ、高記録密度でＣＳ
Ｓ特性に優れ、Ｒ／Ｗのエラーの少ない磁気ディスクを
得ることができる。研磨砥粒の粗粒のＤ５０径が０．５
μｍ未満であると表面粗さが小さくて磁気ディスク表面
の摩擦係数が大きくなり、また、磁気ヘッドの吸着が起
き易くなり、１０μｍを超えると表面粗さが大きくて磁
気ヘッドの浮上量を小さくすることができず、高記録密
度が実現できなくなる。また、粗粒のＤ９０径／ＭＯＤ
Ｅ径が１．７を超えると、凹凸の谷の深さが深くなる箇
所が生じ、Ｒ／Ｗのエラー個数が多くなる問題がでてく
る。また、緻密な表面粗さとするためには細粒のＤ５０
径を粗粒のＤ５０径の０．１倍ないし０．９倍，望まし
くは０．３倍ないし０．７倍の範囲内とすることが必要
である。また、細粒の最大粒径が粗粒の最大粒径よりも
大きくなると、スクラッチが発生するようになるので好
ましくない。また、研磨砥粒の細粒の混合比が５容量％
より少なくなると表面粗さが大きくなりすぎ、６０容量
％を超えると表面粗さが小さくなりすぎるので好ましく
ない。
磨砥粒を用いた研磨スラリあるいは研磨テープで研磨す
るテクスチャ加工を施すことにより、均一で緻密な凹凸
のテクスチャを形成することができ、高記録密度でＣＳ
Ｓ特性に優れ、Ｒ／Ｗのエラーの少ない磁気ディスクを
得ることができる。研磨砥粒の粗粒のＤ５０径が０．５
μｍ未満であると表面粗さが小さくて磁気ディスク表面
の摩擦係数が大きくなり、また、磁気ヘッドの吸着が起
き易くなり、１０μｍを超えると表面粗さが大きくて磁
気ヘッドの浮上量を小さくすることができず、高記録密
度が実現できなくなる。また、粗粒のＤ９０径／ＭＯＤ
Ｅ径が１．７を超えると、凹凸の谷の深さが深くなる箇
所が生じ、Ｒ／Ｗのエラー個数が多くなる問題がでてく
る。また、緻密な表面粗さとするためには細粒のＤ５０
径を粗粒のＤ５０径の０．１倍ないし０．９倍，望まし
くは０．３倍ないし０．７倍の範囲内とすることが必要
である。また、細粒の最大粒径が粗粒の最大粒径よりも
大きくなると、スクラッチが発生するようになるので好
ましくない。また、研磨砥粒の細粒の混合比が５容量％
より少なくなると表面粗さが大きくなりすぎ、６０容量
％を超えると表面粗さが小さくなりすぎるので好ましく
ない。
【００１０】砥粒の材質としては、単結晶ダイヤモンド
が特に好適で、単結晶ダイヤモンド砥粒を用いることに
より、スクラッチのない均一な凹凸を形成することがで
き、Ｒ／Ｗのエラーの少ない優れた性能の磁気ディスク
を得ることができる。
が特に好適で、単結晶ダイヤモンド砥粒を用いることに
より、スクラッチのない均一な凹凸を形成することがで
き、Ｒ／Ｗのエラーの少ない優れた性能の磁気ディスク
を得ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の実施例について説明する。 実施例１ Ｄ５０径２μｍ，ＭＯＤＥ径２．３μｍ，Ｄ９０径２．
７μｍ，最大粒径３．９μｍの粒度分布（粒度分布の測
定は、以下のものも含めて、レーザー回折／散乱式粒度
分布測定装置（ＭＩＣＲＯＴＲＡＣ社製；型式ＦＲＡ）
により行う）を有する単結晶ダイヤモンド砥粒を粗粒と
し、Ｄ５０径０．５μｍ，最大粒径１．５μｍの粒度分
布を有する単結晶ダイヤモンド砥粒を細粒とし、これら
の粗粒と細粒を容量で８：２の割合で混合して研磨砥粒
とする。この研磨砥粒をジエチレングリコールモノブチ
ルエーテルの２０％水溶液に２０カラット／リットルと
なるように分散して研磨スラリを調合した。
７μｍ，最大粒径３．９μｍの粒度分布（粒度分布の測
定は、以下のものも含めて、レーザー回折／散乱式粒度
分布測定装置（ＭＩＣＲＯＴＲＡＣ社製；型式ＦＲＡ）
により行う）を有する単結晶ダイヤモンド砥粒を粗粒と
し、Ｄ５０径０．５μｍ，最大粒径１．５μｍの粒度分
布を有する単結晶ダイヤモンド砥粒を細粒とし、これら
の粗粒と細粒を容量で８：２の割合で混合して研磨砥粒
とする。この研磨砥粒をジエチレングリコールモノブチ
ルエーテルの２０％水溶液に２０カラット／リットルと
なるように分散して研磨スラリを調合した。
【００１２】この研磨スラリを用いて、図１の説明図に
示すような加工装置を用いて、Ａｌ板表面にＮｉ−Ｐ層
を無電解めっき法で形成した３．５インチのＡｌ／Ｎｉ
−Ｐめっき基板表面（基板表面粗さが中心線平均粗さＲ
a で３０Å以下，最大高さＲ max で５００Å以下）にテ
クスチャ加工を施す。基板１を１０００ｒｐｍで矢印Ａ
の方向に回転しながら、その表面に植毛バフテープ２
（石丸産業（株）製；ＩＤＮｏ．４）を圧接ローラー３
で圧接して矢印Ｂの方向に走行させながら、その表面に
３．０ミリリットル／分の量でノズル４により前記研磨
スラリを滴下しながら３０秒の研磨加工を行ってテクス
チャを形成した後、研磨粉およびクーラントが残らない
ように精密洗浄して乾燥した。
示すような加工装置を用いて、Ａｌ板表面にＮｉ−Ｐ層
を無電解めっき法で形成した３．５インチのＡｌ／Ｎｉ
−Ｐめっき基板表面（基板表面粗さが中心線平均粗さＲ
a で３０Å以下，最大高さＲ max で５００Å以下）にテ
クスチャ加工を施す。基板１を１０００ｒｐｍで矢印Ａ
の方向に回転しながら、その表面に植毛バフテープ２
（石丸産業（株）製；ＩＤＮｏ．４）を圧接ローラー３
で圧接して矢印Ｂの方向に走行させながら、その表面に
３．０ミリリットル／分の量でノズル４により前記研磨
スラリを滴下しながら３０秒の研磨加工を行ってテクス
チャを形成した後、研磨粉およびクーラントが残らない
ように精密洗浄して乾燥した。
【００１３】このようにしてテクスチャを形成した基板
上に、スパッタ法で、Ｃｒ下地層，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ磁
性層，ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）保護層を
形成し、その上に、ディップコート法で、液体潤滑剤を
塗布して潤滑層を形成し磁気ディスクとした。 実施例２ Ｄ５０径２．３μｍ，ＭＯＤＥ径２．７μｍ，Ｄ９０径
３．８μｍ，最大粒径４．６μｍの粒度分布を有する単
結晶ダイヤモンド砥粒を粗粒とし、Ｄ５０径０．８μ
ｍ，最大粒径２．１μｍの粒度分布を有する単結晶ダイ
ヤモンド砥粒を細粒とし、これらの粗粒と細粒を容量で
５：５の割合で混合した研磨砥粒をジエチレングリコー
ルモノブチルエーテルの２０％水溶液に２０カラット／
リットルとなるように分散して研磨スラリを調合した。
上に、スパッタ法で、Ｃｒ下地層，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ磁
性層，ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）保護層を
形成し、その上に、ディップコート法で、液体潤滑剤を
塗布して潤滑層を形成し磁気ディスクとした。 実施例２ Ｄ５０径２．３μｍ，ＭＯＤＥ径２．７μｍ，Ｄ９０径
３．８μｍ，最大粒径４．６μｍの粒度分布を有する単
結晶ダイヤモンド砥粒を粗粒とし、Ｄ５０径０．８μ
ｍ，最大粒径２．１μｍの粒度分布を有する単結晶ダイ
ヤモンド砥粒を細粒とし、これらの粗粒と細粒を容量で
５：５の割合で混合した研磨砥粒をジエチレングリコー
ルモノブチルエーテルの２０％水溶液に２０カラット／
リットルとなるように分散して研磨スラリを調合した。
【００１４】この研磨スラリを用いて、その他は実施例
１と同様にして、磁気ディスクを作製した。 実施例３ Ｄ５０径３．７μｍ，ＭＯＤＥ径３．８μｍ，Ｄ９０径
４．７μｍ，最大粒径６．５μｍの粒度分布を有するア
ルミナ砥粒（フジミインコーポレット製；ＷＡ＃４００
０）を粗粒とし、Ｄ５０径０．８μｍ，最大粒径３．３
μｍの粒度分布を有するアルミナ砥粒（フジミインコー
ポレット製；ＷＡ＃８０００）を細粒とし、これらの粗
粒と細粒を容量で７：３の割合で混合した研磨砥粒を研
磨クーラント（カストロール社製；ＪＳ６０２）３％と
分散剤（東亜合成化学工業（株）製；Ａ−２０Ｕ）０．
２％との水溶液に５重量％となるように分散して研磨ス
ラリを調合した。
１と同様にして、磁気ディスクを作製した。 実施例３ Ｄ５０径３．７μｍ，ＭＯＤＥ径３．８μｍ，Ｄ９０径
４．７μｍ，最大粒径６．５μｍの粒度分布を有するア
ルミナ砥粒（フジミインコーポレット製；ＷＡ＃４００
０）を粗粒とし、Ｄ５０径０．８μｍ，最大粒径３．３
μｍの粒度分布を有するアルミナ砥粒（フジミインコー
ポレット製；ＷＡ＃８０００）を細粒とし、これらの粗
粒と細粒を容量で７：３の割合で混合した研磨砥粒を研
磨クーラント（カストロール社製；ＪＳ６０２）３％と
分散剤（東亜合成化学工業（株）製；Ａ−２０Ｕ）０．
２％との水溶液に５重量％となるように分散して研磨ス
ラリを調合した。
【００１５】この研磨スラリを用いて、その他は実施例
１と同様にして、磁気ディスクを作製した。 比較例１ 実施例１で用いた粗粒のみからなる研磨砥粒をジエチレ
ングリコールモノブチルエーテルの２０％水溶液に２０
カラット／リットルとなるように分散して研磨スラリを
調合した。
１と同様にして、磁気ディスクを作製した。 比較例１ 実施例１で用いた粗粒のみからなる研磨砥粒をジエチレ
ングリコールモノブチルエーテルの２０％水溶液に２０
カラット／リットルとなるように分散して研磨スラリを
調合した。
【００１６】この研磨スラリを用いて、その他は実施例
１と同様にして、磁気ディスクを作製した。 比較例２ 実施例３で用いた粗粒のみからなる研磨砥粒を研磨クー
ラント（カストロール社製；ＪＳ６０２）３％と分散剤
（東亜合成化学工業（株）製；Ａ−２０Ｕ）０．２％と
の水溶液に５重量％となるように分散して研磨スラリを
調合した。
１と同様にして、磁気ディスクを作製した。 比較例２ 実施例３で用いた粗粒のみからなる研磨砥粒を研磨クー
ラント（カストロール社製；ＪＳ６０２）３％と分散剤
（東亜合成化学工業（株）製；Ａ−２０Ｕ）０．２％と
の水溶液に５重量％となるように分散して研磨スラリを
調合した。
【００１７】この研磨スラリを用いて、その他は実施例
１と同様にして、磁気ディスクを作製した。 比較例３ Ｄ５０径２．２μｍ，ＭＯＤＥ径２．１μｍ，Ｄ９０径
３．９μｍ，最大粒径５．１μｍの粒度分布を有する単
結晶ダイヤモンド砥粒を研磨砥粒とし、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテルの２０％水溶液に２０カラッ
ト／リットルとなるように分散して研磨スラリを調合し
た。
１と同様にして、磁気ディスクを作製した。 比較例３ Ｄ５０径２．２μｍ，ＭＯＤＥ径２．１μｍ，Ｄ９０径
３．９μｍ，最大粒径５．１μｍの粒度分布を有する単
結晶ダイヤモンド砥粒を研磨砥粒とし、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテルの２０％水溶液に２０カラッ
ト／リットルとなるように分散して研磨スラリを調合し
た。
【００１８】この研磨スラリを用いて、その他は実施例
１と同様にして、磁気ディスクを作製した。 比較例４ 比較例３で用いた単結晶ダイヤモンド砥粒を粗粒とし、
これに実施例１で用いた細粒を８：２の容量比で混合し
た研磨砥粒を、ジエチレングリコールモノブチルエーテ
ルの２０％水溶液に２０カラット／リットルとなるよう
に分散して研磨スラリを調合した。
１と同様にして、磁気ディスクを作製した。 比較例４ 比較例３で用いた単結晶ダイヤモンド砥粒を粗粒とし、
これに実施例１で用いた細粒を８：２の容量比で混合し
た研磨砥粒を、ジエチレングリコールモノブチルエーテ
ルの２０％水溶液に２０カラット／リットルとなるよう
に分散して研磨スラリを調合した。
【００１９】この研磨スラリを用いて、その他は実施例
１と同様にして、磁気ディスクを作製した。以上のよう
にして作製した実施例および比較例の各磁気ディスクに
ついて、表面粗さ，磁気ディスクと磁気ヘッドを接触状
態で２４時間放置した後の静摩擦係数（Ｓｔｉｃｔｉｏ
ｎ−μ），ＣＳＳ５００００回後の動摩擦係数（ＣＳＳ
−μ），Ｒ／Ｗのエラー特性を評価した。表面粗さとし
ては、中心線平均粗さＲa ，最大高さＲmax のほかに、
テクスチャーの緻密さを表すパラメーターとして中心線
平均ピーク間隔Ｓm ，深い谷のパラメーターとして最大
深さＲV を測定した。測定は、小坂研究所製のサーフコ
ーダーＥＴ−３０Ｋを用い、スタイラス径０．５μｍ，
測定長０．２５ｍｍで２４点測定し、その平均値を測定
値とした。エラー特性は、磁気ヘッドはＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉＣマイクロスライダー薄膜ヘッドを用い、磁気ヘッド
浮上量１．２５μインチ，試験周波数１８．７ＭＨｚで
Ｒ／Ｗ試験を実施して、スライスレベル６５％でのエラ
ー個数を比較した。これらの評価結果を表１に示す。表
１の性能欄には各測定項目についての測定値の評価およ
び総合評価を示した。◎印は優れていることを、○印は
良好であることを、×印は不良であることを示す。
１と同様にして、磁気ディスクを作製した。以上のよう
にして作製した実施例および比較例の各磁気ディスクに
ついて、表面粗さ，磁気ディスクと磁気ヘッドを接触状
態で２４時間放置した後の静摩擦係数（Ｓｔｉｃｔｉｏ
ｎ−μ），ＣＳＳ５００００回後の動摩擦係数（ＣＳＳ
−μ），Ｒ／Ｗのエラー特性を評価した。表面粗さとし
ては、中心線平均粗さＲa ，最大高さＲmax のほかに、
テクスチャーの緻密さを表すパラメーターとして中心線
平均ピーク間隔Ｓm ，深い谷のパラメーターとして最大
深さＲV を測定した。測定は、小坂研究所製のサーフコ
ーダーＥＴ−３０Ｋを用い、スタイラス径０．５μｍ，
測定長０．２５ｍｍで２４点測定し、その平均値を測定
値とした。エラー特性は、磁気ヘッドはＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉＣマイクロスライダー薄膜ヘッドを用い、磁気ヘッド
浮上量１．２５μインチ，試験周波数１８．７ＭＨｚで
Ｒ／Ｗ試験を実施して、スライスレベル６５％でのエラ
ー個数を比較した。これらの評価結果を表１に示す。表
１の性能欄には各測定項目についての測定値の評価およ
び総合評価を示した。◎印は優れていることを、○印は
良好であることを、×印は不良であることを示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１に見られるように、実施例１の磁気デ
ィスクは実施例１の粗粒のみで基板のテクスチャ加工を
行った比較例１の磁気ディスクより性能が優れており、
また、実施例２の磁気ディスクも実施例２の粗粒のみで
基板のテクスチャ加工を行った比較例２の磁気ディスク
より性能が優れており、また、比較例３の磁気ディスク
は実施例２の粗粒よりは細かい砥粒を用いて基板のテク
スチャ加工が行われているにもかかわらず性能が良くな
い。この発明の粗粒と細粒を混合した研磨砥粒の効果は
明らかである。また、比較例４の磁気ディスクの結果よ
り、粗粒と細粒を混合した研磨砥粒で基板のテクスチャ
加工が行われた場合でも粗粒のＤ９０径／ＭＯＤＥ径が
１．８６と１．７より大きい場合には良好な磁気ディス
クが得られないことが判る。また、実施例の各磁気ディ
スクの結果より、研磨砥粒の粒度分布とテクスチャの緻
密さ，均一さとの関係は砥粒の材質には左右されない
が、単結晶ダイヤモンド砥粒がＲ／Ｗのエラー個数が少
なくて優れていることが判る。
ィスクは実施例１の粗粒のみで基板のテクスチャ加工を
行った比較例１の磁気ディスクより性能が優れており、
また、実施例２の磁気ディスクも実施例２の粗粒のみで
基板のテクスチャ加工を行った比較例２の磁気ディスク
より性能が優れており、また、比較例３の磁気ディスク
は実施例２の粗粒よりは細かい砥粒を用いて基板のテク
スチャ加工が行われているにもかかわらず性能が良くな
い。この発明の粗粒と細粒を混合した研磨砥粒の効果は
明らかである。また、比較例４の磁気ディスクの結果よ
り、粗粒と細粒を混合した研磨砥粒で基板のテクスチャ
加工が行われた場合でも粗粒のＤ９０径／ＭＯＤＥ径が
１．８６と１．７より大きい場合には良好な磁気ディス
クが得られないことが判る。また、実施例の各磁気ディ
スクの結果より、研磨砥粒の粒度分布とテクスチャの緻
密さ，均一さとの関係は砥粒の材質には左右されない
が、単結晶ダイヤモンド砥粒がＲ／Ｗのエラー個数が少
なくて優れていることが判る。
【００２２】以上示した例は、いずれもテクスチャ加工
を研磨スラリで行った場合について述べたが、研磨テー
プで行った場合でも同様の効果が得られた。
を研磨スラリで行った場合について述べたが、研磨テー
プで行った場合でも同様の効果が得られた。
【００２３】
【発明の効果】この発明によれば、Ｄ５０径が０．５μ
ｍないし１０μｍの範囲内で、かつ、Ｄ９０径とＭＯＤ
Ｅ径との比（Ｄ９０径／ＭＯＤＥ径）が１．７以下であ
る粒度分布を有する砥粒を粗粒とし、Ｄ５０径が前記粗
粒のＤ５０径の０．１倍ないし０．９倍の範囲内で、か
つ、その最大粒径が前記粗粒の最大粒径を超えない粒度
分布を有する砥粒を細粒とし、これら粗粒と細粒とを容
量混合比で９５：５ないし４０：６０の範囲内で混合し
た研磨砥粒を用いることにより、磁気ディスクの基板の
表面にテクスチャとして好適な、均一でかつ緻密な凹凸
を形成することができる。この研磨砥粒を用いた研磨テ
ープあるいは研磨スラリでテクスチャ加工を施した基板
を用いることにより、高記録密度でＣＳＳ特性に優れＲ
／Ｗのエラー個数の少ない磁気ディスクを得ることが可
能となる。
ｍないし１０μｍの範囲内で、かつ、Ｄ９０径とＭＯＤ
Ｅ径との比（Ｄ９０径／ＭＯＤＥ径）が１．７以下であ
る粒度分布を有する砥粒を粗粒とし、Ｄ５０径が前記粗
粒のＤ５０径の０．１倍ないし０．９倍の範囲内で、か
つ、その最大粒径が前記粗粒の最大粒径を超えない粒度
分布を有する砥粒を細粒とし、これら粗粒と細粒とを容
量混合比で９５：５ないし４０：６０の範囲内で混合し
た研磨砥粒を用いることにより、磁気ディスクの基板の
表面にテクスチャとして好適な、均一でかつ緻密な凹凸
を形成することができる。この研磨砥粒を用いた研磨テ
ープあるいは研磨スラリでテクスチャ加工を施した基板
を用いることにより、高記録密度でＣＳＳ特性に優れＲ
／Ｗのエラー個数の少ない磁気ディスクを得ることが可
能となる。
【図１】この発明に係わる基板のテクスチャ加工を行う
装置の一実施例の説明図
装置の一実施例の説明図
１ 基板 ２ バフテープ ３ 圧接ローラー ４ ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 芳昭 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】篩上質量分布が５０％となる粒径（Ｄ５０
径）が０．５μｍないし１０μｍの範囲内で、かつ、篩
上質量分布が９０％となる粒径（Ｄ９０径）と質量頻度
分布の頂点の粒径（ＭＯＤＥ径）の比（Ｄ９０径／ＭＯ
ＤＥ径）が１．７以下である粒度分布を有する砥粒を粗
粒とし、篩上質量分布が５０％となる粒径（Ｄ５０径）
が前記粗粒の篩上質量分布が５０％となる粒径（Ｄ５０
径）の０．１倍ないし０．９倍の範囲内で、かつ、その
最大粒径が前記粗粒の最大粒径を超えない粒度分布を有
する砥粒を細粒とし、両者が混合されてなる研磨砥粒で
あり、前記粗粒と細粒との容量混合比が９５：５ないし
４０：６０の範囲内であることを特徴とする研磨砥粒。 - 【請求項２】砥粒の材質が単結晶ダイヤモンドであるこ
とを特徴とする請求項１記載の研磨砥粒。 - 【請求項３】磁気ディスク基板の表面が、請求項１また
は２記載の研磨砥粒を用いた研磨スラリまたは研磨テー
プによりテクスチャ加工を施されてなることを特徴とす
る磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5842895A JPH08252766A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 研磨砥粒およびこの研磨砥粒を用いて製造された磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5842895A JPH08252766A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 研磨砥粒およびこの研磨砥粒を用いて製造された磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08252766A true JPH08252766A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13084116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5842895A Pending JPH08252766A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 研磨砥粒およびこの研磨砥粒を用いて製造された磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08252766A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002008122A1 (fr) * | 2000-07-21 | 2002-01-31 | The Ishizuka Research Institute, Ltd. | Poudre fine de diamant monocristalline a faible distribution en taille des particules et son procede de fabrication |
| WO2002048279A1 (fr) * | 2000-12-12 | 2002-06-20 | Showa Denko K.K. | Abrasif, boue abrasive, et procede de fabrication d'un abrasif |
| JP2002180034A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-26 | Showa Denko Kk | 研磨材スラリー及び研磨微粉 |
| US7037352B2 (en) | 2000-12-12 | 2006-05-02 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Polishing particle and method for producing polishing particle |
-
1995
- 1995-03-17 JP JP5842895A patent/JPH08252766A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002008122A1 (fr) * | 2000-07-21 | 2002-01-31 | The Ishizuka Research Institute, Ltd. | Poudre fine de diamant monocristalline a faible distribution en taille des particules et son procede de fabrication |
| WO2002048279A1 (fr) * | 2000-12-12 | 2002-06-20 | Showa Denko K.K. | Abrasif, boue abrasive, et procede de fabrication d'un abrasif |
| JP2002180034A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-26 | Showa Denko Kk | 研磨材スラリー及び研磨微粉 |
| US7037352B2 (en) | 2000-12-12 | 2006-05-02 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Polishing particle and method for producing polishing particle |
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