JPH08236307A - チップ型サーミスタの製造方法 - Google Patents
チップ型サーミスタの製造方法Info
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- JPH08236307A JPH08236307A JP3379095A JP3379095A JPH08236307A JP H08236307 A JPH08236307 A JP H08236307A JP 3379095 A JP3379095 A JP 3379095A JP 3379095 A JP3379095 A JP 3379095A JP H08236307 A JPH08236307 A JP H08236307A
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- electroless
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 端子電極のみに電解メッキを行うことができ
るチップ型サーミスタを提供することを目的とするもの
である。 【構成】 内部電極１ａ，１ｂを内装したサーミスタチ
ップ１１の端面にレジスト樹脂１２ａ，１２ｂを形成し
た後、サーミスタチップ１１の外周面に無電解Ｎｉ−Ｂ
メッキ膜１３を形成する。次にレジスト樹脂１２ａ，１
２ｂ及びその上の無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３を除去
後、熱処理によって無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３を酸化
させた絶縁体膜１４を設けることにより、端子電極１５
ａ，１５ｂ上にのみ金属メッキ層１６ａ，１６ｂを形成
することができる。
るチップ型サーミスタを提供することを目的とするもの
である。 【構成】 内部電極１ａ，１ｂを内装したサーミスタチ
ップ１１の端面にレジスト樹脂１２ａ，１２ｂを形成し
た後、サーミスタチップ１１の外周面に無電解Ｎｉ−Ｂ
メッキ膜１３を形成する。次にレジスト樹脂１２ａ，１
２ｂ及びその上の無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３を除去
後、熱処理によって無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３を酸化
させた絶縁体膜１４を設けることにより、端子電極１５
ａ，１５ｂ上にのみ金属メッキ層１６ａ，１６ｂを形成
することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば温度センサ、温
度補償に使用される表面実装用のチップ型サーミスタの
製造方法に関するものである。
度補償に使用される表面実装用のチップ型サーミスタの
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、表面実装用のチップ型サーミスタ
は、次のようにして製造されていた。
は、次のようにして製造されていた。
【０００３】まず、マンガン、ニッケル、コバルト等の
酸化物原料を配合して混合して仮焼し、次に、この仮焼
粉を粉砕し、樹脂、溶剤などからなるバインダー組成物
を混合してスラリーを調整した後、このスラリーを成形
機により成形してサーミスタ抵抗体グリーンシートを得
ていた。次に、このサーミスタ抵抗体グリーンシート上
に、パラジウム、樹脂、溶剤からなる電極ペーストを塗
布して内部電極塗膜付きグリーンシートを得ていた。そ
の後、この内部電極塗膜付きグリーンシート２枚を内部
電極塗膜がサーミスタ抵抗体グリーンシートを介して対
向するように重ね、さらにサーミスタ抵抗体グリーンシ
ートを重ねて内部電極塗膜を埋め込んでグリーンシート
積層体を得ていた。次に、このグリーンシート積層体を
一定の寸法に切断し、焼成してサーミスタ抵抗体のチッ
プを得、このチップの両端部を電極ペーストに浸漬する
ことによりこの電極ペーストを付着させ、乾燥、焼付け
を行って端子電極を形成しチップ型サーミスタを得てい
た。
酸化物原料を配合して混合して仮焼し、次に、この仮焼
粉を粉砕し、樹脂、溶剤などからなるバインダー組成物
を混合してスラリーを調整した後、このスラリーを成形
機により成形してサーミスタ抵抗体グリーンシートを得
ていた。次に、このサーミスタ抵抗体グリーンシート上
に、パラジウム、樹脂、溶剤からなる電極ペーストを塗
布して内部電極塗膜付きグリーンシートを得ていた。そ
の後、この内部電極塗膜付きグリーンシート２枚を内部
電極塗膜がサーミスタ抵抗体グリーンシートを介して対
向するように重ね、さらにサーミスタ抵抗体グリーンシ
ートを重ねて内部電極塗膜を埋め込んでグリーンシート
積層体を得ていた。次に、このグリーンシート積層体を
一定の寸法に切断し、焼成してサーミスタ抵抗体のチッ
プを得、このチップの両端部を電極ペーストに浸漬する
ことによりこの電極ペーストを付着させ、乾燥、焼付け
を行って端子電極を形成しチップ型サーミスタを得てい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようにして得たチ
ップ型サーミスタをプリント基板にはんだ付けによって
実装使用とすると端子電極をＡｇで形成した場合、はん
だ食われ現象が起き、はんだ食われ現象を防ぐためにＡ
ｇ−Ｐｄで端子電極を形成するとはんだ濡れ性が悪くな
るという問題点があった。そこで端子電極のはんだ濡れ
性を改善しかつはんだ食われ現象を抑制するために、端
子電極にニッケルメッキ、はんだメッキを施す必要があ
った。
ップ型サーミスタをプリント基板にはんだ付けによって
実装使用とすると端子電極をＡｇで形成した場合、はん
だ食われ現象が起き、はんだ食われ現象を防ぐためにＡ
ｇ−Ｐｄで端子電極を形成するとはんだ濡れ性が悪くな
るという問題点があった。そこで端子電極のはんだ濡れ
性を改善しかつはんだ食われ現象を抑制するために、端
子電極にニッケルメッキ、はんだメッキを施す必要があ
った。
【０００５】しかし、電解メッキを行うとサーミスタ素
体にもメッキ膜が形成され、電極寸法が変わり抵抗値が
変化したり、また比抵抗の小さい材料では端子電極間が
ショートしてしまうという問題点を有していた。
体にもメッキ膜が形成され、電極寸法が変わり抵抗値が
変化したり、また比抵抗の小さい材料では端子電極間が
ショートしてしまうという問題点を有していた。
【０００６】そこで本発明は、端子電極のみに電解メッ
キを行うことができるチップ型サーミスタを提供するこ
とを目的とするものである。
キを行うことができるチップ型サーミスタを提供するこ
とを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、少なくとも２層の内部電極を内蔵するサー
ミスタ素体と、このサーミスタ素体の前記内部電極の露
出した両端面に設けた端子電極と、前記サーミスタ素体
表面の前記端子電極で覆われていない部分に設けた高抵
抗層とを備えたものである。
に本発明は、少なくとも２層の内部電極を内蔵するサー
ミスタ素体と、このサーミスタ素体の前記内部電極の露
出した両端面に設けた端子電極と、前記サーミスタ素体
表面の前記端子電極で覆われていない部分に設けた高抵
抗層とを備えたものである。
【０００８】
【作用】この構成によると、サーミスタ素体の表面が高
抵抗層で覆われているため端子電極に電解メッキを行っ
ても、端子電極表面以外にメッキ膜が形成されない。
抵抗層で覆われているため端子電極に電解メッキを行っ
ても、端子電極表面以外にメッキ膜が形成されない。
【０００９】
（実施例１）以下本発明の第１の実施例について図１〜
４に基づいて説明する。まずマンガン、ニッケル、コバ
ルトなどの遷移金属酸化物原料を配合、混合、仮焼し、
この仮焼物を粉砕する。次にこの仮焼粉砕粉に樹脂、溶
剤からなるバインダーを混合したスラリーを調製し、こ
れを成形機により成形してサーミスタ抵抗体グリーンシ
ートを作製する。次にサーミスタ抵抗体グリーンシート
にＰｄ、樹脂、溶剤からなる電極材料ペーストをスクリ
ーン印刷によって塗布して内部電極塗布膜付きグリーン
シートを得る。次にこのグリーンシート２枚を内部電極
塗布膜がサーミスタ抵抗体グリーンシートを介して対向
するように重ね、さらにこの上にサーミスタ抵抗体グリ
ーンシートを重ねてグリーンシート積層体を得る。その
後グリーンシート積層体を一定寸法に切断して焼成を行
い、図２に示すように内部電極１ａ，１ｂを有する角型
サーミスタチップをアルミナ玉石、研磨剤、水とともに
撹拌することにより湿式バレル研磨を行って角隅部及び
稜線部が丸みを帯びたサーミスタチップ１１を得る。
４に基づいて説明する。まずマンガン、ニッケル、コバ
ルトなどの遷移金属酸化物原料を配合、混合、仮焼し、
この仮焼物を粉砕する。次にこの仮焼粉砕粉に樹脂、溶
剤からなるバインダーを混合したスラリーを調製し、こ
れを成形機により成形してサーミスタ抵抗体グリーンシ
ートを作製する。次にサーミスタ抵抗体グリーンシート
にＰｄ、樹脂、溶剤からなる電極材料ペーストをスクリ
ーン印刷によって塗布して内部電極塗布膜付きグリーン
シートを得る。次にこのグリーンシート２枚を内部電極
塗布膜がサーミスタ抵抗体グリーンシートを介して対向
するように重ね、さらにこの上にサーミスタ抵抗体グリ
ーンシートを重ねてグリーンシート積層体を得る。その
後グリーンシート積層体を一定寸法に切断して焼成を行
い、図２に示すように内部電極１ａ，１ｂを有する角型
サーミスタチップをアルミナ玉石、研磨剤、水とともに
撹拌することにより湿式バレル研磨を行って角隅部及び
稜線部が丸みを帯びたサーミスタチップ１１を得る。
【００１０】次に、エチルセルロースをエタノール等の
アルコールに溶かした溶液を研磨したサーミスタチップ
１１の端面に塗布した後、乾燥後で用いるメッキ液より
も融点の高いレジスト樹脂１２ａ，１２ｂを形成する。
次にレジスト樹脂１２ａ，１２ｂを形成したサーミスタ
チップ１１にメッキ膜１３を形成するための触媒化処理
を行った後、Ｎｉ−Ｂの無電解メッキ液中で無電解メッ
キを行うことにより図３に示すようにサーミスタチップ
１１の外周面に無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３を形成す
る。次に無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３を形成したサーミ
スタチップ１１をアルコール中で超音波洗浄することに
よって図４に示すようにレジスト樹脂１２ａ，１２ｂ及
びその上の無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３を除去する。次
にレジスト樹脂１２ａ，１２ｂを除去したサーミスタチ
ップ１１をニッケルが酸化する温度以上で熱処理するこ
とによって、無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３を酸化させた
絶縁体膜１４を得る。この絶縁体膜１４を形成したサー
ミスタチップ１１の両端にＡｇ−Ｐｄの粉末、溶剤、バ
インダーからなる電極材料ペーストを浸漬により付着さ
せてから乾燥させ、８５０℃で２０分焼付を行い端子電
極１５ａ，１５ｂを形成する。その後電解メッキによっ
てニッケルメッキ、はんだメッキを行い、金属メッキ層
１６ａ，１６ｂを形成したチップ型サーミスタ１７を得
る。このようにして得られた図１に示すようなチップ型
サーミスタ１７を１００個外観検査したところ、サーミ
スタ素体へのメッキ膜の形成は認められなかった。
アルコールに溶かした溶液を研磨したサーミスタチップ
１１の端面に塗布した後、乾燥後で用いるメッキ液より
も融点の高いレジスト樹脂１２ａ，１２ｂを形成する。
次にレジスト樹脂１２ａ，１２ｂを形成したサーミスタ
チップ１１にメッキ膜１３を形成するための触媒化処理
を行った後、Ｎｉ−Ｂの無電解メッキ液中で無電解メッ
キを行うことにより図３に示すようにサーミスタチップ
１１の外周面に無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３を形成す
る。次に無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３を形成したサーミ
スタチップ１１をアルコール中で超音波洗浄することに
よって図４に示すようにレジスト樹脂１２ａ，１２ｂ及
びその上の無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３を除去する。次
にレジスト樹脂１２ａ，１２ｂを除去したサーミスタチ
ップ１１をニッケルが酸化する温度以上で熱処理するこ
とによって、無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３を酸化させた
絶縁体膜１４を得る。この絶縁体膜１４を形成したサー
ミスタチップ１１の両端にＡｇ−Ｐｄの粉末、溶剤、バ
インダーからなる電極材料ペーストを浸漬により付着さ
せてから乾燥させ、８５０℃で２０分焼付を行い端子電
極１５ａ，１５ｂを形成する。その後電解メッキによっ
てニッケルメッキ、はんだメッキを行い、金属メッキ層
１６ａ，１６ｂを形成したチップ型サーミスタ１７を得
る。このようにして得られた図１に示すようなチップ型
サーミスタ１７を１００個外観検査したところ、サーミ
スタ素体へのメッキ膜の形成は認められなかった。
【００１１】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついて図１，３，４を用いて説明する。実施例１で述べ
たのと同様に端面にレジスト樹脂１２ａ，１２ｂを形成
したサーミスタチップ１１にめっき層を形成するための
触媒化処理を行い、Ｎｉ−Ｂ無電解メッキ液中に粒径１
０ミクロン以下のガラスフリットを分散させた状態でサ
ーミスタチップ１１を浸漬し、外周面にガラスフリット
を分散させた無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３を形成する。
次に図３に示すような無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３を形
成したサーミスタチップ１１をアルコール中で超音波洗
浄することによって、図４に示すようにレジスト樹脂１
２ａ，１２ｂ及びその上の無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３
を除去する。次にレジスト樹脂１２ａ，１２ｂを除去し
たサーミスタチップ１１をニッケルが酸化する温度以上
で熱処理することによって、無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１
３を酸化させた絶縁体膜１４を得る。その後絶縁体膜１
４を形成したサーミスタチップ１１の両端にＡｇ−Ｐｄ
の粉末、溶剤、バインダーからなる電極材料ペーストを
浸漬により付着させてから乾燥させ、８５０℃で２０分
焼付を行い端子電極１５ａ，１５ｂを形成する。次に電
解メッキによってニッケルメッキ、はんだメッキを行
い、金属メッキ層１６ａ，１６ｂを形成し、図４に示す
ようなチップ型サーミスタ１７を得る。なお、端子電極
１５ａ，１５ｂはＡｇでも良く、メッキ膜１３もＮｉ−
Ｓｎメッキでも勿論かまわない。なお、無電解Ｎｉ−Ｂ
メッキ膜１３中に分散させるガラスフリットはＮｉ−Ｂ
メッキ膜１３を酸化させる温度で溶融してアルカリ金属
イオンを含まないガラスであれば良い。なお、本実施例
では無電解メッキによって金属めっき層１６ａ，１６ｂ
を形成したが、真空蒸着あるいはスパッタリングを用い
ても良い。このようにして得られた図１に示すチップ型
サーミスタ１７を１００個外観検査したがサーミスタ素
体へのメッキ膜の形成は認められなかった。
ついて図１，３，４を用いて説明する。実施例１で述べ
たのと同様に端面にレジスト樹脂１２ａ，１２ｂを形成
したサーミスタチップ１１にめっき層を形成するための
触媒化処理を行い、Ｎｉ−Ｂ無電解メッキ液中に粒径１
０ミクロン以下のガラスフリットを分散させた状態でサ
ーミスタチップ１１を浸漬し、外周面にガラスフリット
を分散させた無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３を形成する。
次に図３に示すような無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３を形
成したサーミスタチップ１１をアルコール中で超音波洗
浄することによって、図４に示すようにレジスト樹脂１
２ａ，１２ｂ及びその上の無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１３
を除去する。次にレジスト樹脂１２ａ，１２ｂを除去し
たサーミスタチップ１１をニッケルが酸化する温度以上
で熱処理することによって、無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１
３を酸化させた絶縁体膜１４を得る。その後絶縁体膜１
４を形成したサーミスタチップ１１の両端にＡｇ−Ｐｄ
の粉末、溶剤、バインダーからなる電極材料ペーストを
浸漬により付着させてから乾燥させ、８５０℃で２０分
焼付を行い端子電極１５ａ，１５ｂを形成する。次に電
解メッキによってニッケルメッキ、はんだメッキを行
い、金属メッキ層１６ａ，１６ｂを形成し、図４に示す
ようなチップ型サーミスタ１７を得る。なお、端子電極
１５ａ，１５ｂはＡｇでも良く、メッキ膜１３もＮｉ−
Ｓｎメッキでも勿論かまわない。なお、無電解Ｎｉ−Ｂ
メッキ膜１３中に分散させるガラスフリットはＮｉ−Ｂ
メッキ膜１３を酸化させる温度で溶融してアルカリ金属
イオンを含まないガラスであれば良い。なお、本実施例
では無電解メッキによって金属めっき層１６ａ，１６ｂ
を形成したが、真空蒸着あるいはスパッタリングを用い
ても良い。このようにして得られた図１に示すチップ型
サーミスタ１７を１００個外観検査したがサーミスタ素
体へのメッキ膜の形成は認められなかった。
【００１２】なお、実施例１，２において、メッキ膜１
３を形成するために触媒化処理を行ったが、これは塩化
スズの水溶液にサーミスタチップ１１を浸漬した後、水
洗いし、次にＰｄＣｌ2の水溶液に浸漬させるものであ
る。
３を形成するために触媒化処理を行ったが、これは塩化
スズの水溶液にサーミスタチップ１１を浸漬した後、水
洗いし、次にＰｄＣｌ2の水溶液に浸漬させるものであ
る。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、サーミスタチップの表
面に絶縁体膜を設けることにより、電解メッキによるサ
ーミスタ素体へのメッキ膜の形成を防止できる。また、
端子電極と導電接続された内部電極を設けることによ
り、内部電極の面積及び内部電極間の距離によって抵抗
値を所定の値にすることができ、抵抗値のばらつきを小
さくできる。また、ニッケルメッキ、はんだメッキを施
した端子電極ははんだ食われが起きないので、フローは
んだ付けが可能なチップ型サーミスタを提供することが
でき、その生産性を向上できると共に、はんだ付け性が
良いこと及び上記電解メッキを行う場合の障害がないこ
とと併せて高精度、高信頼性のチップ型サーミスタを提
供することができる。
面に絶縁体膜を設けることにより、電解メッキによるサ
ーミスタ素体へのメッキ膜の形成を防止できる。また、
端子電極と導電接続された内部電極を設けることによ
り、内部電極の面積及び内部電極間の距離によって抵抗
値を所定の値にすることができ、抵抗値のばらつきを小
さくできる。また、ニッケルメッキ、はんだメッキを施
した端子電極ははんだ食われが起きないので、フローは
んだ付けが可能なチップ型サーミスタを提供することが
でき、その生産性を向上できると共に、はんだ付け性が
良いこと及び上記電解メッキを行う場合の障害がないこ
とと併せて高精度、高信頼性のチップ型サーミスタを提
供することができる。
【図１】本発明の一実施例におけるチップ型サーミスタ
の断面図
の断面図
【図２】本発明の一実施例におけるサーミスタチップの
断面図
断面図
【図３】本発明の一実施例におけるメッキ膜を形成した
サーミスタチップの断面図
サーミスタチップの断面図
【図４】本発明の一実施例における絶縁体膜を形成した
サーミスタチップの断面図
サーミスタチップの断面図
１ａ 内部電極 １ｂ 内部電極 １１ サーミスタチップ １２ａ レジスト樹脂 １２ｂ レジスト樹脂 １３ メッキ膜 １４ 絶縁体膜 １５ａ 端子電極 １５ｂ 端子電極
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも２層の内部電極を内蔵するサ
ーミスタ素体の表面に金属メッキ層を形成し、次にこの
金属メッキ層を酸化させて絶縁性の酸化物膜を形成する
チップ型サーミスタの製造方法。 - 【請求項２】 無電解Ｎｉ−Ｂメッキにより金属メッキ
層を形成する請求項１記載のチップ型サーミスタの製造
方法。 - 【請求項３】 ガラスフリットを分散させた無電解Ｎｉ
−Ｂメッキ液を用いる請求項２記載のチップ型サーミス
タの製造方法。 - 【請求項４】 少なくとも２層の内部電極を内蔵するサ
ーミスタ素体の前記内部電極の露出した端面にレジスト
樹脂を設けた後、このサーミスタ素体の表面に金属メッ
キ層を形成し、次に、前記レジスト樹脂とこのレジスト
樹脂上の金属メッキ層を除去し、その後、この金属メッ
キ層を酸化させて絶縁性の酸化物膜を形成し、次に前記
サーミスタ素体の内部電極の露出した端面に端子電極を
形成するチップ型サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3379095A JPH08236307A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | チップ型サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3379095A JPH08236307A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | チップ型サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236307A true JPH08236307A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=12396275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3379095A Pending JPH08236307A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | チップ型サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08236307A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008251752A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法および電子部品 |
-
1995
- 1995-02-22 JP JP3379095A patent/JPH08236307A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008251752A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法および電子部品 |
| JP4600688B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2010-12-15 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子部品の製造方法および電子部品 |
| US7905012B2 (en) | 2007-03-29 | 2011-03-15 | Tdk Corporation | Method for manufacturing electronic components |
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