JPH08236661A - モールド型半導体装置 - Google Patents

モールド型半導体装置

Info

Publication number
JPH08236661A
JPH08236661A JP7040192A JP4019295A JPH08236661A JP H08236661 A JPH08236661 A JP H08236661A JP 7040192 A JP7040192 A JP 7040192A JP 4019295 A JP4019295 A JP 4019295A JP H08236661 A JPH08236661 A JP H08236661A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellet
groove
lead frame
solder
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7040192A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Umemoto
毅 梅本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP7040192A priority Critical patent/JPH08236661A/ja
Publication of JPH08236661A publication Critical patent/JPH08236661A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】リードフレームのアイランド部にペレッとを取
付ける際のソルダが、ペレット表面に付着するのを防止
できるモールド型半導体装置を提供する。 【構成】本発明は、金属板を所定の形状に加工したリー
ドフレーム(アイランド部)1と、リードフレーム(電
極部)2と、ペレット3と、金細線4aおよび4bと、
ペレット本体5と、ガラス保護膜6と、溝8a および8
b と、固定板9とを備えて構成されており、リードフレ
ーム(アイランド部)1のペレットマウント部の溝8a
およ8b には、ソルダ7が載せられている。リードフレ
ーム(アイランド部)1のペレットマウント部には、深
さ100μm程度の溝8a が形成されるとともに、ペレ
ット3にソルダ7が這い上らないように、そして金細線
4aおよび4b による電気配線に支障が生じないよう
に、ペレットマウント部の溝8a に隣接して、深さ20
〜50μm程度の溝8b が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
モールド型の半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のモールド型の半導体装置の1例と
して、特開昭60−178636号公報に提案されてい
る半導体装置の1部の構造が図3(a)および(b)に
示される。図3(a)は当該半導体装置の上面図、図3
(b)は、そのリードフレームおよびペレット等を含む
部分断面図である。このモールド型の半導体装置は、図
3(a)および(b)に示されるように、金属板を所定
の形状に加工したリードフレーム(アイランド部)1
と、リードフレーム(電極部)2と、ペレット3と、金
細線4aおよび4bと、ペレット本体5と、ガラス保護
膜6と、溝8と、固定板9とを備えて構成されており、
リードフレーム(アイランド部)1のペレットマウント
部には溝8が形成され、図3(b)に示されるように、
そこに半田またはロー材などのソルダ7が載置されて、
その上から表裏両面がメサカットされたペレット3が載
せられている。そして、更にそのペレット3の上から適
当な荷重を与えることにより、ペレット3が前記ペレッ
トマウント部に取付けられている。そして、その後にお
いて、ペレット3上の電極部と、リードフレーム(アイ
ランド部)1およびリードフレーム(電極部)2との間
に、それぞれ金細線4aおよび4bにより必要な電気配
線が行われる。
【0003】この従来例においては、ペレット3を、自
動的にリードフレーム(アイランド部)1のペレットマ
ウント部に載せる自動機の位置決め精度は±50〜10
0μmであり、前記ペレットマウント部の大きさとして
は、ペレット3の大きさに対して、±200〜300μ
m程度大きめに構成することが必要となる。このため
に、ペレット3をペレットマウント部に取付ける際に
は、半田またはロー材がペレット3の側面から表面に上
ってきて、ペレット3の電極部に付着する事態が生じる
惧れがある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のモール
ド型の半導体装置においては、ペレットをリードフレー
ム(アイランド部)のペレットマウント部に自動的に載
せる自動機の位置決め精度が±50〜100μmである
ために、前記ペレットマウント部の大きさをペレット自
体の大きさと同一の寸法に設定することができず、ペレ
ットマウント部の大きさとしては、ペレットの大きさよ
りも、±200〜300μm程度大きめに構成すること
が必要となる。これにより、ペレットマウント部の溝の
大きさとペレットの大きさに差異を生じ、当該ペレット
マウント部にペレットを取付けた場合に、半田またはロ
ー材などのソルダーがペレットの側面から這い上ってき
てペレット表面に付着し、ペレットとリードフレームと
の間の金細線による電気配線を行うことができなくなる
という欠点がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のモールド型半導
体装置は、リードフレームのアイランド部にソルダを用
いてペレットを取付ける際に、前記ソルダがペレットの
表面に付着しないように、当該ソルダを逃がすために設
けられる第1の溝と、前記第1の溝に隣接して、前記ソ
ルダを逃がすために補助的に設けられる第2の溝と、を
前記リードフレームのアイランド部に備えることを特徴
としている。
【0006】なお、前記第1の溝は、前記ペレットの取
付け場所に設けられる深さが100μm程度の方形の溝
として形成し、前記第2の溝は、前記第1の溝の相対向
する辺に直交する形で隣接して設けられる深さが20〜
50μm程度の線状の溝として形成してもよく、或はま
た、前記第1の溝は、前記ペレットの取付け場所に設け
られる深さが100μm程度の方形の溝として形成し、
前記第2の溝は、前記第1の溝の方形の4隅より放射状
に隣接して設けられる深さが20〜50μm程度の溝と
して形成してもよい。
【0007】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0008】図1は、本発明の第1の実施例の1部の構
造を示す図であり、図1(a)は本実施例の上面図、図
1(b)は、本実施例のリードフレームおよびペレット
等を含む部分断面図、図1(c)は、本実施例のリード
フレームおよび溝等を含む部分斜視図である。本実施例
は、図1(a)、(b)および(c)に示されるよう
に、金属板を所定の形状に加工したリードフレーム(ア
イランド部)1と、リードフレーム(電極部)2と、ペ
レット3と、金細線4aおよび4bと、ペレット本体5
と、ガラス保護膜6と、溝8a および8b と、固定板9
とを備えて構成されており、リードフレーム(アイラン
ド部)1のペレットマウント部の溝8a およ8b には、
ソルダ7が載せられている。リードフレーム(アイラン
ド部)1のペレットマウント部には、深さ100μm程
度の溝8a が形成されるとともに、ペレット3にソルダ
7が這い上らないように、また、金細線4a および4b
による電気配線に支障が生じないように、ペレットマウ
ント部の溝8a に隣接して、深さ20〜50μm程度の
溝8b が設けられている。
【0009】また、本実施例においては、図1(b)の
リードフレーム(アイランド部)1、ペレット3および
溝8b を含む部分断面図に示されるように、ペレット3
がペレットマウント部に取付けられる際に、ソルダ7
は、ペレット3の下部から外側に逃げ、更にペレット3
の側面から深さの浅い溝8b の方に逃げる。このよう
に、深さの浅い溝8b を設けたことにより、ペレット3
の側面を伝わってペレット3の表面にソルダが這い上が
って付着することが回避される。従って、リードフレー
ム(アイランド部)1およびリードフレーム(電極部)
と、ペレット3との間の金細線4aおよび4bによる電
気配線を円滑に行うことができる。金細線4aおよび4
bによる電気配線の終了後においてはモールド封止さ
れ、固定板9が切断除去されて、個々のモールド型半導
体装置として形成される。
【0010】このように、本実施例によれば、ペレット
マウント部に深さが100μm程度の溝を形成し、更に
当該溝に隣接して連繋する形で深さが20〜50μm程
度の溝を形成することにより、ペレットを前記ペレット
マウント部に取付ける際に、ソルダがペレット側面に伝
わってペレットに付着することが防止され、金細線によ
る電気配線を円滑に行うことができるという効果があ
る。
【0011】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。図2は、本実施例の1部の構造の上面図である。
本実施例は、図2に示されるように、金属板を所定の形
状に加工したリードフレーム(アイランド部)1と、リ
ードフレーム(電極部)2と、ペレット3と、金細線4
aおよび4bと、溝8a および8b と、固定板9とを備
えて構成される。本実施例においては、深さ100μm
程度の溝8a に隣接して、深さ20〜50μm程度の溝
8b が、ペレット3の4つの角に対応して4個設けられ
ている。この溝8b の役割りは前述の第1の実施例にお
ける溝8b と全く同様であり、本実施例においても、ペ
レットを前記ペレットマウント部に取付ける際に、ソル
ダがペレット3の側面に伝わってペレット3に付着する
ことが防止され、金細線4a および4b による電気配線
を円滑に行うことができる。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、リード
フレームのアイランド部にペレットを取付ける際に用い
るソルダを逃がすための溝に隣接して、当該溝の深さよ
りも浅い溝を設けることにより、ペレット取付時に、ペ
レット側面より這い上がってペレット表面にソルダが付
着するのを防止することが可能となり、金細線によるペ
レットとリードフレームとの電気配線を円滑に行うこと
ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の部分構造の上面図、部
分断面図および斜視図である。
【図2】本発明の第2の実施例の部分構造の上面図であ
る。
【図3】従来例の部分構造の上面図および部分断面図で
ある。
【符号の説明】
1 リードフレーム(アイランド部) 2 リードフレ−ム(電極部) 3 ペレット 4a 、4b 金細線 5 ペレット本体 6 ガラス保護膜 7 ソルダ 8a 、8b 溝 9 固定板

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームのアイランド部にソルダ
    を用いてペレットを取付ける際に、前記ソルダがペレッ
    トの表面に付着しないように、当該ソルダを逃がすため
    に設けられる第1の溝と、 前記第1の溝に隣接して、前記ソルダを逃がすために補
    助的に設けられる第2の溝と、 を前記リードフレームのアイランド部に備えることを特
    徴とするモールド型半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記第1の溝が、前記ペレットの取付け
    場所に設けられる深さが100μm程度の方形の溝とし
    て形成され、前記第2の溝が、前記第1の溝の相対向す
    る辺に直交する形で隣接して設けられる深さが20〜5
    0μm程度の線状の溝として形成されることを特徴とす
    る請求項1記載のモールド型半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記第1の溝が、前記ペレットの取付け
    場所に設けられる深さが100μm程度の方形の溝とし
    て形成され、前記第2の溝が、前記第1の溝の方形の4
    隅より放射状に隣接して設けられる深さが20〜50μ
    m程度の溝として形成されることを特徴とする請求項1
    記載のモールド型半導体装置。
JP7040192A 1995-02-28 1995-02-28 モールド型半導体装置 Pending JPH08236661A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7040192A JPH08236661A (ja) 1995-02-28 1995-02-28 モールド型半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7040192A JPH08236661A (ja) 1995-02-28 1995-02-28 モールド型半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08236661A true JPH08236661A (ja) 1996-09-13

Family

ID=12573922

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7040192A Pending JPH08236661A (ja) 1995-02-28 1995-02-28 モールド型半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08236661A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102194787A (zh) * 2010-02-24 2011-09-21 松下电器产业株式会社 电子部件

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5922334A (ja) * 1982-07-28 1984-02-04 Matsushita Electric Works Ltd 半導体チツプ用ダイ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5922334A (ja) * 1982-07-28 1984-02-04 Matsushita Electric Works Ltd 半導体チツプ用ダイ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102194787A (zh) * 2010-02-24 2011-09-21 松下电器产业株式会社 电子部件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1528595B1 (en) Lead frame, wire-bonding stage and method for fabricating a semiconductor apparatus
US5950074A (en) Method of making an integrated circuit package
US6114189A (en) Molded array integrated circuit package
US10957632B2 (en) Lead frame assembly for a semiconductor device
US5278447A (en) Semiconductor device assembly carrier
JP2001015668A (ja) 樹脂封止型半導体パッケージ
JPH03177060A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JPH08236661A (ja) モールド型半導体装置
US6396708B1 (en) Circuit board frame and method of use thereof for manufacturing semiconductor device
JPS60186044A (ja) 集積回路装置
US11390519B2 (en) Method for manufacturing a MEMS sensor
JP2539432B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
EP0671763A2 (en) Ultrasonically welded plastic support ring for handling and testing semiconductor devices
JPS6038844A (ja) 半導体装置
JPS6050346B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5866346A (ja) 半導体装置
JPH01255260A (ja) リードフレームの構造
JPS6184841A (ja) 半導体装置の外囲器
JPS62235763A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPS63208255A (ja) 電子装置
JPS61152046A (ja) 半導体装置
JPH11111737A (ja) 半導体装置
KR200152651Y1 (ko) 리드프레임
JPH01208851A (ja) 電子部品の実装構造
KR200155169Y1 (ko) 반도체 패키지 디바이스

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19980120