JPS61284679A - 超伝導量子干渉装置 - Google Patents

超伝導量子干渉装置

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JPS61284679A
JPS61284679A JP12518985A JP12518985A JPS61284679A JP S61284679 A JPS61284679 A JP S61284679A JP 12518985 A JP12518985 A JP 12518985A JP 12518985 A JP12518985 A JP 12518985A JP S61284679 A JPS61284679 A JP S61284679A
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JP
Japan
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quantum interference
superconducting quantum
input
series
voltage
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JP12518985A
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English (en)
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Taku Noguchi
卓 野口
Norio Ookawa
大川 訓生
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば磁界検出袋°!や電気信号増幅装置
等に利用される超伝導量子干渉装置に関するものである
〔従来の技術〕
従来の超伝導量子干渉装置は第弘図に示すような構成に
なっている。第を図において(1)はジョセフソン接合
、(コ)は左右一対のジョセフソン接合(1)を介Cて
ループを形成した超電導体からまる超伝導ループであシ
、これら両者によって超伝導量子干渉素子(S)が構成
されている。(3)は超伝導ループ(2)と磁気結合さ
れた入力コイル、(41)は電流バイアス端子、(k’
)は電圧出力端子である。
超伝導ループ(コ)の一端は接地され、他端は各端子(
lI> 、 (t)に接続されている。又、ジョセフソ
ン接合(1)は第5図に示すような等価回路で表わせる
ものとする。ここで(//)は接合容量でアシ。
その容量値はC0である。(/コ)は各ジョセフソン接
合(1)の両端の超伝導体の位相差θに伴って電流I 
、sinθを流すことのできる電流源である。
(/3)は接合容量(//)に伴って発生するジョセフ
ソン接合(1)のti−電圧特性上のヒステリシスを消
すために取付けられた短絡抵抗であり、その抵抗値はR
である。ヒステリシス・パラメータβ。は、次の式を満
足している。
ただし、工。はジョセフソン接合(1)の臨界電流値、
φ、は磁束量子である。β。≦/なる条件は接合容量(
//)を流れる電流が無視できることを意味している。
次に動作について説明する。いま第7図の電流バイアス
端子(りから直流電流工を流し、入力フィル(3)に信
号電iI。を流したとすると、入力コイル(3)は相互
インダクタンスMで超伝導ループ(2)と磁気的に結合
しているので、超伝導ループ(=)に印加磁束Φ=MI
。が発生する。この時、第グ図の超伝導量子干渉装置の
回路は次の回路方程式を満足する。
I = 工6 (sinθ、 十sinθ、)−二(v
、 + vJ) ・・・(x)ここでθ1.θユは左右
のジョセフソン接合(1)の位相差、V、、V、は左右
のジョセフソン接合(1)の各両端の電圧% L、は超
伝導ループ(2)のインダクタンスである。また、ここ
では左右のジョセフソン接合(1)の特性も等しいもの
と仮定した。更に位相差θと電圧Vの関係式 が成立している。ここでeは電子の電荷、甘はプ2ンク
定数をh”1コπで割った値である。it流工を定数と
して(,2) 、 (,7) l (lI)式を連立さ
せれば電圧Vの時間平均〈)を数値的に求めることが出
来る。
第6図はこうして求めた超電導量子干渉素子(S)の直
流電流−電圧特性である。第6図において曲線(a)は
、印加磁束Φ(=MI。)が磁束量子φ。の整数倍(Φ
=nφ0)の時の電流−電圧特性、曲線(b)は印加磁
束Φが磁束量子φ。の半奇数倍(Φ=(n±−i)φ0
)の時の電流−電圧特性である。印加磁束Φがn−1と
(n:lニーi)φ0の間の値の場合には曲線(a)と
(b)の間の似かよりた曲線(C)となる。第6図から
も明らかなように、超伝導量子干渉素子(S)を電圧降
下なしに流れることの出来る電流(零電圧電流)は印加
磁束φによって変化し、Φ=nφ、の時に最大となシ、
Φ=(n+7)φ0のとき最小となるように、磁束量子
φ。を周期として振動的に変化する。
さて、このような超伝導量子干渉素子(S)に、電流バ
イアス端子(りを介して一定電IIIえを流しておき、
すなわちバイアス点を第6図(4)点に固定し、信号電
流工。により誘導される印加磁束Φを変化させて、超伝
導量子干渉素子(S)の両端に発生する電圧vAを測定
すると、第7図のような最大振幅ΔVAを有する周期曲
線が得られる。超伝導・量子干渉素子(S)は超伝導ル
ープ(コ)内に発生する印加磁束Φを電圧VAに変換し
、計量する装置と解釈することができる。このとき、被
測定信号は第9図の入力フィル(3)に信号電流工。と
して入力されることが必要である。こうして外部入力信
号即ち信号電流工。の変化を電圧vAの変化として取出
すことが出来る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の超伝導量子干渉装置は以上のように構成   □
されているが、条件式(1)を満足させるために小さな
抵抗Rでジョセフソン接合を短絡しているため、出力電
圧の最大振幅ΔvAを大きくすることが難しく、最大振
幅ΔVAは通常数10μV以下であった。
このため、出力電圧VAが入力信号型fiI。に比例す
る線形領域が狭く、また外部雑音の影響を受けやすく、
分解能の向上が困難であるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、出力電圧の最大振幅を大きくし、線形領域を
大幅に拡張するとともに、外部雑音の影響を相対的に小
さくして分解能の向上が可能な超伝導量子干渉装置を得
ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明は、従来7個であった超伝導量子干渉素子を複
数個直列に接続すると共にその各々の入力コイルも直列
に接続したものである。
〔作用〕
この発明における超伝導量子干渉装置は、超伝導量子干
渉素子をN個直列に接続したため、その両端に発生する
電圧が7個の場合のN倍になシ、分解能が向上する。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例について説明する。
第1図において、符号(1)、(J)および(’I”)
 、 (!r>は従来装置におけるのと同一のものであ
る。これらジョセフソン接合(1)および超伝導ループ
(2)からなる超伝導量子干渉素子(SL)はL = 
/からNまでのN個設けられ、超伝導あるいは常伝導の
線(6)で直列接続されている。この超伝導量子干渉素
子(SL)の一端の(8N)側は接地され、他端の(S
/)側には、電流バイアス端子(4t)および電圧出力
端子(りが取付けられている。又、超伝導量子干渉素子
(SL)に対応して設けられたN個の入力コイル(JA
L)(ただしL = /−N)は超伝導線(り)で直列
接続され、入力コイル集合(3A)および両端(T/)
 、 (T2)を形成している。
この場合、ジョセフソン接合(1)は、すべて同一の特
性を有し、それぞれ前述の条件式(1)を満足している
ものとする。又、各入力コイル(JAL)も従来のもの
と同一である。従って、第7図の従来装置の入力コイル
(,7)に電流Ijを流したとき、超伝導童子干渉素子
(S)にΔVの電圧が発生したとすると、この発明によ
るN個の直列接続型の入力としてこの超伝導量子干渉素
子(SL)全体の両端にはN・ΔVの電圧が発生するこ
とKなる。
次に、この超伝導量子干渉装置を磁界検出装置に利用す
る場合を例にとって、具体的動作について説明する。第
2図に示すように、超伝導線のプローブコイル(r)を
入力コイル集合(3A)の両端(T/) 、 (’rコ
)に接続し、このプローブコイル(f) t−磁界中に
置くことによって、プローブコイルCt)内に鋳起され
る磁束を入力コイル集合(3A)を通して超伝導量子干
渉素子(SL)に伝達する方式が一般に用いられる。同
じ大きさのプローブコイル(j)(インダクタンスをL
、面積をSとする)を磁束密度Bの磁界中に置き、これ
を従来の超伝導量子干渉装置と、N個直列型のこの発明
による装置とに接続した場合を比較して考える。7個の
入力コイル(3Az)即ち(3)のインダクタンスをL
L%同様に7個の超伝導量子干渉素子(SL)即ち(S
)のループインダクタンスをL8とするとグローブコイ
ル(1)から7個の超伝導量子干渉素子(S、)に伝達
される磁束Φ8の最大値は となる。ここでNは直列に接続した超伝導量子干渉素子
(SL)の個数、kは入力コイル(JAL)と超伝導量
子干渉素子(SL)との結合定数、Φ=B −8である
。したがって各超伝導量子干渉素子(SL)θV の磁束電圧変換係数がすべてG =a 、p  である
とすると、従来の7個の超伝導量子干渉素子(S)の出
力電圧V、は となシ、N個直列の超伝導量子干渉素子(S=)では、
その出力電圧vNは、 = y′)i−−v、               
                  ・・・(り)と
なる。すなわち、超伝導量子干渉素子(SL)をN個直
列に接続したこの発明による装置では、従来の7個の超
伝導量子干渉素子(S)を用いた場合に比べて出力がJ
T倍だけ比例して大きくなシ、その結果磁束分解能が向
上する。
次に、第3図を参照し、この発明による超伝導量子干渉
装置を電気信号増幅装置に用いた場合について述べる。
この場合、入力コイル集合(3A)の一端即ち、入力コ
イル(,7A/)と入力端(T/)との間に容量Cを有
するコンデンサ(テ)を接続して同調させ、さらにイン
ピーダンス整合用の負荷(10)(通常は純抵抗)を接
続する。したがって、入力コイル集合(3A)を流れる
[流はインビーダンス整合用負荷(10)によって制限
されることになるため、従来の7個の超伝導量子干渉素
子(S)の場合もN個直列の場合も入力コイルを流れる
電流は等しくなる。故に、出力電圧端子(r)および(
3A)に表われる電圧比によシ、N個直列の場合は7個
の場合に比べて出力がN倍となる。
なお一般に超伝導量子干渉素子を用いた計測器の分解能
は出力電圧の検知装置の分解能によって決められてしま
う。したがって、電圧検知装置の分解能が一定であって
も、超伝導量子干渉素子の出力電圧が向上すれば計測器
全体の分解能が向上し、信号雑音比も改善されることは
明らかである。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば超伝導量子干渉素子を
N個直列に接続すると共に、これに対応するN個の入力
コイルもすべて直列に接続した構成としたので、入力コ
イルに生じる信号電流に対し、超伝導量子干渉素子全体
の両端に表われる出力電圧が大きくなり、測定精度が向
上する効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による超伝導量子干渉装置
の回路図、第2図は第1図の装置を磁界検出器に用いた
例の回路図、第3図は第1図の装置を電気信号増幅装置
に用いた例の回路図、第q図は従来の超伝導量子干渉装
置の回路図、第S図は超伝導量子干渉素子を構成するジ
ョセフソン接合の等価回路図、第6図は直流超伝導量子
干渉素子の直流電流−電圧特性図、第7図は超伝導量子
干渉素子に印加される印加磁束と出力電圧の関係を示す
特性図である。 図において(1)・・ジョセフソン接合、(2)・・超
伝導ループ、(、?A/)〜(3)玉)・・入力コイル
、(3A)・・入力コイル集合、(す・・電流バイアス
端子、(5)・・電圧出力端子、(S/)〜(SN)・
・超低4量子干渉素子。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 光4図   4

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)直流駆動型の超伝導量子干渉素子をN個(Nは2
    以上の整数)直列に接続すると共に、前記各超伝導量子
    干渉素子と磁気結合して信号を伝達するための入力コイ
    ルをそれぞれの超伝導量子干渉素子と対応してN個設け
    、これら入力コイルをすべて直列に接続したことを特徴
    とする超伝導量子干渉装置。
  2. (2)N個の入力コイルからなる入力コイル集合の両端
    に磁界検出装置のプローブコイルを接続したことを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の超伝導量子干渉装置
  3. (3)N個の入力コイルからなる入力コイル集合の一端
    に電気信号増幅装置のインピーダンス整合用の負荷およ
    びこの負荷と直列のコンデンサを接続したことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の超伝導量子干渉装置。
JP12518985A 1985-06-11 1985-06-11 超伝導量子干渉装置 Pending JPS61284679A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6452446A (en) * 1987-08-24 1989-02-28 Hitachi Ltd Examination apparatus using nuclear magnetic resonance
US5099152A (en) * 1990-02-06 1992-03-24 Fujitsu Limited Superconducting circuit having an output conversion circuit

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