JPH08245452A - エリスロ−１，２−ビス（ ペンタフルオロフェニル） エタン−１，２− ジオールの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】1,2-ビス( ペンタフルオロフェニル) エタン-1
- ヒドロキシ-2- オンを水素化ホウ素金属又は水素化ア
ルミニウム金属で還元するこを特徴とするエリスロ- ビ
ス( ペンタフルオロフェニル) エタン-1,2- ジオールの
製造方法。 【効果】本発明によれば、1,2-ビス( ペンタフルオロフ
ェニル) エタン-1- ヒドロキシ-2- オンを水素化ホウ素
金属又は水素化アルミニウム金属で還元することによ
り、エリスロ- ビス( ペンタフルオロフェニル) エタン
-1,2- ジオールを選択的にしかも効率良く製造し得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はエリスロ- ビス( ペンタ
フルオロフェニル) エタン-1,2- ジオールの製造方法に
関し、詳しくは1,2-ビス( ペンタフルオロフェニル) エ
タン-1- ヒドロキシ-2- オンを水素化ホウ素金属又は水
素化アルミニウム金属で還元することによるエリスロ-
ビス( ペンタフルオロフェニル) エタン-1,2- ジオール
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術、発明が解決しようとする課題】エリスロ
- ビス( ペンタフルオロフェニル) エタン-1,2- ジオー
ルは、不斉合成の配位子として重要な光学活性ビス( ペ
ンタフルオロフェニル) エタン-1,2-ジオールの中間体
として有用であり、選択的に製造する方法が望まれてい
た。本発明者らは、エリスロ- ビス( ペンタフルオロフ
ェニル) エタン-1,2- ジオールの製造方法について、鋭
意検討を重ねた結果、1,2-ビス( ペンタフルオロフェニ
ル) エタン-1- ヒドロキシ-2- オンを水素化ホウ素金属
又は水素化アルミニウム金属で還元することにより、極
めて選択的にしかも容易に、目的とするエリスロ- ビス
( ペンタフルオロフェニル) エタン-1,2- ジオールが得
られることを見出すとともに、さらに種々の検討を加え
て本発明を完成した。

【０００３】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、1,2-
ビス( ペンタフルオロフェニル) エタン-1- ヒドロキシ
-2- オンを水素化ホウ素金属又は水素化アルミニウム金
属で還元するこを特徴とするエリスロ- ビス( ペンタフ
ルオロフェニル) エタン-1,2- ジオールの工業的に優れ
た製造方法を提供するものである。

【０００４】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明に使用される水素化ホウ素金属としては例えば水素
化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホ
ウ素リチウム、水素化ホウ素亜鉛等が挙げられるが、通
常は入手の容易な水素化ホウ素ナトリウムが用いられ
る。その使用量は、1,2-ビス( ペンタフルオロフェニ
ル) エタン-1- ヒドロキシ-2- オンに対して、水素換算
で通常1 〜30モル倍であり、好ましくは 1〜10モル倍で
ある。また、本発明に使用される水素化アルミニウム金
属としては，例えば水素化アルミニウムリチウム、トリ
(t- ブトキシ) アルミニウム等が挙げられるが、通常は
入手の容易な水素化アルミニウムリチウムが使用され
る。その使用量は、1,2-ビス( ペンタフルオロフェニ
ル) エタン-1- ヒドロキシ-2- オンに対して、水素換算
で通常 1〜30モル倍であり、好ましくは 1〜10モル倍で
ある。

【０００５】反応は、溶媒の存在下に通常実施される。
かかる溶媒としては反応に不活性なものであれば特に限
定はないが、水素化ホウ素金属を用いる場合は、例えば
メタノール、エタノール等のアルコール類、水、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジ
クロロエタン等のハロゲン化炭化水素、モノクロルベン
ゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水
素、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン等のエーテル類、これらの混合溶媒などが通常使用さ
れる。

【０００６】また水素化アルミニウム金属を用いる場合
は、例えばテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等の
エーテル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、
ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水
素これらの混合溶媒などが通常使用される。溶媒の使用
量は、1,2-ビス( ペンタフルオロフェニル) エタン-1-
ヒドロキシ-2- オンに対して、通常1 〜30重量倍、好ま
しくは1 〜10重量倍である。反応は、窒素、アルゴン等
の不活性ガス雰囲気下で通常実施される。その温度は通
常-40 〜100 ℃程度、好ましくは-20 〜80℃程度であ
る。

【０００７】本発明に使用される1,2-ビス( ペンタフル
オロフェニル) エタン-1- ヒドロキシ-2- オンは、ペン
タフルオロベンズアルデヒドを出発原料として、例えば
下記のような工程を経て製造し得る。

【０００８】 （式中、Ｘは水酸基の保護基を、Ｙ、Ｚは塩素、臭素又
はヨウ素原子を表す。）

【０００９】ペンタフルオロベンズアルデヒドにシアン
酸化合物（MCN)と水酸基に保護基を導入し得る化合物(X
Y)を反応させることよりシアンヒドリン類(4) を製造す
る。ここで、シアン酸化合物（MCN)としては、例えばシ
アン酸のナトリウム、カリウム等のシアン酸のアルカリ
金属塩が挙げられるが、シアン酸と塩基を併用すること
もできる。シアン酸化合物（MCN)の使用量は、ペンタフ
ルオロベンズアルデヒドに対して通常1 〜10モル倍であ
る。

【００１０】また水酸基に保護基を導入し得る化合物(X
Y)における Xとしては、例えばアセチル、プロピオニ
ル、ブチリル、ペンチリル等の低級脂肪族アシル基、塩
素、臭素等のバロゲン原子、メチル、エチル、プロピ
ル、ブチル等の低級アルキル基もしくはメトキシ、エト
キシ、プロポキシ、ブトキシ等の低級アルコキシ基が置
換していることもあるベンゾイル基、塩素、臭素等のハ
ロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、ブチル等の低
級アルキル基もしくはメトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、ブトキシ等の低級アルコキシ基が置換していること
もあるベンジル基、置換シリル基、テトラヒドロピラニ
ル基、テトラヒドロフラニル基、エトキシエチル、プロ
ポキシエチル等の低級アルコキシエチル基などが挙げら
れる。

【００１１】なかでも置換シリル基が好ましく、置換シ
リル基としては例えばトリメチルシリル、トリエチルシ
リル、t-ブチルジメチルシリル等のアルキル置換シリル
基、ジメチルフェニルシリル、ジメチルベンジルシリ
ル、メチルジベンジルシリル、トリベンジルシリル、メ
チルジフェニルシリル、トリフェニルシリル等のアリー
ル置換シリル基、アラルキル置換シリル基等があげられ
る。アリール置換シリル基、アラルキル置換シリル基に
おけるアリール、アラルキルは、塩素、臭素等のハロゲ
ン原子、メチル、エチル、プロピル、ブチル等の低級ア
ルキル基もしくはメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブ
トキシ等の低級アルコキシ基が置換していても良い。水
酸基に保護基を導入し得る化合物(XY)は、ペンタフルオ
ロベンズアルデヒドに対して通常1 〜10モル倍使用され
る。

【００１２】反応は、必要に応じて、通常溶媒の存在下
に実施される。かかる溶媒としては、例えばアセトニト
リル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ヘ
キサメチルホスホリルアミド、N-メチルピロリドン等が
挙げられる。その使用量は、ペンタフルオロベンズアル
デヒドに対して通常1 〜10重量倍使用される。反応は、
窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で通常実施され
る。その温度は通常-20 〜100 ℃程度、好ましくは０〜
60℃程度である。

【００１３】反応終了後、抽出、蒸留等の手段によりシ
アンヒドリン類(4) を取り出すこともできる。また必要
に応じて再結晶、カラムクロマトグラフィー等の手段に
よりさらに精製することもできる。かくして得られるシ
アンヒドリン類(4) に、塩基の存在下でC₆F₅Z を反応さ
せることにより、1-位に保護された水酸基を有する1,2-
ビス( ペンタフルオロフェニル)-2-エタイミン類(3) を
製造し得る。ここで、C₆F₅Z はシアンヒドリン類(4) に
対して、通常0.5 〜10モル倍、好ましくは1 〜3 モル倍
使用される。また、塩基としては、例えばブチルリチウ
ム、リチウムジイソプロピルアミド、水素化ナトリウ
ム、ナトリウムアミド、金属ナトリウム、金属カリウ
ム、金属リチウム等の強塩基が好ましく使用される。
その量は、C₆F₅Z に対して等モル程度が通常である。

【００１４】反応は、通常溶媒の存在下に実施される。
かかる溶媒としては、例えばジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン等が挙げられる。その使用量は、シアンヒ
ドリン類(4) に対して通常1 〜10重量倍使用される。反
応は、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で通常実
施される。その温度は通常-100〜０℃程度、好ましくは
-100〜-50 ℃程度である。

【００１５】反応終了後、抽出、蒸留等の手段により1-
位に保護された水酸基を有する1,2-ビス( ペンタフルオ
ロフェニル)-2-エタイミン類(3) をを取り出すこともで
きる。また必要に応じて再結晶、カラムクロマトグラフ
ィー等の手段によりさらに精製することもできる。かく
して得られる1-位に保護された水酸基を有する1,2-ビス
( ペンタフルオロフェニル)-2-エタイミン類(3) に酸を
加えて加水分解することにより、1-位に保護された水酸
基を有する1,2-ビス( ペンタフルオロフェニル)-エタン
-2- オン類(2) を製造し得る。

【００１６】ここで、酸としては、例えば塩酸、硫酸、
硝酸等の鉱酸類、酢酸、ベンゼンスルホン酸等の有機酸
などが挙げられる。酸は、水溶液の形で使用することが
好ましく、1-位に保護された水酸基を有する1,2-ビス(
ペンタフルオロフェニル)-2-エタイミン類(3) に対して
等モル以上使用するのが通常である。反応は、必要に応
じてメタノール、テトラヒドロフラン、アセトニトリル
等の有機溶媒下で実施することもできる。上記の酸を溶
媒として使用することもできる。窒素、アルゴン等の不
活性ガス雰囲気下で、反応は通常実施される。その温度
は通常０〜100 ℃程度、好ましくは10〜80℃程度であ
る。

【００１７】反応終了後、抽出、蒸留等の手段により1-
位に保護された水酸基を有する1,2-ビス( ペンタフルオ
ロフェニル)-エタン-2- オン類(2) を取り出すことがで
きる。また必要に応じて再結晶、カラムクロマトグラフ
ィー等の手段によりさらに精製することもできる。かく
して得られる1-位に保護された水酸基を有する1,2-ビス
( ペンタフルオロフェニル)-2-エタン-2- オン類(2) の
保護基(X) を脱保護することにより、本発明の原料1,2-
ビス( ペンタフルオロフェニル) エタン-2- オン-1- オ
ールを製造し得る。

【００１８】保護基(X) を脱保護するあたり、保護基
(X) が脂肪族アシル基、ベンゾイル基である場合は、酸
またはアルカリが用いられる。かかる酸としては、例え
ば塩酸、硫酸等の鉱酸、酢酸、ベンゼンスルホン酸等の
有機酸などが、またアルカリとしては、例えば苛性ソー
ダ、苛性カリ等が挙げられる。保護基(X) がベンジル基
等の場合は、上記の酸の他にトリフルオロ酢酸、トリク
ロロ酢酸、ヨウ化水素酸、臭化水素酸等も使用される。
また保護基(X) が置換シリル基の場合は、酸の他にテト
ラブチルアンモニウムフルオライド、セシウムフルオラ
イド、カリウムフルオライド等のフッソアニオンを含む
脱シリル化剤を使用し得る。

【００１９】その使用量は、1-位に保護された水酸基を
有する1,2-ビス( ペンタフルオロフェニル)-2-エタン-2
- オン類(2) に対して、酸の場合は0.01〜30モル倍程
度、アルカリの場合は1 〜10モル倍程度、脱シリル化剤
の場合は1 〜10モル倍程度が通常である。反応は、通常
溶媒の存在下に実施される。かかる溶媒としては、例え
ばメタノール、エタノール、プロパノール、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、水、ジメチルスルホキシド等が
挙げられる。反応温度は通常-30 〜150 ℃程度、好まし
くは-10 〜100 ℃程度である。

【００２０】かくして、本発明の原料1,2-ビス( ペンタ
フルオロフェニル) エタン-2- オン-1- オールが生成す
るが、抽出、蒸留等の手段により反応マスから取り出す
ことができる。また必要に応じて再結晶、カラムクロマ
トグラフィー等の手段によりさらに精製することもでき
る。

【００２１】なお、1-位に保護された水酸基を有する1,
2-ビス( ペンタフルオロフェニル)-2-エタン-2- オン類
(2) を脱保護基をすることなしに、そのまま水素化ホウ
素金属又は水素化アルミニウム金属を用いて前記と同様
な条件で還元した後、上記と同様に脱保護基をすること
により、トレオ- ビス( ペンタフルオロフェニル) エタ
ン-1,2- ジオールを選択的に製造し得る。

【００２２】また、塩基の存在下で、ビス( ペンタフル
オロフェニル) エタン-1,2- ジオールと塩化チオニルと
を反応させることにより、トレオ体からはトランスの、
エリスロ体からはシスのビス( ペンタフルオロフェニ
ル) エタン-1,2- ジオールサイクリックサルファイトに
定量的に誘導し得るので、これに誘導することにより、
ビス( ペンタフルオロフェニル) エタン-1,2- ジオール
がトレオ体、エリスロ体のいずれであるか、これらの比
率等を決定することもできる。

【００２３】ここで、塩基としては、例えばアルカリ金
属の炭酸塩、カルボン酸塩、アルコキサイド、水酸化
物、有機塩基等が挙げられるが、有機塩基特に、ジエチ
ルアミン、トリエチルアミン、ジ-i- プロピルエチルア
ミン、トリ-n- ブチルアミン、テトラメチルエチレンジ
アミン、ジメチルアニリン等の３級アミンまたは２級ア
ミンが好ましく用いられる。塩基の使用量は、通常、ビ
ス( ペンタフルオロフェニル) エタン-1,2- ジオールに
対して１〜５倍当量である。また塩化チオニルの使用量
は通常ビス（ペンタフルオロフェニル）エタン-1,2- ジ
オールに対し１〜２当量であるが、溶媒として過剰に用
いることもできる。

【００２４】必要に応じて、適当な溶媒、例えばジクロ
ロメタン、ジクロロエタン、トリクロロプロパン、クロ
ロホルム、四塩化炭素等のハロゲン系炭化水素、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、モノクロ
ロベンゼン、ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン等のハ
ロゲン置換芳香族炭化水素、テトラヒドロフラン、ジエ
チルエーテル等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶
媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、2-N-メチ
ルピロリドン等の非プロトン性極性溶媒などを反応溶媒
として使用することもできる。溶媒の使用量は、ビス
（ペンタフルオロフェニル）エタン-1,2- ジオールに対
して、通常 1〜10重量倍程度である。

【００２５】反応は窒素、アルゴン等の不活性ガス中で
通常実施され、その温度は通常-40〜100 ℃程度であ
り、好ましくは-10 〜80℃である。反応終了後、抽出、
蒸留等の分離手段により、シスまたはトランスのビス
（ペンタフルオロフェニル）エタン-1,2- ジオールサイ
クリックサルファイトを取り出すこともできる。また必
要に応じて再結晶、カラムクロマトグラフィー等の手段
によりさらに精製することもできる。

【００２６】

【発明の効果】本発明によれば、1,2-ビス( ペンタフル
オロフェニル) エタン-1- ヒドロキシ-2- オンを水素化
ホウ素金属又は水素化アルミニウム金属で還元すること
により、エリスロ- ビス( ペンタフルオロフェニル) エ
タン-1,2- ジオールを選択的にしかも効率良く製造し得
る。

【００２７】

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。

【００２８】参考例１ [(t-ブチルジメチルシリル）オキシ］ペンタフルオロベ
ンゼンアセトニトリルの製造 反応器に粉末のNaCN(1.12g、22.95mmol)、t-ブチルジメ
チルシリルクロライド(1.38g、9.18mmol) 、ZnBr₂(0.17
g 、0.77mmol) を入れ、窒素置換した後、アセトニトリ
ル(20ml)ペンタフルオロベンズアルデヒド(1.5g 、7.65
mmol) を加え２時間激しく撹拌した。反応をＴＬＣで追
い、反応後、アセトニトリルを減圧下留去し、酢酸エチ
ルで抽出した後、抽出液を飽和食塩水で洗浄、無水硫酸
マグネシウムで乾燥、溶媒を減圧下留去、粗生成物を蒸
留（ｂｐ．１４２℃，９ｍｍＨｇ）で精製することによ
り、[(t-ブチルジメチルシリル）オキシ］ペンタフルオ
ロベンゼンアセトニトリル1.98g(収率77％）を得た。
（b.p. 142℃，9mmHg)

【００２９】IR(neat) ：2936，2864，1658，1514，147
4，1344，1258，1132，1004，906 ，842 ，784cm ^{-1 1} H NMR(200MHz,CDCl₃) δ 0.13(s,3H,CH₃)，0.16(s,3H,CH₃)，0.88(s,9H,(C
H₃)₃) ，5.77(s,1H,CH)¹⁹ F NMR(188MHz,CDCl₃) δ 1.77-2.04(m,2F,m-ArF) ，11.58(t,j=20.75Hz,1F,p
-ArF) ，20.08(d,j=16.43Hz,2F,o-ArF)

【００３０】参考例２ 1-[t- ブチルジメチルシリル）オキシ-1,2- ビス（ペン
タフルオロフェニル)-2-エタンイミンの製造 反応器を窒素置換した後、ペンタフルオロヨードベンゼ
ン(1.98ml,14.83mmol)、乾燥ジエチルエーテル(20ml)を
入れた。次いで、-85 ℃に冷却した後、n-ブチルリチウ
ム(9.72ml ，14.83ml)をゆっくり滴下した。十分攪拌し
た後、参考例１で製造した[(t-ブチルジメチルシリル）
オキシ］ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル(2g ，
5.93mmol) をバイエルにとり、乾燥したジエチルエーテ
ル(20ml)を入れ、反応器に加えた。反応はＴＬＣで追
い、反応後、水を加え、酢酸エチルで抽出、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥、溶媒を減圧下留去、粗成生物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチ
ル＝50/1) で精製することにより、[t- ブチルジメチル
シリル）オキシ-1,2-ビス（ペンタフルオロフェニル)-2
-エタンイミン2.55g(収率76％）を得た。

【００３１】IR(neat) ：3240，2940，2864，1658，151
2，1262，1130，1008，842 cm ^{-1 1} H NMR(200MHz,CDCl₃) δ 0.01(s,3H,CH₃)，0.16(s,3H,CH₃)，0.94(s,9H,(C
H₃)₃) ，5.69(s,1H,CH)¹⁹ F NMR(188MHz,CDCl₃) δ 1.78-1.91(m,2F,m-ArF) ，10.83(t,j=20.68Hz,1F,p
-ArF) ，11.34(t,j=20.68Hz,1F,p-ArF), 1.98 (br,2F,o
-ArF), 20.21(d,j=16.34Hz,2F,o-ArF)

【００３２】参考例３ 1-[t- ブチルジメチルシリル）オキシ-1,2- ビス（ペン
タフルオロフェニル）−エタン-2- オンの製造 反応器に参考例２で製造した[t- ブチルジメチルシリ
ル）オキシ-1,2 ビス（ペンタフルオロフェニル)-2-エ
タンイミン（2.52g ，4.99mmol) ，テトラヒドロフラン
(12.5ml)を入れて、室温で攪拌した後、1N-HCl（5ml)を
加えた。反応はＴＬＣで追い、反応後、酢酸エチルで抽
出、無水硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒を減圧下留去、
粗成生物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキ
サン）で精製することにより、1-[t- ブチルジメチルシ
リル）オキシ-1,2- ビス（ペンタフルオロフェニル）−
エタン-2- オン1.47g(収率58％）を得た。

【００３３】IR(neat) ：2940，2864，1736, 1654，150
4，1418, 1324, 1258，1136，990,885, 782 cm ^{-1 1} H NMR(200MHz,CDCl₃) δ -0.16(s,3H,CH₃) ，0.11(s,3H,CH₃)，0.71(s,9H,(C
H₃)₃) ，5.75(s,1H,CH)¹⁹ F NMR(188MHz,CDCl₃) δ 1.05-1.60(m,2F,m-ArF) ，10.47(t,j=20.68Hz,1F,p
-ArF) ，12.97(t,j=20.68Hz,1F,p-ArF), 20.92 (d,j=1
6.75Hz,2F,o-ArF), 21.87(d,j=19.65Hz,2F,o-ArF)

【００３４】参考例４ トレオ-1-[(t- ブチルジメチルシリル）オキシ−1,2-ビ
ス（ペンタフルオロフェニル)-2-エタノールの製造 反応器に参考例３で製造した1-[t- ブチルジメチルシリ
ル）オキシ-1,2- ビス（ペンタフルオロフェニル）−エ
タン-2- オン(1.27g，2z51mmol) を入れ窒素置換する。
エタノール(15ml)を入れ、攪拌後、NaBH₄(0.12g ，3.01
mmol) をナシ型バルブにとり、エタノール(20ml)を入れ
た後に反応器へ移し、室温で10分間程攪拌した。反応は
ＴＬＣで追い、反応後、水を加え、酢酸エチルで抽出、
無水硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒を減圧下留去、粗成
生物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン
／酢酸エチル＝50/1) で精製することにより、トレオ-1
-[(t- ブチルジメチルシリル）オキシ−1,2-ビス（ペン
タフルオロフェニル)-2-エタノール0.97g(収率77％）を
得た。

【００３５】IR(nujol)：3584，2928，2860, 1654，150
4，1466, 1132, 998 cm ^{-1 1} H NMR(200MHz,CDCl₃) δ -0.08(s,3H,CH₃) ，0.09(s,3H,CH₃)，0.88(s,9H,(C
H₃)₃) ，3.39(1br,1H,OH), 5.83(s,2H, 2CH)¹⁹ F NMR(188MHz,CDCl₃) δ 0.60-0.82(m,2F,m-ArF) ，9.21(t,j=21.17Hz,1F,p-
ArF)，9.62(t,j=21.17Hz,1F,p-ArF), 20.41(dd,j₁=6.77
Hz,j₂=21.34Hz,4F,o-ArF)

【００３６】参考例５ トレオ1,2-ビス（ペンタフルオロフェニル）エタン-1,2
- ジオールの製造 反応器に参考例４で得られたトレオ-1-[(t- ブチルジメ
チルシリル）オキシ−1,2-ビス（ペンタフルオロフェニ
ル)-2-エタノール(0.26g，0.52mmol) を入れ、窒素置換
した。氷浴中で乾燥テトラヒドロフラン(5.43ml)を入
れ、攪拌した後、弗化テトラn-ブチルアンモニウム(0.5
2ml)を加え、10分間攪拌した。反応をTLC で追い、反応
後、酢酸エチルで抽出、無水硫酸マグネシウムで乾燥、
溶媒を減圧下留去、粗成生物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（ ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）で精
製することにより、トレオ1,2-ビス（ペンタフルオロフ
ェニル）エタン-1,2- ジオール0.18g(収率90％）を得
た。

【００３７】IR(nujol)：3520，2928，2856, 1532，150
6，1464, 1378, 1128, 992 cm ^{-1 1} H NMR(200MHz,CDCl₃) δ 3.19(1br,2H,OH), 5.48(s,2H, 2CH)¹⁹ F NMR(188MHz,CDCl₃) δ 1.22-1.50(m,4F,m-ArF) ，9.75(t,j=21.06Hz,2F,p-
ArF)，20.29(dd,j₁=6.77Hz,j₂=23.69Hz,4F,o-ArF)

【００３８】参考例６ トランス-1,2- ビス（ペンタフルオロフェニル)-1,2-エ
タンジオールサイクリックサルファイトの製造 反応器に参考例５で得られたトレオ-1,2- ビス（ペンタ
フルオロフェニル）エタン-1,2- ジオール(0.1g ，0.26
mmol) ，ジクロロメタン(4ml) ，トリエチルアミン(0.1
5ml)を入れ、氷浴中で攪拌する。ナシ型バルブにジクロ
ロメタン(0.1ml) ，塩化チオニル(0.029ml) を入れ、反
応器にゆっくりと滴下した。反応はＴＬＣで追い、反応
後、反応混合物にエーテルを加え、水で２回、続いて飽
和食塩水で洗浄した。この有機層を無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥、溶媒を減圧下留去、粗成生物を減圧乾燥(0.3
mmHg，３時間）することにより、トランス-1,2- ビス
（ペンタフルオロフェニル)-1,2-エタンジオールサイク
リックサルファイト0.08g(収率70％）を得た。

【００３９】IR(nujol)：2924，2856，1526, 1464, 137
8, 1240, 1008, 988, 940 cm ^{-1 1} H NMR(200MHz,CDCl₃) δ 6.23(dd,j₁=10.20Hz,j₂=52.50Hz,2H, 2CH)¹⁹ F NMR(188MHz,CDCl₃) δ 2.53-3.08(m,4F,m-ArF) ，13.68(t,j=20.68Hz,2F,p
-ArF) ，21.53-21.77(m,4F,o-ArF)

【００４０】参考例７ 1,2-ビス（ペンタフルオロフェニル）−エタン-1- ヒド
ロキシ-2- オンの製造 参考例３で製造した1-[t- ブチルジメチルシリル）オキ
シ-1,2- ビス（ペンタフルオロフェニル）−エタン-2-
オン(0.1g ，0.2mmol)を用いて、参考例例５に準拠して
実施することにより、1,2-ビス（ペンタフルオロフェニ
ル）−エタン-1- ヒドロキシ-2- オン0.07g ( 収率90
％）を得た。

【００４１】実施例１ エリスロ-1,2- ビス（ペンタフルオロフェニル）エタン
-1,2- ジオールの製造 参考例７で製造した1,2-ビス（ペンタフルオロフェニ
ル）−エタン-1- ヒドロキシ-2- オン(0.1 g，0.255mmo
l)を用いて、参考例４に準拠してカルボニル基を還元し
た所、エリスロ-1,2- ビス（ペンタフルオロフェニル）
エタン-1,2- ジオール0.076g (収率96％）を得た。 IR(nujol)：3484，2924，2856, 1532，1464, 1378, 102
7, 990, 948 cm ^{-1 1} H NMR(200MHz,CDCl₃) δ 2.60-3.00(br,2H,OH), 5.40(d,j=5.20Hz,2H, 2CH)¹⁹ F NMR(188MHz,CDCl₃) δ 0.69-0.87(m,4F,m-ArF) ，9.02(t,j=20.68Hz,2F,p-
ArF)，19.00(dd,j₁=7.52Hz,j₂=22.47Hz,4F,o-ArF)

【００４２】参考例８ シス-1,2- ビス（ペンタフルオロフェニル）エタン-1,2
- ジオールサイクリックサルファイトの製造 実施例１で得られたエリスロ-1,2- ビス（ペンタフルオ
ロフェニル）エタン-1,2- ジオールを用い参考例６に準
拠して実施することにより、シス-1,2- ビス（ペンタフ
ルオロフェニル）エタン-1,2- ジオールサイクリックサ
ルファイト0.08g ( 収率70％）を得た。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】1,2-ビス( ペンタフルオロフェニル) エタ
   ン-1- ヒドロキシ-2- オンを水素化ホウ素金属又は水素
   化アルミニウム金属で還元するこを特徴とするエリスロ
   - ビス( ペンタフルオロフェニル) エタン-1,2- ジオー
   ルの製造方法。
2. 【請求項２】水素化ホウ素金属で還元する請求項１記載
   の方法。
3. 【請求項３】水素化ホウ素金属が水素化ホウ素ナトリウ
   ムである請求項２記載の方法。