JPH08236824A - 直流駆動型超伝導量子干渉素子 - Google Patents
直流駆動型超伝導量子干渉素子Info
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- JPH08236824A JPH08236824A JP7037291A JP3729195A JPH08236824A JP H08236824 A JPH08236824 A JP H08236824A JP 7037291 A JP7037291 A JP 7037291A JP 3729195 A JP3729195 A JP 3729195A JP H08236824 A JPH08236824 A JP H08236824A
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- washer
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- washer coil
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高感度電磁気センサ、磁束計、電流計、変位
計、または高周波信号増幅器などに応用するＤＣ ＳＱ
ＵＩＤにおいて、シンプルな構成のままで、より大きな
出力電圧を得る。 【構成】 ２個のジョセフソン接合１ａ１ｂからなる第
１のジョセフソン接合対と、第１のジョセフソン接合対
と環状に接続され第１の超伝導ループを形成するワッシ
ャーコイル４と、ワッシャーコイル４の少なくとも一部
を共有して環状に接続され、第２の超伝導ループを形成
する２個のジョセフソン接合１ｃ１ｄからなる第２のジ
ョセフソン接合対とにより１つのワッシャーコイル４を
２組のジョセフソン接合対で共有するとともに、ワッシ
ャーコイル４と磁気結合された入力コイル５および帰還
変調コイル６とからＤＣ ＳＱＵＩＤを構成した。 【効果】 従来のＤＣ ＳＱＵＩＤと比較して、複雑な
構造にすることなく、出力電圧を大きくすることができ
るとともに、バイアス配線７の引き回しが簡素化でき
る。
計、または高周波信号増幅器などに応用するＤＣ ＳＱ
ＵＩＤにおいて、シンプルな構成のままで、より大きな
出力電圧を得る。 【構成】 ２個のジョセフソン接合１ａ１ｂからなる第
１のジョセフソン接合対と、第１のジョセフソン接合対
と環状に接続され第１の超伝導ループを形成するワッシ
ャーコイル４と、ワッシャーコイル４の少なくとも一部
を共有して環状に接続され、第２の超伝導ループを形成
する２個のジョセフソン接合１ｃ１ｄからなる第２のジ
ョセフソン接合対とにより１つのワッシャーコイル４を
２組のジョセフソン接合対で共有するとともに、ワッシ
ャーコイル４と磁気結合された入力コイル５および帰還
変調コイル６とからＤＣ ＳＱＵＩＤを構成した。 【効果】 従来のＤＣ ＳＱＵＩＤと比較して、複雑な
構造にすることなく、出力電圧を大きくすることができ
るとともに、バイアス配線７の引き回しが簡素化でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は高感度電磁気センサ、
磁束計、電流計、変位計、または高周波信号増幅器など
に応用する直流駆動型超伝導量子干渉素子（以下ＤＣ
ＳＱＵＩＤと称する）に関するものである。
磁束計、電流計、変位計、または高周波信号増幅器など
に応用する直流駆動型超伝導量子干渉素子（以下ＤＣ
ＳＱＵＩＤと称する）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３に従来のＤＣ ＳＱＵＩＤの代表的
な等価回路図を示す。ワッシャーコイル４の両端に接続
された２個のジョセフソン接合１により超伝導ループを
形成する。それぞれのジョセフソン接合１には、電流−
電圧特性におけるヒステリシスをなくすためのシャント
抵抗２が並列接続され、またワッシャーコイルの両端に
はワッシャーコイルでの不必要な共振を抑制するための
ダンピング抵抗３が並列接続されている。図示しない検
出コイルで検出した被検出磁界は、ワッシャーコイル４
と磁束結合した入力コイル５を介してワッシャーコイル
４に入力される。さらにワッシャーコイル４にはＦＬＬ
（フラックス・ロックト・ループ）回路を用いて駆動さ
せるための帰還変調コイル６が磁束結合されている。そ
してこの超伝導ループには、ワッシャーコイル４の中間
部、および２個のジョセフソン接合１の接続部にそれぞ
れバイアス配線７が接続され、全体としてＤＣ ＳＱＵ
ＩＤを構成している。
な等価回路図を示す。ワッシャーコイル４の両端に接続
された２個のジョセフソン接合１により超伝導ループを
形成する。それぞれのジョセフソン接合１には、電流−
電圧特性におけるヒステリシスをなくすためのシャント
抵抗２が並列接続され、またワッシャーコイルの両端に
はワッシャーコイルでの不必要な共振を抑制するための
ダンピング抵抗３が並列接続されている。図示しない検
出コイルで検出した被検出磁界は、ワッシャーコイル４
と磁束結合した入力コイル５を介してワッシャーコイル
４に入力される。さらにワッシャーコイル４にはＦＬＬ
（フラックス・ロックト・ループ）回路を用いて駆動さ
せるための帰還変調コイル６が磁束結合されている。そ
してこの超伝導ループには、ワッシャーコイル４の中間
部、および２個のジョセフソン接合１の接続部にそれぞ
れバイアス配線７が接続され、全体としてＤＣ ＳＱＵ
ＩＤを構成している。
【０００３】ＤＣ ＳＱＵＩＤは、バイアス配線７より
定電流を印加した状態で入力コイル５を介してワッシャ
ーコイル４内に磁束Φが入力されると、出力電圧すなわ
ち２つのバイアス配線７の端子間の電圧は入力された磁
束Φの大きさに対応して周期的に変化し、その周期は１
磁束量子Φ0 （２．０７×１０-15 Ｗｂ）となる。
定電流を印加した状態で入力コイル５を介してワッシャ
ーコイル４内に磁束Φが入力されると、出力電圧すなわ
ち２つのバイアス配線７の端子間の電圧は入力された磁
束Φの大きさに対応して周期的に変化し、その周期は１
磁束量子Φ0 （２．０７×１０-15 Ｗｂ）となる。
【０００４】ＤＣ ＳＱＵＩＤを磁束計として使用する
場合には、出力電圧の変化が大きいほど、感度が良くな
り、性能は向上する。そこで従来は、ＤＣ ＳＱＵＩＤ
を直列に複数個接続して、出力電圧を大きくする試みが
成されていた。図４はＤＣＳＱＵＩＤを２個直列に接続
した場合の等価回路である。
場合には、出力電圧の変化が大きいほど、感度が良くな
り、性能は向上する。そこで従来は、ＤＣ ＳＱＵＩＤ
を直列に複数個接続して、出力電圧を大きくする試みが
成されていた。図４はＤＣＳＱＵＩＤを２個直列に接続
した場合の等価回路である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ような構成で複数のＤＣ ＳＱＵＩＤを直列接続した場
合、個々のＤＣ ＳＱＵＩＤを構成しているジョセフソ
ン接合、シャント抵抗、ダンピング抵抗、ワッシャーコ
イル、入力コイル、帰還変調コイルなどの各要素が直列
に接続する数だけ必要となり、回路規模が大きくなる。
特にＤＣ ＳＱＵＩＤを薄膜プロセスで形成する場合、
ワッシャーコイル、入力コイル、帰還変調コイルなどの
広い平面積を必要とする要素を個々のＤＣ ＳＱＵＩＤ
毎に形成することは、素子の小型化を図るうえ大きな障
害となるという課題があった。また、複数個あるＤＣ
ＳＱＵＩＤはそれぞれ独立に電磁気センサとして動作す
るため、例えば超伝導状態に転移する瞬間に残留磁束が
超伝導膜中の閉じこめてしまうために生じる磁束トラッ
プの影響により、各ＤＣ ＳＱＵＩＤ間の入力磁束に対
する出力電圧の位相が揃わず、確実に複数個分の出力電
圧を得ることが困難であった。
ような構成で複数のＤＣ ＳＱＵＩＤを直列接続した場
合、個々のＤＣ ＳＱＵＩＤを構成しているジョセフソ
ン接合、シャント抵抗、ダンピング抵抗、ワッシャーコ
イル、入力コイル、帰還変調コイルなどの各要素が直列
に接続する数だけ必要となり、回路規模が大きくなる。
特にＤＣ ＳＱＵＩＤを薄膜プロセスで形成する場合、
ワッシャーコイル、入力コイル、帰還変調コイルなどの
広い平面積を必要とする要素を個々のＤＣ ＳＱＵＩＤ
毎に形成することは、素子の小型化を図るうえ大きな障
害となるという課題があった。また、複数個あるＤＣ
ＳＱＵＩＤはそれぞれ独立に電磁気センサとして動作す
るため、例えば超伝導状態に転移する瞬間に残留磁束が
超伝導膜中の閉じこめてしまうために生じる磁束トラッ
プの影響により、各ＤＣ ＳＱＵＩＤ間の入力磁束に対
する出力電圧の位相が揃わず、確実に複数個分の出力電
圧を得ることが困難であった。
【０００６】本発明の目的は、回路規模の拡大を抑えつ
つ、出力電圧を増大させることが可能な構成を有するＤ
Ｃ ＳＱＵＩＤを提供することにある。
つ、出力電圧を増大させることが可能な構成を有するＤ
Ｃ ＳＱＵＩＤを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、２個のジョセフソン接合からなる第１のジョセフ
ソン接合対と、第１のジョセフソン接合対と環状に接続
され第１の超伝導ループを形成するワッシャーコイル
と、ワッシャーコイルの少なくとも一部を共有して環状
に接続され、第２の超伝導ループを形成する２個のジョ
セフソン接合からなる第２のジョセフソン接合対と、ワ
ッシャーコイルと磁気結合された入力コイルおよび帰還
変調コイルとからＤＣ ＳＱＵＩＤを構成した。
めに、２個のジョセフソン接合からなる第１のジョセフ
ソン接合対と、第１のジョセフソン接合対と環状に接続
され第１の超伝導ループを形成するワッシャーコイル
と、ワッシャーコイルの少なくとも一部を共有して環状
に接続され、第２の超伝導ループを形成する２個のジョ
セフソン接合からなる第２のジョセフソン接合対と、ワ
ッシャーコイルと磁気結合された入力コイルおよび帰還
変調コイルとからＤＣ ＳＱＵＩＤを構成した。
【０００８】また、上記ＤＣ ＳＱＵＩＤにおいて、第
１のジョセフソン接合対の、ワッシャーコイルと接続さ
れていない側の各々の端子と共通に接続された第１のバ
イアス電流端子と、第２のジョセフソン接合対の、ワッ
シャーコイルと接続されていない側の各々の端子と共通
に接続された第２のバイアス電流端子とを有し、第１お
よび第２のバイアス電流端子からバイアス電流を印加す
る構成とした。
１のジョセフソン接合対の、ワッシャーコイルと接続さ
れていない側の各々の端子と共通に接続された第１のバ
イアス電流端子と、第２のジョセフソン接合対の、ワッ
シャーコイルと接続されていない側の各々の端子と共通
に接続された第２のバイアス電流端子とを有し、第１お
よび第２のバイアス電流端子からバイアス電流を印加す
る構成とした。
【０００９】ここで、上記ワッシャーコイルは複数のコ
イルからなり各々のコイルが直列接続または並列接続あ
るいは、直列接続と並列接続を組合せた構成であっても
よい。上記ＤＣ ＳＱＵＩＤにおいてさらに、第２のジ
ョセフソン接合対の、ワッシャーコイルと接続されてい
ない側の各々の端子の間に接続された第２のワッシャー
コイルと、第２のワッシャーコイルと環状に接続され、
第３の超伝導ループを形成する２個のジョセフソン接合
からなる第３のジョセフソン接合対を有する構成も可能
である。
イルからなり各々のコイルが直列接続または並列接続あ
るいは、直列接続と並列接続を組合せた構成であっても
よい。上記ＤＣ ＳＱＵＩＤにおいてさらに、第２のジ
ョセフソン接合対の、ワッシャーコイルと接続されてい
ない側の各々の端子の間に接続された第２のワッシャー
コイルと、第２のワッシャーコイルと環状に接続され、
第３の超伝導ループを形成する２個のジョセフソン接合
からなる第３のジョセフソン接合対を有する構成も可能
である。
【００１０】そして、上記ＤＣ ＳＱＵＩＤの第１およ
び第２のジョセフソン接合対を構成する各々のジョセフ
ソン接合にそれぞれ並列にシャント抵抗を接続し、また
ワッシャーコイルに並列にダンピング抵抗を接続するこ
とも同様に可能である。
び第２のジョセフソン接合対を構成する各々のジョセフ
ソン接合にそれぞれ並列にシャント抵抗を接続し、また
ワッシャーコイルに並列にダンピング抵抗を接続するこ
とも同様に可能である。
【００１１】
【作用】上記のように構成されたＤＣ ＳＱＵＩＤは、
１つのワッシャーコイルを２組のジョセフソン接合対で
共有する。すなわち１つのワッシャーコイルを介して２
つの超伝導ループを形成するため、専有面積を殆ど増や
さずに、ワッシャーコイルに入力される磁束に対する出
力電圧を理論的に２倍にすることができる。また、ワッ
シャーコイルの数が１つであり、磁束による位相を揃え
る必要がないため、出力電圧を確実に大きくできる。さ
らに超伝導ループを３つあるいはそれ以上形成すること
により、専有面積の増加と比較した出力電圧の増分をよ
り大きくすることができる。
１つのワッシャーコイルを２組のジョセフソン接合対で
共有する。すなわち１つのワッシャーコイルを介して２
つの超伝導ループを形成するため、専有面積を殆ど増や
さずに、ワッシャーコイルに入力される磁束に対する出
力電圧を理論的に２倍にすることができる。また、ワッ
シャーコイルの数が１つであり、磁束による位相を揃え
る必要がないため、出力電圧を確実に大きくできる。さ
らに超伝導ループを３つあるいはそれ以上形成すること
により、専有面積の増加と比較した出力電圧の増分をよ
り大きくすることができる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１実施例を示すＤＣ Ｓ
ＱＵＩＤの等価回路図である。ワッシャーコイル４の両
端に２個のジョセフソン接合１ａ、１ｂからなるジョセ
フソン接合対が環状に接続されており、ワッシャーコイ
ル４−ジョセフソン接合１ａ−１ｂにより１つの超伝導
ループを形成している。さらに、２個のジョセフソン接
合１ｃ、１ｄからなるジョセフソン接合対も、同じワッ
シャーコイル４の両端に環状に接続されており、ワッシ
ャーコイル４−ジョセフソン接合１ｃ−１ｄにより別の
超伝導ループを形成している。それぞれの超伝導ループ
は１個のワッシャーコイル４の全体を共有し合う形で結
合されている。バイアス電流は超伝導ループを形成する
２個のジョセフソン接合１ａ、１ｂの間に接続されたバ
イアス配線７から挿入し、もう一方の超伝導ループを形
成するジョセフソン接合１ｃ、１ｄの間に接続された別
のバイアス配線７から引き出す。
て説明する。図１は本発明の第１実施例を示すＤＣ Ｓ
ＱＵＩＤの等価回路図である。ワッシャーコイル４の両
端に２個のジョセフソン接合１ａ、１ｂからなるジョセ
フソン接合対が環状に接続されており、ワッシャーコイ
ル４−ジョセフソン接合１ａ−１ｂにより１つの超伝導
ループを形成している。さらに、２個のジョセフソン接
合１ｃ、１ｄからなるジョセフソン接合対も、同じワッ
シャーコイル４の両端に環状に接続されており、ワッシ
ャーコイル４−ジョセフソン接合１ｃ−１ｄにより別の
超伝導ループを形成している。それぞれの超伝導ループ
は１個のワッシャーコイル４の全体を共有し合う形で結
合されている。バイアス電流は超伝導ループを形成する
２個のジョセフソン接合１ａ、１ｂの間に接続されたバ
イアス配線７から挿入し、もう一方の超伝導ループを形
成するジョセフソン接合１ｃ、１ｄの間に接続された別
のバイアス配線７から引き出す。
【００１３】それぞれのジョセフソン接合１ａ、１ｂ、
１ｃ、１ｄには、電流−電圧特性におけるヒステリシス
をなくすためのシャント抵抗２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄが
それぞれ並列接続され、またワッシャーコイル４の両端
にはワッシャーコイルでの共振を抑制するためのダンピ
ング抵抗３が並列接続されている。図示しない検出コイ
ルで検出した被検出磁界は、ワッシャーコイル４と磁束
結合した入力コイル５を介してワッシャーコイル４に入
力される。さらにワッシャーコイル４にはＦＬＬ（フラ
ックス・ロック・ループ）回路を用いて帰還電流、変調
電流を流し、ＤＣ ＳＱＵＩＤを駆動させるための帰還
変調コイル６が磁束結合されている。ＤＣ ＳＱＵＩＤ
としての出力電圧は、上下それぞれのバイアス配線７の
両端子から取り出され、プリアンプ、位相検波器、積分
器からなるＦＬＬ回路等の、図示しない信号処理回路に
入力される。
１ｃ、１ｄには、電流−電圧特性におけるヒステリシス
をなくすためのシャント抵抗２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄが
それぞれ並列接続され、またワッシャーコイル４の両端
にはワッシャーコイルでの共振を抑制するためのダンピ
ング抵抗３が並列接続されている。図示しない検出コイ
ルで検出した被検出磁界は、ワッシャーコイル４と磁束
結合した入力コイル５を介してワッシャーコイル４に入
力される。さらにワッシャーコイル４にはＦＬＬ（フラ
ックス・ロック・ループ）回路を用いて帰還電流、変調
電流を流し、ＤＣ ＳＱＵＩＤを駆動させるための帰還
変調コイル６が磁束結合されている。ＤＣ ＳＱＵＩＤ
としての出力電圧は、上下それぞれのバイアス配線７の
両端子から取り出され、プリアンプ、位相検波器、積分
器からなるＦＬＬ回路等の、図示しない信号処理回路に
入力される。
【００１４】図２には、本発明の第１実施例の等価回路
図を薄膜プロセスで形成した場合の平面図を示す。回路
規模は従来のＤＣ ＳＱＵＩＤとほとんど変わらない。
すなわち、広い平面積を必要とするワッシャーコイル、
入力コイル、帰還変調コイルなどの要素をジョセフソン
接合対１ａ、１ｂとジョセフソン接合対１ｃ、１ｄで兼
用しているため、従来の構造のＤＣ ＳＱＵＩＤに対し
て、ジョセフソン接合対１ｃ、１ｄとシャント抵抗２
ｃ、２ｄの要素部分を追加するだけで、特に複雑な構造
にすることなく、約２倍の出力電圧を得ることが可能で
ある。実際に試作したＤＣ ＳＱＵＩＤで、２倍近い値
の出力電圧が得られることが確認されている。
図を薄膜プロセスで形成した場合の平面図を示す。回路
規模は従来のＤＣ ＳＱＵＩＤとほとんど変わらない。
すなわち、広い平面積を必要とするワッシャーコイル、
入力コイル、帰還変調コイルなどの要素をジョセフソン
接合対１ａ、１ｂとジョセフソン接合対１ｃ、１ｄで兼
用しているため、従来の構造のＤＣ ＳＱＵＩＤに対し
て、ジョセフソン接合対１ｃ、１ｄとシャント抵抗２
ｃ、２ｄの要素部分を追加するだけで、特に複雑な構造
にすることなく、約２倍の出力電圧を得ることが可能で
ある。実際に試作したＤＣ ＳＱＵＩＤで、２倍近い値
の出力電圧が得られることが確認されている。
【００１５】また、バイアス配線７の引き回しも、例え
ば図４に示した従来のＤＣ ＳＱＵＩＤを２個直列に接
続した構成を薄膜プロセスで形成する場合に比べて大幅
に簡素化できる。図５は本発明の第２の実施例を示すＤ
Ｃ ＳＱＵＩＤの等価回路図である。ワッシャーコイル
４ａ、４ｂ、４ｃと２個のジョセフソン接合１ａ、１ｂ
からなるジョセフソン接合対が環状に接続されており、
１つの超伝導ループを形成している。さらに、ワッシャ
ーコイル４ｄ、４ｂ、４ｅと２個のジョセフソン接合１
ｃ、１ｄからなるジョセフソン接合対も環状に接続され
ており、別の超伝導ループを形成している。それぞれの
超伝導ループは３個直列に接続されたワッシャーコイル
のうち真ん中のワッシャーコイル４ｂを共有し合う形で
結合されている。
ば図４に示した従来のＤＣ ＳＱＵＩＤを２個直列に接
続した構成を薄膜プロセスで形成する場合に比べて大幅
に簡素化できる。図５は本発明の第２の実施例を示すＤ
Ｃ ＳＱＵＩＤの等価回路図である。ワッシャーコイル
４ａ、４ｂ、４ｃと２個のジョセフソン接合１ａ、１ｂ
からなるジョセフソン接合対が環状に接続されており、
１つの超伝導ループを形成している。さらに、ワッシャ
ーコイル４ｄ、４ｂ、４ｅと２個のジョセフソン接合１
ｃ、１ｄからなるジョセフソン接合対も環状に接続され
ており、別の超伝導ループを形成している。それぞれの
超伝導ループは３個直列に接続されたワッシャーコイル
のうち真ん中のワッシャーコイル４ｂを共有し合う形で
結合されている。
【００１６】バイアス電流は第１実施例と同様に、超伝
導ループを形成する２個のジョセフソン接合１ａ、１ｂ
の間に接続されたバイアス配線７から挿入し、もう一方
の超伝導ループを形成するジョセフソン接合１ｃ、１ｄ
の間に接続された別のバイアス配線７から引き出す。
導ループを形成する２個のジョセフソン接合１ａ、１ｂ
の間に接続されたバイアス配線７から挿入し、もう一方
の超伝導ループを形成するジョセフソン接合１ｃ、１ｄ
の間に接続された別のバイアス配線７から引き出す。
【００１７】それぞれのジョセフソン接合１ａ、１ｂ、
１ｃ、１ｄには、電流−電圧特性におけるヒステリシス
をなくすためのシャント抵抗２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄが
それぞれ並列接続され、また直列接続されたワッシャー
コイル４ａ、４ｂ、４ｃの両端およびワッシャーコイル
４ｄ、４ｂ、４ｅの両端にはワッシャーコイルでの共振
を抑制するためのダンピング抵抗３がそれぞれ並列接続
されている。また入力コイル５、および帰還変調コイル
６が第１実施例と同様ワッシャーコイル４に磁束結合さ
れている。
１ｃ、１ｄには、電流−電圧特性におけるヒステリシス
をなくすためのシャント抵抗２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄが
それぞれ並列接続され、また直列接続されたワッシャー
コイル４ａ、４ｂ、４ｃの両端およびワッシャーコイル
４ｄ、４ｂ、４ｅの両端にはワッシャーコイルでの共振
を抑制するためのダンピング抵抗３がそれぞれ並列接続
されている。また入力コイル５、および帰還変調コイル
６が第１実施例と同様ワッシャーコイル４に磁束結合さ
れている。
【００１８】図１に示した第１実施例のワッシャーコイ
ル４は単一のコイルで形成されたシングルワッシャー構
造であるが、ワッシャーコイルを複数のコイルを直列あ
るいは並列に接続したマルチワッシャー構造とすること
により、信号磁束以外の磁束による生じる雑音電流を低
減させＳ／Ｎ比を向上させることができる。
ル４は単一のコイルで形成されたシングルワッシャー構
造であるが、ワッシャーコイルを複数のコイルを直列あ
るいは並列に接続したマルチワッシャー構造とすること
により、信号磁束以外の磁束による生じる雑音電流を低
減させＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【００１９】例えば図６は本発明の第３の実施例を示す
ＤＣ ＳＱＵＩＤの等価回路図であり、ワッシャーコイ
ル４を２つ直列接続したものである。各々のワッシャー
コイル４には並列にダンピング抵抗３が接続されてい
る。また入力コイル５、および帰還変調コイル６が第１
実施例と同様各々のワッシャーコイル４に磁束結合され
ている。そしてこのワッシャーコイル４の全体を、２個
のジョセフソン接合１ａ、１ｂからなるジョセフソン接
合対と、別の２個のジョセフソン接合１ｃ、１ｄからな
るジョセフソン接合対とが共有し合う形で結合されてい
る。シャント抵抗２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、バイアス配
線７は第１実施例と同様に接続されている。この２つの
ワッシャーコイルを薄膜プロセスで、平面的に互いに逆
巻き例えばＳ字状に形成することにより各々のワッシャ
ーコイルに生じる雑音電流を相殺し、またワッシャーコ
イルに超伝導環電流が生じることを防止し、Ｓ／Ｎ比を
向上させることができる。
ＤＣ ＳＱＵＩＤの等価回路図であり、ワッシャーコイ
ル４を２つ直列接続したものである。各々のワッシャー
コイル４には並列にダンピング抵抗３が接続されてい
る。また入力コイル５、および帰還変調コイル６が第１
実施例と同様各々のワッシャーコイル４に磁束結合され
ている。そしてこのワッシャーコイル４の全体を、２個
のジョセフソン接合１ａ、１ｂからなるジョセフソン接
合対と、別の２個のジョセフソン接合１ｃ、１ｄからな
るジョセフソン接合対とが共有し合う形で結合されてい
る。シャント抵抗２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、バイアス配
線７は第１実施例と同様に接続されている。この２つの
ワッシャーコイルを薄膜プロセスで、平面的に互いに逆
巻き例えばＳ字状に形成することにより各々のワッシャ
ーコイルに生じる雑音電流を相殺し、またワッシャーコ
イルに超伝導環電流が生じることを防止し、Ｓ／Ｎ比を
向上させることができる。
【００２０】図７は本発明の第４の実施例を示すＤＣ
ＳＱＵＩＤの等価回路図であり、ワッシャーコイル４を
２つ並列接続したものである。各々のワッシャーコイル
４には並列にダンピング抵抗３が接続されている。また
入力コイル５、および帰還変調コイル６が第１実施例と
同様各々のワッシャーコイル４に磁束結合されている。
そしてこのワッシャーコイル４の全体を、２個のジョセ
フソン接合１ａ、１ｂからなるジョセフソン接合対と、
別の２個のジョセフソン接合１ｃ、１ｄからなるジョセ
フソン接合対とが共有し合う形で結合されている。シャ
ント抵抗２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、バイアス配線７は第
１実施例と同様に接続されている。この２つのワッシャ
ーコイルを薄膜プロセスで、平面的に形成することによ
り各々のワッシャーコイルに生じる雑音電流を相殺して
Ｓ／Ｎ比を向上させることができるとともに、各々のワ
ッシャーコイルに対する入力コイルの巻数を半分にする
ことができる。
ＳＱＵＩＤの等価回路図であり、ワッシャーコイル４を
２つ並列接続したものである。各々のワッシャーコイル
４には並列にダンピング抵抗３が接続されている。また
入力コイル５、および帰還変調コイル６が第１実施例と
同様各々のワッシャーコイル４に磁束結合されている。
そしてこのワッシャーコイル４の全体を、２個のジョセ
フソン接合１ａ、１ｂからなるジョセフソン接合対と、
別の２個のジョセフソン接合１ｃ、１ｄからなるジョセ
フソン接合対とが共有し合う形で結合されている。シャ
ント抵抗２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、バイアス配線７は第
１実施例と同様に接続されている。この２つのワッシャ
ーコイルを薄膜プロセスで、平面的に形成することによ
り各々のワッシャーコイルに生じる雑音電流を相殺して
Ｓ／Ｎ比を向上させることができるとともに、各々のワ
ッシャーコイルに対する入力コイルの巻数を半分にする
ことができる。
【００２１】以上に示した実施例は、超伝導ループを２
つ直列に形成したものであるが、超伝導ループを３つあ
るいはそれ以上の数だけ直列に形成することにより、さ
らに出力電圧を増大させることもできる。図８は本発明
の第５の実施例を示すＤＣ ＳＱＵＩＤの等価回路図で
ある。２個のジョセフソン接合１ａ、１ｂからなるジョ
セフソン接合対とワッシャーコイル４ａが環状に接続さ
れており、ワッシャーコイル４ａ−ジョセフソン接合１
ａ−１ｂにより１つ目の超伝導ループを形成している。
さらに、ワッシャーコイル４ａと２個のジョセフソン接
合１ｃ、１ｄからなるジョセフソン接合対とワッシャー
コイル４ｂが環状に接続されており、ワッシャーコイル
４ａ−ジョセフソン接合１ｃ−ワッシャーコイル４ｂ−
ジョセフソン接合１ｄにより２つ目の超伝導ループを形
成している。そして、ワッシャーコイル４ｂと２個のジ
ョセフソン接合１ｅ、１ｆからなるジョセフソン接合対
が環状に接続されており、ワッシャーコイル４ｂ−ジョ
セフソン接合１ｅ−１ｆにより３つ目の超伝導ループを
形成している。１つ目の超伝導ループと２つ目の超伝導
ループはワッシャーコイル４ａを共有し合う形で結合さ
れている。また２つ目の超伝導ループと３つ目の超伝導
ループはワッシャーコイル４ｂを共有し合う形で結合さ
れている。バイアス電流は１つ目の超伝導ループを形成
する２個のジョセフソン接合１ａ、１ｂの間に接続され
たバイアス配線７から挿入し、３つ目の超伝導ループを
形成するジョセフソン接合１ｅ、１ｆの間に接続された
別のバイアス配線７から引き出す。
つ直列に形成したものであるが、超伝導ループを３つあ
るいはそれ以上の数だけ直列に形成することにより、さ
らに出力電圧を増大させることもできる。図８は本発明
の第５の実施例を示すＤＣ ＳＱＵＩＤの等価回路図で
ある。２個のジョセフソン接合１ａ、１ｂからなるジョ
セフソン接合対とワッシャーコイル４ａが環状に接続さ
れており、ワッシャーコイル４ａ−ジョセフソン接合１
ａ−１ｂにより１つ目の超伝導ループを形成している。
さらに、ワッシャーコイル４ａと２個のジョセフソン接
合１ｃ、１ｄからなるジョセフソン接合対とワッシャー
コイル４ｂが環状に接続されており、ワッシャーコイル
４ａ−ジョセフソン接合１ｃ−ワッシャーコイル４ｂ−
ジョセフソン接合１ｄにより２つ目の超伝導ループを形
成している。そして、ワッシャーコイル４ｂと２個のジ
ョセフソン接合１ｅ、１ｆからなるジョセフソン接合対
が環状に接続されており、ワッシャーコイル４ｂ−ジョ
セフソン接合１ｅ−１ｆにより３つ目の超伝導ループを
形成している。１つ目の超伝導ループと２つ目の超伝導
ループはワッシャーコイル４ａを共有し合う形で結合さ
れている。また２つ目の超伝導ループと３つ目の超伝導
ループはワッシャーコイル４ｂを共有し合う形で結合さ
れている。バイアス電流は１つ目の超伝導ループを形成
する２個のジョセフソン接合１ａ、１ｂの間に接続され
たバイアス配線７から挿入し、３つ目の超伝導ループを
形成するジョセフソン接合１ｅ、１ｆの間に接続された
別のバイアス配線７から引き出す。
【００２２】それぞれのジョセフソン接合１ａ、１ｂ、
１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆには、電流−電圧特性における
ヒステリシスをなくすためのシャント抵抗２ａ、２ｂ、
２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆがそれぞれ並列接続され、また
ワッシャーコイル４ａ、４ｂの両端にはワッシャーコイ
ルでの共振を抑制するためのダンピング抵抗３がそれぞ
れ並列接続されている。また入力コイル５、および帰還
変調コイル６が各々のワッシャーコイル４ａ、４ｂにそ
れぞれ磁束結合されている。
１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆには、電流−電圧特性における
ヒステリシスをなくすためのシャント抵抗２ａ、２ｂ、
２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆがそれぞれ並列接続され、また
ワッシャーコイル４ａ、４ｂの両端にはワッシャーコイ
ルでの共振を抑制するためのダンピング抵抗３がそれぞ
れ並列接続されている。また入力コイル５、および帰還
変調コイル６が各々のワッシャーコイル４ａ、４ｂにそ
れぞれ磁束結合されている。
【００２３】この第５実施例の等価回路図を薄膜プロセ
スで形成した場合、従来の構造のＤＣ ＳＱＵＩＤに対
して、実質的にワッシャーコイル１つ分の面積増加で特
に複雑な構造にすることなく約３倍の出力電圧を得るこ
とが可能である。
スで形成した場合、従来の構造のＤＣ ＳＱＵＩＤに対
して、実質的にワッシャーコイル１つ分の面積増加で特
に複雑な構造にすることなく約３倍の出力電圧を得るこ
とが可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、１
つのワッシャーコイルを２組のジョセフソン接合対で共
有し、すなわち１つのワッシャーコイルを介して２つの
超伝導ループを形成するため、専有面積を殆ど増やさず
に、ワッシャーコイルに入力される磁束に対する出力電
圧を理論的に２倍にすることができる効果がある。ま
た、ワッシャーコイルの数が１つであり、磁束による位
相を揃える必要がないため、出力電圧を確実に大きくで
きる効果がある。さらに超伝導ループを３つあるいはそ
れ以上形成することにより、専有面積の増加と比較した
出力電圧の増分をより大きくすることができるという効
果がある。そして例えば磁束計に応用した場合、検出感
度が向上する効果がある。またバイアス配線の引き回し
が簡素化できるため、駆動回路との接続もシンプルにで
きるという効果がある。
つのワッシャーコイルを２組のジョセフソン接合対で共
有し、すなわち１つのワッシャーコイルを介して２つの
超伝導ループを形成するため、専有面積を殆ど増やさず
に、ワッシャーコイルに入力される磁束に対する出力電
圧を理論的に２倍にすることができる効果がある。ま
た、ワッシャーコイルの数が１つであり、磁束による位
相を揃える必要がないため、出力電圧を確実に大きくで
きる効果がある。さらに超伝導ループを３つあるいはそ
れ以上形成することにより、専有面積の増加と比較した
出力電圧の増分をより大きくすることができるという効
果がある。そして例えば磁束計に応用した場合、検出感
度が向上する効果がある。またバイアス配線の引き回し
が簡素化できるため、駆動回路との接続もシンプルにで
きるという効果がある。
【図１】本発明の第１実施例を示すＤＣ ＳＱＵＩＤの
等価回路図である。
等価回路図である。
【図２】本発明の第１実施例に示すＤＣ ＳＱＵＩＤの
平面図である。
平面図である。
【図３】従来例を示すＤＣ ＳＱＵＩＤの等価回路図で
ある。
ある。
【図４】従来例を示すＤＣ ＳＱＵＩＤの等価回路図で
ある。
ある。
【図５】本発明の第２実施例を示すＤＣ ＳＱＵＩＤの
等価回路図である。
等価回路図である。
【図６】本発明の第３実施例を示すＤＣ ＳＱＵＩＤの
等価回路図である。
等価回路図である。
【図７】本発明の第４実施例を示すＤＣ ＳＱＵＩＤの
等価回路図である。
等価回路図である。
【図８】本発明の第５実施例を示すＤＣ ＳＱＵＩＤの
等価回路図である。
等価回路図である。
１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ ジョセフソ
ン接合 ２、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ シャント抵
抗 ３ ダンピング抵抗 ４、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ ワッシャーコイル ５ 入力コイル ６ 帰還変調コイル ７ バイアス配線
ン接合 ２、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ シャント抵
抗 ３ ダンピング抵抗 ４、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ ワッシャーコイル ５ 入力コイル ６ 帰還変調コイル ７ バイアス配線
Claims (6)
- 【請求項１】 ２個のジョセフソン接合からなる第１の
ジョセフソン接合対と、前記第１のジョセフソン接合対
と環状に接続され第１の超伝導ループを形成するワッシ
ャーコイルと、前記ワッシャーコイルの少なくとも一部
を共有して環状に接続され、第２の超伝導ループを形成
する２個のジョセフソン接合からなる第２のジョセフソ
ン接合対と、前記ワッシャーコイルと磁気結合された入
力コイルおよび帰還変調コイルとからなることを特徴と
する直流駆動型超伝導量子干渉素子。 - 【請求項２】 前記第１のジョセフソン接合対の、前記
ワッシャーコイルと接続されていない側の各々の端子と
共通に接続された第１のバイアス電流端子と、前記第２
のジョセフソン接合対の、前記ワッシャーコイルと接続
されていない側の各々の端子と共通に接続された第２の
バイアス電流端子とを有し、前記第１および第２のバイ
アス電流端子からバイアス電流を印加する構成である請
求項１記載の直流駆動型超伝導量子干渉素子。 - 【請求項３】 前記ワッシャーコイルは複数のコイルか
らなり各々のコイルが直列および／または並列に接続さ
れた構成である請求項１記載の直流駆動型超伝導量子干
渉素子。 - 【請求項４】 前記第２のジョセフソン接合対の、前記
ワッシャーコイルと接続されていない側の各々の端子の
間に接続された第２のワッシャーコイルと、前記第２の
ワッシャーコイルと環状に接続され、第３の超伝導ルー
プを形成する２個のジョセフソン接合からなる第３のジ
ョセフソン接合対をさらに有する請求項１記載の直流駆
動型超伝導量子干渉素子。 - 【請求項５】 前記第１および第２のジョセフソン接合
対を構成する各々のジョセフソン接合は、それぞれ並列
にシャント抵抗が接続された請求項１記載の直流駆動型
超伝導量子干渉素子。 - 【請求項６】 前記ワッシャーコイルは、並列にダンピ
ング抵抗が接続された請求項１記載の直流駆動型超伝導
量子干渉素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03729195A JP3672957B2 (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | 直流駆動型超伝導量子干渉素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03729195A JP3672957B2 (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | 直流駆動型超伝導量子干渉素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236824A true JPH08236824A (ja) | 1996-09-13 |
| JP3672957B2 JP3672957B2 (ja) | 2005-07-20 |
Family
ID=12493613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03729195A Expired - Fee Related JP3672957B2 (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | 直流駆動型超伝導量子干渉素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3672957B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6486756B2 (en) | 2000-03-27 | 2002-11-26 | Hitachi, Ltd. | Superconductor signal amplifier |
| JP2002344307A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-29 | Fujitsu Ltd | 単一磁束量子論理回路および単一磁束量子出力変換回路 |
| JP2006349496A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Kanazawa Inst Of Technology | シングルチップ集積型マルチチャンネル磁気センサ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6730106B2 (ja) * | 2016-06-27 | 2020-07-29 | Koa株式会社 | シャント抵抗器の実装構造および実装基板 |
-
1995
- 1995-02-24 JP JP03729195A patent/JP3672957B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6486756B2 (en) | 2000-03-27 | 2002-11-26 | Hitachi, Ltd. | Superconductor signal amplifier |
| JP2002344307A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-29 | Fujitsu Ltd | 単一磁束量子論理回路および単一磁束量子出力変換回路 |
| JP4681755B2 (ja) * | 2001-05-14 | 2011-05-11 | 富士通株式会社 | 単一磁束量子論理回路および単一磁束量子出力変換回路 |
| JP2006349496A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Kanazawa Inst Of Technology | シングルチップ集積型マルチチャンネル磁気センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3672957B2 (ja) | 2005-07-20 |
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